半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法，包括：防靜電保護(hù)環(huán)，電路模塊，焊盤，各焊盤分別通過短接線與防靜電保護(hù)環(huán)短路連接；其中，防靜電保護(hù)環(huán)與各短接線連接的部分位于半導(dǎo)體面板的切割線外側(cè)，半導(dǎo)體面板內(nèi)的短接線上方的鈍化絕緣層中設(shè)置有用于露出短接線膜層的刻斷窗口。在面板制程過程中，電路模塊各點(diǎn)保持在同一電位，避免靜電擊傷；在面板制程結(jié)束前，刻斷短接線，以斷開焊盤與防靜電保護(hù)環(huán)的電性連接；在面板制程結(jié)束后，短接線位于半導(dǎo)體面板以外部分被割掉，以實(shí)現(xiàn)電路模塊與防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。本發(fā)明在保證靜電保護(hù)效果的前提下，大大提高了面板的可靠性。
【專利說明】
半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅(qū)動(dòng)面板或X射線傳感器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體面板工藝是將不同物質(zhì)的薄膜沉積在玻璃或者其他材質(zhì)的平板表面，并圖形化成各種電路以實(shí)現(xiàn)各種功能，例如液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)、X射線平板探測器面板的傳感功能等。但在半導(dǎo)體面板工藝制程過程中，由于并未接入任何電位，半導(dǎo)體面板上的各層金屬或其他的導(dǎo)電層之間、同層金屬的不同電路之間容易因?yàn)槊姘逯瞥讨须姾傻木植坷鄯e而產(chǎn)生放電現(xiàn)象，其造成的瞬時(shí)大電流會(huì)導(dǎo)致不同層電路之間短路或者將電路燒斷，即靜電擊傷。
[0003]為了防止此種靜電擊傷的發(fā)生，現(xiàn)有技術(shù)中提出一種有效的防靜電保護(hù)辦法，如圖1所示，半導(dǎo)體面板I包括多層金屬或?qū)щ妼訕?gòu)成的電路模塊11;焊盤12與所述電路模塊11連接，通過不同的焊盤12實(shí)現(xiàn)不同信號(hào)的傳輸;防靜電保護(hù)環(huán)2(Guard Ring)設(shè)置于所述半導(dǎo)體面板I的外側(cè)，所述防靜電保護(hù)環(huán)2為閉合或者半閉合的環(huán)狀電路;各焊盤12通過金屬連線連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2，實(shí)現(xiàn)所述電路模塊11中內(nèi)部電路與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的連接，避免內(nèi)部電路某層的某條線路因累積大量電荷造成尖端放電，也可以在環(huán)上將不同金屬層短接，消除不同金屬層的電勢差。而為了避免所述防靜電保護(hù)環(huán)2對(duì)最終產(chǎn)品功能的影響，通常在半導(dǎo)體面板制程工藝的末段或半導(dǎo)體面板切割階段，根據(jù)半導(dǎo)體面板的設(shè)計(jì)，所述電路模塊11將會(huì)與所述防靜電保護(hù)環(huán)2斷開，如圖1所示，所述半導(dǎo)體面板I的邊緣設(shè)置有切割線3，以實(shí)現(xiàn)所述半導(dǎo)體面板I的分割，所述電路模塊11將會(huì)與所述防靜電保護(hù)環(huán)2之間的金屬連線在切割所述半導(dǎo)體面板I的同時(shí)被切斷，以避免不同層金屬以及同層金屬不同線路之間的短路。
[0004]但是，該方法設(shè)計(jì)的防靜電保護(hù)環(huán)在斷開后導(dǎo)致半導(dǎo)體面板I在切割后存在較高的可靠性風(fēng)險(xiǎn)，如圖2所示，沿著所述切割線3將所述半導(dǎo)體面板I切割下來后，所述半導(dǎo)體面板I的切割邊緣處存在金屬連線的裸露斷面，若有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)件與所述半導(dǎo)體面板I的邊緣接觸，或者所述半導(dǎo)體面板I的邊緣有臟污，不同的金屬連線之間存在一定的短路風(fēng)險(xiǎn)，可能會(huì)因?yàn)閿嚅_不完全或者重新連接而導(dǎo)致所述半導(dǎo)體面板I內(nèi)不同層金屬以及同層金屬不同線路之間的短路。
[0005]如圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種防靜電保護(hù)辦法，所述防靜電保護(hù)環(huán)2設(shè)置于所述半導(dǎo)體面板I內(nèi)部的邊緣，為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述電路模塊11通過所述焊盤12與所述半導(dǎo)體面板I內(nèi)部的防靜電保護(hù)環(huán)2實(shí)現(xiàn)連接，避免內(nèi)部電路某層的某條線路因累積大量電荷造成尖端放電，也可以在環(huán)上將不同金屬層短接，消除不同金屬層的電勢差。而為了避免所述防靜電保護(hù)環(huán)2對(duì)最終產(chǎn)品功能的影響，通常在所述焊盤12與所述防靜電保護(hù)環(huán)2之間的金屬連線上的絕緣層上開設(shè)一排窗口 13將金屬連線裸露出來，利用半導(dǎo)體面板工藝制程結(jié)束前的最后一道金屬刻蝕工藝將所述窗口 13下方的金屬刻蝕干凈，從而實(shí)現(xiàn)所述電路模塊11與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的電性連接被斷開。
[0006]然而，該方法設(shè)計(jì)的防靜電保護(hù)環(huán)仍存在較高的可靠性風(fēng)險(xiǎn)，由于金屬連線被刻斷處存在較深的刻蝕坑，刻蝕副產(chǎn)物或工藝過程中的雜質(zhì)、臟污等易在其中聚集，易導(dǎo)致半導(dǎo)體面板工藝結(jié)束后的所述焊盤12與所述防靜電保護(hù)環(huán)2斷路不徹底，存在短路風(fēng)險(xiǎn)。
[0007]因此，如何在保證靜電保護(hù)效果的前提下，提高半導(dǎo)體面板的可靠性已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中電路模塊與防靜電保護(hù)環(huán)斷開后，半導(dǎo)體面板存在較高可靠性風(fēng)險(xiǎn)的問題。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括:
[0010]設(shè)置于電路區(qū)域外圍的防靜電保護(hù)環(huán)，所述電路區(qū)域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個(gè)焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護(hù)環(huán)短路連接;其中，所述防靜電保護(hù)環(huán)與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的切割線外側(cè)，所述短接線上層覆蓋有鈍化絕緣層，所述半導(dǎo)體面板內(nèi)的短接線上方的鈍化絕緣層中設(shè)置有用于露出各短接線膜層的刻斷窗口。
[0011]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體面板為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅(qū)動(dòng)面板或X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。
[0012]優(yōu)選地，所述防靜電保護(hù)環(huán)未與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的內(nèi)側(cè)。
[0013]更優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體面板內(nèi)側(cè)的防靜電保護(hù)環(huán)外接一固定電壓，為所述電路模塊提供穩(wěn)定電位。
[0014]優(yōu)選地，所述防靜電保護(hù)環(huán)未與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的外側(cè)。
[0015]優(yōu)選地，所述短接線位于基板上，包括一層或多層金屬或非金屬導(dǎo)電膜層，所述短接線的上層設(shè)置有鈍化絕緣層，通過刻蝕所述鈍化絕緣層以形成刻斷窗口。
[0016]更優(yōu)選地，所述鈍化絕緣層上還設(shè)置有導(dǎo)電膜層。
[0017]更優(yōu)選地，所述刻斷窗口為一個(gè)橫跨所有短接線的凹槽。
[0018]更優(yōu)選地，所述刻斷窗口為分別覆蓋各短接線的多個(gè)凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線的線寬。
[0019]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體面板的切割線位于所述半導(dǎo)體面板的邊緣。
[0020]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明還提供一種提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法，所述提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法至少包括:
[0021 ]在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，制備形成上述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過將電路模塊各點(diǎn)和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷；
[0022]在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束前，通過刻蝕將刻斷窗口內(nèi)的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護(hù)環(huán)的電性連接；
[0023]在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束后，沿著切割線將所述半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于所述半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊與所述防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。
[0024]如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法，具有以下有益效果:
[0025]本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)通過將靜電保護(hù)環(huán)與電路模塊連接的位置設(shè)計(jì)成拐到切割線以外，內(nèi)部電路模塊通過短接線跨過切割線連接到靜電保護(hù)環(huán)上；同時(shí)在半導(dǎo)體面板的切割線以內(nèi)短接線上方的絕緣層打開一個(gè)刻斷窗口將短接線裸露以便在面板制程結(jié)束前將其刻斷。
[0026]本發(fā)明的提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法利用面板工藝制程結(jié)束前的最后一道金屬或其他導(dǎo)電膜層(如ΙΤ0)刻蝕將刻斷窗口下方短接線刻蝕干凈，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部電路模塊與靜電保護(hù)環(huán)的電性連接被斷開;在面板工藝制程結(jié)束后，沿著切割線將半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，實(shí)現(xiàn)電路模塊與防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。
[0027]本發(fā)明在面板工藝制程期間保護(hù)內(nèi)部電路被靜電擊傷的同時(shí)，在面板工藝制程結(jié)束后減小面板不同線路之間短路的風(fēng)險(xiǎn)，大大提高了面板的可靠性。
【附圖說明】
[0028]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的一種防靜電保護(hù)環(huán)示意圖。
[0029]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的防靜電保護(hù)環(huán)可靠性低的原理示意圖。
[0030]圖3顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種防靜電保護(hù)環(huán)示意圖。
[0031]圖4顯示為本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式。
[0032]圖5顯示為本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施方式。
[0033]圖6?圖9顯示為本發(fā)明的短接線制備及刻斷的工藝流程示意圖。
[0034]元件標(biāo)號(hào)說明
[0035]I半導(dǎo)體面板
[0036]11電路模塊
[0037]12焊盤
[0038]13刻斷窗口
[0039]14短接線
[0040]15基板
[0041]16鈍化絕緣層
[0042]17導(dǎo)電膜層
[0043]2防靜電保護(hù)環(huán)
[0044]3切割線
【具體實(shí)施方式】
[0045]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0046]請(qǐng)參閱圖4?圖9。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0047]實(shí)施例一
[0048]如圖4所示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括:
[0049]設(shè)置于電路區(qū)域外圍的防靜電保護(hù)環(huán)2，所述電路區(qū)域包括電路模塊11及與所述電路模塊11連接的多個(gè)焊盤12，各焊盤12分別通過短接線14與所述防靜電保護(hù)環(huán)2短路連接;其中，所述防靜電保護(hù)環(huán)2與各短接線14連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板I的切割線3外側(cè)，述短接線14上層覆蓋有鈍化絕緣層16，所述半導(dǎo)體面板I內(nèi)的短接線14上方的鈍化絕緣層16中設(shè)置有用于露出各短接線所在膜層的刻斷窗口 13。
[0050]具體地，在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體面板I為X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。在實(shí)際應(yīng)用中，所述半導(dǎo)體面板I包括但不局限于平板顯示器面板或非晶硅平板探測器，還適用于各種其他平面電路，在此不一一贅述。
[0051 ]具體地，如圖4所示，在本實(shí)施例中，所述電路模塊11包括驅(qū)動(dòng)電路及TFT陣列，所述驅(qū)動(dòng)電路與TFT陣列的各Gate線連接，通過橫向的Gate線進(jìn)行像素讀取的開關(guān)控制;各焊盤12與TFT陣列的各Data線連接，通過豎向的Data線進(jìn)行像素電荷的讀取。各豎向的data線與所述焊盤12通過金屬線實(shí)現(xiàn)電性連接，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的輸出，每一根Data線與一焊盤12對(duì)應(yīng)，在本實(shí)施例中，僅顯示4組，在實(shí)際應(yīng)用中根據(jù)信號(hào)數(shù)量做具體設(shè)定。
[0052]具體地，如圖4所示，各焊盤12分別通過一短接線14與所述防靜電保護(hù)環(huán)2連接，在本實(shí)施例中，4組焊盤12對(duì)應(yīng)4組短接線14。所述焊盤12由一層或多層金屬構(gòu)成，構(gòu)成所述焊盤12的每一層金屬均通過短接線14連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2。
[0053]具體地，如圖7所示，所述短接線14位于基板15上，在本實(shí)施例中，所述基板15為玻璃。所述短接線14包括一層或多層金屬或非金屬導(dǎo)電膜層，所述短接線14的上層設(shè)置有鈍化絕緣層16，通過刻蝕所述鈍化絕緣層16以形成刻斷窗口 13。所述鈍化絕緣層16上還設(shè)置有導(dǎo)電膜層，其材質(zhì)為金屬或其他導(dǎo)電材料，在所述半導(dǎo)體面板I為X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板時(shí)，對(duì)應(yīng)地，所述導(dǎo)電膜層采用不透光的金屬作為光屏蔽層，用于保護(hù)所述基板15上不能受光照的器件(圖中未顯示)。
[0054]如圖4所示，所述刻斷窗口13位于所述半導(dǎo)體面板I內(nèi)，為分別覆蓋各短接線14的多個(gè)凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線14的線寬，以使得所述短接線14在后續(xù)刻蝕中被完全刻斷。在本實(shí)施例中，各短接線14上分別設(shè)置一刻斷窗口 13，在實(shí)際使用中，各短接線14上可分別設(shè)置多個(gè)刻斷窗口 13，刻斷窗口 13的數(shù)量越多則可靠性越高。
[0055]具體地，如圖4所示，所述半導(dǎo)體面板I的邊緣設(shè)置有切割線3，在所述半導(dǎo)體面板I制備完成后，通過沿所述切割線3進(jìn)行切割以將同一基板上的各半導(dǎo)體面板I分割下來，形成獨(dú)立的半導(dǎo)體面板I以應(yīng)用于不同產(chǎn)品。
[0056]具體地，如圖4所示，所述防靜電保護(hù)環(huán)2與各短接線14連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板I的切割線3外側(cè)，而未與各短接線14連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板I的內(nèi)側(cè)。因此，當(dāng)所述半導(dǎo)體面板I被沿著所述切割線3切割下來后，各短接線14與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的電性連接斷開，所述半導(dǎo)體面板I的內(nèi)側(cè)保留一環(huán)狀的防靜電保護(hù)環(huán)2，被保留下來的防靜電保護(hù)環(huán)2可外接一固定電壓，為所述電路模塊11提供穩(wěn)定電位。
[0057]具體地，如圖4所示，在本實(shí)施例中，由于所述電路模塊11中的各Data線通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2，實(shí)現(xiàn)了各Data線的短接，使各Data線處于同一電位，以使得在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，各Data線之間不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束前，通過將所述刻斷窗口 13內(nèi)的短接線14刻蝕掉，以斷開各焊盤12與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的電性連接，以恢復(fù)所述電路模塊11中各Data線的邏輯關(guān)系；同時(shí)，在切割所述半導(dǎo)體面板I時(shí)，沿著所述切割線3將所述半導(dǎo)體面板I切割下來，各短接線14位于所述半導(dǎo)體面板I以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊11與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的雙重電性隔離，在保證靜電保護(hù)效果的前提下，大大提高了半導(dǎo)體面板的可靠性。在實(shí)際使用中，所述電路模塊11中的不同信號(hào)線或不同金屬層連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2，以實(shí)現(xiàn)不同電路及不同金屬層之間的靜電保護(hù)，不以本實(shí)施例為限。此外，保留在所述半導(dǎo)體面板I中的防靜電保護(hù)環(huán)2可通過外接電壓，為所述電路模塊11提供穩(wěn)定的電位。
[0058]實(shí)施例二
[0059]如圖5所示，本實(shí)施例中提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一的不同之處在于，所述半導(dǎo)體面板I為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅(qū)動(dòng)面板;所述刻斷窗口13為一個(gè)橫跨所有短接線14的凹槽；同時(shí)，所述防靜電保護(hù)環(huán)2未與各短接線14連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板I的外側(cè)。
[0060]具體地，在所述半導(dǎo)體面板I為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅(qū)動(dòng)面板時(shí)，對(duì)應(yīng)地，所述鈍化絕緣層16上的導(dǎo)電膜層為具有阻斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線作用的ITO層(Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物)，可根據(jù)具體需求設(shè)置導(dǎo)電膜層的材質(zhì)，在此不--贅述。
[0061]具體地，如圖5所示，所述刻斷窗口13為一個(gè)橫跨所有短接線14的凹槽，所述凹槽完全覆蓋各短接線14，以使得各短接線14在后續(xù)刻蝕中被完全刻斷。在本實(shí)施例中，所述刻斷窗口 13為一條凹槽，在實(shí)際使用中，所述刻斷窗口 13可設(shè)置為多條橫跨所有短接線14的凹槽，凹槽的數(shù)量越多則可靠性越高。
[0062]具體地，如圖5所示，所述防靜電保護(hù)環(huán)2未與各短接線14連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板I的外側(cè)，當(dāng)所述半導(dǎo)體面板I被沿著所述切割線3切割下來后，所述半導(dǎo)體面板I中完全不存在所述防靜電保護(hù)環(huán)2。
[0063]具體地，如圖5所示，在本實(shí)施例中，由于所述電路模塊11中不同金屬層通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2，實(shí)現(xiàn)了各金屬層的短接，使各金屬層處于同一電位，以使得在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，各金屬層之間不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束前，通過將所述刻斷窗口 13內(nèi)的所有短接線14刻蝕掉，以斷開各焊盤12與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的電性連接，以恢復(fù)所述電路模塊11中各金屬層的邏輯關(guān)系；同時(shí)，在切割所述半導(dǎo)體面板I時(shí)，沿著所述切割線3將所述半導(dǎo)體面板I切割下來，各短接線14位于所述半導(dǎo)體面板I以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊11與所述防靜電保護(hù)環(huán)2的雙重電性隔離，在保證靜電保護(hù)效果的前提下，大大提高了半導(dǎo)體面板的可靠性。
[0064]實(shí)施例三
[0065]如圖4?圖9所示，本發(fā)明還提供一種提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法，所述提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法至少包括:
[0066]在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，制備形成所述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過將電路模塊各點(diǎn)和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷。
[0067]具體地，在基板15上逐層沉積不同物質(zhì)的薄膜以在電路區(qū)域形成電路模塊11及與其連接的焊盤12，在本實(shí)施例中，所述基板15為玻璃。同時(shí)，如圖6所示，在電路區(qū)域及防靜電保護(hù)環(huán)2之間的基板15上形成所述短接線14，在所述短接線14上形成鈍化絕緣層16;如圖7所示，通過光刻所述鈍化絕緣層16形成刻斷窗口 13，以露出所述短接線14所在膜層;如圖8所示，在所述鈍化絕緣層16及所述刻斷窗口 13內(nèi)形成導(dǎo)電膜層17，在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電膜層17作為光屏蔽層以保護(hù)不能受光照的器件。由于所述電路模塊11通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護(hù)環(huán)2，使所述電路模塊11中各點(diǎn)處于同一電位，在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。
[0068]在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束前，通過刻蝕將刻斷窗口內(nèi)的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護(hù)環(huán)的電性連接。
[0069]具體地，如圖9所示，對(duì)所述導(dǎo)電膜層17進(jìn)行刻蝕，在本實(shí)施例中，保留不能受光照區(qū)域的上方的導(dǎo)電膜層17，去除需要接受光照的區(qū)域的導(dǎo)電膜層17;在對(duì)所述導(dǎo)電膜層17進(jìn)行刻蝕的同時(shí)，通過所述刻斷窗口 13將所述短接線14完全刻斷，斷開各焊盤12與防靜電保護(hù)環(huán)2的電性連接。
[0070]在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束后，即切割所述半導(dǎo)體面板時(shí)，沿著切割線將所述半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于所述半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊與所述防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。
[0071]由此形成的半導(dǎo)體面板的電路模塊11與防靜電保護(hù)環(huán)2之間有兩處串聯(lián)的斷路點(diǎn)，只有當(dāng)這兩處斷路點(diǎn)由于不同的原因同時(shí)發(fā)生短路時(shí)，內(nèi)部線路才會(huì)發(fā)生短路現(xiàn)象，與現(xiàn)有技術(shù)中只有一處斷路點(diǎn)的兩種結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明中發(fā)生短路的概率顯著減小，半導(dǎo)體面板的可靠性得到了顯著提高。
[0072]如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法，具有以下有益效果:
[0073]本發(fā)明的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)通過將靜電保護(hù)環(huán)與電路模塊連接的位置設(shè)計(jì)成拐到切割線以外，內(nèi)部電路模塊通過短接線跨過切割線連接到靜電保護(hù)環(huán)上；同時(shí)在半導(dǎo)體面板的切割線以內(nèi)短接線上方的絕緣層打開一個(gè)刻斷窗口將短接線裸露便在面板制程結(jié)束前將其刻斷。
[0074]本發(fā)明的提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法利用面板工藝制程結(jié)束前的最后一道金屬或其他導(dǎo)電膜層(如ΙΤ0)刻蝕將刻斷窗口下方短接線刻蝕干凈，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部電路模塊與靜電保護(hù)環(huán)的電性連接被斷開;在面板工藝制程結(jié)束后，沿著切割線將半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，實(shí)現(xiàn)電路模塊與防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。
[0075]本發(fā)明在面板工藝制程期間保護(hù)內(nèi)部電路被靜電擊傷的同時(shí)，在面板工藝制程結(jié)束后減小面板不同線路之間短路的風(fēng)險(xiǎn)，大大提高了面板的可靠性。
[0076]綜上所述，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)及提高可靠性的方法，包括:設(shè)置于電路區(qū)域外圍的防靜電保護(hù)環(huán)，所述電路區(qū)域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個(gè)焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護(hù)環(huán)短路連接;其中，所述防靜電保護(hù)環(huán)與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的切割線外側(cè)，所述半導(dǎo)體面板內(nèi)的短接線上方的鈍化絕緣層中設(shè)置有用于露出各短接線的刻斷窗口。在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，制備形成上述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過將電路模塊各點(diǎn)和各膜層保持在同一電位以避免局部電荷聚集造成靜電擊傷;在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束時(shí)，通過刻蝕將刻斷窗口內(nèi)的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護(hù)環(huán)的電性連接;在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束后，沿著切割線將所述半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于所述半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊與所述防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。本發(fā)明在面板工藝制程期間保護(hù)內(nèi)部電路被靜電擊傷的同時(shí)，在面板工藝制程結(jié)束后減小面板不同線路之間短路的風(fēng)險(xiǎn)，大大提高了面板的可靠性。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0077]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)至少包括: 設(shè)置于電路區(qū)域外圍的防靜電保護(hù)環(huán)，所述電路區(qū)域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個(gè)焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護(hù)環(huán)短路連接;其中，所述防靜電保護(hù)環(huán)與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的切割線外側(cè)，所述短接線上層覆蓋有鈍化絕緣層，所述半導(dǎo)體面板內(nèi)的短接線上方的鈍化絕緣層中設(shè)置有用于露出各短接線膜層的刻斷窗口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述半導(dǎo)體面板為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅(qū)動(dòng)面板或X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防靜電保護(hù)環(huán)未與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的內(nèi)側(cè)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述半導(dǎo)體面板內(nèi)側(cè)的防靜電保護(hù)環(huán)外接一固定電壓，為所述電路模塊提供穩(wěn)定電位。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防靜電保護(hù)環(huán)未與各短接線連接的部分位于所述半導(dǎo)體面板的外側(cè)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述短接線位于基板上，包括一層或多層金屬或非金屬導(dǎo)電膜層，所述短接線的上層設(shè)置有鈍化絕緣層，通過刻蝕所述鈍化絕緣層以形成刻斷窗口。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鈍化絕緣層上還設(shè)置有導(dǎo)電膜層。8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述刻斷窗口為一個(gè)橫跨所有短接線的凹槽。9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述刻斷窗口為分別覆蓋各短接線的多個(gè)凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線的線寬。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述半導(dǎo)體面板的切割線位于所述半導(dǎo)體面板的邊緣。11.一種提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法，其特征在于，所述提高半導(dǎo)體面板可靠性的方法至少包括: 在半導(dǎo)體面板的工藝制程過程中，制備形成如權(quán)利要求1?10任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體面板的防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過將電路模塊各點(diǎn)和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷； 在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束前，通過刻蝕將刻斷窗口內(nèi)的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護(hù)環(huán)的電性連接； 在半導(dǎo)體面板的工藝制程結(jié)束后，沿著切割線將所述半導(dǎo)體面板切割下來，各短接線位于所述半導(dǎo)體面板以內(nèi)部分和以外部分被分割，以實(shí)現(xiàn)所述電路模塊與所述防靜電保護(hù)環(huán)的雙重電性隔離。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK106057782SQ201610634370
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月4日 公開號(hào)201610634370.X, CN 106057782 A, CN 106057782A, CN 201610634370, CN-A-106057782, CN106057782 A, CN106057782A, CN201610634370, CN201610634370.X
【發(fā)明人】朱翀煜, 金利波, 方志強(qiáng)
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