技術(shù)編號(hào)：10490811
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。晶體硅太陽能電池的表面鈍化是提高晶體硅太陽能電池的一個(gè)重要方法，基于氧化硅，氧化鋁，介質(zhì)膜的PERC和PERL電池目前已經(jīng)商業(yè)化，但是，這些電池都需要局部開孔，開孔處的高復(fù)合問題一直無法解決，2013年，F(xiàn)raunhofer I SE開發(fā)了一種隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)。這種技術(shù)使用超薄的氧化層與硅薄膜鈍化電池的背面，氧化層使用濕法化學(xué)生長(zhǎng)，厚度為1.4nm，隨后在氧化層之上，沉積20nm摻磷的非晶硅，之后經(jīng)過退火加強(qiáng)鈍化效果。但是這種方法只是...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。