關(guān)SW14串聯(lián)連接在結(jié)點(diǎn)Nil與地結(jié)點(diǎn)N12之間。電容C1連接在升壓開(kāi)關(guān)SW11和升壓開(kāi)關(guān)SW12間的結(jié)點(diǎn)與升壓開(kāi)關(guān)SW13和升壓開(kāi)關(guān)SW14間的結(jié)點(diǎn)之間。另外，電容C2連接在結(jié)點(diǎn)N10與地結(jié)點(diǎn)N12之間。升壓開(kāi)關(guān)SW11至SW14通過(guò)圖4所示的傳輸門來(lái)例示，以及開(kāi)關(guān)操作基于從控制信號(hào)生成電路12所提供的時(shí)鐘信號(hào)CLK和CLKB來(lái)控制。在這里，具有與提供給升壓開(kāi)關(guān)SW11和SW14的P溝道晶體管MP1 (N溝道晶體管)的時(shí)鐘信號(hào)CLK(CLKB)相反的邏輯值的時(shí)鐘信號(hào)CLKB (CLK)被提供給升壓開(kāi)關(guān)SW12和SW13的P溝道晶體管MP1 (N溝道晶體管)。另外，電荷栗電路40的操作開(kāi)始和操作結(jié)束基于來(lái)自控制信號(hào)生成電路12的控制信號(hào)SEQ_DC2來(lái)控制。例如，當(dāng)控制信號(hào)SEQ_DC2處于低電平時(shí)，電荷栗電路40不操作，而當(dāng)它處于高電平時(shí)，電荷栗電路40執(zhí)行升壓操作。
[0040]電荷栗電路40通過(guò)經(jīng)過(guò)升壓開(kāi)關(guān)SW11至SW14的開(kāi)關(guān)操作對(duì)電容C1和C2進(jìn)行充電和放電來(lái)向結(jié)點(diǎn)N10輸出提供給結(jié)點(diǎn)Nil的參考電源電壓VCI1的兩倍的電壓，作為正側(cè)柵極電源電壓VGH。注意，圖3中，作為示例描述了將電壓升高到兩倍的電荷栗電路40，但是升壓的倍數(shù)能夠可選地通過(guò)改變升壓開(kāi)關(guān)和電容的連接數(shù)量來(lái)改變。
[0041]雖然省略詳細(xì)配置的描述，但是升壓電路14具有一般電荷栗電路，其通過(guò)執(zhí)行對(duì)參考電源電壓VCI2的降壓操作(負(fù)向升壓操作)來(lái)生成負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL。例如，生成負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL的電荷栗電路具有與圖13所示電荷栗50相似的配置。但是，雖然圖13中未示出，然而負(fù)側(cè)模擬電源電壓VSN經(jīng)過(guò)沿正向連接的二極管來(lái)提供給結(jié)點(diǎn)N20。注意，圖13中，例示將電壓負(fù)向升高兩倍的電荷栗電路50，但是有可能可選地改變升壓開(kāi)關(guān)與電容之間的連接數(shù)量。
[0042]柵極驅(qū)動(dòng)電路15基于正側(cè)柵極電源電壓VGH和負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL來(lái)生成柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)150以用于驅(qū)動(dòng)顯示面板2的柵極線(未示出)。這時(shí)，待驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線的選擇、驅(qū)動(dòng)定時(shí)等基于控制信號(hào)121來(lái)控制。
[0043]源極驅(qū)動(dòng)電路16基于模擬電源電壓VSP和VSN來(lái)生成源極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)160以用于驅(qū)動(dòng)顯示面板2的源極線(未示出)。這時(shí)，待驅(qū)動(dòng)源極線的選擇、驅(qū)動(dòng)定時(shí)等基于控制信號(hào)122來(lái)控制。
[0044]柵極驅(qū)動(dòng)電路15和源極驅(qū)動(dòng)電路16的特定配置和操作與一般柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路是相同的。
[0045]第一實(shí)施例中的預(yù)充電電路17在參考電源電壓VCI1被提供給升壓電路14之前基于按照正側(cè)模擬電源電壓VSP所確定的預(yù)充電電壓VPC1來(lái)升高正側(cè)柵極電源電壓VGH。
[0046]參照?qǐng)D6，在第一實(shí)施例中，預(yù)充電電壓VPC1向結(jié)點(diǎn)N10的提供操作(正側(cè)柵極電源電壓VGH)按照包含控制信號(hào)SEQ_ON和控制信號(hào)VGIN1的控制信號(hào)124來(lái)控制。
[0047]圖7是示出第一實(shí)施例的預(yù)充電電路17的配置的示例的簡(jiǎn)圖。參照?qǐng)D7，第一實(shí)施例的預(yù)充電電路17具有逆變器INV10、CM0S電路71和預(yù)充電控制開(kāi)關(guān)72。逆變器INV10連接在結(jié)點(diǎn)N30 (對(duì)其提供控制信號(hào)SEQ_0N)與結(jié)點(diǎn)N31 (其作為CMOS電路71的輸入)之間。通過(guò)P溝道M0S晶體管來(lái)例示的P溝道晶體管MP20適合作為本實(shí)施例的預(yù)充電控制開(kāi)關(guān)72。P溝道晶體管MP20連接在結(jié)點(diǎn)N32 (其作為CMOS電路71的輸出)與結(jié)點(diǎn)N10 (對(duì)其提供正側(cè)柵極電源電壓VGH)之間。將控制信號(hào)VGIN1提供給P溝道晶體管MP20的柵極。CMOS電路71包括具有與結(jié)點(diǎn)N33 (對(duì)其提供正側(cè)模擬電源電壓VSP)連接的源極的P溝道晶體管MP10以及具有與地電壓的結(jié)點(diǎn)N34連接的源極的N溝道晶體管麗10。P溝道晶體管MP10的柵極和N溝道晶體管麗10的柵極共同與結(jié)點(diǎn)N31連接，以及其漏極共同與結(jié)點(diǎn)N32連接。
[0048]當(dāng)控制信號(hào)SEQ_0N的邏輯電平轉(zhuǎn)變成高電平時(shí)，CMOS電路71向結(jié)點(diǎn)N32提供模擬電源電壓VSP。因此，結(jié)點(diǎn)N32的電壓VSPIN上升到模擬電源電壓VSP。對(duì)于上述操作周期，P溝道晶體管MP20響應(yīng)低電平的控制信號(hào)VGIN1的提供而導(dǎo)通，使得結(jié)點(diǎn)N32的電壓VSPIN作為預(yù)充電電壓VPC1來(lái)提供給結(jié)點(diǎn)N10。因此，結(jié)點(diǎn)N10的電壓(正側(cè)柵極電源電壓VGH)上升到模擬電源電壓VSP。也就是說(shuō)，預(yù)充電電路17在控制信號(hào)SEQ_0N處于高電平并且控制信號(hào)VGIN1處于低電平的同時(shí)向結(jié)點(diǎn)N10提供預(yù)充電電壓VPC1，使得正側(cè)柵極電源電壓VGH被升高(預(yù)充電)。
[0049]對(duì)結(jié)點(diǎn)N10的預(yù)充電周期(正側(cè)柵極電源電壓VGH)基于控制信號(hào)VGIN1來(lái)控制。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)VGIN1轉(zhuǎn)變成高電平時(shí)，P溝道晶體管MP20截止，以阻斷向結(jié)點(diǎn)N10提供預(yù)充電電壓VPC1。
[0050]這樣，預(yù)充電電路17能夠?qū)诳刂菩盘?hào)SEQ_0N和控制信號(hào)VGIN1所確定的周期將結(jié)點(diǎn)N10的電壓(正側(cè)柵極電源電壓VGH)升高(或者對(duì)結(jié)點(diǎn)10進(jìn)行預(yù)充電)到預(yù)定電壓(例如模擬電源電壓VSP)。注意，本實(shí)施例中的預(yù)充電周期由控制信號(hào)生成電路12來(lái)設(shè)置。
[0051]在上述配置中，通過(guò)適當(dāng)控制從外部電源(未示出)的電源電壓以及控制信號(hào)120、123和124提供定時(shí)，能夠防止參考電源電壓VCI1在驅(qū)動(dòng)器1C 1的啟動(dòng)時(shí)超過(guò)正側(cè)柵極電源電壓VGH。下面將詳細(xì)描述在驅(qū)動(dòng)器1C 1的啟動(dòng)定時(shí)處的電源電壓的提供定時(shí)以及正側(cè)柵極電源電壓VGH的升壓操作的控制。
[0052](電源電壓的提供定時(shí)和正側(cè)柵極電源電壓VGH的升壓操作)
圖8是示出第一實(shí)施例中的電源電壓的提供定時(shí)的示例的時(shí)序圖。圖9也是示出第一實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)器1C的啟動(dòng)操作的示例的時(shí)序圖。
[0053]參照?qǐng)D8，邏輯電源電壓VDD1、模擬電源電壓VSP和VSN在時(shí)間11從外部電源(未示出)來(lái)提供。在這種情況下，負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL按照負(fù)側(cè)模擬電源電壓VSN的降低而降低。雖然省略這種情況下的詳細(xì)描述，但是第一實(shí)施例中的負(fù)側(cè)電荷栗電路具有與圖13所示電荷栗電路50相似的配置，以及負(fù)側(cè)模擬電源電壓VSN經(jīng)過(guò)二極管(未示出)提供給結(jié)點(diǎn)N20。因此，在時(shí)間tl，負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL降低。另外，通過(guò)邏輯電源電壓VDDI的提供，邏輯電源電壓VDD產(chǎn)生預(yù)期電壓，并且控制信號(hào)生成電路12開(kāi)始操作。
[0054]在邏輯電源電壓VDD以及模擬電源電壓VSP和VSN達(dá)到預(yù)期電壓并且然后經(jīng)過(guò)了足夠時(shí)間之后，在時(shí)間t2對(duì)正側(cè)柵極電源電壓VGH進(jìn)行預(yù)充電。參照?qǐng)D9，控制信號(hào)SEQ_ON在時(shí)間t2轉(zhuǎn)變成高電平，以及CMOS電路71的輸出結(jié)點(diǎn)(結(jié)點(diǎn)N32)處的電壓VSPIN基于正側(cè)模擬電源電壓VSP上升。這時(shí)，因?yàn)榭刂菩盘?hào)VGIN1固定到低電平，所以升壓電路14的正側(cè)輸出結(jié)點(diǎn)(結(jié)點(diǎn)N10)(正側(cè)柵極電源電壓VGH)基于按照電壓VSPIN的預(yù)充電電壓VPC1來(lái)升高。另外，在時(shí)間t2，因?yàn)榭刂菩盘?hào)SEQ_DC2的邏輯電平固定到低電平，所以參考電源電壓VCI1沒(méi)有提供給升壓電路14，并且升壓電路14沒(méi)有執(zhí)行升壓操作，如圖8所示。
[0055]隨后，在時(shí)間t3 (此時(shí)正側(cè)柵極電源電壓VGH升高到高達(dá)與模擬電源電壓VSP基本上相同的電壓)，控制信號(hào)SEQ_DC2轉(zhuǎn)變成高電平。因此，參考電源電壓VCI1開(kāi)始被提供給升壓電路14，并且升壓電路14開(kāi)始升壓操作。另一方面，在與控制信號(hào)SEQ_DC2轉(zhuǎn)變成高電平幾乎同時(shí)或之后，控制信號(hào)VGIN1轉(zhuǎn)變成高電平。因此，預(yù)充電控制開(kāi)關(guān)72(P溝道晶體管MP20)截止，以及由預(yù)充電電路17對(duì)正側(cè)柵極電源電壓VGH的升壓操作(預(yù)充電操作)結(jié)束。
[0056]自時(shí)間t3以后，通過(guò)升壓電路14進(jìn)行的升壓操作，正側(cè)柵極電源電壓VGH升高到預(yù)定電壓(例如15 V)。另外，參照?qǐng)D8，在時(shí)間t4，當(dāng)正側(cè)柵極電源電壓VGH在預(yù)定電壓變穩(wěn)定時(shí)，與通常的升壓電路相似，負(fù)側(cè)柵極電源電壓VGL負(fù)向升高到預(yù)定電壓(例如-15V)。
[0057]在本實(shí)施例中，參考電源電壓VCI1的提供對(duì)時(shí)間t2至?xí)r間t3的周期沒(méi)有執(zhí)行，但是正側(cè)柵極電源電壓VGH升高到預(yù)定電壓(在這種情況下為正側(cè)模擬電源電壓VSP (例如6 V))。因此，即使具有短上升時(shí)間的參考電源電壓VCI1在時(shí)間t3開(kāi)始被提供，參考電源電壓VCI1也從不超過(guò)正側(cè)柵極電源電壓VGH。因此，寄生晶體管在升壓電路14的開(kāi)關(guān)SW11至SW14中從未導(dǎo)通，使得能夠抑制閂鎖效應(yīng)的發(fā)生。
[0058][第二實(shí)施例]
在第二實(shí)施例中，向升壓電路14提供參考電源電壓VCI1以及對(duì)結(jié)點(diǎn)N10 (對(duì)其提供正側(cè)柵極電源電壓VGH(又稱作輸出電壓))的預(yù)充電操作按照由預(yù)充電電路17所生成的控制信號(hào)來(lái)控制。下面參照?qǐng)D8和圖9至圖12，將描述按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示設(shè)備100。
[0059](顯示設(shè)備的配置)
圖10是示出第二實(shí)施例中的顯示設(shè)備100的配置的示例的簡(jiǎn)圖。參照?qǐng)D10，顯示設(shè)備100具有驅(qū)動(dòng)器1C 1和顯示面板2。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于:參考電源電壓VCI1的生成和升壓電路14的升壓操作由預(yù)充電電路17來(lái)控制。除了這個(gè)不同方面之外的配置與第一實(shí)施例的配置是相同的。下面將描述與第一實(shí)施例的差別。
[0060]參照?qǐng)D11，第二實(shí)施例中的升壓電路14的升壓操作按照包含時(shí)鐘信號(hào)CLK和CLKB的控制信號(hào)123以及從預(yù)充電電路17輸出的控制信號(hào)SEQ_DC2來(lái)控制。
[0061]第二實(shí)施例中的預(yù)充電電路17在參考電源電壓VCI1被提供給升壓電路14之前基于預(yù)充電電壓VPC1來(lái)升高結(jié)點(diǎn)N10 (計(jì)劃對(duì)其提供正側(cè)柵極電源電壓VGH)的電壓。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，參照?qǐng)D11，在第二實(shí)施例中，預(yù)充電電壓VPC1向結(jié)點(diǎn)N10的提供操作按照包含控制信號(hào)SEQ_0N的控制信號(hào)124來(lái)控制。
[0062]圖12是示出第二實(shí)施例中的預(yù)充電電路17的配置的示例的簡(jiǎn)圖。參照?qǐng)D12，第二實(shí)施例中的預(yù)充電電路17具有逆變器INV10、CMOS電路71、預(yù)充電控制開(kāi)關(guān)72、比較器CMP1以及電平移位器LSI和LS2。逆變器INV10連接在結(jié)點(diǎn)N30 (對(duì)其提供控制信號(hào)SEQ_ON)與結(jié)點(diǎn)N31 (其作為CMOS電路71的輸入)之間。作為本實(shí)施例中的預(yù)充電控制開(kāi)關(guān)72，例示為P溝道M0S晶體管的P溝道晶體管MP20是適當(dāng)?shù)?，并且連接在結(jié)點(diǎn)N32 (其作為CMOS電路71的輸出)與結(jié)點(diǎn)N10 (對(duì)其提供正側(cè)柵極電源電壓VGH)之間。將控制信號(hào)VGIN1提供給P溝道晶體管MP20的柵極。CMOS電路71包括具有與結(jié)點(diǎn)N33