技術(shù)編號：39728342
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，特別是涉及一種相變存儲器自適位線鉗位高速數(shù)據(jù)讀出電路及方法。背景技術(shù)、相變存儲器，因其具有讀寫速度快，可擦寫耐久性高，保持信息時間長等特性，被業(yè)界認(rèn)為是解決存儲墻瓶頸的最有發(fā)展?jié)摿Φ脑O(shè)備之一。它以硫系化合物材料為存儲介質(zhì)，利用相變材料在晶態(tài)(相變材料呈低阻態(tài))和非晶態(tài)(相變材料呈高阻態(tài))間可逆的相變來完成數(shù)據(jù)的存儲。、相變存儲器的讀出操作原理是通過電學(xué)手段將存儲單元的電阻值轉(zhuǎn)換為電學(xué)參數(shù)并放大成邏輯電平信號。當(dāng)被選中的相變單元是晶態(tài)相變單元時，讀電流大于參考電流，輸出高電平...
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