專利名稱：水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備。具體地講，本發(fā)明涉及水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè) 備，其中抑制了由導(dǎo)電材料構(gòu)成且用作靜電屏蔽的導(dǎo)電膜的腐蝕，該腐蝕由用于偏光板的 粘合劑產(chǎn)生的酸引起。
背景技術(shù)：
水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備具有這樣的構(gòu)造，其中一對(duì)電極提供在一對(duì)基板之一的內(nèi) 表面?zhèn)龋⑶以搶?duì)電極彼此電絕緣，該一對(duì)基板提供為夾設(shè)液晶層，該一對(duì)基板之一例如為 陣列基板和濾色器基板中的陣列基板，并且基本上水平的電場(chǎng)施加給液晶分子。作為這樣 的水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備，有平面內(nèi)轉(zhuǎn)換(IPQ模式設(shè)備和邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Fre)模式設(shè)備，在 平面內(nèi)轉(zhuǎn)換(IP 模式設(shè)備中一對(duì)電極在平面圖中看彼此不重疊，在邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(FFS)模 式設(shè)備中一對(duì)電極在平面圖看彼此重疊。因?yàn)樗诫妶?chǎng)液晶顯示設(shè)備具有寬視角的優(yōu)點(diǎn)， 所以近年來(lái)已經(jīng)變得廣泛應(yīng)用。然而，水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備僅在陣列基板上包括用于驅(qū)動(dòng)液晶的一對(duì)電極，而 在濾色器基板上不包括電極。從而，當(dāng)由靜電等引起的電場(chǎng)從濾色器基板側(cè)施加到水平電 場(chǎng)液晶顯示設(shè)備時(shí)，該電場(chǎng)直接影響液晶分子，并且導(dǎo)致具有問(wèn)題的異常顯示。于是，針對(duì)該問(wèn)題，在水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備中，由透明導(dǎo)電材料組成且具有抗靜 電等屏蔽功能的導(dǎo)電層或?qū)щ娔ぬ峁┰跊](méi)有形成驅(qū)動(dòng)電極的基板例如濾色器基板上。例如，日本專利特許2758864號(hào)公報(bào)揭示了導(dǎo)電層形成在濾色器基板上的IPS模 式液晶顯示設(shè)備。具體地講，在日本專利特許2758864號(hào)公報(bào)揭示的IPS模式液晶顯示設(shè) 備中，透光導(dǎo)電層通過(guò)濺射至少形成在組成液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的透明基板之間 不靠近背光單元的透明基板的表面上的顯示表面區(qū)域內(nèi)，該表面與液晶層相對(duì)。在日本專 利特許2758864號(hào)公報(bào)中描述的該IPS模式液晶顯示設(shè)備中，透光導(dǎo)電層對(duì)來(lái)自外界的靜 電等具有屏蔽功能，并且，甚至在高電位靜電等從外界施加給液晶顯示面板的表面時(shí)，也可 以防止發(fā)生異常顯示。

發(fā)明內(nèi)容
因?yàn)樵谌毡緦＠卦S2758864號(hào)公報(bào)中揭示的IPS模式液晶顯示設(shè)備中形成具有 屏蔽功能的導(dǎo)電膜，所以甚至在施加來(lái)自外界的高電位靜電等時(shí)，也可以防止發(fā)生異常顯 示，這是很好的優(yōu)點(diǎn)。在此情況下，日本專利特許2758864號(hào)揭示的發(fā)明描述了銦錫氧化物 (ITO)、錫氧化物(SnO2)和銦氧化物(In2O3)作為用于形成導(dǎo)電層的材料。附帶地，當(dāng)減小水平電場(chǎng)液晶顯示面板的厚度時(shí)，在不損壞導(dǎo)電膜的情況下，難于 減小表面上具有導(dǎo)電膜的透明基板的厚度。因此，減小透明基板的厚度，然后通過(guò)濺射等形 成導(dǎo)電膜。然而，當(dāng)導(dǎo)電膜由ITO形成時(shí)，因?yàn)樵跍p小厚度的工藝后極難執(zhí)行高溫處理，所 以形成非晶態(tài)的膜。結(jié)果，在高溫和高濕度下，由用于設(shè)置在導(dǎo)電膜的表面上的偏光板的粘 合劑產(chǎn)生的酸溶解導(dǎo)電膜，這是有問(wèn)題的。“非晶態(tài)"是構(gòu)成固體的原子、分子或離子沒(méi)有規(guī)律性例如晶體結(jié)構(gòu)的狀態(tài)。為了解決酸溶解的問(wèn)題，高透射性的導(dǎo)電材料SnA或In2O3可以用作形成導(dǎo)電膜 的材料。然而，SnO2和^i2O3比ITO具有更高的電阻，這是有問(wèn)題的。當(dāng)導(dǎo)電膜具有高電阻 時(shí)，例如，在電容型觸摸板安裝在液晶顯示設(shè)備上的系統(tǒng)中，設(shè)備操作期間產(chǎn)生的噪聲造成 觸摸板故障。因此，為了減少液晶顯示設(shè)備的操作噪聲的影響，導(dǎo)電膜制作為具有低電阻 (其根據(jù)電容型觸摸板的配線構(gòu)造變化；然而，電阻在幾百歐姆的量級(jí))，并且導(dǎo)電膜連接 到接地(GND)電位。本發(fā)明的發(fā)明人針對(duì)上面描述的現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了透徹的研究。結(jié)果，他們已 經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)選擇形成導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電材料的類型并且形成低電阻導(dǎo)電膜和抗腐蝕導(dǎo)電 膜的雙層結(jié)構(gòu)可以解決上述問(wèn)題。因此，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。就是說(shuō)，所希望的是提供這樣的水平 電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備，其中可以抑制導(dǎo)電膜的腐蝕，并且可以抑制靜電等引起的故障。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板是水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備，其中一對(duì)基板通過(guò) 密封材料在該對(duì)基板的周邊部分連接在一起；液晶包含在該對(duì)基板之間；顯示區(qū)域形成在 該密封材料圍繞的部分中，并且非顯示區(qū)域形成在該顯示區(qū)域外側(cè)；第一電極和第二電極 形成在該對(duì)基板之一上；該第一電極和該第二電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該液晶；由透明導(dǎo) 電材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜形成在該對(duì)基板的另一個(gè)的與接觸該液晶的表面相反的表面上； 該第一導(dǎo)電膜通過(guò)由導(dǎo)電材料構(gòu)成的連接體連接到接地(GND)電位；由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成 的第二導(dǎo)電膜形成在該第一導(dǎo)電膜的表面上；并且偏光板形成在該第二導(dǎo)電膜的表面上。通常，為了形成屏蔽電極，透明導(dǎo)電膜等的單層膜通過(guò)濺射法等形成。然而，在根 據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜和由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成 的第二導(dǎo)電膜的兩個(gè)導(dǎo)電膜堆疊在該對(duì)基板的另一個(gè)(例如，濾色器基板)的表面上，該表 面與接觸液晶的表面相反。結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，關(guān)于由來(lái)自液晶 顯示設(shè)備外部的靜電等引起的故障，第一導(dǎo)電膜可以通過(guò)連接到該第一導(dǎo)電膜的連接體將 靜電等放電到GND電位；并且第二導(dǎo)電膜可以抑制在高溫和高濕度下由用于偏光板的粘合 劑產(chǎn)生的酸引起的第一導(dǎo)電膜的溶解。因此，可以提供高度可靠的液晶顯示設(shè)備。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，第二導(dǎo)電膜優(yōu)選形成在第一導(dǎo)電膜的除 第一導(dǎo)電膜與連接體接觸的部分外的表面上。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，第一導(dǎo)電膜中的靜電等通過(guò)直接 連接到第一導(dǎo)電膜的連接體而有效放電；并且第二導(dǎo)電膜可以覆蓋第一導(dǎo)電膜的除第一導(dǎo) 電膜與連接體接觸的部分之外的大面積，因此可以抑制第一導(dǎo)電膜的腐蝕。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，除了第一導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜也優(yōu)選通 過(guò)連接體連接到接地(GND)電位。當(dāng)堆疊多個(gè)透明導(dǎo)電膜時(shí)，堆疊的膜之間的電阻大。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣 的液晶顯示設(shè)備中，因?yàn)榈诙?dǎo)電膜直接連接到GND電位，所以第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜 與GND電位之間的電阻小，因此可以有效使靜電等放電。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，第二導(dǎo)電膜優(yōu)選至少形成在顯示區(qū)域 中。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，因?yàn)榭垢g的第二導(dǎo)電膜形成在 顯示區(qū)域的表面上，所以可以抑制由用于偏光板的粘合劑產(chǎn)生的酸引起的顯示區(qū)域中的第4一導(dǎo)電膜的溶解，并且可以抑制發(fā)生由靜電等引起的故障導(dǎo)致差的顯示。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，第一導(dǎo)電膜優(yōu)選由ITO形成。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電膜由ITO形成，其 具有低電阻和高導(dǎo)電性，所以可以進(jìn)一步減小液晶顯示設(shè)備的操作期間的噪聲。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，第二導(dǎo)電膜優(yōu)選主要由SnO2或In2O3構(gòu) 成。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，第二導(dǎo)電膜主要由SnO2或^i2O3 構(gòu)成。SnO2和^i2O3具有非常高的耐腐蝕、酸、熱和濕氣特性。因此，第二導(dǎo)電膜不容易被酸 溶解，并且可以抑制形成在第二導(dǎo)電膜下的第一導(dǎo)電膜被酸溶解。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的透明導(dǎo) 電材料優(yōu)選具有彼此接近的透射率。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的 透射率彼此接近，所以導(dǎo)電膜之間透射的光的折射不容易發(fā)生，并且可以抑制導(dǎo)電膜之間 透射光的折射引起的差的顯示。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，連接體優(yōu)選由導(dǎo)電膏形成。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的這樣的液晶顯示設(shè)備中，通過(guò)形成導(dǎo)電膏的連接體，可以 易于建立導(dǎo)電膜和GND電位之間的電連接。例如，當(dāng)導(dǎo)電焊盤(pán)設(shè)置在導(dǎo)電膜和GND電位之 間時(shí)，導(dǎo)電膜和導(dǎo)電焊盤(pán)之間以及導(dǎo)電焊盤(pán)和GND電位之間的電連接也可以易于通過(guò)導(dǎo)電膏建立。


圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖；圖2是圖1所示顯示區(qū)域中的單一像素的放大平面圖；圖3是沿著圖2中的III-III線剖取的放大截面圖；圖4A是圖1中的IVA部分的放大圖；圖4B是沿著圖1中的IVB-IVB線剖取的截面圖；圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖；圖6A是圖5中的VIA部分的放大圖；以及圖6B是沿著圖5中的VIB-VIB線剖取的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式在下文，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面的每個(gè)實(shí)施例都以FFS模式液晶 顯示設(shè)備作為體現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的示例來(lái)描述。這不意味著將本發(fā)明限制為實(shí)施例中描 述的FFS模式液晶顯示設(shè)備。本發(fā)明還同樣可應(yīng)用于權(quán)利要求范圍內(nèi)的其它實(shí)施例。在用 于描述說(shuō)明書(shū)中的實(shí)施例的附圖中，為了使層和部件具有附圖中可識(shí)別的尺寸，層和部件 沒(méi)按比例示出，且沒(méi)必要按實(shí)際尺寸的比例示出。盡管根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備可應(yīng)用于液晶注入法生產(chǎn)的液 晶顯示設(shè)備，但是下面的描述以通過(guò)滴下式注入(one drop fill，在下文稱為"0DF")法 生產(chǎn)液晶顯示設(shè)備作為示例來(lái)進(jìn)行。盡管液晶顯示設(shè)備用母基板生產(chǎn)，但是為了說(shuō)明的方5便，在下文，將描述作為各示例的單一 FFS模式液晶顯示設(shè)備。第一實(shí)施例下面，將參考圖1至4B描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的FFS模式液晶顯示設(shè)備10。 參照?qǐng)D1，根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10是玻璃上芯片(COG)型液晶顯示設(shè)備，包括陣 列基板11、濾色器基板26、將基板11和沈結(jié)合在一起的密封材料35以及液晶34(參考圖 3)，液晶34包含在由陣列基板11、濾色器基板沈和密封材料35圍繞的區(qū)域中。在液晶顯 示設(shè)備10中，顯示區(qū)域36形成在由密封材料35圍繞的內(nèi)部區(qū)域中。顯示區(qū)域36周圍看 不到圖像的區(qū)域用作液晶顯示設(shè)備10的非顯示區(qū)域37。因?yàn)楦鶕?jù)第一實(shí)施例的液晶顯示 設(shè)備10通過(guò)ODF法生產(chǎn)，所以不形成液晶注入口。陣列基板11是這樣的部件，其中用于驅(qū)動(dòng)液晶等的配線形成在第一透明基板12 的表面上，第一透明基板12是矩形的，并且由玻璃等形成。陣列基板11在縱向上長(zhǎng)于濾色 器基板26。因此，當(dāng)基板11和沈結(jié)合在一起時(shí)，形成延伸超過(guò)濾色器基板沈的延伸部分 12a。包括輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的IC芯片或LSI等的驅(qū)動(dòng)IC 41和導(dǎo)電焊盤(pán)39等提供在延伸部 分12a中。公用配線14從驅(qū)動(dòng)IC 41延伸。導(dǎo)電焊盤(pán)39通過(guò)外部基板電連接到GND電位 43(參考圖4B)。在第一實(shí)施例中，柔性印刷電路(FPC)42用作外部基板的示例。參考圖2和3，在陣列基板11的顯示區(qū)域36中，設(shè)置多個(gè)掃描線13和信號(hào)線17、 以及與掃描線13平行且提供在掃描線13之間的多個(gè)公用配線14a。由諸如氧化硅或氮化 硅的無(wú)機(jī)絕緣材料構(gòu)成的柵極絕緣膜15設(shè)置為覆蓋掃描線13、公用配線1 和透明基板 12的暴露部分。每一個(gè)都包括源極電極S、柵極電極G和漏極電極D以及半導(dǎo)體層16且用 作開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在掃描線13和信號(hào)線17交叉部分的附近。為了穩(wěn)定化部件表面的目的，由諸如氧化硅或氮化硅的無(wú)機(jī)絕緣材料構(gòu)成的鈍化 膜18進(jìn)一步形成以覆蓋這些部件。由有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的層間膜19進(jìn)一步形成以平坦化 陣列基板11的表面。然后，通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成第一接觸孔20，以通過(guò)柵極絕緣膜15和鈍化 膜18延伸到公用配線14a。該第一接觸孔20的形成可以通過(guò)作為一種干蝕刻技術(shù)的等離 子體蝕刻技術(shù)或者采用緩沖氫氟酸的濕蝕刻技術(shù)來(lái)執(zhí)行。作為形成第一接觸孔20的結(jié)果， 暴露了公用配線14a。然后，由ITO或IZO(銦鋅氧化物)構(gòu)成的透明導(dǎo)電層形成在第一透明基板12已 經(jīng)形成層間膜19的整個(gè)表面上。通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)在層間膜19的表面上為每個(gè)像 素形成下電極21。此時(shí)，每個(gè)像素的下電極21通過(guò)第一接觸孔20電連接到公用配線14a。 因此，下電極21用作公用電極。此外，由氮化硅層或氧化硅層組成的絕緣膜22形成在第一透明基板12已經(jīng)形成 下電極21的整個(gè)表面上。此時(shí)，層間膜19的表面要形成接觸孔以延伸到漏極電極D的部 分也覆蓋有絕緣膜22。然后，第二接觸孔23通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成在這些部分中以 延伸通過(guò)絕緣膜22和層間膜19到漏極電極D。此外，由ITO或IZO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層形成在第一透明基板12已經(jīng)形成絕緣膜22 的整個(gè)表面上。透明導(dǎo)電層通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)加工，以為每個(gè)像素形成上電極25，在 上電極25中，多個(gè)狹縫M形成在絕緣膜22的表面上。上電極25在第二接觸孔23中電連 接到薄膜晶體管(TFT)的漏極電極D，并且用作像素電極。然后，取向膜(未示出)提供在顯示區(qū)域36包括上電極25的整個(gè)表面上。因此，提供了根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備 10的陣列基板11。多個(gè)掃描線13和信號(hào)線17圍繞的區(qū)域用作單一子像素區(qū)域PA。偏光 板(未示出)形成在陣列基板11的與接觸液晶的表面相反的表面上。在濾色器基板沈中，由金屬材料構(gòu)成的光屏蔽膜觀形成在由玻璃等構(gòu)成的第二 透明基板27的表面上，從而光屏蔽膜觀對(duì)應(yīng)于陣列基板11的掃描線13、信號(hào)線17和薄膜 晶體管(TFT)且覆蓋非顯示區(qū)域37。此外，諸如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的預(yù)定顏色的濾色器層四形成在第二透明基板 27的表面上由光屏蔽膜觀圍繞的區(qū)域上。保護(hù)層30形成為覆蓋光屏蔽膜觀和濾色器層 29的表面。保護(hù)層30由透明絕緣樹(shù)脂膜組成，并且為了平坦化濾色器基板沈的表面的目 的而提供為盡可能多，并且抑制雜質(zhì)從濾色器層四擴(kuò)散進(jìn)入液晶34。然后，取向膜(未示 出)形成在保護(hù)層30的表面上。因此，提供了第一實(shí)施例的濾色器基板26。導(dǎo)電膜和偏光板形成在透明基板27的背面，也就是與接觸液晶34的表面相反的 表面。這些部件的詳細(xì)構(gòu)造將在下面描述。參考圖1，電連接濾色器基板沈的光屏蔽膜觀和陣列基板11的公用配線14的轉(zhuǎn) 移電極38形成為靠近與液晶顯示設(shè)備10的延伸部分1 相反的一側(cè)的拐角。作為上述陣 列基板11和濾色器基板26，例如，液晶34滴在陣列基板11的顯示區(qū)域36上；由紫外線固 化樹(shù)脂等構(gòu)成的密封材料35涂敷到濾色器基板沈的非顯示區(qū)域37 ；并且基板11和沈結(jié) 合在一起。然后，密封材料35用紫外線照射以固化。為了保持基板之間的單元間隙為恒定 寬度的目的，光間隔物(未示出)形成在濾色器基板26和陣列基板11之間。然后，由作為低電阻透明導(dǎo)電材料的ITO構(gòu)成且用作靜電屏蔽的第一導(dǎo)電膜31通 過(guò)濺射等形成在如此結(jié)合的基板的濾色器基板26的后表面上，該后表面與接觸液晶34的 表面相反。然后，由作為抗腐蝕導(dǎo)電材料的SnA構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜32通過(guò)濺射等形成在 第一導(dǎo)電膜31的表面上。此時(shí)，參考圖4A和4B，第一導(dǎo)電膜31和第二導(dǎo)電膜32形成為覆 蓋濾色器基板26的整個(gè)表面；并且，在第二導(dǎo)電膜32中，切口部分3 形成為對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電 膏要涂敷到第一導(dǎo)電膜31的表面的位置。然后，偏光板33通過(guò)粘合劑結(jié)合到第二導(dǎo)電膜32的表面。驅(qū)動(dòng)IC 41和導(dǎo)電焊 盤(pán)39等提供在陣列基板11的延伸部分1 上。第一導(dǎo)電膜31的連接部分31a通過(guò)由導(dǎo)電 材料構(gòu)成的導(dǎo)電膏40連接到導(dǎo)電焊盤(pán)39，該連接部分31a通過(guò)濾色器基板沈的第二導(dǎo)電 膜32的切口部分3 暴露。因此，完成了根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10的生產(chǎn)。作 為參考，在圖4B中，圖解了連接到導(dǎo)電焊盤(pán)39的FPC 42和連接到FPC 42的GND電位43。通過(guò)采用這樣的構(gòu)造，在根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，關(guān)于由來(lái)自液晶顯 示設(shè)備外部的靜電等引起的故障，第一導(dǎo)電膜可以通過(guò)直接連接到第一導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膏有 效地將靜電等放電到GND電位；并且抗腐蝕的第二導(dǎo)電膜可以抑制在高溫和高濕度下由用 于偏光板的粘合劑產(chǎn)生的酸導(dǎo)致的第一導(dǎo)電膜的溶解。此外，第二導(dǎo)電膜可以覆蓋第一導(dǎo) 電膜與導(dǎo)電膏接觸部分之外的大面積，以由此抑制第一導(dǎo)電膜的腐蝕。從而，可以提供高度 可靠的液晶顯示設(shè)備。因?yàn)橛糜诟鶕?jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的第一導(dǎo)電膜的ITO具有低電阻和良 好的導(dǎo)電性，所以可以減少液晶顯示設(shè)備操作期間的噪聲。因?yàn)橛糜诟鶕?jù)第一實(shí)施例的液 晶顯示設(shè)備的第二導(dǎo)電膜的SnO2具有非常高的耐腐蝕、酸、熱和濕氣的性能，所以第二導(dǎo)電膜不容易被酸溶解，并且還可以抑制由酸引起的形成在第二導(dǎo)電膜下的第一導(dǎo)電膜的溶解。在根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，通過(guò)采用用于形成連接體的導(dǎo)電膏，第一 導(dǎo)電膜和GND電位之間的電連接可以易于建立。導(dǎo)電焊盤(pán)設(shè)置在第一導(dǎo)電膜和GND電位之 間。第一導(dǎo)電膜和導(dǎo)電焊盤(pán)之間以及導(dǎo)電焊盤(pán)和GND電位之間的電連接也可以通過(guò)使用導(dǎo) 電膏易于建立。第二實(shí)施例對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10，已經(jīng)描述了除了第一導(dǎo)電膜連接到導(dǎo)電 膏的部分外的第一導(dǎo)電膜之上形成第二導(dǎo)電膜的情況。相反，對(duì)于根據(jù)第二實(shí)施例的液晶 顯示設(shè)備10A，將參考圖5、6A和6B描述不僅第一導(dǎo)電膜而且第二導(dǎo)電膜連接到導(dǎo)電膏的情 況。因?yàn)楦鶕?jù)第二實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備IOA與根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10的不 同僅為第二導(dǎo)電膜的部分構(gòu)造，所以與根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10相同的部件用 相同的參考標(biāo)號(hào)表示，并且簡(jiǎn)化了這些部件的詳細(xì)描述。參考圖5、6A和6B，根據(jù)第二實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備IOA的第二導(dǎo)電膜32A形成為 部分地與要涂敷導(dǎo)電膏40的部分接觸。就是說(shuō)，與根據(jù)第一實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備10不 同，第二導(dǎo)電膜32A具有連接部分32Ab，其部分地與導(dǎo)電膏40接觸。導(dǎo)電膏40涂敷為與連 接部分32Ab接觸。切口部分32Aa形成在第二導(dǎo)電膜32A中，從而第一導(dǎo)電膜31也與導(dǎo)電 膏40接觸。導(dǎo)電膏40涂敷為使導(dǎo)電膏40也與第一導(dǎo)電膜31的連接部分31a接觸，該連 接部分31a通過(guò)第二導(dǎo)電膜32A的切口部分32Aa暴露。通過(guò)采用這樣的構(gòu)造，在根據(jù)第二實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，因?yàn)榈诙?dǎo)電膜直 接連接到GND電位，所以甚至在堆疊的第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之間的電阻變大時(shí)，第一 導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜與GND電位之間的電阻也變得很小。從而，第二導(dǎo)電膜中的靜電等可 以有效地放電到GND電位。在第一和第二實(shí)施例中，已經(jīng)描述了第二導(dǎo)電膜主要由SnA構(gòu)成的情況。然而， 本發(fā)明不限于這些情況。當(dāng)取代SnA采用主要由高的耐腐蝕、酸、熱和濕氣特性的M2O3構(gòu) 成的第二導(dǎo)電膜時(shí)，也可以提供與第一和第二實(shí)施例的那些相類似的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選在第一和第二實(shí)施例中形成第一和第二導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電材料具有彼此接 近的透射率。通過(guò)采用這樣的構(gòu)造，可以抑制導(dǎo)電膜之間透射光的折射導(dǎo)致的不良顯示。在 第一和第二實(shí)施例中，已經(jīng)描述了導(dǎo)電膏用于形成連接體的情況。然而，連接體不限于此， 可以適當(dāng)?shù)剡x擇導(dǎo)電材料來(lái)形成連接體。本申請(qǐng)包含2009年10月四日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2009-248525中公開(kāi)的相關(guān)主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù) 設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。8
權(quán)利要求
1.一種水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備，其中一對(duì)基板通過(guò)密封材料在該一對(duì)基板的周邊部分 結(jié)合在一起；液晶包含在該一對(duì)基板之間；顯示區(qū)域形成在該密封材料圍繞的部分中，并且非顯示區(qū)域形成在該顯示區(qū)域的外側(cè)；第一電極和第二電極形成在該一對(duì)基板之一上； 該第一電極和該第二電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該液晶；由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜形成在該一對(duì)基板的另一個(gè)的與接觸該液晶的表 面相反的表面上；該第一導(dǎo)電膜通過(guò)由導(dǎo)電材料構(gòu)成的連接體連接到接地電位； 由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜形成在該第一導(dǎo)電膜的表面上；并且 偏光板形成在該第二導(dǎo)電膜的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中該第二導(dǎo)電膜形成在該第一導(dǎo)電膜的除 該第一導(dǎo)電膜與該連接體接觸的部分之外的表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中除了該第一導(dǎo)電膜，該第二導(dǎo)電膜也通 過(guò)該連接體連接到該接地電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中該第二導(dǎo)電膜至少形成在該顯示區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中該第一導(dǎo)電膜由ITO形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中該第二導(dǎo)電膜至少主要由SnA或^i2O3 構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中形成該第一導(dǎo)電膜和該第二導(dǎo)電膜的該 透明導(dǎo)電材料具有彼此接近的透射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中該連接體由導(dǎo)電膏形成。
全文摘要
本發(fā)明提供水平電場(chǎng)液晶顯示設(shè)備，其中一對(duì)基板通過(guò)密封材料在該一對(duì)基板的周邊部分結(jié)合在一起；液晶包含在該一對(duì)基板之間；第一電極和第二電極形成在該一對(duì)基板之一上；該第一電極和該第二電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該液晶；由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜形成在該一對(duì)基板的另一個(gè)的與接觸該液晶的表面相反的表面上；該第一導(dǎo)電膜通過(guò)由導(dǎo)電材料構(gòu)成的連接體連接到接地電位；由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜形成在該第一導(dǎo)電膜的表面上；并且偏光板形成在該第二導(dǎo)電膜的表面上。
文檔編號(hào)G02F1/13GK102053415SQ20101052129
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者伊藤健二, 筧憲之介 申請(qǐng)人:索尼公司