本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，尤其涉及一種內(nèi)存組件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、閃存屬于非易失性內(nèi)存，且可容許多次寫入、讀取與抹除數(shù)據(jù)。特別來說，反及(nand)型閃存具有高存儲密度的優(yōu)點，而被廣泛地應(yīng)用于各種大容量的內(nèi)存產(chǎn)品中。隨著nand型閃存的發(fā)展，個別字線結(jié)構(gòu)的線寬縮短，且相鄰字線結(jié)構(gòu)之間的間隙縮小。此可能導(dǎo)致個別字線結(jié)構(gòu)的形貌難以控制，且造成相鄰字線結(jié)構(gòu)相互造成的電阻-電容延遲(resistance-capacitance?delay，rc?delay)產(chǎn)生變化。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本揭示的一實施例提供一種內(nèi)存組件，包括：定義于半導(dǎo)體襯底中的多個有源區(qū)；多個字線結(jié)構(gòu)，形成于所述半導(dǎo)體襯底上，且交錯于所述多個有源區(qū)，其中各字線結(jié)構(gòu)包括浮置柵極以及堆疊于所述浮置柵極之上的控制柵極；多個第一保護層，分別覆蓋所述多個字線結(jié)構(gòu)中的一者的所述控制柵極的上部，其中各字線結(jié)構(gòu)的所述控制柵極的底端低于各第一保護層的底端；以及第二保護層，覆蓋所述多個第一保護層，且包覆所述多個字線結(jié)構(gòu)。

2、本揭示的另一實施例提供一種內(nèi)存組件的制造方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上依序堆疊介電材料層、柵極材料層、介電材料層與柵極材料層；以第一刻蝕工藝將所述柵極材料層的上部圖案化為多個上部控制柵極；形成覆蓋所述多個上部控制柵極以及所述柵極材料層的下部的保護材料層；以第二刻蝕工藝形成位于所述多個上部控制柵極之間且穿過所述保護材料層、所述柵極材料層的所述下部、所述介電材料層、所述柵極材料層與所述介電材料層的溝渠，其中所述保護材料層圖案化為多個第一保護層，所述柵極材料層的所述下部圖案化為多個下部控制柵極，所述介電材料層圖案化為多個柵間介電層，所述柵極材料層圖案化為多個浮置柵極，且所述介電材料層圖案化為多個穿隧介電層；以及形成覆蓋所述多個第一保護層且沿著所述多個下部控制柵極、所述多個柵間介電層、所述多個浮置柵極與所述多個穿隧介電層的側(cè)壁延伸的第二保護層。

技術(shù)特征：

1.一種內(nèi)存組件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存組件，其中各第一保護層部分地覆蓋所述多個字線結(jié)構(gòu)中的一者的所述控制柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存組件，其中各第一保護層的所述底端從上方接觸所述多個字線結(jié)構(gòu)中的一者的所述控制柵極的下部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)存組件，其中各字線結(jié)構(gòu)的所述控制柵極的所述下部的側(cè)壁并未被所述多個第一保護層的任何一者覆蓋。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)存組件，其中各字線結(jié)構(gòu)的所述控制柵極的所述上部與所述下部分別為金屬層與多晶硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存組件，其中各字線結(jié)構(gòu)的所述控制柵極的所述上部由上而下漸寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)存組件，其中填充于所述多個字線結(jié)構(gòu)之間的介電材料存在多個空氣間隙，各空氣間隙位于所述多個字線結(jié)構(gòu)的相鄰兩者之間，且具有彼此在垂直方向上分離的上部空氣間隙與下部空氣間隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)存組件，其中各空氣間隙的所述上部空氣間隙的底端位于所述多個字線結(jié)構(gòu)中的相鄰兩者的所述控制柵極的所述上部之間，且各空氣間隙的所述下部空氣間隙的頂端低于所述多個字線結(jié)構(gòu)中的相鄰兩者的所述控制柵極的所述上部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存組件，其中各第一保護層的縱向延伸表面實質(zhì)上共面于所述多個字線結(jié)構(gòu)中的一者的所述控制柵極的下部與所述浮置柵極的側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)存組件，其中填充于所述多個字線結(jié)構(gòu)之間的介電材料存在多個空氣間隙，分別連續(xù)地沿垂直方向延伸于所述多個字線結(jié)構(gòu)的相鄰兩者之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存組件，其中所述第二保護層具有橫向地延伸于所述多個字線結(jié)構(gòu)之間的多個部分。

12.一種內(nèi)存組件的制造方法，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)存組件的制造方法，其中在進行所述第二刻蝕工藝以圖案化所述柵極材料層的所述下部時，所述多個上部控制柵極被所述多個第一保護層覆蓋。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)存組件的制造方法，其中以位于所述柵極材料層上且彼此側(cè)向分離的多個頂蓋層作為屏蔽來進行所述第一刻蝕工藝。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)存組件的制造方法，其中在進行所述第二刻蝕工藝以圖案化所述柵極材料層的所述下部時，所述多個上部控制柵極與所述多個頂蓋層被所述多個第一保護層覆蓋。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)存組件的制造方法，其中在形成所述第二保護層之后，更包括：形成覆蓋所述第二保護層的介電材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的內(nèi)存組件的制造方法，其中多個字線結(jié)構(gòu)分別包括所述多個上部控制柵極中的一者及其下方的所述下部控制柵極、所述柵間介電層、所述浮置柵極與所述穿隧介電層，所述介電材料中存在有多個空氣間隙，且各空氣間隙延伸于所述多個字線結(jié)構(gòu)的相鄰兩者之間。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種內(nèi)存組件及其制造方法。內(nèi)存組件包括：定義于半導(dǎo)體襯底中的多個有源區(qū)；多個字線結(jié)構(gòu)，形成于半導(dǎo)體襯底上且交錯于多個有源區(qū)，其中各字線結(jié)構(gòu)包括浮置柵極以及堆疊于浮置柵極之上的控制柵極；多個第一保護層，分別覆蓋一字線結(jié)構(gòu)的控制柵極的上部，其中各字線結(jié)構(gòu)的控制柵極的底端低于各第一保護層的底端；以及第二保護層，覆蓋多個第一保護層，且包覆多個字線結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：黃子蕓,劉重顯
受保護的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21