多功能浴巾架的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種多功能浴巾架，屬于洗浴用品的技術(shù)領(lǐng)域，該多功能浴巾架包括浴巾架封閉框體(1)，所述浴巾架封閉框體的上表面為置物臺(tái)，下端設(shè)置有活動(dòng)毛巾?xiàng)U，內(nèi)部設(shè)置有主控制板、音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈；所述浴巾架封閉框體的主側(cè)表面上設(shè)置有LED顯示屏和觸摸控制鍵，所述浴巾架封閉框體的下表面上設(shè)置有溫度傳感器和濕度傳感器,本發(fā)明的多功能浴巾架能夠快速風(fēng)干并進(jìn)行紫外殺菌，從而能夠減少細(xì)菌滋生，保證毛巾使用的干凈衛(wèi)生，而集成的音樂(lè)，為沐浴時(shí)提供音樂(lè)播放，使產(chǎn)品更具人性化特點(diǎn)，而且還可以通過(guò)手機(jī)app對(duì)浴巾架進(jìn)行智能化控制。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
多功能浴巾架
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及洗浴用品的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種多功能浴巾架。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有技術(shù)中，采用的浴巾架一般為橫桿式置物隔板架，其上層為置物臺(tái)，下層為 毛巾?xiàng)U，主要以物理支撐為主，沒(méi)有相應(yīng)的附加功能，功能單一；另外，鋁合金強(qiáng)度高、密度 小，作為貴金屬的替代品，在現(xiàn)有技術(shù)中，高檔的浴巾架一般采用鋁合金制成，而且為了賦 予其裝飾性以及耐蝕性，鋁合金在應(yīng)用于浴巾架中通常需要進(jìn)行電鍍工藝處理，而在規(guī)范 的鋁合金電鍍工藝中通常需要包括沉鋅、脫鋅、二次沉鋅、電鍍化學(xué)鎳、電鍍焦銅、電鍍酸 銅、電鍍鉻以及后處理工序，而電鍍工藝不僅需要消耗大量的工藝水，而且各種添加劑眾 多，其中還包括六價(jià)鉻、氰酸根等對(duì)環(huán)境和人體健康具有危害的物種。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種多功能浴巾 架。
[0004] 為了解決發(fā)明所述的技術(shù)問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案： 一種多功能浴巾架，包括浴巾架封閉框體，其特征在于:所述浴巾架封閉框體的上表 面為置物臺(tái)，所述浴巾架封閉框體的下端設(shè)置有毛巾?xiàng)U和與所述毛巾?xiàng)U相匹配的凹槽，所 述毛巾?xiàng)U能夠從垂直狀態(tài)向所述凹槽方向旋轉(zhuǎn)90°至水平狀態(tài)。
[0005] 其中，所述置物臺(tái)為平板狀的置物臺(tái)，例如可以為玻璃板、陶瓷板或金屬板等。
[0006] 其中，所述浴巾架封閉框體內(nèi)設(shè)置有主控制板、音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈，所述 音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈連接至所述主控制板;所述浴巾架封閉框體的主側(cè)表面上設(shè)置 有LED顯示屏和觸摸控制鍵，所述浴巾架封閉框體的下表面上設(shè)置有溫度傳感器和濕度傳 感器;所述LED顯示屏、觸摸控制鍵、溫度傳感器和濕度傳感器連接至所述主控制板。
[0007] 其中，所述毛巾?xiàng)U的下表面上設(shè)置有長(zhǎng)孔出風(fēng)口，所述浴巾架封閉框體的下表面 上設(shè)置有紫外光窗口和出音孔。
[0008] 其中，所述主控制板還連接至藍(lán)牙模塊，從而可以通過(guò)手機(jī)APP軟件控制風(fēng)扇、紫 外線(xiàn)消毒燈和音箱的開(kāi)閉。
[0009] 其中，所述主控制板通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路板與風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈連接;所述主控制板 通過(guò)功放電路與音箱連接，此外所述主控制板還直接與LED顯示屏、SD卡、按鍵電路、溫度傳 感器和濕度傳感器連接;電源為所述主控制板、功放電路和驅(qū)動(dòng)電路板供電;所述SD卡內(nèi)預(yù) 先存儲(chǔ)有音樂(lè)，通過(guò)主控制板音頻輸出后通過(guò)功放電路輸出到音箱，而播出的音樂(lè)歌名以 及歌詞通過(guò)LED顯示屏輸出；溫度傳感器和濕度傳感器測(cè)量的溫度和濕度數(shù)據(jù)傳輸給主控 制板并由LED顯示屏輸出;所述按鍵電路將用戶(hù)的按鍵輸入傳輸給主控制板，用于控制電源 的開(kāi)關(guān)、音樂(lè)的開(kāi)閉、風(fēng)扇的開(kāi)閉和紫外燈的開(kāi)閉；所述主控制板上還連接有藍(lán)牙模塊，所 述藍(lán)牙模塊通過(guò)與終端連接，并通過(guò)終端App控制來(lái)控制風(fēng)扇的開(kāi)閉、紫外消毒燈的開(kāi)閉以 及音樂(lè)的打開(kāi)與關(guān)閉。
[0010]其中，所述毛巾?xiàng)U采用鋁合金制成，所述鋁合金表面通過(guò)多弧離子鍍沉積有Ni金 屬層，所述Ni金屬層中Ni的含量大于90wt%;所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控派射沉積有阻擋 層，所述阻擋層由包含Ni的金屬與選自N、0中的至少一種非金屬元素反應(yīng)形成;所述阻擋層 上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積有耐磨表面層，所述耐磨表面層由包含Ni、Cr和B的元素，與選自N 和0中的至少一種非金屬元素反應(yīng)形成。
[0011]其中，所述耐磨表面層中Cr的含量相對(duì)于Ni、Cr和B的總量為12~30wt%，B的含量 相對(duì)于Ni、Cr和B的總量為0.5~1.5wt%;N和/或0的含量相對(duì)于耐磨表面層的總量為3~ 15wt%〇
[0012] 其中，所述毛巾?xiàng)U的外觀顏色以L(fǎng)ab表色系統(tǒng)表示，其L值為85.0~88.1，a值為0.35 ~1.20，b值為1.0~5.0，其具有類(lèi)似于鉑金的光澤。
[0013] 與最接近的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的多功能浴巾架具有以下有益效果： (1)本發(fā)明的多功能浴巾架能夠快速風(fēng)干并進(jìn)行紫外殺菌，從而能夠減少細(xì)菌滋生，保 證毛巾使用的干凈衛(wèi)生，而集成的音樂(lè)，為沐浴時(shí)提供音樂(lè)播放，使產(chǎn)品更具人性化特點(diǎn)， 而且還可以通過(guò)手機(jī)app對(duì)浴巾架進(jìn)行智能化控制。
[0014] (2)本發(fā)明的毛巾?xiàng)U擯棄了高能耗、高污染的電鍍工藝，而采用了環(huán)保的真空鍍膜 工藝，得到的毛巾?xiàng)U不僅具有貴金屬般的高貴光澤，而且耐磨損和耐腐蝕性?xún)?yōu)異。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為本發(fā)明所述的多功能浴巾架的第一視圖。
[0016] 圖2為本發(fā)明所述的多功能浴巾架的第二視圖。
[0017]圖3為本發(fā)明所述的多功能浴巾架的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 以下將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的多功能浴巾架做進(jìn)一步的闡述，以幫助本 領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解;需要指出的 是實(shí)施例中有關(guān)結(jié)構(gòu)、功能以及材料等的描述都是示例性的，而并不是指對(duì)發(fā)明保護(hù)范圍 的限制。
[0019] 如圖1-2所示，本發(fā)明的多功能浴巾架，包括浴巾架封閉框體1，所述浴巾架封閉框 體1的上表面為平板狀的置物臺(tái)，例如其可以為玻璃板、陶瓷板或金屬板，當(dāng)然還可以是兩 種或兩種材料以上的復(fù)合板，例如由金屬板和陶瓷板構(gòu)成的層狀復(fù)合板等。所述浴巾架封 閉框體1的下端設(shè)置有毛巾?xiàng)U3和與所述毛巾?xiàng)U3相匹配的凹槽4，所述毛巾?xiàng)U3能夠從垂直 狀態(tài)向所述凹槽4方向旋轉(zhuǎn)90°至水平狀態(tài)。所述毛巾?xiàng)U3包括兩臂，以及兩臂之間的水平 桿。所述浴巾架封閉框體1內(nèi)設(shè)置有主控制板、音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈，所述音箱、風(fēng)扇 和紫外線(xiàn)消毒燈連接至所述主控制板。所述浴巾架封閉框體1的主側(cè)表面上設(shè)置有LED顯示 屏5和觸摸控制鍵6，所述浴巾架封閉框體1的下表面上設(shè)置有溫度傳感器和濕度傳感器;所 述LED顯示屏5、觸摸控制鍵6、溫度傳感器和濕度傳感器連接至所述主控制板。所述毛巾?xiàng)U3 的下表面上設(shè)置有長(zhǎng)孔出風(fēng)口 9,所述浴巾架封閉框體1的下表面上設(shè)置有紫外光窗口 7和 出音孔8。所述主控制板還連接至藍(lán)牙模塊，從而可以通過(guò)手機(jī)APP軟件控制風(fēng)扇、紫外線(xiàn)消 毒燈和音箱的開(kāi)閉。本發(fā)明的多功能浴巾架，增加了毛巾風(fēng)干功能，風(fēng)扇的出風(fēng)口設(shè)計(jì)在毛 巾?xiàng)U3正下方，通過(guò)出風(fēng)口的角度能完全作用于毛巾上，使得毛巾能夠快速風(fēng)干，減少細(xì)菌 滋生，安全衛(wèi)生;其次通過(guò)設(shè)置的紫外線(xiàn)燈管，通過(guò)紫外線(xiàn)的殺菌作用，能夠進(jìn)一步保證毛 巾的干凈衛(wèi)生。內(nèi)置的音箱能夠?yàn)殂逶r(shí)提供音樂(lè)播放，使產(chǎn)品更具人性化特點(diǎn)。設(shè)置的顯 示屏可以用于顯示室內(nèi)溫度、濕度、音樂(lè)歌名歌詞、風(fēng)力和定時(shí)等功能，設(shè)置的觸摸控制鍵6 用于控制電源開(kāi)關(guān)、設(shè)置、音量大小。
[0020] 如圖3所示，所述主控制板10通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路板20與風(fēng)扇21和紫外線(xiàn)消毒燈22連接； 所述主控制板10通過(guò)功放電路23與音箱24連接，此外所述主控制板10還直接與LED顯示屏 (5)25、SD卡26、按鍵電路27、溫度傳感器28和濕度傳感器29連接。電源30為所述主控制板 10、功放電路23和驅(qū)動(dòng)電路板20供電。所述風(fēng)扇21和紫外線(xiàn)消毒燈22通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路板20的 驅(qū)動(dòng)，而驅(qū)動(dòng)電路板20受到主控制板10的控制。所述SD卡26內(nèi)預(yù)先存儲(chǔ)有音樂(lè)，通過(guò)主控制 板10音頻輸出后通過(guò)功放電路23(由電源供電)輸出到音箱，而播出的音樂(lè)歌名以及歌詞通 過(guò)LED顯示屏5輸出。溫度傳感器28和濕度傳感器29測(cè)量的溫度和濕度數(shù)據(jù)傳輸給主控制板 10,并由LED顯示屏5輸出。所述按鍵電路27將用戶(hù)的按鍵輸入傳輸給主控制板10,用于控制 電源的開(kāi)關(guān)、音樂(lè)的開(kāi)閉（包括聲音大小）、風(fēng)扇的開(kāi)閉（包括大?。┖妥贤鉄舻拈_(kāi)閉。另外， 所述主控制板10上還連接有藍(lán)牙模塊40,所述藍(lán)牙模塊40通過(guò)與終端(例如內(nèi)置有APP的手 機(jī)或PAD等)連接，并通過(guò)終端App控制來(lái)控制風(fēng)扇的開(kāi)閉、紫外消毒燈的開(kāi)閉以及音樂(lè)的打 開(kāi)與關(guān)閉等功能。
[0021] 在本發(fā)明中，所述毛巾?xiàng)U3采用鋁合金制成，并且為了符合環(huán)保、高效和性能卓越 的原則，本發(fā)明所述的毛巾?xiàng)U3擯棄了高污染、高能耗的電鍍工藝，而是采用環(huán)保、高效的真 空鍍膜工藝。具體來(lái)說(shuō)，在本發(fā)明中所述鋁合金表面通過(guò)多弧離子鍍沉積有Ni金屬層，申請(qǐng) 人發(fā)現(xiàn)采用多弧離子鍍工藝相比與磁控濺射或化學(xué)反應(yīng)沉積法制備的Ni金屬層，其與鋁合 金基材之間的粘附性更好，當(dāng)然在本發(fā)明中所述Ni金屬層系指主要由金屬Ni構(gòu)成的金屬 層，例如其中的Ni的含量通常應(yīng)當(dāng)在90wt%以上。另外其中還可以含有Al、Cr、Fe、Co、Cu、Si 等金屬中的至少一種，并且所述Ti、Al、Cr、Fe、Co、Cu、Si的總量應(yīng)控制在1 Owt%以?xún)?nèi)，否則將 可能顯著影響Ni金屬層與A1合金基體之間的粘附性，并且作為優(yōu)選地，Al、Cr、Fe、Co、Cu、Si 中的任一種的含量可控制在5wt%以?xún)?nèi)，所述Ni金屬層的厚度優(yōu)選為50~500nm。所述多弧離 子鍍工藝可以采用常規(guī)工藝參數(shù)，采用的靶材為Ni金屬靶，所述Ni金屬靶中Al、Cr、Fe、Co、 Cu、Si等金屬的含量總和不高于10wt%，采用的靶電流為20~60A，偏壓為150~250V，氬氣的壓 強(qiáng)為0.05~0.5 Pa。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積有阻擋層，所述阻擋層由包含 Ni的金屬與選自N、0中的至少一種非金屬元素反應(yīng)形成;所述包含Ni的金屬系指主要由金 屬Ni構(gòu)成的金屬層，例如其中的Ni的含量通常應(yīng)當(dāng)在90wt%以上。另外其中還可以含有A1、 0、？6、(：〇、〇1、31等金屬中的至少一種，并且所述1^)1、(>、？6、(：〇、〇1、31的總量應(yīng)控制在 10wt%以?xún)?nèi)就不會(huì)顯著影響膜層的性能。在阻擋層中所述非金屬元素N和0的含量為1.0~ 10 ? Owt%，優(yōu)選為1 ? 0~5 ? Owt%。所述阻擋層的厚度例如可以為0 ? 1~2 ? 0圓，優(yōu)選為0 ? 1~1 ? 0y m。所述阻擋層優(yōu)選采用反應(yīng)磁控濺射工藝沉積，相比于多弧離子鍍工藝，采用反應(yīng)磁控濺 射工藝能夠賦予膜層更高的耐損傷性和耐蝕性。所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積有耐 磨表面層，所述耐磨表面層由包含Ni、Cr和B的元素，與選自N和0中的至少一種非金屬元素 反應(yīng)形成。所述耐磨表面層中Cr的含量相對(duì)于Ni、Cr和B的總量為12~30wt%，B的含量相對(duì) 于Ni、Cr和B的總量為0.5~1.5wt%，優(yōu)選為0.5~1. Owt%。?^和/或0的含量相對(duì)于耐磨表面層的 總量為3~15wt%，優(yōu)選為5~10 wt%。所述阻擋層的厚度例如可以為0.2~3.0圓，優(yōu)選為0.3~ 3. Oym。
【申請(qǐng)人】發(fā)現(xiàn)通過(guò)添加0.5~1.5wt%的B，并控制非金屬元素的總量在3~15wt%之間，可 以賦予所述毛巾?xiàng)U⑶具有類(lèi)似于鉑金的光澤。具體來(lái)說(shuō)，所述毛巾?xiàng)U3的外觀顏色以L(fǎng)ab表 色系統(tǒng)表示，L值為85? 0~88? 1，a值為0? 35~1 ? 20，b值為1 ? 0~5? 0。
[0022] 采用真空鍍膜工藝相比于常規(guī)的電鍍工藝(沉鋅、電鍍化學(xué)鎳、電鍍焦銅、電鍍酸 銅、電鍍鉻、鉻封)具有更好的耐磨損性能和耐蝕性。
[0023] 在本發(fā)明中所述耐蝕性采用暴露于間歇噴灑鹽溶液和潮濕循環(huán)不受控制條件下 的加速腐蝕試驗(yàn)(96h)并通過(guò)觀察腐蝕面積和變色情況進(jìn)行評(píng)價(jià)，鹽溶液的組成為:氯化鈉 20 g/L，氯化銨17.5 g/L，尿素5 g/L，醋酸2.5 g/L，消旋乳酸15 g/L，并用氫氧化鈉調(diào)節(jié) pH值至4.7。當(dāng)腐蝕面積小于5.0%，未腐蝕部分的A E小于1.5%，耐腐蝕性評(píng)價(jià)為優(yōu)；當(dāng)腐蝕 面積小于10 .〇%，未腐蝕部分的A E大于1.5%并且小于3.0%時(shí)，耐腐蝕性評(píng)價(jià)為良；其余評(píng)價(jià) 為差。附著力采用自動(dòng)劃痕儀進(jìn)行測(cè)試(條件:載荷200N，加載速度100N/min，劃痕長(zhǎng)度4mm， 劃痕速率2mm/min)，并測(cè)試其表面的顯微硬度(Hv)。
[0024] 實(shí)施例1 在本實(shí)施例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E，本底真空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，〇2 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為l.lwt%，0的含量為 0.65wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積(本底真空度l(T 3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，〇2 20sccm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為0.5M1的耐磨表面層，米用 的靶材中Ni的含量為7 lwt%，Cr的含量為28wt%，B的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中 Cr的含量23.2wt%，B的含量為1.42wt%，N的含量為1.9wt%，0的含量為2.2wt%，余量為Ni。 [0025] 實(shí)施例2 在本實(shí)施例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在約300nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E，本底真空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，〇2 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為0.5mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為l.lwt%，0的含量為 0.65wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積(本底真空度l(T 3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，〇2 20sccm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為3.0M1的耐磨表面層，米用 的靶材中Ni的含量為7 lwt%，Cr的含量為28wt%，B的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中 Cr的含量23.2wt%，B的含量為1.42wt%，N的含量為1.9wt%，0的含量為2.2wt%，余量為Ni。
[0026] 實(shí)施例3 在本實(shí)施例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E1，本底真空度10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 lOsccm，偏壓200V，電流20 A)厚度為0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為1.2wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁 控濺射沉積(本底真空度10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，偏壓200V，電流 20 A)有厚度為0.5 _的耐磨表面層，采用的靶材中Ni的含量為71wt%，Cr的含量為28wt%，B 的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中Cr的含量22.3 wt%，B的含量為1.36wt%，N的含量 為2.2wt%，余量為Ni。
[0027] 實(shí)施例4 在本實(shí)施例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E1，本底真空度10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，〇2 lOsccm，偏壓200V，電流20 A)厚度為0.2 wii的阻擋層，得到的阻擋層中0的含量為1.3wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁 控濺射沉積(本底真空度10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，02 20sccm，偏壓200V，電流 20 A)有厚度為0.5 _的耐磨表面層，采用的靶材中Ni的含量為71wt%，Cr的含量為28wt%，B 的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中Cr的含量22. lwt%，B的含量為1.38wt%，0的含量為 2.(^丨％，余量為附。
[0028] 實(shí)施例5 在本實(shí)施例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E，本底真空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，〇2 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為l.lwt%，0的含量為 0.65wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積(本底真空度l(T 3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，〇2 20sccm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為0.5M1的耐磨表面層，米用 的靶材中Ni的含量為84.5wt%，Cr的含量為15wt%，B的含量為0.5wt%。沉積得到的耐磨表面 層中Cr的含量12.2wt%，B的含量為0.62wt%，N的含量為1.8wt%，0的含量為2.1wt%，余量為 Ni〇
[0029] 對(duì)比例1 在本對(duì)比例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)磁控 濺射沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度10-3Pa，偏壓為200V，電流為20A，沉積溫度300°C，Ar 200sccm)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控派射沉積(Ni革E，本底真空 度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，02 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為 0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為1. lwt%，0的含量為0.65wt%。在所述阻擋層上 通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積（本底真空度10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，02 2〇SCCm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為0.5mi的耐磨表面層，采用的靶材中Ni的含量為 7 lwt%，Cr的含量為28wt%，B的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中Cr的含量23.2wt%，B的 含量為1.42wt%，N的含量為1.9wt%，0的含量為2.2wt%，余量為Ni。
[0030] 對(duì)比例2 在本對(duì)比例中鋁合金表面形成有Ni金屬層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧離子鍍沉積 有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓為200V，氬氣 的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控派射沉積(本底真 空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，02 20sccm，偏壓 200V，電流20 A)有 厚度為1.0 Mi的耐磨表面層，采用的靶材中Ni的含量為71wt%，Cr的含量為28wt%，B的含量 為1 w t %。沉積得到的耐磨表面層中C r的含量2 3.2 w t %，B的含量為1.4 2 w t %，N的含量為 1.9wt%，0的含量為2.2wt%，余量為Ni。
[0031] 對(duì)比例3 在本對(duì)比例中鋁合金表面形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧離子 鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度10_3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓為 200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉 積（Ni革E，本底真空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，〇2 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為l.lwt%，0的含量為 0.65wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積(本底真空度l(T 3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，〇2 20sccm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為0.5M1的耐磨表面層，米用 的靶材中N i的含量為7 2 w t %，C r的含量為2 8 w t %。沉積得到的耐磨表面層中C r的含量 23.5wt%，N的含量為1.9wt%，0的含量為2. lwt%，余量為Ni。
[0032] 對(duì)比例4 在本對(duì)比例中鋁合金表面依次形成有Ni金屬層、阻擋層和耐磨表面層。首先，通過(guò)多弧 離子鍍沉積有Ni金屬層(Ni靶，本底真空度l(T3Pa，靶電流為25A，沉積溫度250°C以上，偏壓 為200V，氬氣的壓強(qiáng)為0.1 Pa)，厚度控制在50~60nm。在所述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射 沉積(Ni革E，本底真空度 10-3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 10sccm，〇2 5sccm，偏壓 200V，電流20 A)厚度為0.2 mi的阻擋層，得到的阻擋層中N的含量為l.lwt%，0的含量為 0.65wt%。在所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積(本底真空度l(T 3Pa，沉積溫度300°C，Ar 200sccm，N2 20sccm，〇2 20sccm，偏壓200V，電流20 A)有厚度為0.5M1的耐磨表面層，米用 的靶材中Ni的含量為99wt%，B的含量為lwt%。沉積得到的耐磨表面層中B的含量為1.5wt%，N 的含量為2.0wt%，0的含量為2.2wt%，余量為Ni。
[0033] 實(shí)施例1~5以及比較例1~4制備得到的毛巾?xiàng)U(3)樣品的性能如表1所示。
[0034] 表 1
對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然 本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的 各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均 在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種多功能浴巾架，包括浴巾架封閉框體（1)，其特征在于:所述浴巾架封閉框體 (1)的上表面為置物臺(tái)（2)，所述浴巾架封閉框體(1)的下端設(shè)置有毛巾?xiàng)U(3)和與所述毛巾 桿(3)相匹配的凹槽(4)，所述毛巾?xiàng)U(3)能夠從垂直狀態(tài)向所述凹槽(4)方向旋轉(zhuǎn)90°至水 平狀態(tài)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述置物臺(tái)（2)為平板狀的置物 臺(tái)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述浴巾架封閉框體（1)內(nèi)設(shè)置 有主控制板、音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈，所述音箱、風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈連接至所述主控 制板;所述浴巾架封閉框體（1)的主側(cè)表面上設(shè)置有LED顯示屏(5)和觸摸控制鍵(6)，所述 浴巾架封閉框體（1)的下表面上設(shè)置有溫度傳感器和濕度傳感器;所述LED顯示屏(5)、觸摸 控制鍵(6)、溫度傳感器和濕度傳感器連接至所述主控制板。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述毛巾?xiàng)U(3)的下表面上設(shè)置 有長(zhǎng)孔出風(fēng)口（9)，所述浴巾架封閉框體（1)的下表面上設(shè)置有紫外光窗口（7)和出音孔5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述LED顯示屏(5)包括風(fēng)力顯示 屏、溫度和濕度顯示屏以及音樂(lè)顯示屏。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述置物臺(tái)（2)的材質(zhì)為玻璃板、 陶瓷板或金屬板。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述主控制板通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路板與 風(fēng)扇和紫外線(xiàn)消毒燈連接;所述主控制板通過(guò)功放電路與音箱連接，此外所述主控制板還 直接與LED顯示屏（5)、SD卡、按鍵電路、溫度傳感器和濕度傳感器連接；電源為所述主控制 板、功放電路和驅(qū)動(dòng)電路板供電;所述SD卡內(nèi)預(yù)先存儲(chǔ)有音樂(lè)，通過(guò)主控制板音頻輸出后通 過(guò)功放電路輸出到音箱，而播出的音樂(lè)歌名以及歌詞通過(guò)LED顯示屏（5)輸出；溫度傳感器 和濕度傳感器測(cè)量的溫度和濕度數(shù)據(jù)傳輸給主控制板并由LED顯示屏(5)輸出；所述按鍵電 路將用戶(hù)的按鍵輸入傳輸給主控制板，用于控制電源的開(kāi)關(guān)、音樂(lè)的開(kāi)閉、風(fēng)扇的開(kāi)閉和紫 外燈的開(kāi)閉;所述主控制板上還連接有藍(lán)牙模塊，所述藍(lán)牙模塊通過(guò)與終端連接，并通過(guò)終 端App控制來(lái)控制風(fēng)扇的開(kāi)閉、紫外消毒燈的開(kāi)閉以及音樂(lè)的打開(kāi)與關(guān)閉。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述毛巾?xiàng)U(3)采用鋁合金制成， 所述鋁合金表面通過(guò)多弧離子鍍沉積有Ni金屬層，所述Ni金屬層中Ni的含量大于90wt%;所 述Ni金屬層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積有阻擋層，所述阻擋層由包含Ni的金屬與選自N、0中 的至少一種非金屬元素反應(yīng)形成;所述阻擋層上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積有耐磨表面層，所 述耐磨表面層由包含Ni、Cr和B的元素，與選自N和0中的至少一種非金屬元素反應(yīng)形成。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的多功能浴巾架，其特征在于:所述耐磨表面層中Cr的含量相對(duì) 于Ni、Cr和B的總量為12~30wt%，B的含量相對(duì)于Ni、Cr和B的總量為0.5~1.5wt%;N和/或0的 含量相對(duì)于耐磨表面層的總量為3~15wt%。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的多功能浴巾架，其特征在于：所述毛巾?xiàng)U（3)的外觀顏色以 Lab表色系統(tǒng)表示，其L值為85.0~88.1，a值為0.35~1.20，b值為1.0~5.0。
【文檔編號(hào)】A47K10/06GK105852717SQ201610396673
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月7日
【發(fā)明人】黃萬(wàn)格, 李 柱
【申請(qǐng)人】卡貝科技股份有限公司