技術(shù)編號(hào)：39725987
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其增強(qiáng)式編程方法，尤其是涉及一種可提升數(shù)據(jù)可靠度的存儲(chǔ)器裝置及其增強(qiáng)式編程方法。背景技術(shù)、非易失性存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間、溫度及電壓應(yīng)力的條件將加速縮短組件可靠度的壽命周期。其中，隨著存儲(chǔ)單元持續(xù)地重復(fù)寫(xiě)入擦除，在存儲(chǔ)單元中的氧化層內(nèi)將有大量的陷阱(trap)。這些存儲(chǔ)單元中的氧化層中的陷阱，容易因編程動(dòng)作或松弛效應(yīng)而發(fā)生干擾(disturb)，使得陷住的電荷由氧化層內(nèi)逃出，進(jìn)而降低存儲(chǔ)單元的臨界電壓值，并影響到數(shù)據(jù)為邏輯的窗口大小。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明是針對(duì)一種存儲(chǔ)器...
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