多層線路板以及其制造方法
【專利摘要】一種多層線路板，包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一納米銀導電柱、第二納米銀導電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層；線路基板包括基板層以及貼附于基板層上的金屬圖案層；絕緣基板位于金屬圖案層上，并包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞；第一孔洞貫穿絕緣基板并暴露出金屬圖案層；第二孔洞位于基板層，并且暴露出金屬圖案層；第一納米銀導電柱填入第一孔洞中，第二納米銀導電柱填入第二孔洞中；第一銀漿層覆蓋在絕緣層上，第二銀漿層覆蓋在基板層上；第一保護層覆蓋第一銀漿層，第二保護層覆蓋第二銀漿層。本發(fā)明用第一銀漿層、第二銀漿層形成多層線路板，降低多層板的層數(shù)，進而減少厚度，達到產(chǎn)品薄型化的目的。
【專利說明】多層線路板以及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板以及其制程方法，且特別涉及一種多層線路板以及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，多層線路板的制造過程包括，先將單層板或雙層板進行堆棧黏合以形成多層板。再對多層板進行蝕刻工藝以形成多層線路板。單層板的結(jié)構(gòu)包括一金屬層、一絕緣層以及一黏著層，而雙層板的結(jié)構(gòu)包括兩金屬層、一絕緣層以及一黏著層。然而，利用單層板與雙層板堆棧黏合所形成的多層板會具有較大的厚度，使得所形成的多層線路板無法具有薄型化的特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種多層線路板，其可以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0004]本發(fā)明提供一種多層線路板的制造方法，其用來制造上述多層線路板。
[0005]本發(fā)明提供一種多層線路板，此多層線路板包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一納米銀導電柱、第二納米銀導電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層；線路基板包括基板層以及貼附于基板層上的金屬圖案層；。絕緣基板位于金屬圖案層上，并包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞；黏著層貼附于金屬圖案層上，而絕緣層貼附于黏著層上；第一孔洞貫穿絕緣基板并暴露出金屬圖案層；而第一孔洞的孔徑是從第一孔洞的開口向金屬圖案層遞減；第二孔洞位于基板層，并且暴露出金屬圖案層；第二孔洞的孔徑是從第二孔洞的開口向金屬圖案層遞減；第一納米銀導電柱填入第一孔洞之中，而第二納米銀導電柱填入第二孔洞之中；第一銀漿層覆蓋絕緣層以及第一納米銀導電柱，而第二銀漿層覆蓋基板層以及第二納米銀導電柱；第一保護層覆蓋第一銀漿層，而第二保護層覆蓋第二銀漿層。
[0006]本發(fā)明提供一種多層線路板的制造方法:首先，提供一線路基板，其包括一基板層以及一貼附于基板層上的金屬層；圖案化金屬層以形成一金屬圖案層；形成一絕緣基板于金屬圖案層上，其包括一黏著層、一絕緣層以及至少一第一孔洞；黏著層貼附于金屬圖案層上，絕緣層貼附于黏著層上。而第一孔洞貫穿絕緣基板，并暴露出金屬圖案層；之后，形成一第二孔洞于基板層，第二孔洞暴露出金屬圖案層；再來，形成第一納米銀導電柱于第一孔洞之中，并形成第二納米銀導電柱于第二孔洞之中；形成第一銀漿層于絕緣層之上，并形成第二銀漿層于基板層上；形成第一保護層于第一銀漿層上，并形成第二保護層于第二銀漿層上。
[0007]綜上所述，本發(fā)明提供了一種多層線路板以及其制造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一納米銀導電柱、一第二納米銀導電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層通過第一納米銀導電柱電性連接金屬圖案層。而第二銀漿層通過第二納米銀導電柱電性連接金屬圖案層。第一銀漿層以及第二銀漿層可以用來取代單層板以及雙層板的結(jié)構(gòu)，以形成多層線路板的結(jié)構(gòu)。如此可以降低多層板的層數(shù)，進而減少多層板的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的目的。
[0008]為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的保護范圍作任何的限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明實施例一多層線路板的剖面示意圖；
[0010]圖1A至圖1G為本發(fā)明實施例一多層線路板的制造流程剖面示意圖；
[0011]圖2A至圖2B為本發(fā)明實施例二多層線路板的制造流程剖面示意圖。
[0012]【主要元件附圖標記說明】
[0013]I多層線路板
[0014]100線路基板
[0015]120、120’基板層
[0016]140金屬層 [0017]140’金屬圖案層
[0018]160第二孔洞
[0019]200、200’、200”絕緣基板
[0020]220、220，、220，，黏著層
[0021]240、240’、240”絕緣層
[0022]260、260’第一孔洞
[0023]320第一屏蔽板
[0024]322第一鏤空處
[0025]340第二屏蔽板
[0026]342第二鏤空處
[0027]420第一納米銀材料
[0028]422第一納米銀導電柱
[0029]440第二納米銀材料
[0030]442第二納米銀導電柱
[0031]520第一銀漿層
[0032]540第二銀漿層
[0033]620第一保護層
[0034]640第二保護層
[0035]L激光
【具體實施方式】
[0036]實施例一
[0037]圖1為本發(fā)明實施例一多層線路板I的剖面示意圖。請參閱圖1，多層線路板I包括一線路基板100、一絕緣基板200’、一第二孔洞160、一第一納米銀導電柱422、一第二納米銀導電柱442、一第一銀衆(zhòng)層520、一第二銀衆(zhòng)層540、一第一保護層620以及一第二保護層 640。
[0038]線路基板100包括一基板層120’以及一金屬圖案層140’。金屬圖案層140’貼附在基板層120’上，并做為多層線路板I的線路層。絕緣基板200’位于金屬圖案層140’上，包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。而黏著層220’貼附于金屬圖案層140’上，絕緣層240’則貼附于黏著層220’上。第一孔洞260貫穿絕緣基板200’，且此第一孔洞260暴露出位于絕緣基板200’下方的金屬圖案層140’。
[0039]需要說明的是，如圖1所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的最大孔徑位在絕緣層240’的上表面，而第一孔洞260的最小孔徑位在黏著層220’的下表面。詳細而言，在本實施例中，第一孔洞260的最大孔徑為0.2_，最小孔徑為0.1_。然而本發(fā)明不限定第一孔洞260的形狀以及孔徑大小。
[0040]另外，基板層120’的材質(zhì)可以是聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate, PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester, LCP),或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase, PC)。金屬圖案層140’的材質(zhì)包括銅、招或是錫。而黏著層220’的材料包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂(Acrylic)。此外，基板層120’的厚度為12 μ m。絕緣基板200’的厚度為27 μ m，其中黏著層220’的厚度為15 μ m,絕緣層240’的厚度為12 μ m。
[0041]請再次參閱圖1，第二孔洞160貫穿基板層120’，并且暴露出位于基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第二孔洞160的最大孔徑位在基板層120’的下表面上，而第二孔洞160的最小孔徑位在基板層120’的上表面上。詳細而言，在本實施例中，第二孔洞160的最大孔徑為0.2mm，最小孔徑為0.1mm。然而本發(fā)明不限定第二孔洞160的形狀以及孔徑大小，在其他實施例中，第二孔洞160也可以只有單一孔徑，而孔徑大小可以是0.15-0.35_。
[0042]如圖1所示，第一納米銀導電柱422填入第一孔洞260之中，并電性連接金屬圖案層140’。而第二納米銀導電柱442填入第二孔洞160之中，并電性連接金屬圖案層140’。第一銀漿層520位于絕緣層240’以及第一納米銀導電柱422之上，并覆蓋絕緣層240’以及第一納米銀導電柱422。而第一銀衆(zhòng)層520的厚度為4-12 μ m。第二銀衆(zhòng)層540位于基板層120’以及第二納米銀導電柱442之上，并覆蓋基板層120’以及第二納米銀導電柱442。而第二銀漿層540的厚度為4-12 μ m。需要說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板I的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0043]承上所述，第一銀漿層520借助于第一納米銀導電柱422電性連接金屬圖案層140’，而第二銀漿層540借助于第二納米銀導電柱442電性連接金屬圖案層140’。也就是說，第一銀漿層520、第二銀漿層540以及金屬圖案層140’彼此電性導通。在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以不具線路圖案，以做為多層線路板I的接地層。然而在其他實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540也可以是線路圖案層。也就是說，多層線路板I具有三層線路圖案，且彼此之間可以通過第一納米銀導電柱422以及第二納米銀導電柱442電性連接。[0044]請再次參閱圖1，第一保護層620位于第一銀漿層520上，并覆蓋第一銀漿層520。而第二保護層640位于第二銀漿層540上，并覆蓋第二銀漿層540，也就是說第二銀漿層540會位于第二保護層640以及基板層120之間。第一保護層620以及第二保護層640的材料可以是聚酯類或聚酰亞胺，其可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，并且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導通。
[0045]以上所述為本發(fā)明實施例一多層線路板I的結(jié)構(gòu)。接下來要介紹此多層線路板I的制造方法。圖1A至圖1G為本發(fā)明實施例一多層線路板I的制造流程剖面示意圖。
[0046]請參閱圖1A，首先提供一線路基板100，線路基板100包括一基板層120以及一金屬層140。金屬層140貼附在基板層120之上。請參閱圖1B，之后依照用戶的需求圖案化金屬層140以形成金屬圖案層140’。圖案化金屬層140的方法包括利用影像轉(zhuǎn)移搭配化學藥液的方式，在金屬層140上形成線路圖案。請參閱圖1B以及圖1C，接下來，形成一絕緣基板200’于金屬圖案層140’上。絕緣基板200’包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。第一孔洞260會貫穿黏著層220’以及絕緣層240’，并且暴露出位于黏著層220’下方的金屬圖案層140’。
[0047]詳細而言，形成一絕緣基板200’于金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200，此絕緣基板200包括一黏著層220以及一絕緣層240，而絕緣層240貼附于黏著層220之上。之后，可以利用例如是熱壓合的方法將絕緣基板200貼附于金屬圖案層140’之上，而黏著層220貼附于金屬圖案層140’上。黏著層220的厚度為15 μ m，絕緣層240的厚度為12 μ m，也就是說絕緣基板200的厚度為27 μ m。
[0048]另外，基板層120的材質(zhì)可以是聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate, PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester, LCP),或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase, PC)。金屬層140的材質(zhì)包括銅、招或是錫。而黏著層220的材料包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂(Acrylic)。
[0049]如圖1B所示，之后在金屬圖案層140’上欲形成孔洞的位置上，利用激光L對絕緣基板200進行鉆孔，以形成第一孔洞260于絕緣基板200’。如圖1C所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口往金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的孔徑是從絕緣層240’的上表面向黏著層220’的下表面遞減(如圖1C所示)，其最小孔徑為0.1mm,而最大孔徑為0.2_。也就是說，在本實施例中，可以先將絕緣基板200貼附于金屬圖案層140’上，之后根據(jù)金屬圖案層140’欲導通的位置在絕緣基板200上形成一第一孔洞260。利用上述方法形成絕緣基板200’于金屬圖案層140’可以使得第一孔洞260落在比較精準的位置上。
[0050]請參閱圖1C以及圖1D，之后在金屬圖案層140’上欲鉆孔的位置上，利用激光L對基板層120進行鉆孔，以形成第二孔洞160于基板層120’。第二孔洞160會貫穿基板層120’，并暴露出位于基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口往的金屬圖案層140’遞減(如圖1D所示)。也就是說，第二孔洞160的孔徑是從基板層120’的上表面向基板層120’的下表面遞減。而第二孔洞160的最小孔徑為
0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。[0051]需要說明的是，在本實施例中，形成第一孔洞260以及第二孔洞160之后會進行清孔以及檢查的步驟。清孔的步驟可以去除殘留在第一孔洞260底部的部分絕緣基板200’以及在第二孔洞160底部的部分基板層120’。而清孔的步驟可包括化學藥液或電漿。而檢查的步驟可以確保第一孔洞260以及第二孔洞160清孔完全。如此可以維持或提升后續(xù)形成的第一納米銀導電柱422以及第二納米銀導電柱442對于金屬圖案層140’電性連接的質(zhì)量。
[0052]請參閱圖1E，接下來，分別形成第一納米銀導電柱422以及第二納米銀導電柱442于第一孔洞260以及第二孔洞160之中。形成第一納米銀導電柱422的方法包括，設置一第一屏蔽板320于絕緣層240’以及第一孔洞260之上。第一屏蔽板320具有一個第一鏤空處322，且此鏤空處322的面積會大于第一孔洞260的開口面積。也就是說，鏤空處322會暴露出第一孔洞260。需要說明的是，本發(fā)明不限定第一孔洞260的數(shù)量。在其他實施例中，多層線路板I也可以具有多個第一孔洞260，而第一鏤空處322會對應第一孔洞260的數(shù)量。
[0053]接著，如圖1E所示，涂布一第一納米銀材料420于第一屏蔽板板320上，使得第一納米銀材料420填滿第一孔洞260。最后，移除屏蔽板320并且固化第一納米銀材料420，以形成第一納米銀導電柱422于第一孔洞260中。固化第一納米銀材料420的方法包括以130-140°C的溫度加熱第一納米銀材料420大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第一納米銀材料420。而此第一納米銀導電柱422的電阻值< 20mΩ/square/mil。
[0054]如圖1E所示，形成第二納米銀導電柱442的方法包括，設置第二屏蔽板340于基板層120’以及第二孔洞160之上。第二屏蔽板340包括第二鏤空處342，且此第二鏤空處342的面積會大于第二孔洞160的開口面積。也就是說第二鏤空處342會暴露出位于第二屏蔽板340下方的第二孔洞160。之后，涂布一第二納米銀材料440于第二屏蔽板340上(如圖1E所示)，使得第二納米銀材料440填滿第二孔洞160。再來，移除第二屏蔽板340，并且固化第二納米銀材料440以形成第二納米銀導電柱442。固化第二納米銀材料440的方法包括以130-140°C的溫度加熱第二納米銀材料440大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第二納米銀材料440。而此第二納米銀導電柱442的電阻值≤20mΩ/square/miI。在其他實施例中，多層線路板I也可以具有多個第二孔洞160，而第二鏤空處342會對應第二孔洞160的數(shù)量。
[0055]需要說明的是，本發(fā)明不限定所述第一孔洞260、第二孔洞160、第一納米銀導電柱422以及第二納米銀導電柱442的數(shù)量，在其他實施例中，使用者可依照實際需求以及走線設計決定第一孔洞260、第二孔洞160、第一納米銀導電柱422以及第二納米銀導電柱442
的數(shù)量。
[0056]另外，第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深度以及形狀皆會影響第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440填入的難易度以及填充的均勻度。在本實施例中，第一孔洞260的深度即為基板層120’的厚度，也就是12 μ m。而第二孔洞160的深度即為黏著層220’以及絕緣層240’的厚度總合，也就是27 μ m。另外，第一孔洞260的開口是向金屬圖案層140’遞減，其最小孔徑為0.1_，而最大孔徑為0.2mm。第二孔洞160的開口也是向金屬圖案層140’遞減,其最小孔徑為0.1mm,而最大孔徑為0.2mm。
[0057]以上所述第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深度以及形狀會使得第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440可以較輕易的填滿第一孔洞260以及第二孔洞160。然而本發(fā)明不以此為限。
[0058]接下來，請參閱圖1F，形成一第一銀漿層520于絕緣層240’以及第一納米銀導電柱422之上。而第一銀漿層520的厚度為4-12 μ m。形成第一銀漿層520的方法包括利用涂布的方式將第一銀漿材料涂布于絕緣層240’以及第一納米銀導電柱422之上。之后，固化第一銀漿材料，以形成第一銀漿層520。固化第一銀漿材料的方式包括加熱第一銀漿材料或者是利用UV照射第一銀漿材料。另外，第一銀漿層520會電性連接第一納米銀導電柱422以及金屬圖案層140’。
[0059]之后，形成第二銀漿層540于基板層120’以及第二納米銀導電柱442之上。形成第二銀漿層540的方法和形成第一銀漿層520的方法相同，在此不多做贅述。而第二銀漿層540的厚度為4-12 μ m。另外第二銀漿層540會電性連接第二納米銀導電柱442以及金屬圖案層140’。需要說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板I的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0060]在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540為多層線路板I的接地層。然而，在其他實施例中，可以再對第一銀漿層520以及第二銀漿層540進行圖案化的步驟以形成第一線路圖案層以及第二線路圖案層。而多層線路板I為一三層線路板的結(jié)構(gòu)。在此，本發(fā)明不限定第一銀漿層520以及第二銀漿層540的功用。
[0061]另外，第一銀漿層520以及第二銀漿層540的材料可以是一金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料。而第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440的材料是納米金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料，且此納米金屬銀為小于IOOnm的金屬銀，且總固體含量為82±3%。由于第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440為小于IOOnm的金屬銀，因此第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440可以較輕易的填入第一孔洞260以及第二孔洞160。
[0062]值得說明的是，由于第一納米銀導電柱422與第一銀漿層520以及第二納米銀導電柱442與第二銀漿層540的主成分皆為銀，因此當形成第一銀漿層520于第一納米銀導電柱422以及形成第二銀漿層540于第二納米銀導電柱442時，較不會因為材料的差異而產(chǎn)生電性連接或者是爆板等問題。
[0063]另外，在本實施例中，是先形成絕緣基板200’于線路基板100上，再利用激光切割形成第一孔洞260于絕緣基板200’上。這樣的作法可以使得第一孔洞260落在比較精準的位置上。因此所形成的第一納米銀導電柱422會較準確的落在金屬圖案層140’上欲電性導通的位置上。特別是針對金屬圖案層140’之線路分布較密集的情況下，這樣的做法可以更準確的電性連接金屬圖案層140’以及第一銀漿層520。
[0064]請參閱圖1G，接下來，形成第一保護層620于第一銀漿層520之上，并形成第二保護層640于第二銀漿層540之上，也就是說第二銀漿層540會位于第二保護層640以及基板120之間。第一保護層620以及第二保護層640的材料可以是聚酯類樹脂或聚酰亞胺，其介電系數(shù)為3.5，而絕緣阻抗為1011 Ω。此外，第一保護層620以及第二保護層640可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，并且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導通。[0065]實施例二
[0066]圖2A至2B為本發(fā)明實施例二多層線路板的制造流程剖面示意圖。請參閱圖2A，和前一實施例不同的是，本實施例形成絕緣基板200”于金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200”。此絕緣基板200”包括黏著層220”以及絕緣層240”，而絕緣層240”貼附于黏著層220”之上。之后，根據(jù)金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置，利用激光L在絕緣基板200”上形成一第一孔洞260’。此第一孔洞260’會貫穿絕緣基板200”，并暴露出金屬圖案層140’。
[0067]將絕緣基板200”貼附于金屬圖案層140’上，使得第一孔洞260’對應到金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置。而絕緣基板200”貼附的方式可以是利用熱壓合的方式。之后，利用激光L對于基板層120-’進行鉆孔，以形成第二孔洞160于基板層120’。而多層線路板的其他步驟以及結(jié)構(gòu)大致上和實施例一相同，在此不多做贅述。值得說明的是，在本實施例中，是先形成第一孔洞260’于絕緣基板200”上，再將絕緣基板200”貼附于線路基板
100上。
[0068]綜上所述，本發(fā)明提供了一種多層線路板以及其制造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一納米銀導電柱、一第二納米銀導電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層、金屬圖案層以及第二銀漿層之間會通過第一納米銀導電柱以及第二納米銀導電柱電性連接。而第一銀漿層以及第二銀漿層可以取代單層板以及雙層板，以形成多層線路板的結(jié)構(gòu)。如此可降低多層板的層數(shù)，進而減少多層板的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的目的。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，其并非用來限定本發(fā)明的保護范圍。任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的修改及修飾的等效替換，仍為本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多層線路板，其特征在于，該多層線路板，包括: 一線路基板，包括: 一基板層； 一金屬圖案層，貼附于該基板層上； 一絕緣基板，位于該金屬圖案層上，其具有: 一黏著層，貼附于該金屬圖案層上； 一絕緣層，貼附于該黏著層上； 至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，并暴露出該金屬圖案層，該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 至少一第二孔洞位于該基板層，該第二孔洞暴露出金屬圖案層，該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 至少一第一納米銀導電柱，填入該第一孔洞，并電性連接該金屬圖案層； 至少一第二納米銀導電柱，填入該第二孔洞并電性連接該金屬圖案層； 一第一銀漿層，覆蓋該絕緣層以及該第一納米銀導電柱，并借助于該第一納米銀導電柱電性連接該金屬圖案層； 一第二銀漿層，覆蓋該基板層以及該第二納米銀導電柱，并且借助于該第二納米銀導電柱電性連接該金屬圖案層； 一第一保護層覆蓋該第一銀漿層；以及 一第二保護層覆蓋該第二銀漿層。
2.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第一孔洞的最小孔徑為0.1mm，最大孔徑為0.2mm。
3.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第二孔洞的最小孔徑為0.1mm，最大孔徑為0.2mm。
4.如權(quán)利要求1述的多層線路板，其特征在于，該第一銀漿層的厚度為4-12μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第二銀漿層的厚度為4-12μ m。
6.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該基板層的厚度為12μ m。
7.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該絕緣基板的厚度為27μ m，該黏著層的厚度為15 μ m，該絕緣層的厚度為12 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第一銀漿層為第一線路圖案層，而該第二銀漿層為第二線路圖案層。
9.一種多層線路板的制造方法，其特征在于，該多層線路板的制造方法包括: 提供一線路基板，該線路基板包括一基板層以及一貼附于該基板層的金屬層； 圖案化該金屬層以形成一金屬圖案層； 形成一絕緣基板于該金屬圖案層上，該絕緣基板包括: 一黏著層，貼附于金屬圖案層上； 一絕緣層，貼附于該黏著層上； 至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，并暴露出該金屬圖案層，該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 形成至少一第二孔洞于該基板層，該第二孔洞暴露出該金屬圖案層，該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 形成一第一納米銀導電柱于該第一孔洞之中； 形成一第二納米銀導電柱于該第二孔洞之中； 形成一第一銀漿層于該絕緣層上，該第一銀漿層電性連接該第一納米銀導電柱以及該金屬圖案層； 形成一第二銀漿層于該基板層上，該第二銀漿層電性連接該第二納米銀導電柱以及該金屬圖案層； 形成一第一保護層于該第一銀衆(zhòng)層上；以及 形成一第二保護層于該第二銀漿層上。
10.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第一納米銀導電柱于該第一孔洞之中的方法包括: 設置一第一屏蔽板于該絕緣層上，該第一屏蔽板具有至少一第一鏤空處，該第一鏤空處暴露出該第一孔洞，且該第一鏤空處的面積大于該第一孔洞的開口面積； 涂布一第一納米銀材料于該第一屏蔽板上，該第一納米銀材料會填滿該第一孔洞；以及 固化該第一納米銀材料。
11.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第二納米銀導電柱于該第二孔洞之中的方法包括: 設置一第二屏蔽板于該基板層上，該第二屏蔽板具有至少一第二鏤空處，該第二鏤空處暴露出該第二孔洞，且該些第二鏤空處的面積大于該第二孔洞的開口面積； 涂布一第二納米銀材料于該第二屏蔽板上，該第二納米銀材料會填滿該第二孔洞；以及 固化該第二納米銀材料。
12.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第一銀漿層于該絕緣層上的方法還包括: 圖案化該第一銀漿層。
13.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第二銀漿層于該基板層上的方法還包括: 圖案化該第二銀漿層。
14.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成一絕緣基板于金屬圖案層上的方法包括: 提供一絕緣基板，該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，該絕緣層貼附于該黏著層上； 將該絕緣基板貼附于該金屬圖案層上，該黏著層貼附于該金屬圖案層上；以及 形成該第一孔洞于該絕緣基板，該第一孔洞會貫穿該絕緣基板。
15.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成一絕緣基板于金屬圖案層的方法包括: 提供一絕緣基板，該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，該絕緣層貼附于該黏著層上；形成該第一孔洞于該絕緣基板，該第一孔洞會貫穿該絕緣基板；以及將該絕緣基板貼 附于該金屬圖案層上，該黏著層貼附于該金屬圖案層上。
【文檔編號】H05K3/46GK103974521SQ201310053051
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】蕭世楷, 蕭鈞鴻, 徐銓良, 施中山 申請人:嘉聯(lián)益科技股份有限公司