一種陣列基板的制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體地說，涉及一種陣列基板的制備方法。
【背景技術】
[0002] 在陣列基板的制作過程中，為了減少曝光次數(shù)，工程人員常使用半曝光技術。利用 半曝光技術，可僅通過一道光罩（Mask)、同時對兩層以上的待處理材料進行圖案化處理，從 而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0003] 但是受到材料和曝光工藝的制約，半曝光技術后殘留的光刻膠層的厚度及過度坡 度通常不易控制，這樣可能造成光刻膠層的部分保留區(qū)域出現(xiàn)鏤空等不良現(xiàn)象。進而降低 了光刻膠層對下層待處理材料的掩蔽性，使得待處理材料經(jīng)過刻蝕工藝后形成的結(jié)構與預 設定的不符。降低了半曝光技術的成功率，降低了陣列基板的良品率，提高了陣列基板的生 產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制備方法，提高了半曝光技術的成功率， 并且提高了陣列基板的良品率。
[0005] 本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，包括：
[0006] 形成待刻蝕的導電層；
[0007] 在所述導電層之上形成絕緣層，在所述絕緣層之上形成光刻膠層；
[0008] 進行半色調(diào)光罩工藝或灰色調(diào)光罩工藝，去除所述光罩的完全透光區(qū)域?qū)?絕緣層，并去除部分透光區(qū)域?qū)墓饪棠z層、減小所述部分透光區(qū)域?qū)慕^緣層的厚 度；
[0009] 去除所述絕緣層未覆蓋區(qū)域的導電層，形成所述導電層的結(jié)構；
[0010] 去除剩余的光刻膠層以及所述部分透光區(qū)域?qū)慕^緣層。
[0011] 其中，去除所述光罩的完全透光區(qū)域?qū)墓饪棠z層和絕緣層，并去除部分透光 區(qū)域?qū)墓饪棠z層、減小所述部分透光區(qū)域?qū)慕^緣層的厚度包括：
[0012] 通過干刻工藝，去除所述光罩的完全透光區(qū)域?qū)慕^緣層，并去除部分透光區(qū) 域?qū)墓饪棠z層、減小所述部分透光區(qū)域?qū)慕^緣層的厚度。
[0013] 其中，去除所述絕緣層未覆蓋區(qū)域的導電層，形成所述導電層的結(jié)構包括：
[0014] 通過濕刻工藝，去除所述絕緣層未覆蓋區(qū)域的導電層，形成所述導電層的結(jié)構。
[0015] 其中，所述導電層的材質(zhì)為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化銦鎵鋅。
[0016] 其中，所述陣列基板的驅(qū)動采用邊緣場開關技術，所述導電層為所述陣列基板上 的公共電極層。
[0017] 其中，所述絕緣層的材質(zhì)為硅、硅的氮化物或硅的氧化物。
[0018] 其中，所述導電層的材質(zhì)為金屬或金屬氧化物。
[0019] 其中，所述部分透光區(qū)域的光強透過率為30%?50%。
[0020] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，該 制備方法中采用絕緣層作為刻蝕導電層的掩膜，降低了對半曝光技術后所形成的光刻膠層 的部分保留區(qū)域的質(zhì)量要求。此時即使光刻膠層的部分保留區(qū)域出現(xiàn)鏤空等不良現(xiàn)象，也 不易影響到絕緣層對下層待刻蝕的導電層的掩蔽性，保證了刻蝕后導電層可以形成與預設 定相符的結(jié)構，保證了半曝光技術的成功率，提高了陣列基板的良品率。
[0021] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利 要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0023] 圖1是本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0024] 圖2至7是本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構示意圖。
[0025] 附圖標記說明：
[0026] 1-導電層； 2-絕緣層； 3-下層結(jié)構；
[0027] 4一源極； 5-漏極； 6-有機層；
[0028] 7-光刻膠層； 8-光罩； 81-完全透光區(qū)域；
[0029] 82-部分透光區(qū)域； 83-不透光區(qū)域； 9 一平坦層；
[0030] 10-像素電極層； 11 一觸控層金屬線。
【具體實施方式】
[0031] 以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用 技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明 的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0032] 本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，本發(fā)明實施例中以采用邊緣場開關技術 (FringeFieldSwitching，簡稱FFS)進行驅(qū)動的陣列基板為例進行說明。FFS的核心技 術特性可簡單描述為：通過同一平面內(nèi)狹縫狀像素電極邊緣所產(chǎn)生的電場，使狹縫狀電極 間以及電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生平面旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶層的透光效 率。FFS技術可以提高液晶顯示器的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高 開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0033] 具體的，本陣列基板的制備方法以構成該陣列基板的公共電極層及位于其上的絕 緣層2的圖案為例進行說明。如圖1所示，該陣列基板的制備方法包括：
[0034] 步驟S101、形成待刻蝕的導電層。
[0035] 本發(fā)明實施例的技術方案中，該導電層1為該陣列基板的公共電極層，因此該導 電層1的材質(zhì)可選為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化銦鎵鋅等透明導電材質(zhì)。
[0036] 在形成該待刻蝕的導電層1之前，如圖2所示，需在該陣列基板的襯底結(jié)構上形成 包括薄膜晶體管（ThinFilmTransistor，簡稱TFT)的柵極、柵極絕緣層、有源層等結(jié)構的 下層結(jié)構3,之后在該下層結(jié)構3上形成該薄膜晶體管的源極4和漏極5。由于漏極5需要 電連接至陣列基板的像素電極，在漏極5之上的有機層6形成有對應漏極5的過孔。
[0037] 之后，在所形成的有機層6之上，形成本實施例中的作為公共電極層的、待刻蝕的 導電層1。可通過采用濺射或熱蒸發(fā)的方式沉積形成厚度大致為100A?1000A的導電層1。
[0038] 步驟S102、在導電層之上形成絕緣層，在絕緣層之上形成光刻膠層。
[0039] 本發(fā)明實施例中，導電層1及位于其之上的絕緣層2可在同一次半色調(diào)光罩工藝 或灰色調(diào)光罩工藝中進行圖案化處理。因此，如圖3所示，在導電層1之上形成絕緣層2之 后，形成覆蓋絕緣層2的光刻膠層7。
[0040] 步驟S103、進行半色調(diào)光罩工藝或灰色調(diào)光罩工藝，去除光罩的完全透光區(qū)域?qū)?應的絕緣層，并去除部分透光區(qū)域?qū)墓饪棠z層、減小部分透光區(qū)域?qū)慕^緣層的厚 度。
[0041] 形成光刻膠層7之后，可利用半色調(diào)光罩工藝或灰色調(diào)光罩工藝，同時對該陣列 基板的導電層1和絕緣層2進行圖案化處理。
[0042] 如圖4所示，在經(jīng)過半色調(diào)光罩工藝或灰色調(diào)光罩工藝后，對陣列基板進行顯影 處理，光刻膠層7會形成對應光罩8的完全透光區(qū)域81的不保留區(qū)、對應部分透光區(qū)域82 的部分保留區(qū)、對應不透光區(qū)域83的完全保留區(qū)。其中，光罩8的部分透光區(qū)域82的光強 透過率大約為30%?50%，所形成的光刻膠的完全保留區(qū)域和部分保留區(qū)域的厚度比可 為4:1左右。
[0043] 之后，可通過干刻工藝，去除光罩8的完全透光區(qū)域81對應的絕緣層2,并去除部 分透光區(qū)域82對應的光刻膠層7、減小部分透光區(qū)域82對應的絕緣層2的厚度。其中，由 于光刻膠層7和絕緣層2的材質(zhì)不同，因此光刻膠層7和絕緣層2需要利用不同的氣體進 行干刻處理。
[0044] 在本發(fā)明實施例中，由于此時光罩8的完全透光區(qū)域81對