技術編號：39683223
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體制造，尤其涉及一種形成溝槽的方法及半導體工藝設備。背景技術、在集成電路、微機電系統(tǒng)和先進封裝等領域，深硅刻蝕有著重要應用，是半導體制造中非常重要的一種工藝過程。由于深硅刻蝕需要形成具有較大深寬比和較高垂直度的溝槽，傳統(tǒng)的濕法刻蝕工藝無法完成，因此通常采用干法刻蝕工藝獲得所需溝槽。其中，干法刻蝕工藝是一種基于低溫等離子體的刻蝕技術，其使用離化后的氣體對待刻蝕膜層進行物理轟擊和化學刻蝕而達到刻蝕目的。但是，因為化學刻蝕的各向同性刻蝕作用或者物理轟擊的各向異性作用容易導致溝槽的底部形...
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