用于窄邊框lcd的goa電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于窄邊框LCD的GOA電路結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用。如:液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module) ο液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)與彩色濾光片基板(ColorFilter, CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]主動式液晶顯示器中，每個像素電性連接一個薄膜晶體管(TFT)，薄膜晶體管的柵極(Gate)連接至水平掃描線，漏極(Drain)連接至垂直方向的數(shù)據(jù)線，源極(Source)則連接至像素電極。在水平掃描線上施加足夠的電壓，會使得電性連接至該條水平掃描線上的所有TFT打開，從而數(shù)據(jù)線上的信號電壓能夠?qū)懭胂袼?，控制不同液晶的透光度進而達到控制色彩與亮度的效果。GOA技術(shù)(Gate Driver on Array)即陣列基板行驅(qū)動技術(shù)，是利用液晶顯示面板的陣列制程將柵極驅(qū)動電路制作在TFT陣列基板上，實現(xiàn)對柵極逐行掃描的驅(qū)動方式。GOA電路具有能夠降低生產(chǎn)成本和實現(xiàn)窄邊框設(shè)計的優(yōu)點，適用于液晶顯示器。
[0005]根據(jù)使用的有源層材料的不同，GOA電路可以分為非晶娃(Amorphous silicon，a-Si)GOA電路、銦嫁鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)GOA電路、低溫多晶娃(Low Temperature Ploy Silicon，LTPS)G0A電路等，每種GOA電路又可以使用不同的制程。LTPS由于具有高電子迀移率和技術(shù)成熟的優(yōu)點，目前被中小尺寸LCD中的GOA電路廣泛使用。
[0006]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對LCD的美觀提出了更高的要求，邊框的寬度作為審美的要素之一，受到各IXD生產(chǎn)商的高度重視。多種因素都會影響IXD的邊框?qū)挾龋缈蚰z材料、切割技術(shù)、機臺精度等，除上述因素外，GOA電路的寬度也是重要的影響因素之一。
[0007]圖1所不為GOA電路的基本工作原理不意圖。GOA電路主要具有兩項基本功能:第一是輸入掃描脈沖信號(Gate pulse)功能，驅(qū)動面板內(nèi)的掃描線(Gate line)，打開顯示區(qū)內(nèi)的TFT，使得數(shù)據(jù)線(Data line)能夠?qū)ο袼剡M行充電；第二是移位寄存功能，當?shù)讦莻€掃描脈沖信號G (η)輸出完成后，可以通過時鐘信號控制進行第η+1個掃描脈沖信號G (η+1)的輸出，并依此傳遞下去。
[0008]圖2所示為CMOS制程下GOA電路的基本結(jié)構(gòu)框圖。該GOA電路由四部分組成:鎖存器(Latch)、與非門(NAND)、緩沖器單元(Buffer)、以及重置單元(Reset)，所述鎖存器電性連接與非門及重置單元，所述與非門電性連接鎖存器及緩沖器單元。重置信號輸入重置單元，輸入信號與第一時鐘信號輸入鎖存器，第二時鐘信號輸入與非門，輸出信號自緩沖器單元輸出。由于緩沖器單元為輸出級，需要具有很強的驅(qū)動能力，通常緩沖器單元內(nèi)TFT的尺寸很大，占用很大的布局空間，不利于減小LCD邊框的寬度。
[0009]請同時參閱圖3與圖4，現(xiàn)有的GOA電路中的緩沖器單元包括由第一金屬層10、第二金屬層20、及設(shè)于第一金屬層10與第二金屬層20之間的有源層30構(gòu)成的多個TFT ?’每一TFT的柵極由第一金屬層10形成，每一 TFT的源極與漏極由第二金屬層20形成，源極與漏極分別位于柵極的兩側(cè)；有源層30對應(yīng)TFT的源極與漏極的區(qū)域為離子重摻雜區(qū)域301，TFT的源極與漏極分別經(jīng)由一過孔601連接有源層30的離子重摻雜區(qū)域301，有源層30對應(yīng)TFT的源極與漏極之間的區(qū)域為溝道區(qū)域302。由于該現(xiàn)有的緩沖器單元僅使用第一金屬層10形成TFT的柵極，有源層30的溝道區(qū)域302位于柵極上方，厚度薄、阻抗大，為了提升緩沖器單元的驅(qū)動能力，通常需要把溝道區(qū)域302的長度增長，該種方法雖然增大了緩沖器單元的驅(qū)動能力，但是緩沖器單元的寬度也會隨之增大，相應(yīng)的GOA電路的寬度增大，不利于減小IXD邊框的寬度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種用于窄邊框LCD的GOA電路結(jié)構(gòu)，能夠減小緩沖器單元中TFT的尺寸以及緩沖器單元的寬度，從而減小GOA電路的寬度，使得IXD的邊框較窄。[0011 ] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于窄邊框IXD的GOA電路結(jié)構(gòu)，包括:鎖存器、與非門、緩沖器單元、以及重置單元，所述鎖存器電性連接與非門及重置單元，所述與非門電性連接鎖存器及緩沖器單元；輸入信號輸入鎖存器，輸出信號自緩沖器單元輸出；
[0012]所述緩沖器單元包括由第一金屬層、第二金屬層、及設(shè)于第一金屬層與第二金屬層之間的有源層構(gòu)成的多個TFT ;每一 TFT均具有雙柵極，其底柵極由第一金屬層形成，其源極與漏極由第二金屬層形成，其頂柵極也由第二金屬層形成。
[0013]所述源極、漏極分別位于底柵極及頂柵極的兩側(cè)；所述有源層對應(yīng)TFT的源極、漏極的區(qū)域為離子重摻雜區(qū)域，所述有源層對應(yīng)TFT的源極與漏極之間的區(qū)域為溝道區(qū)域。
[0014]TFT的源極與漏極分別經(jīng)由一過孔連接有源層的離子重摻雜區(qū)域。
[0015]在所述第一金屬層與有源層之間還設(shè)有底柵極絕緣層，在有源層與第二金屬層之間還設(shè)有頂柵極絕緣層；所述過孔貫穿所述頂柵極絕緣層。
[0016]所述第一金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅、鎳中的一種或多種的堆棧組合。
[0017]所述第二金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅、鎳中的一種或多種的堆棧組合。
[0018]所述有源層的材料為低溫多晶硅。
[0019]所述底柵極絕緣層與頂柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合。
[0020]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種用于窄邊框LCD的GOA電路結(jié)構(gòu)，其緩沖器單元中的TFT在有源層的溝道區(qū)域下方設(shè)有由第一金屬層形成的底柵極，在有源層的溝道區(qū)域上方設(shè)有由第二金屬層形成的頂柵極，有源層的溝道區(qū)域厚度較厚、阻抗較小，顯著增加了緩沖器單元中的TFT的驅(qū)動能力，在相同的驅(qū)動能力下，緩沖器單元中TFT的尺寸得以減小，從而緩沖器單元的寬度減小，GOA電路的寬度減小，使得LCD的邊框可以做的更窄。
[0021]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，