技術(shù)編號：8198885
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及制作在硅襯底和金屬氧化物之間含有晶體金屬氧化物界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，而更詳細(xì)地涉及制作含有籽晶層和高介電常數(shù)氧化物的界面的方法。對于為許多器件所用的在硅上后續(xù)外延生長的單晶薄膜，例如用于非易失高密度存儲(chǔ)器的鐵電體或高介電常數(shù)氧化物，和下一步的形成器件而言，最希望的是有序而又穩(wěn)定的硅(Si)表面。在Si表面上形成有序的過渡層，尤其對單晶氧化物例如鈣鈦礦的后續(xù)生長來說是關(guān)鍵性的。一些報(bào)導(dǎo)的像BaO和BaTiO3之類這些氧化物在Si(100)上的生長是以用分子束外延在溫度大于850℃時(shí)在硅(10...
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