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一種接觸鈍化晶體硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)及制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):10490811

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晶體硅太陽能電池的表面鈍化是提高晶體硅太陽能電池的一個(gè)重要方法,基于氧化硅,氧化鋁,介質(zhì)膜的PERC和PERL電池目前已經(jīng)商業(yè)化,但是,這些電池都需要局部開孔,開孔處的高復(fù)合問題一直無法解決,2013年,F(xiàn)raunhofer I SE開發(fā)了一種隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)。這種技術(shù)使用超薄的氧化層與硅薄膜鈍化電池的背面,氧化層使用濕法化學(xué)生長(zhǎng),厚度為1.4nm,隨后在氧化層之上,沉積20nm摻磷的非晶硅,之后經(jīng)過退火加強(qiáng)鈍化效果。但是這種方法只是...
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