專利名稱：一種無極燈電子鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及無極燈技術(shù)領(lǐng)域，特別與一種無極燈電子鎮(zhèn)流器有關(guān)。
背景技術(shù)：
無極燈在結(jié)構(gòu)上由 三部分組成，即高頻發(fā)生器(高頻電源)、功率耦合器和涂有稀土熒光粉的玻璃泡殼。在無極燈尚未點(diǎn)亮之前，燈管內(nèi)氣體等同于絕緣介質(zhì)，而勵(lì)磁變壓器線圈次級(jí)斷開，所以變壓器此時(shí)等同一個(gè)純電感。當(dāng)電感流過高頻電流時(shí)，電感磁芯中將建立起高頻磁場。根據(jù)麥克斯韋電磁場理論，在交變的磁通周圍將感生出渦旋的電場，該渦旋電場會(huì)驅(qū)動(dòng)燈管內(nèi)的少量自由電荷。當(dāng)渦旋電場的強(qiáng)度足夠大時(shí)，被加速的自由電荷會(huì)使得燈管內(nèi)的汞原子電離，導(dǎo)致燈管內(nèi)的自由電荷越來越多。最后，引起雪崩效應(yīng)，燈管內(nèi)等離子體電流可以自持，而在汞離子電離過程中，會(huì)產(chǎn)生紫外輻射，這樣就激發(fā)燈管壁上的熒光物質(zhì)，發(fā)出可見光，燈將被點(diǎn)亮。當(dāng)無極燈被點(diǎn)亮后，無極燈管內(nèi)氣體的導(dǎo)電性增大，勵(lì)磁變壓器通過初級(jí)給燈管次級(jí)傳遞能量。勵(lì)磁變壓器中的高頻交變磁場在放電管內(nèi)感應(yīng)的交變渦旋電場繼續(xù)驅(qū)動(dòng)燈管內(nèi)的電荷，燈管等離子體電流越來越大，電離的汞離子也越來越多，最后被電子鎮(zhèn)流器中的諧振電感限定在一定的范圍內(nèi)。鎮(zhèn)流器中的電能通過勵(lì)磁變壓器源源不斷的被傳遞到無極燈燈管內(nèi)，無極燈發(fā)出持續(xù)的可見光。由此可見，電子整流器在無極燈工作過程中啟到很大作用，本發(fā)明人針對(duì)無極燈整流技術(shù)做了一番研究，設(shè)計(jì)出一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，本案由此產(chǎn)生。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的是提供一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，實(shí)現(xiàn)無極啟動(dòng)，穩(wěn)態(tài)恒功率控制。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，包括整流單元、有源功率因數(shù)校正電路、半橋逆變電路；整流電路連接交流市電，整流后的電壓接入至有源功率因數(shù)校正電路中，有源功率因數(shù)校正電路連接半橋逆變電路，最終連接到無極燈上。所述的整流單元為四個(gè)二極管構(gòu)成的橋電路，其輸入端接交流市電，輸出端上連接有有源功率因數(shù)校正電路；有源功率因數(shù)校正電路包括芯片IR1150、若干電阻、若干電容、場效應(yīng)管；其中芯片IR1150的GATE管腳通過場效應(yīng)管連接輸出電壓兩端；芯片IR1150的VCC管腳外接工作電壓，并通過電容接地；芯片IR1150的VFB管腳通過分壓串聯(lián)電阻連接在輸出電壓兩端；芯片IR1150的COMP管腳通過串聯(lián)電阻和電容接地，并在串聯(lián)的電阻和電容兩端再并聯(lián)一電容;芯片IR1150的OVP管腳通過分壓串聯(lián)電阻連接在輸出電壓兩端；芯片IRl 150的FREQ管腳和ISNS管腳分別通過電阻接地；芯片IRl 150的COM管腳接地，并且通過電容與ISNS管腳連接。[0010]所述的半橋逆變電路包括兩個(gè)場效應(yīng)管、LC諧振；兩個(gè)場效應(yīng)管串聯(lián)，LC諧振連接在其中一個(gè)場效應(yīng)管兩端，LC諧振輸出連接到無極燈上。采用上述方案后，本實(shí)用新型簡化了鎮(zhèn)流器功率因素校正和諧振電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，僅僅只使用一個(gè)功率開關(guān)管，提出了一種新的電子鎮(zhèn)流器結(jié)構(gòu)，這樣可以節(jié)省功率開關(guān)管數(shù)和控制電路，從而簡化了電路。本實(shí)用新型降低了電磁干擾的強(qiáng)度，同時(shí)建立了無極燈的故障檢測機(jī)制，當(dāng)無極燈出現(xiàn)老化時(shí)，在電路參數(shù)上表現(xiàn)為燈管放電環(huán)等離子體映射到鎮(zhèn)流器的等電阻R增大，所以為了實(shí)現(xiàn)無極燈的老化保護(hù)，可以將老化狀態(tài)轉(zhuǎn)換為過壓信號(hào)(而不是二極管整流效應(yīng))，通過過壓保護(hù)來間接實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

圖I為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的有源功率因數(shù)校正電路示意圖； 圖3為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的半橋逆變電路示意圖；圖4為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的恒功率控制原理示意圖。
具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)說明。一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，如圖I所示，包括整流單元I、有源功率因數(shù)校正電路2、半橋逆變電路3。結(jié)合圖2，整流電路I包括四個(gè)二極管形成的橋電路，其輸入端連接連接交流市電ACinput,整流電路I的輸出端形成385Voutput。在整流電路的的輸出電壓兩端連接有有源功率因數(shù)校正電路2。有源功率因數(shù)校正電路2采用“單周期控制”控制技術(shù)，電路如圖2所示，主要包括有芯片IR1150、若干電阻、若干電容、場效應(yīng)管。其中芯片IR1150的GATE管腳通過場效應(yīng)管Ql連接輸出電壓兩端。芯片IR1150的VCC管腳外接工作電壓vcc，并通過電容C5接地。芯片IR1150的VFB管腳通過分壓串聯(lián)電阻R5、R6、R7連接在輸出電壓兩端。芯片IR1150的COMP管腳通過串聯(lián)電阻R4和電容C3接地，并在串聯(lián)的電阻R4和電容C3兩端再并聯(lián)一電容C4。芯片IRl 150的OVP管腳通過分壓串聯(lián)電阻R8、R9、RlO連接在輸出電壓兩端。芯片IR1150的FREQ管腳和ISNS管腳分別通過電阻R1、R3接地。芯片IR1150的COM管腳接地，并且通過電容C2與ISNS管腳連接。有源功率因數(shù)校正電路2電流環(huán)路利用內(nèi)嵌的輸入電壓信號(hào)來控制平均輸入電流，讓它跟隨輸入電壓變化。外部電壓環(huán)路控制著升壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓，實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)的校正和輸出電壓的調(diào)節(jié)。具體電路的設(shè)計(jì)過程為I、電感設(shè)計(jì)
權(quán)利要求1.一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，其特征在于包括整流單元、有源功率因數(shù)校正電路、半橋逆變電路；整流電路連接交流市電，整流后的電壓接入至有源功率因數(shù)校正電路中，有源功率因數(shù)校正電路連接半橋逆變電路，最終連接到無極燈上。
2.如權(quán)利要求I所述的一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述的整流單元為四個(gè)二極管構(gòu)成的橋電路，其輸入端接交流市電，輸出端上連接有有源功率因數(shù)校正電路；有源功率因數(shù)校正電路包括芯片IR1150、若干電阻、若干電容、場效應(yīng)管；其中芯片IR1150的GATE管腳通過場效應(yīng)管連接輸出電壓兩端；芯片IR1150的VCC管腳外接工作電壓，并通過電容接地；芯片IRl 150的VFB管腳通過分壓串聯(lián)電阻連接在輸出電壓兩端；芯片IRl 150的COMP管腳通過串聯(lián)電阻和電容接地，并在串聯(lián)的電阻和電容兩端再并聯(lián)一電容；芯片IR1150的OVP管腳通過分壓串聯(lián)電阻連接在輸出電壓兩端；芯片IR1150的FREQ管腳和ISNS管腳分別通過電阻接地；芯片IR1150的COM管腳接地，并且通過電容與ISNS管腳連接。
3.如權(quán)利要求I所述的一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述的半橋逆變電路包括兩個(gè)場效應(yīng)管、LC諧振；兩個(gè)場效應(yīng)管串聯(lián)，LC諧振連接在其中一個(gè)場效應(yīng)管兩端，LC諧振輸出連接到無極燈上。
專利摘要本實(shí)用新型主要公開了一種無極燈電子鎮(zhèn)流器，包括整流單元、有源功率因數(shù)校正電路、半橋逆變電路；整流電路連接交流市電，整流后的電壓接入至有源功率因數(shù)校正電路中，有源功率因數(shù)校正電路連接半橋逆變電路，最終連接到無極燈上。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)無極啟動(dòng)，穩(wěn)態(tài)恒功率控制。
文檔編號(hào)H05B41/282GK202679767SQ20122034249
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者張新華, 張若煜 申請(qǐng)人:紹興文理學(xué)院