專利名稱：電子回路裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及由多層基板構成，安裝在母基板上使用的振蕩器等電子回路裝置。
以振蕩器為例來說明現(xiàn)有的電子回路裝置?，F(xiàn)有的振蕩器回路如圖6所示。這個振蕩回路是集電極接地型的振蕩回路。加有電源電壓(E)的振蕩晶體管51的集電極，通過阻止直流的電容器52高頻接地；反饋電容器53，54分別連接在基極和發(fā)射極之間及發(fā)射極和地面之間。另外，在基極和地面之間連接著可變電抗回路55?？勺冸娍够芈?5與串聯(lián)連接的反饋電容器53，54并聯(lián)連接，在振蕩頻率方面，它是等價地作為電感元件起作用的。
可變電抗回路55由振蕩電容器56，第一微波傳輸帶線路57，頻率修正用電容器58和變?nèi)荻O管59組成。振蕩電容器56和第一微波傳輸帶線路57串聯(lián)連接，頻率修正用電容器58和變?nèi)荻O管59也是串聯(lián)連接。另外，串聯(lián)連接的頻率修正用電容器58和變?nèi)荻O管59與第一微波傳輸帶線路57并聯(lián)連接。又，振蕩電容器56的一端與振蕩晶體管51的基極連接，第一微波傳輸帶線路57的一端與變?nèi)荻O管59的陽極都接地。
另外，用于改變振蕩頻率的控制電壓(V)，通過作為扼流電感線圈使用的第二微波傳輸帶線路60，加到變?nèi)荻O管59的陰極上。
圖7表示在多層基板61上構成振蕩回路的振蕩器主要部分的剖面圖。在多層基板61的上表面上，安放著振蕩晶體管51，阻止直流的電容器52，反饋電容器53，54，頻率修正用電容器58等回路部件(在圖7中，只表示了頻率修正用電容器58)。另外，第一微波傳輸帶線路57，第二微波傳輸帶線路60，由內(nèi)層的導體層61a構成，可使振蕩器尺寸減小。因此，例如，為了使第一微波傳輸帶線路57與頻率修正用電容器58連接，做出第一個導通孔(以下，導通孔稱為通孔)62。同樣，為了使第二微波傳輸帶線路60與頻率修正用電容器58連接，做出第二個通孔63。圖6的連接點A，B表示形成第一個通孔62和第二個通孔63的位置。
在第一和第二個通孔62，63內(nèi)，用電鍍等方法形成導體壁62a，63a。另外，在其內(nèi)部填充樹脂64，64，在其兩端分別形成電極65，66和電極67，68。這樣，在第一個通孔62中，電極65和66與導體壁62a相互連接，在第二個通孔63中，電極67和68與導體壁63a相互連接。這些通孔62，63通俗地稱為接頭插入通孔，用于高密度的安裝。
另外，在多層基板61的上表面的電極65，67上，放置著頻率修正用電容器58的電極部分58a，58b。電極部分58a和電極65，電極部分58b和電極67，分別通過焊錫69，69相互連接。多層基板61的下表面上的電極66，68不與其它回路連接。另外，第一微波傳輸帶線路57和導體壁62a連接，第二微波傳輸帶線路60與導體壁63a連接。這樣，頻率修正用電容器58和第一微波傳輸帶線路57以及第二微波傳輸帶線路60連接。
此外，在多層基板61的下表面上，設置有與第一微波傳輸帶線路57和第二微波傳輸帶線路60相對的外層導體層61b，該導體層61b接地。結果，第一微波傳輸帶線路57和第二微波傳輸帶線路60具有規(guī)定的阻抗。
另外，利用加在變?nèi)荻O管59上的給定的控制電壓(V)，可以調整第一微波傳輸帶線路57的阻抗，達到給定的振蕩頻率。這種調整稱為平衡調整，例如，可通過在第一微波傳輸帶線路57中加入適當?shù)那胁蹃磉M行。
以上這樣構成的振蕩器放置在構成發(fā)送接收信號器等的母基板(圖中沒有示出)上，作為發(fā)送接收信號器的局部振蕩器或載波振蕩器使用。這時，多層基板61的下表面(即導體層61b)相對于母基板的上表面放置。另外，在母基板的上表面上設有接地導體(圖中沒有示出)，因此，在振蕩器安放于母基板上的狀態(tài)下，形成于多層基板61上的第一個通孔62和形成于第二個通孔63上的電極66，68與母基板上的接地導體相對。
結果，在電極66和母基板的接地導體之間，以及電極68與母基板的接地導體之間，形成浮游電容70，71(參見圖6)。這種浮游電容70，71成為分別加在圖6的連接點A和地面之間，以及連接點B和地面之間的狀態(tài)。因此，浮游電容70與第一微波傳輸帶線路57并聯(lián)連接，浮游電容71與變?nèi)荻O管59并聯(lián)連接。
結果，電抗回路55整體的阻抗值增大，如圖8的線X所示，例如，對于1700MHz的振蕩器，安裝在母基板上之前和之后的振蕩頻率的變化ΔF大約可達9MHz(安裝后，頻率降低)。因此，為了按同一個振蕩頻率振蕩，必須提高控制電壓(V)，在控制電壓(V)的最大值受限制的情況下，會產(chǎn)生不能設定同一個頻率的問題。在將該振蕩器用在發(fā)送接收信號器等上的情況下，得不到給定的局部振蕩頻率和載波頻率。
本發(fā)明的目的是要減小安裝在母基板上之后的振蕩頻率等特性，相對于安裝在母基板上之前的振蕩頻率等特性的變化。
為了解決前述問題，本發(fā)明的電子回路裝置具有多層基板；安裝在前述多層基板上表面上的回路部件；在前述多層基板內(nèi)層形成的微波傳輸帶線路；和穿過前述多層基板，連接前述回路部件和前述微波傳輸帶線路的通孔；在前述通孔內(nèi)形成導體壁，使前述微波傳輸帶線路與前述導體壁連接，在前述通孔內(nèi)填充樹脂，只在填充了前述樹脂的一端的端面上形成電極，將前述回路部件安裝在前述電極上。
另外，本發(fā)明的電子回路裝置是作為振蕩器構成的，前述振蕩器具有設定振蕩頻率的共振元件，前述微波傳輸帶線路至少具有第一微波傳輸帶線路，將前述第一微波傳輸帶線路作為前述共振元件。
另外，本發(fā)明的電子回路裝置的前述回路部件具有改變前述振蕩頻率的變?nèi)荻O管，還具有給前述變?nèi)荻O管供給控制電壓的電感線圈，前述微波傳輸帶線路還具有第二微波傳輸帶線路，前述第二微波傳輸帶線路作為前述電感線圈。
下面結合附圖來說明本發(fā)明的電子回路裝置。


圖1為本發(fā)明的電子回路裝置的回路圖；圖2為本發(fā)明的電子回路裝置的仰視圖；圖3為本發(fā)明的電子回路裝置的主要部分的剖面圖；圖4為本發(fā)明的電子回路裝置的通孔的說明圖；圖5為本發(fā)明的電子回路裝置安裝在母基板上的狀態(tài)的說明圖；圖6為現(xiàn)有的電子回路裝置的回路圖；圖7為現(xiàn)有的電子回路裝置的主要部分的剖面圖；圖8為說明本發(fā)明的電子回路裝置和現(xiàn)有的電子回路裝置的振蕩頻率變化的特性圖。
首先，在圖1中，振蕩晶體管1的集電極，由阻止直流的電容器2高頻接地，反饋電容器3，4分別連接在基極和發(fā)射極之間，以及發(fā)射極和地面之間。另外，發(fā)射極通過發(fā)射極偏置電阻5和并聯(lián)共振回路6的串聯(lián)回路，與地面連接。在基極和地面之間連接著可變電抗回路7。可變電抗回路7相對于串聯(lián)連接的反饋電容器3，4，并聯(lián)連接，在振蕩頻率方面，作為電感元件等價地起作用。
可變電抗回路7由振蕩電容器8，第一微波傳輸帶線路9，頻率修正用電容器10和變?nèi)荻O管11組成，振蕩電容器8和第一微波傳輸帶線路9串聯(lián)連接，頻率修正用電容器10和變?nèi)荻O管11也串聯(lián)連接。另外，串聯(lián)連接的頻率修正用電容器10和變?nèi)荻O管11與第一微波傳輸帶線路9并聯(lián)連接。振蕩電容器8的一端與振蕩晶體管1的基極連接，第一微波傳輸帶線路9的一端與變?nèi)荻O管11的陽極都接地。
用于改變振蕩頻率的控制電壓(V)，通過作為扼流電感線圈使用的第二微波傳輸帶線路12，加在變?nèi)荻O管11的陰極上。
另外，連接在振蕩晶體管1的發(fā)射極和地面之間的并聯(lián)共振回路6，可以降低發(fā)射極偏置電阻5的振蕩功率損失，它由第三微波傳輸帶線路6a和共振電容器6b構成，其共振頻率設定成與振蕩頻率一致。
從振蕩晶體管1發(fā)出的振蕩信號，由放大用晶體管21放大。因此，振蕩信號從振蕩晶體管1的發(fā)射極，通過結合電容器22，輸入至放大用晶體管21的基極。經(jīng)過放大的振蕩信號從放大用晶體管21的集電極輸出。電源電壓(E)通過第四微波傳輸帶線路23，供給至放大用晶體管21的集電極。連接在放大用晶體管21的集電極和地面之間的共振電容器24，與第四微波傳輸帶線路23，構成并聯(lián)共振回路，通過使其共振頻率與振蕩頻率一致，可消除高次諧波。
另外，放大用晶體管21的發(fā)射極和振蕩晶體管1的集電極互相連接，在放大用晶體管21和振蕩用晶體管1中，有幾乎是相同的集電極電流共同流過。偏置電壓通過基極偏置電阻25，26，27，送至各個晶體管1，21的基極上，在各個晶體管1，21的集電極和發(fā)射極之間，加有大致相同的電壓。
上述振蕩回路可在多層基板31(參見圖2，圖3)上構成。在多層基板31的上表面上，放置著振蕩晶體管1，反饋電容器3，基極偏置電阻25等回路部件(在圖3中，為了說明方便，只表示頻率修正用電容器)。第一至第四微波傳輸帶線路9，12，6a，23形成在多層基板31的內(nèi)層上。因此，例如，在振蕩電容器8和頻率修正用電容器10及第一微波傳輸帶線路9的相互連接點a上，設置第一個導通孔(以下將導通孔稱為通孔)32；在頻率修正用電容器10和變?nèi)荻O管11及第二微波傳輸帶線路12的相互連接點b上，設置第二個通孔33；在放大用晶體管21的集電極和第四微波傳輸帶線路23及共振電容器24的相互連接點c上，設置第三個通孔34；在發(fā)射極偏置電阻5和第三微波傳輸帶線路6a及電容器6b的相互連接點d上，設置第四個通孔35。
這些第一至第四個通孔32，33，34，35，如圖2所示，貫通至多層基板31的下表面。
在多層基板31的下表面上，設置了用于與母基板(參見圖5)連接的接地用的導體31a，振蕩信號輸出用的導體31b，電源電壓(E)用的導體31c，控制電壓(V)用的導體31d和接地用的導體31f等。
圖3為表示第一個通孔32和第二個通孔33的主要部分的剖面圖。第三個通孔34和第四個通孔35大致是同樣的結構，但圖中沒有示出。
在圖3中，在第一個通孔32和第二個通孔33內(nèi)，用電鍍等方法形成導體壁32a，33a。另外，在通孔內(nèi)部填充樹脂36，36；電極32b，33b只分別在通孔的一端的端面上(裝有回路部件的上表面)形成。因此，第一個通孔32的導體壁32a和電極32b相互連接；第二個通孔33的導體壁33a和電極33b相互連接。這些通孔32，33用樹脂36，36填充，因為電極32b，33b將孔塞住，通俗地可稱為接頭插入通孔，可以用于高密度的安裝。另外，在多層基板31的上表面上的電極32b，33b上，分別放置著頻率修正用電容器10的電極部分10a，10b，電極部分10a和電極32b，電極部分10b和電極33b，通過焊錫37，37相互連接。
另外，圖中沒有示出，在電極32b上，還放置著振蕩電容器8，它們用焊錫連接。
變?nèi)荻O管11的陰極放置在電極33b上，利用焊錫37連接。變?nèi)荻O管11的陽極與接地導體31g，用焊錫37連接。
又，第一微波傳輸帶線路9，第二微波傳輸帶線路12，由多層基板31的內(nèi)層的導體層31e構成，分別與導體壁32a，33a連接。因而，頻率修正用電容器10和第一微波傳輸帶線路9及第二微波傳輸帶線路12連接。
另外，在多層基板31的下表面上，設置有與第一微波傳輸帶線路9和第二微波傳輸帶線路12相對的外層導體層31f。該導體層31f接地。結果，第一微波傳輸帶線路9和第二微波傳輸帶線路12具有給定的特性阻抗。
在填充于第一個通孔32和第二個通孔33內(nèi)的樹脂36，36的另一端的端面上(多層基板31的下表面)，不形成用于塞住這些通孔32，33的電極。因此，如圖4所示，各個通孔32，33的導體壁32a，33a形成為環(huán)狀，在多層基板31的下表面上可以看出。
另外，利用加在變?nèi)荻O管11上的給定的控制電壓(V)，可以調整第一微波傳輸帶線路9的阻抗，達到給定的振蕩頻率。這種調整稱為平衡調整，例如，可以通過在第一微波傳輸帶線路9上，加入切槽等方法來進行。
然后，將多層基板31的整個下表面用樹脂38覆蓋，振蕩器就完成了。
以上這樣構成的本發(fā)明的振蕩器，例如，可以作為移動式電話機等的發(fā)送接收信號器的局部振蕩器或載波振蕩器使用。這時，如圖5所示，構成本發(fā)明的電子回路裝置的多層基板31，也可與其它回路部件42一起，放置在構成發(fā)送接收信號器的母基板41上。
另外，在放置著多層基板31的狀態(tài)下，多層基板31的下表面與母基板41的上表面相對。結果，在接地導體41a設置在母基板41的上表面上的情況下，第一個通孔32的導體壁32a，第二個通孔33的導體壁33a與接地導體41a相對，但由于導體壁32a，33a為環(huán)狀，因此，這個相對的面積與現(xiàn)有的相對面積比較，變得較小。這樣，由導體壁32a和接地導體41a的方向相對形成的浮游電容28(參見圖1)，比圖6所示的現(xiàn)有的浮游電容70??；同樣，由導體壁33a和接地導體41a的方向相對形成的浮游電容29(參見圖1)，比圖6所示的現(xiàn)有的浮游電容71小。
由于這樣，在本發(fā)明的電子回路裝置安裝在母基板41上的情況下，振蕩頻率的變化ΔF小。如圖8的Y線所示，這個頻率變化大致為-3MHz。這個變化是現(xiàn)有變化(-9MHz)的三分之一。
與第一和第二個通孔32，33同樣，如果只能在多層基板31的下表面上，看出第三個通孔34和第四個通孔35內(nèi)形成的導體壁(圖中沒有示出)，則第四微波傳輸帶線路23和共振電容器24的共振頻率，以及第三微波傳輸帶線路6a和共振電容器6b的共振頻率變化小。
在以上說明中，以振蕩器為例說明了電子回路裝置，但不限于振蕩器，在使用微波傳輸帶線路的其它電子回路裝置中也可適用，也可以得到優(yōu)良的效果。
如上所述，本發(fā)明的電子回路裝置，用通孔將安裝在多層基板上表面的回路部件和在多層基板的內(nèi)層形成的微波傳輸帶線路相連接，通孔內(nèi)填充樹脂，只在填充前述樹脂的一端的端面上形成電極，在電極上安裝回路部件，將多層基板放置在母基板上的情況下，即使通孔的導體壁與母基板的接地導體相對，由于通過導體壁和接地導體形成的浮游電容小，所以，電子回路的特性變化小。
另外，由于本發(fā)明的電子回路裝置是作為振蕩器構成的，振蕩器具有設定振蕩頻率的共振元件，而微波傳輸帶線路具有至少第一微波傳輸帶線路，以第一微波傳輸帶線路作為共振元件，因此，在將振蕩器安裝在母基板上的情況下，附加給共振元件的浮游電容小。因此，即使將振蕩器安裝在母基板上，振蕩頻率的變化也小。
另外，本發(fā)明的電子回路裝置，由于回路部件具有改變振蕩頻率的變?nèi)荻O管，還具有將控制電壓供給至變?nèi)荻O管的電感線圈，微波傳輸帶線路還具有第二微波傳輸帶線路，該第二微波傳輸帶線路作為電感線圈，因此，在將振蕩器安裝在母基板上的情況下，附加給變?nèi)荻O管的浮游電容小。因此，由變?nèi)荻O管引起的頻率變化范圍狹小。
權利要求
1.一種電子回路裝置，它具有多層基板；安裝在前述多層基板上表面上的回路部件；在前述多層基板內(nèi)層形成的微波傳輸帶線路；和穿過前述多層基板，連接前述回路部件和前述微波傳輸帶線路的通孔；其特征為，在前述通孔內(nèi)形成導體壁，使前述微波傳輸帶線路與前述導體壁連接，在前述通孔內(nèi)填充樹脂，只在填充了前述樹脂的一端的端面上形成電極，將前述回路部件安裝在前述電極上。
2.如權利要求1所述的電子回路裝置，其特征為，前述電子回路裝置是作為振蕩器構成的，前述振蕩器具有設定振蕩頻率的共振元件，前述微波傳輸帶線路至少具有第一微波傳輸帶線路，將前述第一微波傳輸帶線路作為前述共振元件。
3.如權利要求2所述的電子回路裝置，其特征為，前述回路部件具有改變前述振蕩頻率的變?nèi)荻O管，還具有給前述變?nèi)荻O管供給控制電壓的電感線圈，前述微波傳輸帶線路還具有第二微波傳輸帶線路，以前述第二微波傳輸帶線路作為前述電感線圈。
全文摘要
本發(fā)明為安裝在母基板上使用的振蕩器等電子回路裝置。其具有多層基板31;安裝在多層基板31上表面上的回路部件10;在多層基板31的內(nèi)層上形成的微波傳輸帶線路9;穿過多層基板31,將回路部件10和微波傳輸帶線路9連接起來的通孔32。在通孔32內(nèi),形成導體壁32a,使微波傳輸帶線路9與導體壁32a連接,在通孔32內(nèi)填充樹脂36,只在填充了樹脂36的一端的端面上形成電極32b,將回路部件10安裝在電極32b上。
文檔編號H03B5/18GK1243417SQ9910969
公開日2000年2月2日 申請日期1999年7月6日 優(yōu)先權日1998年7月16日
發(fā)明者石川健一郎, 井上善貴 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社