技術編號：9689422
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。GaN作為第三代半導體材料，具有更高的禁帶寬度，更大的電子飽和漂移速度，更強的臨近擊穿電場，更高的熱導率以及熱穩(wěn)定性等特性。GaN基氮化物半導體材料還具有很大的自發(fā)和壓電極化特性，利用此特性制備的高電子迀移率晶體管是一種場效應半導體器件，它廣泛應用于高頻率放大器件或者高功率開關器件領域。GaN基高電子迀移率晶體管常規(guī)結構為襯底、緩沖層、勢皇層、介質膜和電極。對于GaN基高電子迀移率晶體管，主要應用在高頻或者高壓場合，對襯底材料和外延層的漏電要求很高。由于襯...
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