半導體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體封裝件及其制法，尤指一種內(nèi)埋有板體的半導體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導體技術(shù)的演進，已開發(fā)出半導體產(chǎn)品的不同封裝產(chǎn)品型態(tài)，而為了追求半導體封裝件的輕薄短小，因而發(fā)展出一種晶片尺寸封裝件(Chip Scale Package, CSP),其特征在于此種晶片尺寸封裝件僅具有與晶片尺寸相等或略大的尺寸。
[0003]圖1A至圖1D所示者，為現(xiàn)有半導體封裝件的制法的剖視圖。
[0004]如圖1A所示，提供一第一承載板10，并于其上依序形成離型層11與第一粘著層12。
[0005]如圖1B所示，于該第一粘著層12上以覆晶方式設(shè)置多個具有相對的作用面13a與非作用面13b的半導體晶片13，令該半導體晶片13以其作用面13a接置于該第一粘著層12上。
[0006]如圖1C所示，于該第一粘著層12上形成封裝膠體14，以包覆該等半導體晶片13，并經(jīng)過固化(curing)步驟以使該封裝膠體14固化，該封裝膠體14具有連接該第一粘著層12的第一表面14a及與其相對的第二表面14b。
[0007]如圖1D所示，于該封裝膠體14的第二表面14b上依序接置第二粘著層15與第二承載板16，并移除該第一承載板10、離型層11與第一粘著層12，以外露該第一表面14a與作用面13a。
[0008]最后，于該第一表面與作用面上形成電性連接該半導體晶片的線路重布層，再移除該第二承載板，并進行切單步驟，以得到多個半導體封裝件。(未圖示此步驟)
[0009]惟，于前述現(xiàn)有半導體封裝件的制程中，對封裝膠體進行固化步驟后，因封裝膠體的熱膨脹系數(shù)與第一承載板的熱膨脹系數(shù)差異過大，所以會產(chǎn)生翹曲(warpage)現(xiàn)象(如圖1D所示)，因此必須額外貼附第二承載板，以平衡應力并減小翹曲程度，之后方可于半導體晶片的作用面及封裝膠體的第一表面上形成線路重布層，然而這樣會增加整體制程成本及時間。
[0010]因此，如何避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實為目前業(yè)界所急需解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的目的為提供一種半導體封裝件及其制法，能有效增進結(jié)構(gòu)強度，以防止半導體封裝件翹曲。
[0012]本發(fā)明的半導體封裝件包括:板體；半導體晶片，其具有相對的作用面與非作用面，且以其非作用面接置于該板體上；以及封裝膠體，其包覆該板體與半導體晶片，且該封裝膠體具有相對的第一表面與第二表面，該第一表面外露該半導體晶片的作用面。
[0013]于前述的半導體封裝件中，還包括線路重布層，其形成于該第一表面上，且電性連接該半導體晶片，并包括多個導電元件，其形成于該線路重布層上。
[0014]于本發(fā)明中，該板體為氧化鋁板，該板體還具有貫穿的圖案化通口，且該封裝膠體還填入該圖案化通口中，又該圖案化通口用于使該板體呈網(wǎng)狀，該封裝膠體的側(cè)表面與該板體的側(cè)表面齊平。
[0015]本發(fā)明還提供一種半導體封裝件的制法，包括:于一承載板上設(shè)置具有相對的作用面與非作用面的半導體晶片，令該半導體晶片以其作用面接置于該承載板上；于該半導體晶片的非作用面上接置板體；于該承載板上形成封裝膠體，以包覆該板體與半導體晶片，該封裝膠體具有連接該承載板的第一表面及與其相對的第二表面；以及移除該承載板，以外露該半導體晶片的作用面與該封裝膠體的第一表面。
[0016]于前述的半導體封裝件的制法中，還包括于該外露的第一表面上形成電性連接該半導體晶片的線路重布層，于形成該線路重布層之后，還包括進行切單步驟，且于進行該切單步驟之后，該封裝膠體的側(cè)表面與該板體的側(cè)表面齊平，并包括于該線路重布層上形成多個導電元件，且該板體為氧化鋁板。
[0017]本發(fā)明的半導體封裝件的制法中，該板體還具有貫穿的圖案化通口，且該封裝膠體還填入該圖案化通口中，該圖案化通口用于使該板體呈網(wǎng)狀，又于設(shè)置該半導體晶片之前，該承載板上還依序形成有離型層與粘著層，令該半導體晶片以其作用面接置于該粘著層上，且移除該承載板還包括移除該離型層與粘著層。
[0018]由上可知，本發(fā)明通過于半導體晶片的非作用面上接置板體，以平衡應力、增加整體結(jié)構(gòu)強度與提高半導體晶片的散熱效果，使得半導體封裝件于固化步驟后不會翹曲，且無須接置與移除第二個承載板，故可減少制程時間與成本，增加生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0019]圖1A至圖1D所示者為現(xiàn)有半導體封裝件的制法的剖視圖。
[0020]圖2A至圖2F所示者為本發(fā)明的半導體封裝件的制法的剖視圖，其中，圖2C’為圖2C的板體的俯視圖。
[0021]符號說明
[0022]10第一承載板
[0023]11、21 離型層
[0024]12第一粘著層
[0025]13,23 半導體晶片
[0026]13a、23a 作用面
[0027]13b,23b 非作用面
[0028]14、25 封裝膠體
[0029]14a、25a 第一表面
[0030]14b、25b 第二表面
[0031]15第二粘著層
[0032]16第二承載板
[0033]20承載板
[0034]22粘著層
[0035]24板體
[0036]240圖案化通口
[0037]26線路重布層
[0038]27導電元件。
【具體實施方式】
[0039]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0040]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的用語也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0041]圖2A至圖2F所示者，為本發(fā)明的半導體封裝件的制法的剖視圖。
[0042]如圖2