技術(shù)編號：10666001
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在典型的三維存儲器裝置中，字線主要是由多晶硅及硅化物路徑連接至外側(cè)譯碼器，這些路徑對于訊號而言并非高傳導(dǎo)性的路徑。為了改善存儲器的操作效能，常透過于存儲陣列區(qū)的兩側(cè)存儲器裝置置入兩個相同的X譯碼器，在選擇需操作的存儲單元時(shí)，其二個X譯碼器同時(shí)傳送同一訊號至存儲陣列區(qū)，可降低該訊號須傳輸?shù)穆窂介L，可降低字線阻容遲滯的影響。隨著存儲器裝置的尺寸縮小，使用二個X譯碼器的方法對于存儲陣列區(qū)的效率造成不利的影響。減少X譯碼器所占用的空間以增加陣列面積的目的，降低其字...
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