技術(shù)編號(hào)：7100158
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種多層膜的柵結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及所述柵結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)在目前的半導(dǎo)體工藝方法中，有這樣一種工藝方法，在硅片上先形成溝槽，然后進(jìn)行氧化，生成一層氧化膜作為柵氧化膜(下述簡(jiǎn)稱“柵氧”)，之后再生長(zhǎng)一層摻磷的高摻雜多晶硅或無定型硅，用高摻雜多晶硅或無定型硅填滿整個(gè)溝槽(參見圖1)。在整個(gè)溝槽填滿后再進(jìn)行回刻，將沒有溝槽處的高摻雜多晶硅或無定型硅全部刻掉，而在溝槽里留下的高摻雜多晶硅或無定型硅就用來作為柵極，而無定型...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。