技術(shù)編號：39722133
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及一種半導體器件，其中，內(nèi)部電壓在待機操作和激活操作開始之后通過共享放大器電路和驅(qū)動器來生成。背景技術(shù)、一般來說，半導體存儲器件通過從外部源接收電源電壓vdd和接地電壓vss來生成并使用內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓。半導體存儲器件所需的內(nèi)部電壓包括供應(yīng)給存儲器核電路的核電壓vcore，用于驅(qū)動字線或在半導體存儲器件被過驅(qū)動時使用的高電壓vpp，以及被供應(yīng)作為核電路的晶體管的體電壓的反向偏置電壓vbb。技術(shù)實現(xiàn)思路、在實施例中，半導體器件可以包括內(nèi)部電壓控制電路和核電路，內(nèi)部電壓控制電路包括...
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