技術(shù)編號：7243923
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種新穎的，其步驟包含將由多個絕緣介層與犧牲介層所構(gòu)成的一多層結(jié)構(gòu)分隔為一第一多層結(jié)構(gòu)與一第二多層結(jié)構(gòu)、將多層結(jié)構(gòu)中的犧牲介層替換為金屬介層、以及分別在兩多層結(jié)構(gòu)中制作出通道結(jié)構(gòu)。專利說明[0001]本發(fā)明大體上涉及一種，更具體言之，其涉及一種具有U形管通道結(jié)構(gòu)的。背景技術(shù)[0002]對于傳統(tǒng)的平面式存儲器結(jié)構(gòu)而言，存儲單元(cell)中的柵極、源極、以及漏極等部件皆設(shè)置在同一平面上，故有效存儲單元的面積(一般為4F2，F(xiàn)為曝光機(jī)臺的極限)僅能依...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。