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一種GaN基薄膜晶體管結構及其制備方法技術資料下載

技術編號:9689422

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GaN作為第三代半導體材料,具有更高的禁帶寬度,更大的電子飽和漂移速度,更強的臨近擊穿電場,更高的熱導率以及熱穩(wěn)定性等特性。GaN基氮化物半導體材料還具有很大的自發(fā)和壓電極化特性,利用此特性制備的高電子迀移率晶體管是一種場效應半導體器件,它廣泛應用于高頻率放大器件或者高功率開關器件領域。GaN基高電子迀移率晶體管常規(guī)結構為襯底、緩沖層、勢皇層、介質膜和電極。對于GaN基高電子迀移率晶體管,主要應用在高頻或者高壓場合,對襯底材料和外延層的漏電要求很高。由于襯...
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