發(fā)光二極管封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置封裝方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED)具有重量輕、體 積小、污染低、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域 當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。
[0003] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，通常包括具有金屬導(dǎo)電線路以及反射杯結(jié)構(gòu)的引線 框架、設(shè)置在引線框架的反射杯結(jié)構(gòu)內(nèi)并電連接至金屬導(dǎo)電線路的發(fā)光二極管芯片、以及 填充在反射杯結(jié)構(gòu)內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝體。制作該種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)時(shí)， 通常事先制備導(dǎo)電銅板，然后通過嵌入成型（Insert Molding)工藝注塑聚對(duì)苯二酰對(duì)苯二 胺（PPA)塑料，使得導(dǎo)電銅板嵌入PPA塑料而形成具有反射杯結(jié)構(gòu)的引線框架，繼而將發(fā)光 二極管晶粒置入反射杯結(jié)構(gòu)內(nèi)并電連接至導(dǎo)電銅板，最后向反射杯結(jié)構(gòu)內(nèi)填充封裝材料并 固化封裝材料形成封裝體。
[0004] 該種制造方法中"向反射杯結(jié)構(gòu)內(nèi)置入發(fā)光二極管晶粒"的步驟需要將發(fā)光二極 管晶粒與導(dǎo)電銅板進(jìn)行對(duì)位，耗費(fèi)時(shí)間而影響生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種高效率的發(fā)光二極管封裝方法。
[0006] -種發(fā)光二極管封裝方法，包括步驟：第一步，提供一具有粘性的薄膜層并將多個(gè) 發(fā)光二極管晶粒設(shè)置在薄膜層上，各發(fā)光二極管晶粒的兩個(gè)電極均貼設(shè)在薄膜層上；第二 步，形成一封裝層在薄膜層上并使封裝層覆蓋所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒；第三步，在每兩個(gè) 相鄰的發(fā)光二極管晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個(gè)切割道貫穿封裝層并止于薄膜 層，從而每兩個(gè)相鄰的切割道之間形成一個(gè)發(fā)光二極管單元，每個(gè)發(fā)光二極管單元包括一 個(gè)發(fā)光二極管晶粒和覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的封裝層；第四步，移除薄膜層，以獲得多個(gè)分 離的發(fā)光二極管單元。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述封裝方法采用薄膜層支撐發(fā)光二極管晶粒，然后進(jìn)行封裝 層的設(shè)置，無需采用傳統(tǒng)技術(shù)中的引線框架，能夠避免傳統(tǒng)封裝技術(shù)中將發(fā)光二極管與引 線框架的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)位所產(chǎn)生的時(shí)間耗費(fèi)、還能簡化發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)、降低成 本。
[0008] 下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【附圖說明】
[0009] 圖1至圖6為本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝方法示意圖。
[0010] 圖7為本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝方法制作出的發(fā)光二極管單元結(jié) 構(gòu)示意圖。 toon] 主要元件符號(hào)說明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光二極管封裝方法，包括以下步驟： 第一步，提供一具有粘性的薄膜層并將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒設(shè)置在薄膜層上，各發(fā)光 二極管晶粒的兩個(gè)電極均貼設(shè)在薄膜層上； 第二步，形成一封裝層在薄膜層上并使封裝層覆蓋所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒； 第三步，在每兩個(gè)相鄰的發(fā)光二極管晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個(gè)切割道 貫穿封裝層并止于薄膜層，從而每兩個(gè)相鄰的切割道之間形成一個(gè)發(fā)光二極管單元，每個(gè) 發(fā)光二極管單元包括一個(gè)發(fā)光二極管晶粒和覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的封裝層； 第四步，移除薄膜層，以獲得多個(gè)分離的發(fā)光二極管單元。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述薄膜層為UV薄膜或聚 酰亞胺薄膜。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述第一步將多個(gè)發(fā)光二 極管晶粒通過覆晶方式設(shè)置在薄膜層上。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述第二步通過涂布、印 刷、壓膜或轉(zhuǎn)模的方法使封裝層覆蓋所述薄膜層設(shè)有發(fā)光二極管晶粒的表面上。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝方法，包括步驟：第一步，提供一具有粘性的薄膜層并將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒設(shè)置在薄膜層上，各發(fā)光二極管晶粒的兩個(gè)電極均貼設(shè)在薄膜層上；第二步，形成一封裝層在薄膜層上并使封裝層覆蓋所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒；第三步，在每兩個(gè)相鄰的發(fā)光二極管晶粒之間切割封裝層以形成切割道，多個(gè)切割道貫穿封裝層并止于薄膜層，從而每兩個(gè)相鄰的切割道之間形成一個(gè)發(fā)光二極管單元，每個(gè)發(fā)光二極管單元包括一個(gè)發(fā)光二極管晶粒和覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的封裝層；第四步，移除薄膜層，以獲得多個(gè)分離的發(fā)光二極管單元。
【IPC分類】H01L33-48
【公開號(hào)】CN104752583
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310747520
【發(fā)明人】張書修, 陳濱全, 陳隆欣, 曾文良
【申請(qǐng)人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月31日