本公開涉及發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術：

1、顯示裝置是可以顯示畫面的裝置，并且顯示裝置可以包括液晶顯示器(lcd)和是一種發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光顯示裝置(oled)等。顯示裝置可以用在諸如以移動電話、導航裝置、數碼相機、電子書、便攜式游戲機和各種終端為例的各種電子裝置中。

2、諸如以發(fā)光顯示裝置為例的顯示裝置可以具有其中顯示裝置可以使用柔性基板被彎折或折疊的結構。

3、發(fā)光顯示裝置中使用的像素結構正在以各種方向被開發(fā)。

技術實現思路

1、在本文中描述的示例實施例通過減少每像素中包括的晶體管數量，來支持制造具有增加的每單位面積像素數的發(fā)光顯示裝置。

2、在本文中描述的示例實施例支持通過在發(fā)光顯示裝置的制造步驟中，將電壓施加到驅動晶體管的柵電極(或控制電極)來改善驅動晶體管的離差特性，其中，施加的電壓與驅動晶體管的另一電極處的電壓之間的電壓差相對大(例如，閾值以上)。

3、根據實施例的發(fā)光顯示裝置包括：驅動晶體管，包括控制電極、浮置電極、第一電極和第二電極，第一電極連接到驅動電壓線；第二晶體管，包括柵電極、連接到數據線的第三電極和連接到控制電極的第四電極；存儲電容器，包括第一存儲電極和連接到控制電極的第二存儲電極；以及發(fā)光二極管，連接到驅動晶體管的第二電極，其中，第一存儲電極連接到與驅動電壓線電分離的存儲電壓線。

4、在一個或多個實施例中，一組像素中的像素可以由驅動晶體管、第二晶體管、存儲電容器和發(fā)光二極管組成。例如，像素可以包括驅動晶體管、第二晶體管、存儲電容器和發(fā)光二極管，并且沒有補償晶體管。

5、在一個或多個實施例中，發(fā)光二極管(led)可以包括陽極和陰極，陽極可以連接到驅動晶體管的第二電極，并且陰極可以連接到驅動低電壓線。

6、在一個或多個實施例中，發(fā)光顯示裝置可以進一步包括：數據焊盤，連接到數據線；第一測試焊盤，與驅動電壓線相關聯并且連接到驅動電壓線；第二測試焊盤，與存儲電壓線相關聯并且連接到存儲電壓線；以及第三測試焊盤，與驅動低電壓線相關聯并且連接到驅動低電壓線。

7、在一個或多個實施例中，數據焊盤、與驅動電壓線相關聯的第一測試焊盤、與存儲電壓線相關聯的第二測試焊盤以及與驅動低電壓線相關聯的第三測試焊盤可以位于發(fā)光顯示裝置的非顯示區(qū)域中。

8、在一個或多個實施例中，發(fā)光顯示裝置可以包括：第一連接布線，與驅動電壓線相關聯，其中，第一連接布線將驅動電壓線和與驅動電壓線相關聯的第一測試焊盤連接，并且位于非顯示區(qū)域中；第二線連接布線，與存儲電壓線相關聯，其中，第二連接布線將存儲電壓線和與存儲電壓線相關聯的第二測試焊盤連接，并且位于非顯示區(qū)域中；以及第三連接布線，與驅動低電壓線相關聯，其中，第三連接布線將驅動低電壓線和與驅動低電壓線相關聯的第三測試焊盤連接，并且位于非顯示區(qū)域中。

9、在一個或多個實施例中，第一連接布線可以連接有多條驅動電壓線，第二連接布線可以連接有多條存儲電壓線，并且第三連接布線可以連接有多條驅動低電壓線。

10、在一個或多個實施例中，發(fā)光顯示裝置可以包括：掃描線，連接到第二晶體管的柵電極；并且可以進一步包括連接到掃描線的掃描信號生成器。

11、根據實施例的發(fā)光顯示裝置的制造方法包括：與執(zhí)行高電壓老化相關聯，將電壓施加到位于顯示面板的非顯示區(qū)域中的多個測試焊盤，其中，顯示面板包括位于顯示面板的顯示區(qū)域中的多個像素，并且多個像素中的每個像素包括驅動晶體管和發(fā)光二極管；驅動晶體管包括控制電極、浮置電極、第一電極和第二電極；并且高電壓老化包括：將第一電壓施加到驅動晶體管的控制電極，將第二電壓施加到驅動晶體管的第一電極，并且將第三電壓施加到發(fā)光二極管的一個電極，其中，第一電壓具有從-100v至-50v的范圍內的第一電壓值，第二電壓具有從-10v至10v的范圍內的第二電壓值，并且第三電壓具有從-10v至10v的范圍內的第三電壓值，并且第三電壓等于第二電壓或者比第二電壓小從0以上至0.5v的范圍內的電壓值。

12、在一個或多個實施例中，驅動晶體管的閾值電壓可以通過高電壓老化在負方向上偏移。

13、在一個或多個實施例中，在高電壓老化中，位于驅動晶體管的溝道中的正電荷可以通過隧道效應被轉移到浮置電極。

14、在一個或多個實施例中，每個像素可以進一步包括第二晶體管。在一個或多個實施例中，第二晶體管可以包括柵電極、連接到數據線的第三電極和連接到控制電極的第四電極。在一個或多個實施例中，第一電壓可以通過數據線被提供。

15、在一個或多個實施例中，第二電壓可以通過驅動電壓線被提供到驅動晶體管的第一電極，并且第三電壓可以通過驅動低電壓線被提供到發(fā)光二極管的陰極。

16、在一個或多個實施例中，像素可以進一步包括存儲電容器，存儲電容器的第一存儲電極可以連接到存儲電壓線，并且存儲電容器的第二存儲電極可以連接到控制電極。在一個或多個實施例中，在高電壓老化中，等于第一電壓或者與第一電壓最多相差第一電壓的10％的電壓可以被施加到第一存儲電極。

17、在一個或多個實施例中，該方法可以包括：在高電壓老化之后的附加老化。在一個或多個實施例中，在附加老化中，可以將第四電壓施加到驅動晶體管的控制電極，可以將第二電壓施加到第一電極，并且可以將第三電壓施加到第二電極。在一個或多個實施例中，第四電壓可以在極性上與第一電壓相反，并且具有從20v至60v的范圍內的電壓值。

18、在一個或多個實施例中，通過附加老化，驅動晶體管的閾值電壓可以在正方向上偏移。

19、在一個或多個實施例中，第四電壓可以通過數據線被提供。

20、在一個或多個實施例中，第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓和施加到第一存儲電極的電壓可以由外部電壓生成器生成，并且通過位于發(fā)光顯示裝置的非顯示區(qū)域中的焊盤提供。

21、在一個或多個實施例中，該方法可以包括：在高電壓老化和附加老化之后，執(zhí)行：視覺檢查；將驅動芯片(d-ic)、印刷電路板(pcb)或驅動芯片和印刷電路板兩者附著到顯示面板的模塊工藝；以及光學補償，其中，光學補償可以包括將信號和數據電壓施加到每個像素以檢查顯示的亮度并調整與顯示的亮度相對應的數據電壓。

22、在一個或多個實施例中，該方法可以包括：執(zhí)行tft老化，其中，tft老化之前的驅動晶體管的可靠性不同于tft老化之后的驅動晶體管的可靠性。

23、根據一個或多個實施例，像素可以包括兩個晶體管和一個電容器，并且(兩個晶體管中的)驅動晶體管具有包括浮置電極的結構。在一個或多個實施例中，在制造步驟中，通過將具有相對大電壓差的電壓施加到柵電極，來改善驅動晶體管的離差特性。相應地，例如，每個像素可以沒有單獨的補償晶體管，這從而可以支持減小由每個像素占據的面積并且形成(例如，與其他發(fā)光顯示裝置相比)具有增加的每單位面積像素數的發(fā)光顯示裝置。

24、根據本公開的一個或多個實施例，像素可以包括驅動晶體管，并且驅動晶體管可以包括浮置電極和柵電極(或控制電極)。在一個或多個實施例中，在本文中描述的技術包括在發(fā)光顯示裝置的制造步驟中，將具有對驅動晶體管的另一個電極的大電壓差的電壓施加到柵電極(或控制電極)，這從而可以改善驅動晶體管的離差特性。在本文中描述的技術支持在沒有進一步包括單獨的補償晶體管的情況下形成像素。