技術編號：3800445
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于多層金屬配線結構半導體元件制程的化學機械拋光(CMP)工序中的研磨劑及其制造方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種用于淺溝槽隔離(STI，Shallow Trench Isolation)工序的化學機械拋光工序中的研磨劑及其制造方法，該STI工序中的化學機械拋光工序對于大于256M兆字節(jié)DRAM(設計標準＜0.13μm)的超大規(guī)模集成半導體的制程來說是必不可少的。背景技術 硅的局部氧化工序(LOCOS)是傳統(tǒng)的半導體元件隔離工序，LOCOS工序在...
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