技術(shù)編號(hào)：39728129
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體光刻膠組合物和一種使用所述半導(dǎo)體光刻膠組合物形成圖案的方法。背景技術(shù)、極紫外(extreme?ultraviolet；euv)光刻作為用于制造下一代半導(dǎo)體裝置的一種重要技術(shù)而受到關(guān)注。euv光刻是使用具有約.納米的波長(zhǎng)的euv射線作為曝光光源的圖案形成技術(shù)。利用euv光刻，可在半導(dǎo)體裝置的制造期間在曝光工藝中形成極精細(xì)圖案(例如，小于或等于約納米)。、極紫外(euv)光刻通過相容的光刻膠的顯影來實(shí)現(xiàn)，其可在小于或等于約納米的空間分辨率下進(jìn)行。目前，正...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。