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收發(fā)器及集成電路的制作方法

文檔序號(hào):7855218閱讀:127來源:國知局
專利名稱:收發(fā)器及集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通信技術(shù),且特別有關(guān)于一種適用于收發(fā)器電路及集成電路。
背景技術(shù)
平衡不平衡變壓器(BALUN)為一種寬頻變壓器,用于射頻通信系統(tǒng),通過將射頻信號(hào)在一非平衡系統(tǒng)以及一平衡系統(tǒng)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,藉此連接例如天線或同軸纜線的非平衡系統(tǒng)至例如差分放大器的平衡系統(tǒng)。由于上述平衡不平衡變壓器設(shè)置于該天線以及該無線收發(fā)器之間,它會(huì)增加印刷電路板(Printed Circuit Board,以下稱為PCB)的面積以及費(fèi)用,特別是在使用多個(gè)平衡不平衡變壓器的多頻帶以及多模式收發(fā)器中。系統(tǒng)單芯片(System-on-Chip, S0C)技術(shù)的進(jìn)步使該平衡不平衡變壓器可以和其他射頻以及基頻電路整合入單一集成電路,藉此簡(jiǎn)化PCB的設(shè)計(jì)并且降低整個(gè)模組的費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種收發(fā)器以及集成電路,以解決前述問題。本發(fā)明實(shí)施例的一種集成電路,包括一平衡不平衡變壓器、一晶體管對(duì)、以及一衰減電感繞組。該平衡不平衡變壓器具有一外部邊緣,包括一一次繞組以及一二次繞組。該一次繞組接收一輸入信號(hào)。該二次繞組磁性耦接至該一次繞組,并且將該輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換至一差分形式。該晶體管對(duì)連接至該二次繞組,放大該輸入信號(hào)。該衰減電感繞組連接至該晶體管對(duì),位于該平衡不平衡變壓器的外部邊緣之內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例的一種收發(fā)器,包括一平衡不平衡變壓器以及一接收器。該平衡不平衡變壓器具有一外部邊緣,包括一一次繞組以及一二次繞組。該一次繞組接收一輸入信號(hào)。該二次繞組磁性耦接至該一次繞組,并且將該輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換至一差分形式。一接收器,包括一晶體管對(duì)以及一衰減電感繞組。該晶體管對(duì)連接至該二次繞組,放大該輸入信號(hào)。該衰減電感繞組連接至該晶體管對(duì),位于該平衡不平衡變壓器的外部邊緣之內(nèi)。上述收發(fā)器以及集成電路,能夠降低收發(fā)器電路之尺寸大小并且減少制造費(fèi)用。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。


圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的收發(fā)器的結(jié)構(gòu)圖;圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的收發(fā)器芯片的電路圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一次繞組2000、二次繞組2002以及源極衰減電感204的布線圖。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖提供本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述。本發(fā)明的一些實(shí)施例可以適用于具有芯片式(on-chip)BALUN以及一低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,以下稱為L(zhǎng)NA)的集成電路(Integrated Circuit,以下稱為IC)可配置RF前端,該LNA使用源極衰減電感(source degeneration inductor)。該平衡不平衡變壓器、低噪聲放大器、以及源極衰減電感可以制造于一單一 IC上的一層或多層。該IC可還包括各種元件,例如電感、電容、電阻、晶體管、開關(guān)、微帶(miCTostrip)或任何其他可以制造于其上的元件。該IC可適用于從一通信系統(tǒng)或個(gè)人通信系統(tǒng)中接收和/或傳送RF信號(hào),該通信系統(tǒng)或該個(gè)人通信系統(tǒng)可以例如為一無線局域網(wǎng)(Wireless Local Area Networks, WLAN)、一通用分組無線服務(wù)(General Packet Radio Service, GPRS)、一通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(Universal MobileTelecommunications System, UMTS)、一長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)(Long Term Evolution, LTE)、或是以上的結(jié)合。該通信系統(tǒng)或該個(gè)人通信系統(tǒng)可使用頻分雙工(Frequency DivisionDuplexing,以下稱為FDD)或時(shí)分雙工(Time Division Duplexing,以下稱為TDD)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)。在該頻分雙工系統(tǒng)中,各無線通信裝置在不同的頻率上經(jīng)由上行以及下行鏈路而相互通信。在該時(shí)分雙工系統(tǒng)中,各無線通信裝置通常以不對(duì)稱的上行及下行數(shù)據(jù)率,在不同的時(shí)序里經(jīng)由上行以及下行鏈路而相互通信。該無線通信裝置可為一用戶設(shè)備、一行動(dòng)臺(tái)、一網(wǎng)絡(luò)接入點(diǎn)、或甚至一基站。該用戶設(shè)備可以為手持行動(dòng)電話、配備寬帶適配器的個(gè)人電 腦或者其他任何能夠進(jìn)行無線通信的裝置。圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的收發(fā)器I的結(jié)構(gòu)示意圖,包括一平衡不平衡變壓器100、一低噪聲放大器102、一功率放大器(Power Amplifier,以下稱為PA) 104。該收發(fā)器芯片10整合該平衡不平衡變壓器100、該LNA102以及該P(yáng)A104于其上,藉以執(zhí)行模擬信號(hào)處理,以及一基帶模塊(未示出)執(zhí)行數(shù)字信號(hào)處理。該收發(fā)器芯片10可以是該無線通信裝置的一部分,允許經(jīng)由一單一天線12的輸出以及輸入數(shù)據(jù)傳輸,該天線12可以是芯片式(on-chip)的或外部連接式的(off-chip)。在芯片式天線的例子中,該天線12可以藉由該收發(fā)器芯片10內(nèi)的微帶而實(shí)現(xiàn),而在外部連接式天線的例子中,該天線12可以藉由一不平衡的輸入線(feedline)而連接至該收發(fā)器芯片10,該不平衡的輸入線可為一同軸電纜(coaxialcable)、一微帶線(microstrip)、或帶狀線(stripline)。該天線12可以為平衡的或是不平衡的。一平衡的天線為不直接連接至地極(ground或earth)并且對(duì)于該地極是平衡的,而一不平衡的天線包括一導(dǎo)體直接連接至地極。該平衡的天線可以為折合偶極天線(FoldedDipole),并且該不平衡的天線可以為單極天線(Monople)。在傳送期間,該P(yáng)A 104對(duì)一輸出RF信號(hào)Sout土執(zhí)行功率放大,據(jù)以驅(qū)動(dòng)該天線12用于輸出傳送。在接收期間,該LNA102在增加少噪聲和失真或不增加噪聲和失真至該放大的輸入RF信號(hào)Sin土’的情況下,放大該天線12偵測(cè)到的一輸入RF信號(hào)Sin土。該LNA102以及該P(yáng)A104經(jīng)由該平衡不平衡變壓器100耦接至該天線12,該平衡不平衡變壓器100將一電子信號(hào)進(jìn)行一非平衡以及平衡之間的轉(zhuǎn)換,藉此連接一非平衡電路(該天線12或該非平衡輸入線)至一平衡電路(該LNA102或該P(yáng)A104)。該收發(fā)器芯片10還可以包括一 TR(transmit/receive)開關(guān)(未示出)以及一基帶模塊(未示出)。該TR開關(guān)在傳送期間將該LNA102隔離于該P(yáng)A104,并且在接收期間將該P(yáng)A104從該LNA102斷開連接。在傳送期間該基帶模塊產(chǎn)生該輸出數(shù)字信號(hào)至該P(yáng)A104,并且在接收期間該基帶模組處理來自該LNA102的輸入數(shù)字信號(hào)。該平衡不平衡變壓器100耦接于一非平衡電路(一天線或一同軸纜線)以及一平衡電路(該LNA102以及該P(yáng)A104)之間,以轉(zhuǎn)換信號(hào)于非平衡(單端)信號(hào)和平衡(差分)信號(hào)形式之間,亦即,將一輸入RF信號(hào)Sin土由該單端形式轉(zhuǎn)換至該差分形式,并且將一輸出RF信號(hào)Sout土由該差分形式轉(zhuǎn)換至該單端形式。該輸入以及輸出RF信號(hào)的差分形式分別由Sin土以及Sout土所代表。這些信號(hào)的差分對(duì)包括于兩條分離的線路上分別傳送的兩個(gè)互補(bǔ)信號(hào),以及能夠使所需的信號(hào)特性,例如共模抑制(common mode rejection)、增加的噪聲免除力(immunity)、以及降低的電磁干擾得以實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例里,該平衡不平衡變壓器100能夠產(chǎn)生阻抗轉(zhuǎn)換以及增益轉(zhuǎn)換。例如,一 4 :1平衡不平衡變壓器可提供16 1的阻抗轉(zhuǎn)換,亦即將800歐姆的阻抗轉(zhuǎn)換為50歐姆,以及一 I :2平衡不平衡變壓器可提供I 2的增益轉(zhuǎn)換。 該LNA102以一放大增益來放大該輸入RF信號(hào)Sin土,同時(shí)對(duì)于放大后的輸入RF信號(hào)Sin土’產(chǎn)生很少或者不產(chǎn)生噪聲和失真,從而使得該接收路徑的功率損耗得以減低,并且由連續(xù)電路階段所產(chǎn)生的噪聲對(duì)該輸入RF信號(hào)Sin土的信噪比(Signal-to-NoiseRatio,以下稱為SNR)只產(chǎn)生很小的影響。該LNA102具有低噪聲指數(shù)(Noise Figure,NF)、足夠的增益、寬廣的操作帶寬、高線性度、穩(wěn)定度、以及低輸入以及輸出電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio,以下稱為 VSWR)。該 LNA102 對(duì)該輸入 RF 信號(hào) Sin土的該SNR產(chǎn)生很小或大致上沒有降級(jí)(degradation)的影響,并且由噪聲指數(shù)所表示。該LNA102設(shè)置于該天線12以及該平衡不平衡變壓器100附近并且在其第一個(gè)放大階段具有很高的放大率,藉以減低該天線12以及該LNA102之間的接收路徑上該接收的輸入RF信號(hào)Sin土的信號(hào)損失,并且對(duì)該放大的輸入RF信號(hào)Sin土’提供低噪聲指數(shù)。另外,該LNA102設(shè)置在離數(shù)字時(shí)鐘一段距離的位置,藉此降低來自該數(shù)字時(shí)鐘的信號(hào)干擾,該數(shù)字時(shí)鐘在該基帶模組內(nèi)用于數(shù)字處理。該輸入RF信號(hào)Sin土傳送至包括一混頻器、一濾波器、一模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的一接收器前端(未圖示),該接收器前端進(jìn)行濾波程序、下轉(zhuǎn)換、以及模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換藉以輸出用于該基帶模組內(nèi)數(shù)字處理的該數(shù)字基頻信號(hào)。該下轉(zhuǎn)換的該解調(diào)變頻率由該無線通信裝置所使用之通信標(biāo)轉(zhuǎn)所定義。該LNA102 可以藉由一共源極(Common Source)>一共射極(Common Emitter) >或一共源共柵(Cascode)配置所實(shí)現(xiàn),并且為了輸入匹配的目的而使用電感源極衰減(inductive source degeneration)。該電感源極衰減用于提供一種用以產(chǎn)生該輸入阻抗匹配的該阻抗值的實(shí)部的方法,使得當(dāng)從該柵極或該基極看時(shí)可觀察到該阻抗值的實(shí)部。該增益由一元件單位增益頻率(unity-gain frequency)、在該LNA及該平衡不平衡變壓器間接口的負(fù)載、以及該負(fù)載阻抗所決定。該放大器可被配置為一互導(dǎo)(transconductance)放大器,放大并且轉(zhuǎn)換該輸入RF信號(hào)Sin土至一電流形式。使用直接連接一被動(dòng)混頻器至該互導(dǎo)放大器的配置,可以形成一電流模式接口并且提供所需的電路特性,該電路特性例如包括在射頻頻率下該信號(hào)處理的速度增加以及線性度增加。在傳送程序中,一輸出數(shù)字信號(hào)被輸出至一傳送器前端(未不出),用于模擬轉(zhuǎn)換、上轉(zhuǎn)換、以及其他濾波程序,其中在傳送該輸出RF信號(hào)Sout土至該P(yáng)A104之前,該信號(hào)轉(zhuǎn)換至一模擬形式,上轉(zhuǎn)換到一射頻頻率、并且移除所不想要的信號(hào)組成,該P(yáng)A104增加該輸出RF信號(hào)Sout土的功率輸出電平至一預(yù)定的功率范圍或一預(yù)定的功率電平,該預(yù)定的功率范圍或該預(yù)定功率電平由該服務(wù)網(wǎng)所設(shè)定。該P(yáng)A104具有高效率、高增益、高輸出功率壓縮(PldB)、其輸入以及輸出端的低反射損失,以及低熱消耗。該上轉(zhuǎn)換的調(diào)變頻率由該無線通信裝置使用的通信標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行定義。圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的收發(fā)器芯片10的電路圖,包括一平衡不平衡變壓器200、一低噪聲放大器202、一源極衰減電感對(duì)204。該平衡不平衡變壓器200包括——次繞組2000以及一二次繞組2002,轉(zhuǎn)換該天線12所偵測(cè)的該輸入RF信號(hào)Sin土至一對(duì)差分信號(hào),其中每個(gè)差分信號(hào)是另一個(gè)差分信號(hào)的180度反相。該一次繞組2000為一非平衡構(gòu)造,連接至該天線12以獲取該輸入RF信號(hào)Sin土。該二次繞組2002為一平衡構(gòu)造,磁性耦接至該一次繞組2000,用于轉(zhuǎn)換該輸入RF信號(hào)Sin土至一差分形式,并且輸出該輸入RF信號(hào)Sin土的該差分對(duì)信號(hào)至該低噪聲放大器202。該二次繞組2002可為一電感,其中央耦接至該地極或一參考電壓。該一次繞組2000以及二次繞組2002可以具有I :1的圈數(shù)比,藉以直接提供差分信號(hào)轉(zhuǎn)換。該一次繞組2000以及二次繞組2002可以具有I :N的圈數(shù)比,藉以提供電壓增益以及阻抗轉(zhuǎn)換。在 一些實(shí)施例中,該收發(fā)器芯片10的頂部?jī)蓪涌捎糜谠撘淮卫@組2000以及該二次繞組2002。該一次繞組2000以及該二次繞組2002兩者皆對(duì)稱地繞線于該頂部?jī)蓪?,并且該頂部?jī)蓪拥木€圈設(shè)置為并連方式,以及于該線圈的中央具有一有限空間。該平衡不平衡變壓器200占據(jù)該收發(fā)器芯片10上固定的面積,包括圍繞該中央空間的一外部邊緣以及一內(nèi)部邊緣。該LNA202為一全差分模式,并且包括一晶體管對(duì),該晶體管對(duì)包括一第一晶體管2020以及第二晶體管2020。該LNA202為源極衰減模式,用以提供該輸入匹配的一電阻組成。該第一晶體管2020以及第二晶體管2020為MOSFET晶體管,并且以共源極方式連接。該第一晶體管2020以及第二晶體管2020分別于其柵極接收來自該二次繞組2002的該輸入RF信號(hào)的該差分輸入,藉以在該漏極獲得放大的輸出電流。該放大增益由該第一晶體管2020及該第二晶體管2020的該單位增益頻率所決定,該單位增益頻率正比于互導(dǎo)值并且反比于該柵極對(duì)源極電容。該輸入負(fù)載被該柵極-源極間電容所影響,所以可以使用其他的調(diào)整元件以降低或共振掉(resonate out)該輸入電容。在一些實(shí)施例中,可透過將一個(gè)或多個(gè)柵極電感合并為該柵極之前的該調(diào)整元件以降低或共振掉該輸入電容,為該LNA202產(chǎn)生一更純粹的電阻性輸入,該電阻性輸入由該源極衰減電感204提供。該第一晶體管2020及該第二晶體管2020于其源極連接至該源極衰減電感204。該LNA102連接至一被動(dòng)混頻器并且在該源極衰減電感204及該混頻器間具有一低阻抗接口。該源極衰減電感204為一螺旋形狀構(gòu)造,包括三個(gè)端點(diǎn),其中一個(gè)端點(diǎn)連接至地,以及其他兩個(gè)端點(diǎn)分別連接至該第一晶體管2020及該第二晶體管2020的源極,藉以在不增添額外噪聲的前提下而加入一實(shí)部至該輸入阻抗。由于該共源極LNA202理想上沒有輸入電阻,只有輸入電容,該源極衰減電感204藉此提供一電阻性組成而與一傳輸線的阻性特性相匹配,該傳輸線的阻性特性通常為50歐姆。因此該源極衰減電感204的電感值由輸入匹配中所需的電阻性組成而決定。該源極衰減電感204設(shè)置在該平衡不平衡變壓器200的該內(nèi)部或外部邊緣內(nèi)并且被該平衡不平衡變壓器200所包圍。當(dāng)該平衡不平衡變壓器200內(nèi)的電流改變時(shí)會(huì)感應(yīng)一互感,對(duì)該源極衰減電感204產(chǎn)生新增的電感值。因此,當(dāng)為輸入阻抗匹配提供所需的電感值時(shí),該源極衰減電感204的自感值Ls能夠得以降低。本實(shí)施例示例了包含具有源極衰減的一共源極放大器的LNA,該實(shí)施例將該源極衰減電感204設(shè)置于該平衡不平衡變壓器200的外部邊緣或內(nèi)部邊緣內(nèi),據(jù)以降低該源極衰減電感204所需的自感,從而減少電感線圈的物理大小以及IC電路的尺寸大小,以降低制造費(fèi)用,而同時(shí)提供寬頻而具有低噪聲的輸入阻抗匹配,并且對(duì)該后級(jí)電路允許一電流模式接口。雖然在本實(shí)施例中該第一晶體管2020及該第二晶體管2020使用共源極配置的MOSFET晶體管,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道該放大器晶體管還可以由BJT晶體管所實(shí)現(xiàn),并且可以由共源共柵或多階配置的方式來實(shí)現(xiàn),本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不偏離本發(fā)明精神的情況下對(duì)該收發(fā)器電路2做合適的更動(dòng)。圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的該一次繞組2000、該二次繞組2002以及該源極衰減電感204的布線圖。該一次繞組2000以及該二次繞組2002由兩個(gè)螺旋微帶線所實(shí)現(xiàn)。該平衡不平衡變壓器200藉由在該收發(fā)器芯片10上的一或多層將該兩個(gè)螺旋微帶線互相纏繞而實(shí)現(xiàn)。該一次繞組2000為一非平衡構(gòu)造,其一端連接至該天線12據(jù)以接收該輸入RF信號(hào)Sin土, 以及其其他端連接到地。該二次繞組2002為一平衡構(gòu)造,磁性耦接該一次繞組2000,用于將該輸入RF信號(hào)Sin土轉(zhuǎn)換至差分形式,并且將該輸入RF信號(hào)Sin土的差分對(duì)輸出至該LNA202。在一些實(shí)施例中,該收發(fā)器芯片10的該頂端兩層被用于該一次繞組2000以及該二次繞組2002。該一次繞組2000以及該二次繞組2002兩者皆設(shè)置為對(duì)稱地繞線,并且該兩層的線圈設(shè)置為并連方式,以及該線圈的中央具有一有限空間。該平衡不平衡變壓器200占據(jù)該收發(fā)器芯片10上固定的面積,包括一外部邊緣以及圍繞該中央空間的一內(nèi)部邊緣。在圖3的實(shí)施例中,該一次及二次繞組的圈數(shù)比是2 :5,并且該外部及內(nèi)部邊緣由該二次繞組2002所定義。該源極衰減電感204由該收發(fā)器芯片10上的螺旋線圈所實(shí)現(xiàn),包括三個(gè)端點(diǎn),其中一個(gè)端點(diǎn)位于該螺旋線圈的中央,以及另外兩個(gè)端點(diǎn)距離該中央端點(diǎn)的距離大致相等。該中央端點(diǎn)連接至該地極,并且該另外兩端點(diǎn)分別連接至該第一晶體管2020以及第二晶體管2020的源極,以在不增加額外噪聲的前提下生成該輸入阻抗的實(shí)部。該源極衰減電感204占據(jù)該收發(fā)器芯片10的一有限面積,設(shè)置在該平衡不平衡變壓器200圍繞的空間內(nèi),藉以減低收發(fā)器電路大小并且減低制造費(fèi)用。該源極衰減電感204可以在該收發(fā)器芯片10的一層或多層上實(shí)現(xiàn),并且可以和該平衡不平衡變壓器200位于相同或不同層。在一些實(shí)施例中,該源極衰減電感204設(shè)置在該平衡不平衡變壓器200的內(nèi)部邊緣內(nèi)。在其他實(shí)施例中,該源極衰減電感204設(shè)置在該平衡不平衡變壓器200的外部邊緣內(nèi)。特別是,該源極衰減電感204設(shè)置在和該二次繞組2002相鄰之處,使得該源極衰減電感204具有和該二次繞組2002平行的線圈(turn),并且該平行的線圈之間具有一有限的間隔。該平行線圈之間的間隔使得一互感能夠藉由相鄰的該二次繞組2002而產(chǎn)生,并且該間隔可以是例如5到10微米的范圍。該二次繞組2002內(nèi)流通的電流具有和該源極衰減電感204內(nèi)的電流一相同方向,因此產(chǎn)生一磁通量(magnetic flux),該磁通量更藉由一磁f禹合系數(shù)(magneticcoupling factor) k而對(duì)該源極衰減電感204形成磁稱合(magnetic coupling),并且產(chǎn)生一與該源極衰減電感204的電流相同方向的電流,據(jù)此增加該總電流以及增加該電感值。該源極衰減電感204的該互感以及自感電感值Ls能夠結(jié)合以產(chǎn)生用于輸入匹配目的所需的電感值,藉此和傳統(tǒng)布線方法相比降低了自感值Ls。雖然圖3中該一次繞組2000和該二次繞組2002的線圈比為2 :5,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以了解其他的線圈比也可以在不偏移本發(fā)明精神下實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例顯示具有電感源極衰減的共源極放大器的一實(shí)際布線圖,通過將該源極衰減電感204設(shè)置在該平衡不平衡變壓器200的外部或內(nèi)部邊緣內(nèi)而降低該源極衰減電感204所需的自感,從而在提供寬頻輸入阻抗匹配、低輸出負(fù)載、以及對(duì)后級(jí)電路提供電流模式接口時(shí)同時(shí)允許該電感線圈的實(shí)際大小以及該IC電路大小的降低,以及制造費(fèi)用的降低。本發(fā)明描述的各種邏輯區(qū)塊、模組、以及電路的操作以及功能可以利用電路硬件或嵌入式軟件代碼加以實(shí)現(xiàn),該嵌入式軟件代碼可以由一處理器存取以及執(zhí)行。
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雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng)域任何技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視本發(fā)明的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種集成電路,其特征在于,包括一平衡不平衡變壓器,一晶體管對(duì)以及一衰減電感繞組;其中, 該平衡不平衡變壓器,具有一外部邊緣,包括 一一次繞組,接收一輸入信號(hào);以及 一二次繞組,磁性耦接至該一次繞組,并且將該輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換至一差分形式; 該晶體管對(duì),連接至該二次繞組,放大該輸入信號(hào); 該衰減電感繞組,連接至該晶體管對(duì),位于該平衡不平衡變壓器的外部邊緣之內(nèi)。
2.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中,該平衡不平衡變壓器還具有一內(nèi)部邊緣,并且該衰減電感繞組還由該平衡不平衡變壓器的該內(nèi)部邊緣所環(huán)繞。
3.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中,該二次繞組以及該衰減電感繞組均具有一線圈,這兩個(gè)線圈相互平行,并且該二次繞組與該衰減電感繞組的該平行的兩個(gè)線圈之間具有一間隔。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中,該間隔大小由該二次繞組以及該衰減電感繞組之間的磁耦合系數(shù)k而決定。
5.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中,該間隔在5到10微米的范圍之內(nèi)。
6.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中,該間隔用于增加該二次繞組以及該衰減電感繞組之間的磁耦合效應(yīng)。
7.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中,該二次繞組以及該衰減電感繞組的該平行的兩個(gè)線圈彼此相鄰。
8.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中,該二次繞組以及該衰減電感繞組的該平行的兩個(gè)線圈的電流方向相同,以加強(qiáng)該衰減電感繞組的感應(yīng)效應(yīng)。
9.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中,該平衡不平衡變壓器以及該衰減電感繞組設(shè)置在該集成電路的一相同層或不同層上。
10.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中該衰減電感繞組包括三個(gè)端點(diǎn),其中一端點(diǎn)連接至接地,另外兩個(gè)端點(diǎn)分別連接至該晶體管對(duì)中的兩個(gè)晶體管。
11.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中,該晶體管對(duì)為一MOS晶體管對(duì),該二次繞組連接至該MOS晶體管對(duì)的柵極,該衰減電感繞組的該另外兩個(gè)端點(diǎn)分別連接至該MOS晶體管對(duì)的兩個(gè)MOS晶體管的源極。
12.如權(quán)利要求I所述的集成電路,其中,該一次繞組以及該二次繞組具有不同數(shù)量的圈數(shù),并且該平衡不平衡變壓器對(duì)該輸入信號(hào)提供電壓增益。
13.—種收發(fā)器,其特征在于,包括一平衡不平衡變壓器及一接收器;其中, 該平衡不平衡變壓器,包括 一一次繞組,接收一輸入信號(hào);以及 一二次繞組,磁性耦接至該一次繞組,將該輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換至一差分形式;以及 該接收器,包括 一晶體管對(duì),連接至該二次繞組并且放大該輸入信號(hào);以及 一衰減電感繞組,連接至該晶體管對(duì),位于該平衡不平衡變壓器的外部邊緣之內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的收發(fā)器,其特征在于,還包括一傳送器,放大一輸出信號(hào),其中,該平衡不平衡變壓器還將該輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換至一單端形式。
15.如權(quán)利要求13所述的收發(fā)器,其中,該平衡不平衡變壓器還具有一內(nèi)部邊緣,并且該衰減電感繞組還由該平衡不平衡變壓器的該內(nèi)部邊緣所環(huán)繞。
16.如權(quán)利要求13所述的收發(fā)器,其中,該二次繞組以及該衰減電感繞組各具有一線圈,該兩個(gè)線圈相互平行,并且該二次繞組以及該衰減電感繞組的該平行的兩個(gè)線圈之間具有一間隔。
17.如權(quán)利要求16所述的收發(fā)器,其中,該間隔用于增加該二次繞組以及該衰減電感繞組之間的磁耦合效應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種收發(fā)器以及集成電路,該集成電路包括一平衡不平衡變壓器、一晶體管對(duì)、以及一衰減電感繞組。該平衡不平衡變壓器具有一外部邊緣,包括一一次繞組以及一二次繞組。該一次繞組接收一輸入信號(hào)。該二次繞組磁性耦接至該一次繞組,并且將該輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換至一差分形式。該晶體管對(duì)連接至該二次繞組,放大該輸入信號(hào)。該衰減電感繞組連接至該晶體管對(duì),位于該平衡不平衡變壓器的外部邊緣之內(nèi)。上述收發(fā)器以及集成電路,能夠降低收發(fā)器電路的尺寸大小并且減少制造費(fèi)用。
文檔編號(hào)H04B1/40GK102868419SQ20121022890
公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者廖之帆 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
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