專利名稱：振蕩信號輸出電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輸出振蕩信號的振蕩信號輸出電路。
技術(shù)背景以往，在振蕩信號輸出電路，特別是石英振蕩電路中，在石英振子 處產(chǎn)生的微小振幅由放大電路放大并輸出。所輸出的振蕩信號以正弦波 形式被輸出。例如，從上述放大電路輸出的振蕩信號(正弦波)進(jìn)一步由輸出部轉(zhuǎn)換成矩形波來輸出，用作LSI (Large-Scale Integrated circuit: 大規(guī)模集成電路)內(nèi)部的動(dòng)作時(shí)鐘等。因此，提供了一種適合于LSI化、而且即使在低電壓電源(具體地 說是1.0V 1.5V)時(shí)也能穩(wěn)定振蕩、可降低消耗功率的振蕩電路(參照 專利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)l:日本特開平06—097732號公報(bào)然而，在進(jìn)行振蕩電路的低功耗化的情況下，有必要抑制放大部的 功耗，因此，來自放大部的輸出信號的振幅減小。因此，有時(shí)由于閾值 電壓偏差而使得來自放大部的輸出信號未能超過根據(jù)來自放大部的信號 進(jìn)行動(dòng)作的輸出部的晶體管(以下，意味著P型場效應(yīng)晶體管和N型場 效應(yīng)晶體管中的至少一方)的閾值電壓，因而可能引起晶體管不動(dòng)作、 不從輸出部輸出信號的不利情況。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明考慮了上述事實(shí)，本發(fā)明的目的在于，提供一種即使 進(jìn)行低功耗化也能使輸出部的晶體管動(dòng)作、并能從輸出部可靠地輸出輸 出信號的振蕩信號輸出電路。本發(fā)明第一方面所述的發(fā)明是一種振蕩信號輸出電路，其特征在于，該振蕩信號輸出電路具有基準(zhǔn)振蕩信號放大電路，其對基準(zhǔn)振蕩信號 進(jìn)行放大；振蕩信號調(diào)節(jié)電路，其去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直 流成分，提取交流成分，從而作為多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出；偏置電壓 生成電路，其向所調(diào)節(jié)的多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供多個(gè)偏置電壓；以及輸 出信號生成電路，其對被提供了上述偏置電壓的多個(gè)上述調(diào)節(jié)振蕩信號 進(jìn)行放大并生成輸出信號。根據(jù)第一方面所述的發(fā)明，首先，使用基準(zhǔn)振蕩信號放大電路對從 偏置電路等輸出的基準(zhǔn)振蕩信號進(jìn)行放大。并且，使用振蕩信號調(diào)節(jié)電 路去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直流成分，提取交流成分(電容耦 合)，從而作為多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出。而且，偏置電壓生成電路向所 調(diào)節(jié)的多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供多個(gè)偏置電壓。然后，輸出信號生成電路 對被提供了上述偏置電壓的多個(gè)上述調(diào)節(jié)振蕩信號進(jìn)行放大并生成輸出 信號。因此，由于能使晶體管(P型場效應(yīng)晶體管和N型場效應(yīng)晶體管) 可靠地動(dòng)作，因而輸出信號生成電路獲得大的增益，能可靠地生成輸出 信號(矩形波)。第二方面所述的發(fā)明的特征在于，在第一方面的發(fā)明中，上述偏置 電壓生成電路包含P型場效應(yīng)晶體管和電阻元件、以及N型場效應(yīng)晶體 管和電阻元件的組合中的至少一個(gè)組合。因此，即使在發(fā)生晶體管的閾值電壓偏差的情況下，偏置電壓生成 電路的晶體管和輸出信號生成電路的晶體管也具有相同變化的偏差，因 而可獲得較大增益的輸出。結(jié)果，能夠不受晶體管閾值電壓的偏差影響 地，使輸出信號生成電路的晶體管動(dòng)作，因而能將輸出信號可靠地輸出。第三方面所述的發(fā)明的特征在于，在第一方面的發(fā)明中，上述偏置 電壓生成電路包含P型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的N型場效應(yīng)晶體 管、以及N型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的P型場效應(yīng)晶體管的組合中 的至少一個(gè)組合。因此，可利用晶體管使生成偏置電壓的電路(偏置電壓生成電路) 的電流源恒流化，其中，該偏置電壓輸入到輸出信號生成電路的晶體管的柵極。結(jié)果，由于偏置電壓不受電源電壓變動(dòng)的影響，因而即使發(fā)生 電源電壓變動(dòng)，輸出信號生成電路也能穩(wěn)定地生成輸出信號。第四方面所述的發(fā)明是一種振蕩信號輸出電路，該振蕩信號輸出電 路具有基準(zhǔn)振蕩信號放大電路，其對基準(zhǔn)振蕩信號進(jìn)行放大；振蕩信 號調(diào)節(jié)電路，其去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直流成分，提取交流 成分，從而作為多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出；第1偏置電壓生成電路，其向所調(diào)節(jié)的一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第1偏置電壓；第2偏置電壓生成電 路，其向所調(diào)節(jié)的另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第2偏置電壓；以及輸出信號生成電路，其對被提供了上述第1偏置電壓的上述一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號以及被提供了上述第2偏置電壓的上述另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號進(jìn)行放大并生成輸出信號。根據(jù)第四方面所述的發(fā)明，首先，使用基準(zhǔn)振蕩信號放大電路對從 偏置電路等所輸出的基準(zhǔn)振蕩信號進(jìn)行放大。并且，使用振蕩信號調(diào)節(jié) 電路去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直流成分，提取交流成分(電容 耦合)，從而作為調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出。而且，第l偏置電壓生成電路向所調(diào)節(jié)的一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第1偏置電壓。并且，第2偏置電壓生 成電路向所調(diào)節(jié)的另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第2偏置電壓。然后，輸出 信號生成電路對被提供了上述第1偏置電壓的上述一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號以 及被提供了上述第2偏置電壓的上述另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號進(jìn)行放大并生 成輸出信號。因此，由于能使晶體管可靠地動(dòng)作，因而輸出信號生成電路獲得較 大的增益，能可靠地生成輸出信號(矩形波)。第五方面所述發(fā)明的特征在于，在第四方面的發(fā)明中，上述第1偏 置電壓生成電路由第1P型場效應(yīng)晶體管和第1電阻元件構(gòu)成，上述第2 偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2電阻元件構(gòu)成。因此，即使在發(fā)生晶體管的閾值電壓偏差的情況下，第1偏置電壓 生成電路和第2偏置電壓生成電路的晶體管以及輸出信號生成電路的晶 體管也具有同樣變化的偏差，因而可獲得較大增益的輸出。結(jié)果，不受 晶體管閾值電壓的偏差的影響，能使輸出信號生成電路的晶體管動(dòng)作，因而能將輸出信號可靠地輸出。第六方面所述發(fā)明的特征在于，在第四方面的發(fā)明中，上述第l偏置電壓生成電路由上述第1P型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的第2N型場 效應(yīng)晶體管構(gòu)成，上述第2偏置電壓生成電路由上述第1 N型場效應(yīng)晶 體管和作為恒流源的第2 P型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。因此，可利用晶體管使生成偏置電壓的電路(上述第1偏置電壓生 成電路和上述第2偏置電壓生成電路)的電流源恒流化，其中，該偏置 電壓輸入到輸出信號生成電路的晶體管的柵極。結(jié)果，由于偏置電壓不 受電源電壓變動(dòng)的影響，因而即使發(fā)生電源電壓變動(dòng)，輸出信號生成電 路也能穩(wěn)定地生成輸出信號。第七方面所述發(fā)明的特征在于，在第一方面至第六方面中的任一項(xiàng) 的發(fā)明中，上述基準(zhǔn)振蕩信號放大電路的上述基準(zhǔn)振蕩信號使用石英振 子來振蕩。因此，在生成振蕩信號方面，由于使用石英振子，因而能進(jìn)行頻率 精度高且穩(wěn)定的振蕩，并能調(diào)節(jié)成以期望的振幅和電壓等級進(jìn)行振蕩。第八方面所述的發(fā)明是一種振蕩信號輸出電路，其特征在于，該振 蕩信號輸出電路具有第1節(jié)點(diǎn)，其接收由振蕩部所振蕩的信號；第1 電容單元，其連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第2節(jié)點(diǎn)之間；第2電容單元，其 連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第3節(jié)點(diǎn)之間；第1偏置電壓生成電路，其與上 述第2節(jié)點(diǎn)連接，并把第1偏置電壓提供給上述第2節(jié)點(diǎn)；第2偏置電 壓生成電路，其與上述第3節(jié)點(diǎn)連接，并把第2偏置電壓提供給上述第3 節(jié)點(diǎn)；以及輸出信號生成電路，其與上述第2節(jié)點(diǎn)、上述第3節(jié)點(diǎn)以及 輸出節(jié)點(diǎn)連接，并把與在上述第2節(jié)點(diǎn)和上述第3節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)的信號對應(yīng) 的信號輸出到上述輸出節(jié)點(diǎn)。根據(jù)第八方面所述的發(fā)明，第1節(jié)點(diǎn)接收由振蕩部所振蕩的信號。 并且，第1偏置電壓生成電路經(jīng)由連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第2節(jié)點(diǎn)之間 的第1電容單元與上述第2節(jié)點(diǎn)連接，并根據(jù)由振蕩部所振蕩的信號， 把第1偏置電壓提供給上述第2節(jié)點(diǎn)。并且，第2偏置電壓生成電路經(jīng) 由連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第3節(jié)點(diǎn)之間的第2電容單元與上述第3節(jié)點(diǎn)連接，并根據(jù)由振蕩部所振蕩的信號，把第2偏置電壓提供給上述第3節(jié)點(diǎn)。而且，輸出信號生成電路與上述第2節(jié)點(diǎn)、上述第3節(jié)點(diǎn)以及輸 出節(jié)點(diǎn)連接，并把與在上述第2節(jié)點(diǎn)和上述第3節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)的信號對應(yīng)的 信號輸出到上述輸出節(jié)點(diǎn)。因此，由于與在上述第2節(jié)點(diǎn)和上述第3節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)的信號對應(yīng)的信 號被輸出到上述輸出節(jié)點(diǎn)，因而能可靠地獲得輸出信號。第九方面所述發(fā)明的特征在于，在第八方面的發(fā)明中，上述第1偏 置電壓生成電路由第1 P型場效應(yīng)晶體管和第1恒流源構(gòu)成，上述第2 偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2恒流源構(gòu)成。因此，由于利用晶體管使第1偏置電壓生成電路和第2偏置電壓生 成電路的電流源恒流化，因而偏置電壓不受電源電壓變動(dòng)的影響，能可 靠地獲得輸出信號。第十方面所述發(fā)明的特征在于，在第八方面的發(fā)明中，上述第1偏 置電壓生成電路由第1P型場效應(yīng)晶體管和第1負(fù)載元件構(gòu)成，上述第2 偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2負(fù)載元件構(gòu)成。因此，即使在發(fā)生晶體管的閾值電壓偏差的情況下，第1偏置電壓 生成電路和第2偏置電壓生成電路的晶體管以及輸出側(cè)的晶體管也具有 同樣變化的偏差，因而不受晶體管閾值電壓的偏差影響，能可靠地使輸 出側(cè)的晶體管動(dòng)作，且可靠地輸出輸出信號。第十一方面所述發(fā)明的特征在于，在第九方面或第十方面的發(fā)明中， 上述輸出信號生成電路具有第2 P型場效應(yīng)晶體管和第2 N型場效應(yīng)晶體 管，該第2P型場效應(yīng)晶體管具有與上述第1P型場效應(yīng)晶體管的柵極和 漏極連接的柵極，該第2 N型場效應(yīng)晶體管具有與上述第1 N型場效應(yīng) 晶體管的柵極和漏極連接的柵極。因此，即使發(fā)生電源電壓變動(dòng)，輸出側(cè)也能獲得大的增益，因而能 可靠地獲得輸出信號。如以上說明那樣，根據(jù)本發(fā)明，能獲得以下優(yōu)良的效果，即可提 供一種即使進(jìn)行降低功耗也能使輸出信號生成電路(輸出部)的晶體管 動(dòng)作、并能將輸出信號可靠地輸出的振蕩信號輸出電路。


圖1是本實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路的第1實(shí)施方式的電路圖。 圖2是本實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路的第2實(shí)施方式的電路圖。 圖3是本實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路的第1實(shí)施方式的電路圖和第2實(shí)施方式的電路圖中的輸出信號XT、 XTB、 XTP、 XTN的波形圖。
具體實(shí)施方式
圖1示出本實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路的第1實(shí)施方式。振蕩信號輸出電路100由以下部分構(gòu)成，即偏置電路110、振蕩部 120、放大部130、包含輸出級150的輸出部140、以及輸出端子(以下 稱為"OUT") 160。另外，以下描述的PMOS晶體管全部是P型場效應(yīng)晶體管，NMOS 晶體管全部是N型場效應(yīng)晶體管。偏置電路110經(jīng)由偏置信號線112與偏置電路110的后級的放大部 130連接。偏置電路110生成偏置電壓BH (例如，約0.5V電壓的輸出信 號)，并將偏置電壓BH經(jīng)由偏置信號線112輸出到放大部130。并且， 該偏置電壓BH可對放大部130的PMOS晶體管MP1控制恒流。另外，偏置電路110可以是公知的電路，只要能生成并輸出低電源 電壓(例如，0.5V左右的輸出信號)的偏置電壓BH，則可以是任何結(jié)構(gòu) 的電路。振蕩部120由石英振子X' tal、電容元件(以下稱為"電容器")CD、 CG、以及連接點(diǎn)(以下稱為"節(jié)點(diǎn)")D、 G構(gòu)成。經(jīng)由節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G，石英振子X' tal的兩端分別與電容器CD、 CG的各自的一端連接，電容器CD、 CG的各自的另一端接地(GND)。 通常，石英振子X， tal在施加了交流電壓時(shí)，交流電壓被放大而進(jìn)行振 蕩。電容器CD、 CG可使用適當(dāng)電容的陶瓷電容器，以使石英振子X， tal 產(chǎn)生的振蕩信號(基準(zhǔn)振蕩信號)的振蕩頻率穩(wěn)定，而獲得目標(biāo)振蕩頻 率及其振幅。10另外，振蕩部120使用石英振子X' tal來提取振蕩信號，然而只要 是能獲得目標(biāo)振蕩頻率及其振幅的結(jié)構(gòu)即可，可以是不使用石英振子 X' tal的結(jié)構(gòu)。例如，只要能使用利用陶瓷振子的振蕩電路、CR振蕩電 路、LC調(diào)諧振蕩電路等，則也可以使用這些振蕩電路。并且，在生成振 蕩信號方面，由于使用石英振子X' tal，因而可進(jìn)行頻率精度高且穩(wěn)定 的振蕩，可調(diào)節(jié)成以期望的振幅和電壓等級進(jìn)行振蕩。放大部130由以下構(gòu)成，即PMOS晶體管MP1、 NMOS晶體管 MN1、反饋電阻元件(以下稱為"反饋電阻")RF、以及節(jié)點(diǎn)N1、 P1N1、 PN、 P、 N。另外，可以說放大部130為基本的放大器結(jié)構(gòu)。PMOS晶體管MP1的柵極與偏置電路110的偏置信號線112連接， 源極與電源電壓(以下稱為"VDD"，例如，約0.7V的電源電壓)連接， 漏極與NMOS晶體管MN1的漏極連接，從而連接成能經(jīng)由節(jié)點(diǎn)P1N1 傳遞輸出信號。并且，NM0S晶體管MN1的源極與GND連接，柵極經(jīng) 由反饋電阻RF和節(jié)點(diǎn)Nl與PMOS晶體管MP1和NMOS晶體管MN1 的漏極的輸出信號線連接，漏極與PMOS晶體管MP1的漏極連接，從而 連接成能將輸出信號傳遞到節(jié)點(diǎn)P1N1、 PN、 P、 N。從節(jié)點(diǎn)P和節(jié)點(diǎn)N 將相同的輸出信號XTB (參照圖3)同時(shí)傳遞到輸出部140。另外，放大部130只要能根據(jù)來自偏置電路110的偏置電壓BH，對 由振蕩部120所振蕩的輸出信號(例如，具有正弦波波形的信號等)進(jìn) 行放大、并能輸出或傳遞到輸出部140，就可以是任何結(jié)構(gòu)的信號放大電 路。偏置信號線112從偏置電路110出發(fā)與放大部130連接，并經(jīng)由振 蕩部120的節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G，通過信號線與放大部130連接。并且，來 自振蕩部120的節(jié)點(diǎn)D的信號線經(jīng)由放大部130的節(jié)點(diǎn)N、 PN、 P與輸 出線連接，從節(jié)點(diǎn)P、 N出發(fā)被分成2條信號線而與后級的輸出部140 連接。另夕卜，偏置電路110、振蕩部120以及放大部130加在一起是基準(zhǔn)振 蕩信號放大電路。輸出部140 (偏置電壓生成電路，或者第1偏置電壓生成電路和第2偏置電壓生成電路)由以下構(gòu)成，即電容元件(以下稱為"電容器")Cl、 C2， PMOS晶體管MP2A， NMOS晶體管MN2A，電阻元件(是負(fù) 載元件，以下稱為"電阻")Rl、 R2，節(jié)點(diǎn)P2AG、 P2AD、 N2AG、 N2AD，以及輸出級(輸出信號生成電路)150。電容器Cl的一端與放大部130的節(jié)點(diǎn)P連接，電容器Cl的另一端 與輸出部140的節(jié)點(diǎn)P2AG連接。電容器Cl被稱為耦合電容器，實(shí)現(xiàn)去 除信號的直流成分即DC成分、而僅使交流成分即AC成分通過的濾波器 那樣的作用。詳細(xì)地說，在電容器C1中，從振蕩部120和放大部130所 輸出的輸出信號(正弦波)與電容器C1進(jìn)行電容耦合。當(dāng)通過該電容耦 合使2個(gè)電路耦合時(shí)，在2個(gè)電路的輸入輸出之間存在直流的(DC的) 電位差的情況下，切斷了一個(gè)電路的偏移電流或偏移電壓對另一個(gè)電路 的影響。因此，調(diào)節(jié)振蕩信號被輸出。并且，電容器C2也具有完全相同 的功能。PMOS晶體管MP2A的柵極與節(jié)點(diǎn)P2AG連接，源極與VDD連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P2AD連接。電阻R2的一端與節(jié)點(diǎn)P2AD連接，另一端與GND連接。NMOS晶體管MN2A的柵極與節(jié)點(diǎn)N2AG連接，源極與GND連接，漏極與節(jié)點(diǎn)N2AD連接。電阻Rl的一端與VDD連接，另一端與節(jié)點(diǎn)N2AD連接。并且，輸出級150由PMOS晶體管MP4A和NMOS晶體管MN4A構(gòu)成。PMOS晶體管MP4A的柵極與輸出部140的節(jié)點(diǎn)P2AD連接，源極 與VDD連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P4AN4A連接。NMOS晶體管MN4A的柵極與輸出部140的節(jié)點(diǎn)N2AD連接，源極 與GND連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P4AN4A連接。節(jié)點(diǎn)P4AN4A與OUT 160連接。另外，偏置電路110、放大部130、包含輸出級150的輸出部140以 及OUT 160被混裝在單芯片的LSI內(nèi)。并且，僅振蕩部120被設(shè)置(外 附)在上述單芯片的LSI外部，以最短距離使上述單芯片的LSI和振蕩部120連接。以下，對本發(fā)明的第1實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。從偏置電路110經(jīng)由偏置信號線112，將作為偏置信號的偏置電壓 BH(約0.5V)施加給放大部130。從偏置信號線112向放大部130的PMOS 晶體管MP1的柵極施加偏置電壓BH。由于偏置電壓BH (約0.5V)被 施加給PMOS晶體管MP1 (閾值約0.55V)的柵極，因而PMOS晶體 管MP1處于工作狀態(tài)，從VDD施加電壓(約0.7V)， PMOS晶體管MP l中流過恒流。于是，利用該恒流，根據(jù)來自VDD的電壓決定經(jīng)由反饋 電阻RF和節(jié)點(diǎn)P1N1、PN、P施加給NMOS晶體管MNl(閾值約0.25V) 的柵極的電壓(約0.3V)。由于該電壓而使NMOS晶體管MN1也處于工 作狀態(tài)，經(jīng)由振蕩部120的節(jié)點(diǎn)D、 G所施加的電壓(或電流)成為觸 發(fā)因素，振蕩部120的石英振子X' tal開始振蕩，振蕩的振幅由放大部 130放大。此時(shí)，通過電容器CD、 CG調(diào)節(jié)石英振子X' tal的振蕩頻率。另外，如圖3所示，節(jié)點(diǎn)D處的振蕩信號的波形如輸出信號XTB那 樣具有正弦波波形，節(jié)點(diǎn)G處的振蕩信號的波形具有XT的正弦波波形。 并且，與節(jié)點(diǎn)D處的輸出信號XTB相比，節(jié)點(diǎn)G處的輸出信號XT的正 弦波波形的振幅小，這是由于電容器CD的電容小于電容器CG的電容。而且，節(jié)點(diǎn)D、 N、 PN、 P處的振蕩信號的波形具有圖3所示的輸 出信號XTB的波形(正弦波波形)(將電容器C1的前級的節(jié)點(diǎn)D、 N、 PN、 P稱為第1節(jié)點(diǎn))。然后，從由節(jié)點(diǎn)P向輸出部140傳遞輸出信號XTB的情況進(jìn)行說明。圖3所示的輸出信號XTB從節(jié)點(diǎn)P經(jīng)由電容器Cl截去DC成分， 提取AC成分后被傳遞到節(jié)點(diǎn)P2AG (稱為電容耦合，在振蕩信號調(diào)節(jié)電 路進(jìn)行，輸出調(diào)節(jié)振蕩信號)。由于節(jié)點(diǎn)P2AG與PMOS晶體管MP2A 的柵極連接，因而被去除了 DC成分后的輸出信號XTB被輸入到PMOS 晶體管MP2AG的柵極。因此，PMOS晶體管MP2A處于工作狀態(tài)，從 VDD施加電源電壓，根據(jù)流到電阻R2的電流而被提供第1偏置電壓， 因而輸出信號XTB上升，在節(jié)點(diǎn)P2AD處，成為圖3所示的輸出信號 XTP那樣的波形。在節(jié)點(diǎn)P2AD處，上升的輸出信號XTP被輸入到輸出級150的PMOS晶體管MP4A的柵極(把電容器Cl的后級的節(jié)點(diǎn)P2AD 稱為第2節(jié)點(diǎn))。并且，同樣從由節(jié)點(diǎn)N向輸出部140傳遞輸出信號XTB的情況進(jìn)行 說明。圖3所示的輸出信號XTB從節(jié)點(diǎn)N經(jīng)由電容器C2截去DC成分， 提取AC成分后被傳遞到節(jié)點(diǎn)N2AG (稱為電容耦合，在振蕩信號調(diào)節(jié)電 路進(jìn)行，輸出調(diào)節(jié)振蕩信號)。由于節(jié)點(diǎn)N2AG與NMOS晶體管MN2A 的柵極連接，因而被去除了 DC成分后的輸出信號XTB被輸入到NMOS 晶體管MN2A的柵極。因此，NMOS晶體管MN2A處于工作狀態(tài)，根據(jù) 流到電阻R1的電流而被提供第2偏置電壓，因而輸出信號XTB上升， 在節(jié)點(diǎn)N2AD處，成為圖3所示的輸出信號XTN那樣的波形。在節(jié)點(diǎn) N2AD處，上升的輸出信號XTN被輸入到輸出級150的NMOS晶體管 MN4A的柵極(把電容器Cl的后級的節(jié)點(diǎn)N2AD稱為第3節(jié)點(diǎn))。在輸出級150中，由于來自節(jié)點(diǎn)P2AD的輸出信號XTP被輸入到柵 極，因此PMOS晶體管MP4A處于工作狀態(tài)，同時(shí)，NMOS晶體管MN4A 也由于來自節(jié)點(diǎn)N2AD的輸出信號XTN被輸入到柵極而處于工作狀態(tài)。 PMOS晶體管MP4A和NMOS晶體管MN4A根據(jù)圖3的輸出信號XTP 和輸出信號XTN而進(jìn)行動(dòng)作。當(dāng)被輸入到PMOS晶體管MP4A的柵極 的輸出信號XTP以及被輸入到NMOS晶體管MN4A的柵極的輸出信號 XTN的電壓同時(shí)下降時(shí)，由于電壓下降，因而電流也下降，因此偏H(高) 電平的電壓(電源電壓的電平約0.7V)被輸出。并且同樣，當(dāng)被輸入到 PMOS晶體管MP4A的柵極的輸出信號XTP以及被輸入到NMOS晶體 管MN4A的柵極的輸出信號XTN的電壓同時(shí)上升時(shí)，由于電壓上升， 因而電流也上升，因此偏L (低)電平的電壓(GND的電平約0.0V)被 輸出。如上所述，在輸出級150中，PMOS晶體管MP4A和NMOS晶體 管MN4A進(jìn)行動(dòng)作，來自輸出級150的輸出信號經(jīng)由節(jié)點(diǎn)P4AN4A (輸 出節(jié)點(diǎn))被輸出到OUT160 (參照圖3的OUT的波形)。因此，使用PMOS晶體管MP2A和電阻R2、以及NMOS晶體管 MN2A和電阻R1進(jìn)行放大并進(jìn)行調(diào)節(jié)，并以被提高的作為偏置點(diǎn)的電壓值為中心輸入到PMOS晶體管MP4A和NMOS晶體管MN4A的柵極。 因此，輸出級150的PMOS晶體管MP4A和NMOS晶體管MN4A獲得 大的增益，能可靠地進(jìn)行動(dòng)作。并且，PMOS晶體管MP2A和PMOS晶體管MP4A由相同的PMOS 晶體管構(gòu)成，NMOS晶體管MN2A和NMOS晶體管MN4A由相同的 NMOS晶體管構(gòu)成。因此，即使在發(fā)生閾值電壓偏差(制造偏差)的情 況下，由于作為偏置點(diǎn)的電壓值變化相同，因而不受閾值電壓偏差的影 響，輸出級150可獲得較大的增益。簡單地說，由于PMOS晶體管MP2A 和PMOS晶體管MP4A以及NMOS晶體管MN2A和NMOS晶體管MN4A 不受閾值電壓偏差的影響，能使晶體管可靠地工作，因而能可靠地輸出 用于時(shí)鐘信號等的輸出信號(矩形波)。圖2示出根據(jù)本實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路的第2實(shí)施方式。振蕩信號輸出電路200由以下構(gòu)成，即偏置電路210、振蕩部220、 放大部230、包含輸出級250的輸出部240、以及輸出端子(以下稱為 "OUT") 260。其整體結(jié)構(gòu)是與第1實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路100 大致相同的電路結(jié)構(gòu)。另外，以下描述的PMOS晶體管全部是P型場效應(yīng)晶體管，NMOS 晶體管全部是N型場效應(yīng)晶體管。偏置電路210與本發(fā)明的第1實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路IOO(參 照圖1)的偏置電路110基本相同，然而有一部分不同。偏置電路210經(jīng) 由偏置信號線212與偏置電路210的后級的放大部230連接，并同樣經(jīng) 由偏置信號線214與放大部230的后級的輸出部240連接。并且，偏置電路210生成偏置電壓BH (例如，約0.5V電壓的輸出 信號)，并將偏置電壓BH經(jīng)由偏置信號線212輸出到放大部230。并且， 偏置電路210生成偏置電壓BL (例如，約0.3V電壓的輸出信號)，并將 偏置電壓BL經(jīng)由偏置信號線214輸出到輸出部240。而且，從偏置電路 210所輸出的偏置電壓BH針對放大部230的PMOS晶體管MP1和成為 輸出部240的恒流源的P型場效應(yīng)晶體管(以下稱為"PMOS晶體管") MP3B，能控制恒流。并且，從偏置電路210所輸出的偏置電壓BL針對作為輸出部240的恒流源的N型場效應(yīng)晶體管(以下稱為"NMOS晶體 管")畫3B，能控制恒流。另外，偏置電路210可以是公知的電路，也可以是可以實(shí)現(xiàn)以下功能 的任何結(jié)構(gòu)的電路，即只要能在2條信號線(偏置信號線212和偏置信號 線214)中分別生成并輸出2種不同電壓(例如，約0.5V和約0.3V)的 低電源電壓(例如，0.3V左右 0.5V左右電壓的輸出信號)的偏置電壓。振蕩部220具有與本發(fā)明的第1實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路100 (參照圖1)的振蕩部120 (參照圖1)完全相同的結(jié)構(gòu)、功能和連接。另外，電容元件也稱為"電容器"，連接點(diǎn)也稱為"節(jié)點(diǎn)"。并且，振蕩部220也使用石英振子X' tal來提取振蕩信號(基準(zhǔn)振 蕩信號)，然而只要是能獲得目標(biāo)振蕩頻率及其振幅的結(jié)構(gòu)，也可以是不 使用石英振子X' tal的結(jié)構(gòu)。例如，只要能使用利用陶瓷振子的振蕩電 路、CR振蕩電路、LC調(diào)諧振蕩電路等，則也可以使用這些振蕩電路。放大部230也具有與本發(fā)明的第1實(shí)施方式的振蕩信號輸出電路100 (參照圖1)的放大部130基本完全相同的結(jié)構(gòu)、功能和連接，但其中一 部分連接不同。不同之處在于，在偏置信號線212上追加了節(jié)點(diǎn)P1，并 從該放大部230內(nèi)部的節(jié)點(diǎn)Pl經(jīng)由偏置信號線232，與作為放大部230 的后級的輸出部240的恒流源的PMOS晶體管MP3B的柵極連接。因此， 從偏置電路210向輸出部240的PMOS晶體管MP3B的柵極輸入偏置電 壓BH (約0.5V)。另外，放大部230也可以是能夠?qū)崿F(xiàn)以下功能的任何結(jié)構(gòu)的信號放 大電路即只要能根據(jù)來自偏置電路210的偏置電壓BH，對由振蕩部220 所振蕩的輸出信號(例如，具有正弦波波形的信號等)進(jìn)行放大、并能輸 出或傳遞到輸出部240。并且，放大部230可以說具有基本的放大器結(jié)構(gòu)。偏置電路210、振蕩部220以及放大部230之間的連接關(guān)系與本發(fā) 明的第1實(shí)施例的振蕩信號輸出電路100 (參照圖1)的偏置電路110、 振蕩部120以及放大部130之間的連接關(guān)系大致相同。不同點(diǎn)在于，在 放大部230的偏置信號線212上設(shè)置有節(jié)點(diǎn)Pl，從節(jié)點(diǎn)Pl到輸出部240 連接有偏置信號線232。并且，從偏置電路210通過偏置信號線214連接到輸出部240。另外，偏置電路210、振蕩部220以及放大部230組合在一起是基 準(zhǔn)振蕩信號放大電路。輸出部240 (偏置電壓生成電路，或者第1偏置電壓生成電路和第2 偏置電壓生成電路)由以下部分構(gòu)成，即電容元件(以下稱為"電容 器")C1 、 C2; PMOS晶體管MP2B 、 MP3B; NMOS晶體管MN2B 、 MN3B; 節(jié)點(diǎn)P2BG、 P2BD、 N2BG、 N2BD;以及輸出級(輸出信號生成電路) 250。在輸出部240的結(jié)構(gòu)中，第1實(shí)施方式的圖1的電阻R2變?yōu)镹MOS 晶體管MN3B，第1實(shí)施方式的圖1的電阻R1變?yōu)镻MOS晶體管MP3B， 以及各節(jié)點(diǎn)的名稱被改變。并且，經(jīng)由偏置信號線232、節(jié)點(diǎn)P1以及偏 置信號線212與NMOS晶體管MN3B的柵極連接，從而輸入偏置電壓 BH。而且，經(jīng)由偏置信號線214與PMOS晶體管MP3B的柵極連接，從 而輸入偏置電壓BL。PMOS晶體管MP2B的柵極與節(jié)點(diǎn)P2BG連接，源極與VDD連接， 漏極與節(jié)點(diǎn)P2BD連接。NMOS晶體管MN2B的柵極與節(jié)點(diǎn)N2BG連接，源極與GND連接， 漏極與節(jié)點(diǎn)N2BD連接。NMOS晶體管MN3B的柵極與偏置信號線214連接，源極與GND 連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P2BD連接。PMOS晶體管MP3B的柵極經(jīng)由設(shè)置在偏置信號線212上的節(jié)點(diǎn)Pl 與偏置信號線232連接，源極與VDD連接，漏極與節(jié)點(diǎn)N2BD連接。并且，輸出級250由PMOS晶體管MP4B和NMOS晶體管MN4B 構(gòu)成。PMOS晶體管MP4B的柵極與輸出部240的節(jié)點(diǎn)P2BD連接，源極 與VDD連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P4BN4B連接。NMOS晶體管MN4B的柵極與輸出部240的節(jié)點(diǎn)N2BD連接，源極 與GND連接，漏極與節(jié)點(diǎn)P4BN4B連接。節(jié)點(diǎn)P4BN4B與OUT 260連接。另夕卜，偏置電路210、放大部230、包含輸出級250的輸出部240以 及OUT 260被混裝在單芯片的LSI內(nèi)。并且，僅振蕩部220被設(shè)置(外 附)在上述單芯片的LSI外部，使上述單芯片的LSI和振蕩部220以最 短距離連接。以下，對本發(fā)明的第2實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。從偏置電路210經(jīng)由偏置信號線212，將作為偏置信號的偏置電壓 BH(約0.5V)施加給放大部230。從偏置信號線212向放大部230的PMOS 晶體管MP1的柵極施加偏置電壓BH。由于偏置電壓BH被施加給PMOS 晶體管MP1 (閾值約0.55V)的柵極，因而PMOS晶體管MP1處于工 作狀態(tài)，從VDD施加電壓(約0.7V)，在PMOS晶體管MP1中流過恒 流。因此，利用該恒流，根據(jù)來自VDD的電壓，確定經(jīng)由反饋電阻RF、 節(jié)點(diǎn)P1N1、 PN、 P而施加給NMOS晶體管MN1 (閾值約0.25V)的 柵極的電壓(約0.3V)。由于該電壓而使NMOS晶體管MN1也處于工作 狀態(tài)，經(jīng)由振蕩部220的節(jié)點(diǎn)D、 G所施加的電壓(或電流)成為觸發(fā) 因素，振蕩部220的石英振子X' tal開始振蕩，振蕩的振幅被放大部230 放大。此時(shí)，通過電容器CD、 CG調(diào)節(jié)石英振子X' tal的振蕩頻率。另外，如圖3所示，節(jié)點(diǎn)D處的振蕩信號的波形如輸出信號XTB 那樣為正弦波波形，節(jié)點(diǎn)G處的振蕩信號的波形為XT的正弦波波形。 并且，與節(jié)點(diǎn)D處的輸出信號XTB相比，節(jié)點(diǎn)G處的輸出信號XT的正 弦波波形的振幅小，這是因?yàn)殡娙萜鰿D的電容小于電容器CG的電容。而且，節(jié)點(diǎn)D、 N、 PN、 P處的振蕩信號的波形為圖3所示的輸出 信號XTB的波形(正弦波形)(把電容器C1的前級的節(jié)點(diǎn)D、 N、 PN、P稱為第l節(jié)點(diǎn))。然后，對由節(jié)點(diǎn)P向輸出部240傳遞輸出信號XTB的情況進(jìn)行說明。 圖3所示的輸出信號XTB從節(jié)點(diǎn)P經(jīng)由電容器Cl截去DC成分， 提取AC成分后被傳遞到節(jié)點(diǎn)P2BG (稱為電容耦合，在振蕩信號調(diào)節(jié)電 路進(jìn)行，輸出調(diào)節(jié)振蕩信號)。由于節(jié)點(diǎn)P2BG與PMOS晶體管MP2B的 柵極連接，因而被去除了 DC成分后的輸出信號XTB被輸入到PMOS晶 體管MP2B的柵極。因此，PMOS晶體管MP2B處于工作狀態(tài)，從VDD施加電源電壓。并且，由于NMOS晶體管MN3B (閾值約0.25V)的 柵極與偏置電路210的偏置信號線214連接，因而從偏置信號線214施 加偏置電壓BL (約0.3V)，預(yù)先處于工作狀態(tài)。然后，根據(jù)流過NMOS 晶體管MN3B的電流而被提供第1偏置電壓，因而輸出信號XTB上升， 在節(jié)點(diǎn)P2BD處，成為圖3所示的輸出信號XTP那樣的波形。在節(jié)點(diǎn)P2BD 處，上升的輸出信號XTP被輸入到輸出級250的PMOS晶體管MP4B的 柵極(把電容器C1的后級的節(jié)點(diǎn)P2BD稱為第2節(jié)點(diǎn))。并且，同樣從由節(jié)點(diǎn)N向輸出部240傳遞輸出信號XTB的情況進(jìn)行 說明。圖3所示的輸出信號XTB從節(jié)點(diǎn)N經(jīng)由電容器C2截去DC成分， 提取AC成分后被傳遞到節(jié)點(diǎn)N2BG (稱為電容耦合，在振蕩信號調(diào)節(jié)電 路進(jìn)行，輸出調(diào)節(jié)振蕩信號)。由于節(jié)點(diǎn)N2BG與NMOS晶體管MN2B 的柵極連接，因而被去除了 DC成分后的輸出信號XTB被輸入到NMOS 晶體管MN2B的柵極。因此，NMOS晶體管MN2B處于工作狀態(tài)。并且， 由于PMOS晶體管MP3B (閾值約0.55V)的柵極經(jīng)由放大部230的節(jié) 點(diǎn)Pl和偏置信號線232與偏置電路210的偏置信號線212連接，因而從 偏置信號線212施加偏置電壓BH (約0.5V)，而預(yù)先處于工作狀態(tài)。并 且，根據(jù)流過PMOS晶體管MP3B的電流被提供第2偏置電壓，因而輸 出信號XTB上升，在節(jié)點(diǎn)N2BD處，成為圖3所示的輸出信號XTN那 樣的波形。在節(jié)點(diǎn)N2BD處，上升的輸出信號XTN被輸入到輸出級250 的NMOS晶體管MN4B的柵極(把電容器Cl的后級的節(jié)點(diǎn)N2BD稱為 第3節(jié)點(diǎn))。在輸出級250中，由于來自節(jié)點(diǎn)P2BD的輸出信號XTP被輸入到 PMOS晶體管MP4B的柵極，因此PMOS晶體管MP4B處于工作狀態(tài)， 同時(shí)，NMOS晶體管MN4B也由于來自節(jié)點(diǎn)N2BD的輸出信號XTN被 輸入到柵極而處于工作狀態(tài)。PMOS晶體管MP4B和NMOS晶體管MN4B 根據(jù)圖3的輸出信號XTP和輸出信號XTN進(jìn)行動(dòng)作。當(dāng)被輸入到PMOS 晶體管MP4B的柵極的輸出信號XTP以及被輸入到NMOS晶體管MN4B 的柵極的輸出信號XTN的電壓同時(shí)下降時(shí)，由于電壓下降，因而電流也下降，因此偏H (高)電平的電壓(電源電壓的電平約0.7V)被輸出。 并且同樣，當(dāng)被輸入到PMOS晶體管MP4B的柵極的輸出信號XTP以及 被輸入到NMOS晶體管MN4B的柵極的輸出信號XTN的電壓同時(shí)上升 時(shí)，由于電壓上升，因而電流也上升，因此偏L (低)電平的電壓(GND 的電平約O.OV)被輸出。如上所述，在輸出級250中，PMOS晶體管MP4B 和NMOS晶體管MN4B進(jìn)行動(dòng)作，來自輸出級250的輸出信號經(jīng)由節(jié)點(diǎn) P4BN4B (輸出節(jié)點(diǎn))被輸出到OUT260 (參照圖3的OUT的波形)。因此，使用PMOS晶體管MP2B和NMOS晶體管MN3B、以及NMOS 晶體管MN2B和PMOS晶體管MP3B進(jìn)行放大并進(jìn)行調(diào)節(jié)，并以被提高 的作為偏置點(diǎn)的電壓值為中心輸入到PMOS晶體管MP4B和NMOS晶體 管畫4B的柵極。因此，輸出級250的PMOS晶體管MP4B和畫OS 晶體管MN4B獲得較大的增益，能可靠地進(jìn)行動(dòng)作。并且，由于PMOS晶體管MP3B成為恒流源，因而NMOS晶體管 MN2B不受電源電壓變動(dòng)影響而能將VGS (柵極/源極間電位差)保持恒 定，因此NMOS晶體管MN4B的VGS也不受電源電壓變動(dòng)影響而能保 持恒定。因此，NMOS晶體管MN4B可消除由電源電壓變動(dòng)引起的增益變動(dòng)。同樣，由于NMOS晶體管MN3B成為恒流源，因而PMOS晶體管 MP2B不受電源電壓變動(dòng)影響而能將VGS保持恒定，因此PMOS晶體管 MP4B的VGS也不受電源電壓變動(dòng)影響而能保持恒定。因此，PMOS晶 體管MP4B可消除由電源電壓變動(dòng)引起的增益變動(dòng)。簡言之，由于利用晶體管(PMOS晶體管MP3B和NMOS晶體管 MN3B)使生成作為輸出級250的柵極輸入的偏置點(diǎn)的電壓值的電路的電 流源恒流化，因而作為偏置點(diǎn)的電壓值不受電源電壓變動(dòng)的影響，因此 即使發(fā)生電源電壓變動(dòng)，輸出級250也能獲得大的增益。因此，即使發(fā)生電源電壓變動(dòng)，也能使晶體管(PMOS晶體管MP4B 和NMOS晶體管MN4B)可靠地動(dòng)作，因而能可靠地輸出用于時(shí)鐘信號 等的輸出信號(矩形波)。20
權(quán)利要求
1.一種振蕩信號輸出電路，其特征在于，該振蕩信號輸出電路具有基準(zhǔn)振蕩信號放大電路，其對基準(zhǔn)振蕩信號進(jìn)行放大；振蕩信號調(diào)節(jié)電路，其去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直流成分，提取交流成分，從而作為多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出；偏置電壓生成電路，其向所調(diào)節(jié)的多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供多個(gè)偏置電壓；以及輸出信號生成電路，其對被提供了上述偏置電壓的多個(gè)上述調(diào)節(jié)振蕩信號進(jìn)行放大并生成輸出信號。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述偏 置電壓生成電路包含P型場效應(yīng)晶體管和電阻元件、以及N型場效應(yīng)晶 體管和電阻元件的組合中的至少一個(gè)組合。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述偏 置電壓生成電路包含P型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的N型場效應(yīng)晶 體管、以及N型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的P型場效應(yīng)晶體管的組合 中的至少一個(gè)組合。
4. 一種振蕩信號輸出電路，其特征在于，該振蕩信號輸出電路具有基準(zhǔn)振蕩信號放大電路，其對基準(zhǔn)振蕩信號進(jìn)行放大； 振蕩信號調(diào)節(jié)電路，其去除所放大的上述基準(zhǔn)振蕩信號的直流成分，提取交流成分，從而作為多個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號來輸出；第1偏置電壓生成電路，其向所調(diào)節(jié)的一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第1偏置電壓；第2偏置電壓生成電路，其向所調(diào)節(jié)的另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號提供第 2偏置電壓；以及輸出信號生成電路，其對被提供了上述第1偏置電壓的上述一個(gè)調(diào) 節(jié)振蕩信號以及被提供了上述第2偏置電壓的上述另一個(gè)調(diào)節(jié)振蕩信號進(jìn)行放大并生成輸出信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述第 1偏置電壓生成電路由第1 P型場效應(yīng)晶體管和第1電阻元件構(gòu)成，上述第2偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2電阻元件構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述第 1偏置電壓生成電路由上述第1P型場效應(yīng)晶體管和作為恒流源的第2 N 型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，上述第2偏置電壓生成電路由上述第1 N型場效 應(yīng)晶體管和作為恒流源的第2 P型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的振蕩信號輸出電路，其特 征在于，上述基準(zhǔn)振蕩信號放大電路的上述基準(zhǔn)振蕩信號使用石英振子 來進(jìn)行振蕩。
8. —種振蕩信號輸出電路，其特征在于，該振蕩信號輸出電路具有第1節(jié)點(diǎn)，其接收由振蕩部所振蕩的信號；第1電容單元，其連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第2節(jié)點(diǎn)之間；第2電容單元，其連接在上述第1節(jié)點(diǎn)和第3節(jié)點(diǎn)之間；第1偏置電壓生成電路，其與上述第2節(jié)點(diǎn)連接，并把第1偏置電壓提供給上述第2節(jié)點(diǎn)；第2偏置電壓生成電路，其與上述第3節(jié)點(diǎn)連接，并把第2偏置電壓提供給上述第3節(jié)點(diǎn)；以及輸出信號生成電路，其與上述第2節(jié)點(diǎn)、上述第3節(jié)點(diǎn)以及輸出節(jié) 點(diǎn)連接，并把與在上述第2節(jié)點(diǎn)和上述第3節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)的信號對應(yīng)的信號 輸出到上述輸出節(jié)點(diǎn)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述第 1偏置電壓生成電路由第1P型場效應(yīng)晶體管和第1恒流源構(gòu)成，上述第 2偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2恒流源構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述 第1偏置電壓生成電路由第1 P型場效應(yīng)晶體管和第1負(fù)載元件構(gòu)成，上 述第2偏置電壓生成電路由第1N型場效應(yīng)晶體管和第2負(fù)載元件構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的振蕩信號輸出電路，其特征在于，上述輸出信號生成電路具有第2 P型場效應(yīng)晶體管和第2 N型場效應(yīng)晶體 管，該第2 P型場效應(yīng)晶體管具有與上述第1P型場效應(yīng)晶體管的柵極和 漏極連接的柵極，該第2 N型場效應(yīng)晶體管具有與上述第1 N型場效應(yīng) 晶體管的柵極和漏極連接的柵極。
全文摘要
一種振蕩信號輸出電路，即使降低功耗其也能使輸出部的晶體管可靠地動(dòng)作并能可靠地輸出輸出信號。從偏置電路(110)向放大部(130)和振蕩部(120)施加偏置電壓而輸出振蕩信號，對振蕩信號的輸出信號(XTB)進(jìn)行電容耦合，使輸出信號(XTB)通過偏置電壓上升，生成輸出信號(XTP、XTN)。生成的輸出信號(XTP、XTN)輸入到輸出級(150)的PMOS晶體管(MP4A)和NMOS晶體管(MN4A)并使其工作。當(dāng)輸出信號(XTP、XTN)的電壓同時(shí)下降時(shí)電壓下降，電流也下降，因而輸出H側(cè)，當(dāng)輸出信號(XTP、XTN)的電壓同時(shí)上升時(shí)電壓上升，電流也上升，因而輸出L側(cè)。因此，輸出級(150)獲得大的增益而可靠動(dòng)作，閾值電壓偏差時(shí)，偏置電壓變化而可靠地輸出輸出信號。
文檔編號H03B1/00GK101257281SQ200810003059
公開日2008年9月3日 申請日期2008年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月2日
發(fā)明者井上雄一郎 申請人:沖電氣工業(yè)株式會社