技術編號：39728598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，具體涉及一種p型共源分柵sonos存儲器陣列及其操作方法。背景技術、分柵型sonos存儲器，因省去了傳統(tǒng)兩管sonos存儲器中存儲管和選擇管中間共用的源端，可縮減存儲單元面積，而受到了廣泛關注。如圖所示，n型分柵sonos存儲器使用n型溝道和p阱(pw)，由于sonos在擦寫(erase)過程中需要在p阱加正壓，因此為了隔離p阱和p型襯底，通常還需要引入深n阱(dnw)，在工藝制造過程中就需要使用深n阱的光罩來定義深n阱注入?yún)^(qū)域。技術實現(xiàn)思路、有鑒于此，本...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。