專利名稱：液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)及其制造方法、連接線的修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)及其制造方法、連接線的修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-1XD)已在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。在IXD的制造過(guò)程中，液晶面板對(duì)盒之后，需要對(duì)彩膜基板的邊緣進(jìn)行切割，切割時(shí)會(huì)產(chǎn)生靜電釋放(Electro-Static discharge, ESD)。陣列基板邊緣設(shè)置于呈扇形排列的連接線(fan-out)，包括掃描連接線和數(shù)據(jù)連接線，彩膜基板切割完畢之后，陣列基板上的連接線將會(huì)裸露在外面。切割彩膜基板時(shí)產(chǎn)生的靜電會(huì)對(duì)連接線造成損傷，導(dǎo)致斷線等線不良(Line defect)的問(wèn)題。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，切割彩膜基板時(shí)產(chǎn)生的靜電，容易導(dǎo)致陣列基板上的連接線發(fā)生線不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)及其制造方法、連接線的修復(fù)方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，切割彩膜基板時(shí)產(chǎn)生的靜電，容易導(dǎo)致陣列基板上的連接線發(fā)生線不良的技術(shù)問(wèn)題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)，包括若干尖端放電結(jié)構(gòu)、外部導(dǎo)線和內(nèi)部導(dǎo)線；所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)和所述外部導(dǎo)線同層設(shè)置于陣列基板中；所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述陣列基板邊緣的連接線上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域，且所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)與所述連接線之間通過(guò)絕緣層隔開(kāi)，所述連接線為掃描線或者數(shù)據(jù)線；所述外部導(dǎo)線具有位于彩膜基板的切割線與封框膠之間的部分；所述內(nèi)部導(dǎo)線一端在所述切割線與封框膠之間的部分通過(guò)過(guò)孔與所述外部導(dǎo)線電位于所述切割線與封框膠之間的部分相連接，另一端與所述陣列基板中的與公共電極線相連的靜電環(huán)電連接。優(yōu)選的，所述連接線為多條并排設(shè)置，所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)于所述連接線的間隔處。進(jìn)一步，所述外部導(dǎo)線包括第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線；其中，所述第一外部導(dǎo)線位于所述切割線與封框膠之間，所述第三外部導(dǎo)線位于所述切割線的外側(cè)；所述第一外部導(dǎo)線、所述第二外部導(dǎo)線、所述第三外部導(dǎo)線和所述第四外部導(dǎo)線首尾相接，形成封閉的回路。優(yōu)選的，所述內(nèi)部導(dǎo)線的數(shù)量為兩條，兩條所述內(nèi)部導(dǎo)線的一端分別通過(guò)過(guò)孔與所述第一外部導(dǎo)線的兩端中的一端電連接，兩條所述內(nèi)部導(dǎo)線的另一端均與所述靜電環(huán)電連接。優(yōu)選的，所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)和所述外部導(dǎo)線，與所述陣列基板的像素電極位于同一層。所述內(nèi)部導(dǎo)線與所述陣列基板的掃描線或數(shù)據(jù)線位于同一層。一種上述防靜電結(jié)構(gòu)的制造方法，包括通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述內(nèi)部導(dǎo)線的圖形；具體可以為通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成掃描線圖形或數(shù)據(jù)線圖形的同時(shí)，形成包括所述內(nèi)部導(dǎo)線的圖形。通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述外部導(dǎo)線和所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形；具體可以為通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成像素電極圖形的同時(shí)，形成包括所述外部導(dǎo)線和所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形。形成過(guò)孔圖形，使所述外部導(dǎo)線和所述內(nèi)部導(dǎo)線通過(guò)所述過(guò)孔電連接。一種連接線的修復(fù)方法，所述連接線為多條并排設(shè)置于陣列基板上，所述連接線上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有上述形成封閉回路的第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線；所述第一外部導(dǎo)線和所述第三外部導(dǎo)線的平面投影均與每條連接線交叉；所述修復(fù)方法包括當(dāng)某一條連接線斷開(kāi)時(shí),在該連接線與所述第一外部導(dǎo)線的交叉處，以及該連接線與所述第三外部導(dǎo)線的交叉處，分別進(jìn)行焊接。進(jìn)一步，還包括在兩個(gè)焊接處的同側(cè)，切斷所述第一外部導(dǎo)線和所述第三外部導(dǎo)線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)對(duì)彩膜基板的邊緣進(jìn)行切割時(shí)，位于連接線上方的尖端放電結(jié)構(gòu)能夠有效吸收切割過(guò)程產(chǎn)生的靜電，保護(hù)其下方的連接線不受靜電影響；尖端放電結(jié)構(gòu)還能夠?qū)⑺盏碾姾蓚鬏斨镣獠繉?dǎo)線，再通過(guò)過(guò)孔將電荷傳輸至內(nèi)部導(dǎo)線，最終傳輸至陣列基板中的靜電環(huán)，從而除去了切割產(chǎn)生的靜電電荷。避免了切割彩膜基板時(shí)產(chǎn)生的靜電，導(dǎo)致陣列基板上的連接線發(fā)生線不良的問(wèn)題。另外，如果出現(xiàn)連接線斷線的情況，還可以利用激光將斷線的兩端分別與第一外部導(dǎo)線和第三外部導(dǎo)線焊接在一起，從而利用第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線形成的回路對(duì)斷線進(jìn)行修復(fù)。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1所提供的防靜電結(jié)構(gòu)在液晶面板中的截面示意圖；圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1所提供的防靜電結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖3為本發(fā)明的實(shí)施例2所提供的防靜電結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖4為利用本發(fā)明的實(shí)施例2所提供的防靜電結(jié)構(gòu)修復(fù)斷線的示意圖5為利用本發(fā)明的實(shí)施例2所提供的防靜電結(jié)構(gòu)修復(fù)斷線的另一示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1 :如圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)，包括若干尖端放電結(jié)構(gòu)11、外部導(dǎo)線LI和內(nèi)部導(dǎo)線LO ;若干尖端放電結(jié)構(gòu)11和外部導(dǎo)線LI同層設(shè)置于陣列基板I中；若干尖端放電結(jié)構(gòu)11位于陣列基板I邊緣的連接線12上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域，且若干尖端放電結(jié)構(gòu)11與連接線12之間通過(guò)絕緣層13隔開(kāi)。本發(fā)明實(shí)施例中的連接線12為多條并排設(shè)置呈扇形，該連接線可以是掃描線，或者也可以是數(shù)據(jù)線，即本發(fā)明實(shí)施例提供的防靜電結(jié)構(gòu)可用于保護(hù)掃描線，也可用于保護(hù)數(shù)據(jù)線。作為一個(gè)優(yōu)選方案，可以對(duì)每組掃描線以及每組數(shù)據(jù)線都設(shè)置該防靜電結(jié)構(gòu)。外部導(dǎo)線LI具有位于彩膜基板2的切割線與封框膠之間的部分，本實(shí)施例中外部導(dǎo)線LI的整體都位于切割線與封框膠之間。在其他實(shí)施方式中，也可以使外部導(dǎo)線的一部分位于切割線與封框膠之間，另一部分位于切割線外側(cè)。內(nèi)部導(dǎo)線LO —端在切割線與封框膠之間通過(guò)過(guò)孔14與外部導(dǎo)線LI位于切割線與封框膠之間的部分相連接，另一端與陣列基板I中的與公共電極線相連的靜電環(huán)(圖中未示出)電連接。靜電環(huán)也稱為內(nèi)部短路環(huán)(inner short ring),用于消除陣列基板的內(nèi)部靜電，屬于陣列基板中的常規(guī)設(shè)計(jì)。本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)彩膜基板2的邊緣進(jìn)行切割時(shí)，位于連接線12上方的尖端放電結(jié)構(gòu)11能夠有效吸收切割過(guò)程產(chǎn)生的靜電，保護(hù)其下方的連接線12不受靜電影響；尖端放電結(jié)構(gòu)11還能夠?qū)⑺盏碾姾蓚鬏斨镣獠繉?dǎo)線LI，再通過(guò)過(guò)孔14將電荷傳輸至內(nèi)部導(dǎo)線L0，最終傳輸至陣列基板I中的靜電環(huán)，從而除去了切割產(chǎn)生的靜電電荷。避免了切割彩膜基板2時(shí)產(chǎn)生的靜電，導(dǎo)致陣列基板I上的連接線12發(fā)生線不良的技術(shù)問(wèn)題。優(yōu)選的，外部導(dǎo)線LI設(shè)置于切割線與封框膠3之間，即外部導(dǎo)線LI位于封框膠3的外側(cè)，能夠避免外部導(dǎo)線LI通過(guò)封框膠3中的導(dǎo)電粒子與彩膜基板2上的電極層21導(dǎo)通，而影響顯示效果。優(yōu)選的，如圖2所示，連接線12為多條并排設(shè)置，尖端放電結(jié)構(gòu)11的位置對(duì)應(yīng)于連接線12的間隔處，以避免尖端放電結(jié)構(gòu)11和連接線12重疊形成電容，而影響連接線的阻抗，造成信號(hào)延遲的問(wèn)題。本實(shí)施例中，內(nèi)部導(dǎo)線LO的數(shù)量為兩條，兩條內(nèi)部導(dǎo)線LO的一端分別通過(guò)過(guò)孔14與外部導(dǎo)線LI的兩端中的一端電連接，兩條內(nèi)部導(dǎo)線LO的另一端均與靜電環(huán)電連接。也就是利用兩條內(nèi)部導(dǎo)線LO分別將外部導(dǎo)線LI的兩端連接至靜電環(huán)，均攤外部導(dǎo)線LI上的電荷，以提高靜電釋放的效果。優(yōu)選的，尖端放電結(jié)構(gòu)和外部導(dǎo)線，與陣列基板的像素電極位于同一層。在掃描線處設(shè)置的防靜電結(jié)構(gòu)的內(nèi)部導(dǎo)線，可以與陣列基板的掃描線位于同一層；在數(shù)據(jù)線處設(shè)置的防靜電結(jié)構(gòu)的內(nèi)部導(dǎo)線，可以與數(shù)據(jù)線位于同一層。這樣就可以在形成像素電極圖形的同時(shí)形成尖端放電結(jié)構(gòu)和外部導(dǎo)線；在形成掃描線圖形(數(shù)據(jù)線圖形)的同時(shí)形成內(nèi)部導(dǎo)線。實(shí)施例2 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種防靜電結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟S1:通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成包括內(nèi)部導(dǎo)線的圖形。作為一個(gè)優(yōu)選方案，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成掃描線圖形的同時(shí)，還形成相應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)線。具體的，對(duì)構(gòu)圖工藝中掩膜版的圖案作出變化，在掩膜版原有的掃描線的圖案的基礎(chǔ)上，增加相應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)線的圖案，再經(jīng)過(guò)常規(guī)的曝光、刻蝕等步驟，就可以同時(shí)形成掃描線圖形和相應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)線。S2 :通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成包括內(nèi)部導(dǎo)線的圖形。本步驟與步驟SI類似，在掩膜版原有的數(shù)據(jù)線的圖案的基礎(chǔ)上，增加相應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)線的圖案，再經(jīng)過(guò)常規(guī)的曝光、刻蝕等步驟，就可以同時(shí)形成數(shù)據(jù)線圖形和相應(yīng)的內(nèi)部導(dǎo)線。S3:通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成包括外部導(dǎo)線和若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形。作為一個(gè)優(yōu)選方案，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成像素電極圖形的同時(shí)，還形成外部導(dǎo)線和若干尖端放電結(jié)構(gòu)。本步驟與步驟SI類似，在掩膜版原有的像素電極的圖案的基礎(chǔ)上，增加外部導(dǎo)線及尖端放電結(jié)構(gòu)的圖案，再經(jīng)過(guò)常規(guī)的曝光、刻蝕等步驟，就可以同時(shí)在陣列基板的表層形成像素電極圖形、外部導(dǎo)線和尖端放電結(jié)構(gòu)。S4:在外部導(dǎo)線的兩端形成過(guò)孔圖形，并在過(guò)孔中填充導(dǎo)電材料，使外部導(dǎo)線和內(nèi)部導(dǎo)線通過(guò)過(guò)孔電連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的制造方法中，僅需要在原有工藝基礎(chǔ)上，對(duì)掩膜版的圖案進(jìn)行改進(jìn)，再形成過(guò)孔填充導(dǎo)電材料即可，能夠簡(jiǎn)單、方便的實(shí)現(xiàn)連接線的防靜電結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，本實(shí)施例中對(duì)掃描連接線和數(shù)據(jù)連接線都設(shè)置了防靜電結(jié)構(gòu)，因此該防靜電結(jié)構(gòu)的制造方法包括S1、S2、S3、S4四個(gè)步驟。在其他實(shí)施方式中，如果只對(duì)掃描連接線設(shè)置防靜電結(jié)構(gòu)，則其制造過(guò)程中只包括上述的S1、S3和S4三個(gè)步驟；如果只對(duì)數(shù)據(jù)連接線設(shè)置防靜電結(jié)構(gòu)，則其制造過(guò)程中只包括上述的S2、S3和S4三個(gè)步驟。實(shí)施例3 如圖3所示，本實(shí)施例提供的防靜電結(jié)構(gòu)在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，其外部導(dǎo)線具體包括第一外部導(dǎo)線L1、第二外部導(dǎo)線L2、第三外部導(dǎo)線L3和第四外部導(dǎo)線L4，其中，第一外部導(dǎo)線LI位于切割線與封框膠之間，第三外部導(dǎo)線L3位于切割線的外側(cè)。第一外部導(dǎo)線L1、第二外部導(dǎo)線L2、第三外部導(dǎo)線L3和第四外部導(dǎo)線L4首尾相接，形成封閉的回路。本實(shí)施例中，尖端放電結(jié)構(gòu)11上的電荷還可以傳輸至第三外部導(dǎo)線L3上，在經(jīng)過(guò)第二外部導(dǎo)線L2或第四外部導(dǎo)線L4傳輸至過(guò)孔14，最后經(jīng)內(nèi)部導(dǎo)線LO傳輸至陣列基板內(nèi)的靜電環(huán)。相比于實(shí)施例1，本實(shí)施例的封閉回路上的電荷分布更加均勻，能夠消除更大量的靜電電荷，更加有效的保護(hù)了連接線。
本實(shí)施例中防靜電結(jié)構(gòu)的具體制造方法與實(shí)施例1基本相同，其不同點(diǎn)在于步驟S3 :通過(guò)構(gòu)圖工藝，在陣列基板上形成像素電極圖形的同時(shí)，還形成第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線和若干尖端放電結(jié)構(gòu)。具體的，在掩膜版原有的像素電極的圖案的基礎(chǔ)上，增加第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線、第四外部導(dǎo)線及尖端放電結(jié)構(gòu)的圖案，再經(jīng)過(guò)常規(guī)的曝光、刻蝕等步驟，就可以同時(shí)在陣列基板的表層形成像素電極圖形、第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線和尖端放電結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，基于上述防靜電結(jié)構(gòu)，還提供一種連接線的修復(fù)方法，可用于修復(fù)斷裂的連接線。如圖4所示，連接線12為多條并排設(shè)置于陣列基板上，連接線12上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有第一外部導(dǎo)線L1、第二外部導(dǎo)線L2、第三外部導(dǎo)線L3和第四外部導(dǎo)線L4形成的封閉回路，且連接線12與該封閉回路之間通過(guò)絕緣層隔開(kāi)。其中，第一外部導(dǎo)線LI和第三外部導(dǎo)線L3的平面投影均與每條連接線12交叉。連接線的修復(fù)方法包括S21 :當(dāng)某一條連接線斷開(kāi)時(shí)，在該連接線12與第一外部導(dǎo)線LI的交叉處A，以及該連接線12與第三外部導(dǎo)線L3的交叉處B，分別利用激光進(jìn)行焊接，使該連接線12斷開(kāi)的兩部分在A、B兩點(diǎn)，分別與第一外部導(dǎo)線L1、第三外部導(dǎo)線L3電連接。該連接線12上的電信號(hào)就可以從B點(diǎn)依次經(jīng)過(guò)第三外部導(dǎo)線L3、第二外部導(dǎo)線L2(或第四外部導(dǎo)線L4)、第一外部導(dǎo)線LI傳輸至A點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)了斷線的修復(fù)。進(jìn)一步，該修復(fù)方法還包括S22 :切斷封閉回路與過(guò)孔14之間的電連接，從而避免連接線12上的電信號(hào)傳輸至靜電環(huán)，影響電信號(hào)的正常傳輸。進(jìn)一步，在其他實(shí)施方式中，該修復(fù)方法還可以包括S23 :在兩個(gè)焊接處A、B的同側(cè)，切斷第一外部導(dǎo)線LI和第三外部導(dǎo)線L3。如圖5所示，在焊接處A、B的右側(cè)切斷第一外部導(dǎo)線LI和第三外部導(dǎo)線L3，則連接線12上的電信號(hào)只從第二外部導(dǎo)線L2經(jīng)過(guò)，以實(shí)現(xiàn)斷線的修復(fù)，并且只需切斷第一外部導(dǎo)線LI與其左側(cè)的過(guò)孔14之間的電連接；第一外部導(dǎo)線LI和第三外部導(dǎo)線L3的右半部分、第四外部導(dǎo)線L4以及尖端放電結(jié)構(gòu)11還可以用于靜電防護(hù)。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，上述步驟S21、S22、S23的先后順序是不固定的，可以如本實(shí)施例的描述先進(jìn)行S21的焊接步驟，再進(jìn)行S22、S23的切斷步驟；也可以先進(jìn)行S22、S23的切斷步驟，再進(jìn)行S21的焊接步驟。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于包括若干尖端放電結(jié)構(gòu)、外部導(dǎo)線和內(nèi)部導(dǎo)線； 所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)和所述外部導(dǎo)線同層設(shè)置于陣列基板中； 所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述陣列基板邊緣的連接線上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域，且所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)與所述連接線之間通過(guò)絕緣層隔開(kāi)，所述連接線為掃描線或者數(shù)據(jù)線； 所述外部導(dǎo)線具有位于彩膜基板的切割線與封框膠之間的部分； 所述內(nèi)部導(dǎo)線一端在所述切割線與封框膠之間通過(guò)過(guò)孔與所述外部導(dǎo)線位于所述切割線與封框膠之間的部分相連接，另一端與所述陣列基板中的與公共電極線相連的靜電環(huán)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接線為多條并排設(shè)置，所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)于所述連接線的間隔處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外部導(dǎo)線包括第一外部導(dǎo)線、第二外部導(dǎo)線、第三外部導(dǎo)線和第四外部導(dǎo)線；其中，所述第一外部導(dǎo)線位于所述切割線與封框膠之間，所述第三外部導(dǎo)線位于所述切割線的外側(cè)； 所述第一外部導(dǎo)線、所述第二外部導(dǎo)線、所述第三外部導(dǎo)線和所述第四外部導(dǎo)線首尾相接，形成封閉的回路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于所述內(nèi)部導(dǎo)線的數(shù)量為兩條，兩條所述內(nèi)部導(dǎo)線的一端分別通過(guò)過(guò)孔與所述第一外部導(dǎo)線的兩端中的一端電連接，兩條所述內(nèi)部導(dǎo)線的另一端均與所述靜電環(huán)電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)和所述外部導(dǎo)線，與所述陣列基板的像素電極位于同一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電結(jié)構(gòu)，其特征在于所述內(nèi)部導(dǎo)線與所述陣列基板的掃描線或數(shù)據(jù)線位于同一層。
7.—種權(quán)利要求1所述的防靜電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述內(nèi)部導(dǎo)線的圖形； 通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述外部導(dǎo)線和所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形； 形成過(guò)孔圖形，使所述外部導(dǎo)線和所述內(nèi)部導(dǎo)線通過(guò)所述過(guò)孔電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述內(nèi)部導(dǎo)線的圖形，具體為 通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成掃描線圖形或數(shù)據(jù)線圖形的同時(shí)，形成包括所述內(nèi)部導(dǎo)線的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于所述通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成包括所述外部導(dǎo)線和所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形，具體為 通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述陣列基板上形成像素電極圖形的同時(shí)，形成包括所述外部導(dǎo)線和所述若干尖端放電結(jié)構(gòu)的圖形。
10.一種連接線的修復(fù)方法，其特征在于所述連接線為多條并排設(shè)置于陣列基板上，所述連接線上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有如權(quán)利要求3所述的外部導(dǎo)線，所述第一外部導(dǎo)線和所述第三外部導(dǎo)線的平面投影均與每條連接線交叉；所述修復(fù)方法包括 當(dāng)某一條連接線斷開(kāi)時(shí)，在該連接線與所述第一外部導(dǎo)線的交叉處，以及該連接線與所述第三外部導(dǎo)線的交叉處，分別進(jìn)行焊接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的修復(fù)方法，其特征在于，還包括在兩個(gè)焊接處的同側(cè)，切斷所述第一外部導(dǎo)線和所述第三外部導(dǎo)線。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種液晶面板的防靜電結(jié)構(gòu)及其制造方法、連接線的修復(fù)方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，切割彩膜基板時(shí)產(chǎn)生的靜電，容易導(dǎo)致陣列基板上的連接線發(fā)生線不良的技術(shù)問(wèn)題。該防靜電結(jié)構(gòu)，包括若干尖端放電結(jié)構(gòu)、外部導(dǎo)線和內(nèi)部導(dǎo)線；若干尖端放電結(jié)構(gòu)和外部導(dǎo)線同層設(shè)置于陣列基板中；若干尖端放電結(jié)構(gòu)位于陣列基板邊緣的連接線上方的對(duì)應(yīng)區(qū)域，且通過(guò)絕緣層隔開(kāi)；外部導(dǎo)線具有位于彩膜基板的切割線與封框膠之間的部分；內(nèi)部導(dǎo)線一端在切割線與封框膠之間通過(guò)過(guò)孔與外部導(dǎo)線電位于切割線與封框膠之間的部分相連接，另一端與陣列基板中的與公共電極線相連的靜電環(huán)電連接。本發(fā)明應(yīng)用于保護(hù)連接線。
文檔編號(hào)G02F1/13GK103034008SQ201210548399
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月17日
發(fā)明者趙婷婷 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司