本技術(shù)屬于太陽能電池，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)電池。

背景技術(shù)：

1、異質(zhì)結(jié)電池(hjt)是一種利用晶體硅片和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池，具有制備過程簡單、工藝溫度低、開路電壓高、光電轉(zhuǎn)換效率高、溫度系數(shù)低等諸多優(yōu)點(diǎn)，是目前應(yīng)用最廣的高效晶硅太陽能技術(shù)之一。

2、異質(zhì)結(jié)電池受光面的tco層中由于寄生吸收而產(chǎn)生的光學(xué)損耗主要來自于短波吸收和自由載流子吸收，且tco層隨著其導(dǎo)電性的增加而變得不透明，通過增加載流子濃度來提高其導(dǎo)電性都會增加其近紅外光的吸收。此外，受光面的非晶硅層帶隙較小也會產(chǎn)生嚴(yán)重的光學(xué)寄生吸收。傳統(tǒng)量產(chǎn)的異質(zhì)結(jié)電池的受光面和背光面為均為全面積鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其受光面的本征非晶硅層、摻雜非晶/微晶硅層和tco層存在大量的寄生吸收，短路電流密度(jsc)較低，限制了電池效率的提升。為了充分挖掘異質(zhì)結(jié)電池的光電性能潛力，需盡量減少寄生吸收。

3、因此，針對上述技術(shù)問題，有必要提供一種異質(zhì)結(jié)電池。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種異質(zhì)結(jié)電池，以降低電池受光面對光的寄生吸收，提高電池效率。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

3、一種異質(zhì)結(jié)電池，所述異質(zhì)結(jié)電池包括硅片、第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第一電極及第二電極，所述硅片包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于部分第一表面上的第一本征層、第一摻雜層和第一透明導(dǎo)電層，所述第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于全部第二表面上的第二本征層、第二摻雜層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一電極與第一透明導(dǎo)電層電接觸，所述第二電極與第二透明導(dǎo)電層電接觸。

4、一實(shí)施例中，所述第一表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)層疊于第一表面中第一區(qū)域上。

5、一實(shí)施例中，所述第一電極在第一表面上的投影位于第一區(qū)域內(nèi)部或與第一區(qū)域重疊。

6、一實(shí)施例中，所述第一電極覆蓋于全部或部分第一透明導(dǎo)電層上，所述第二電極覆蓋于部分第二透明導(dǎo)電層上。

7、一實(shí)施例中，所述第一電極為柵線電極，包括多個(gè)沿第一方向分布的主柵線和/或多個(gè)沿第二方向分布的副柵線，所述第一區(qū)域包括多個(gè)沿第一方向分布的第一子區(qū)域和/或多個(gè)沿第二方向分布的第二子區(qū)域，其中，所述第一子區(qū)域的寬度大于或等于主柵線的寬度，所述第二子區(qū)域的寬度大于或等于副柵線的寬度。

8、一實(shí)施例中，所述異質(zhì)結(jié)電池還包括層疊于全部或部分第一表面中第二區(qū)域上的減反層。

9、一實(shí)施例中，所述減反層為sinx減反層；和/或，

10、所述減反層的厚度為70nm～85nm；和/或，

11、所述減反層的折射率為1.9～2.1；和/或，

12、所述減反層的折射率由內(nèi)向外逐漸減小。

13、一實(shí)施例中，所述硅片為n型摻雜或p型摻雜；和/或，

14、所述硅片的第一表面和/或第二表面上形成有陷光結(jié)構(gòu)。

15、一實(shí)施例中，所述第一本征層為本征非晶硅層和/或本征微晶硅層；和/或，

16、所述第一本征層的厚度為5nm～8nm；和/或，

17、所述第一摻雜層為非晶硅層和/或微晶硅層，摻雜類型與硅片的摻雜類型相同；和/或，

18、所述第一摻雜層的厚度為28nm～35nm；和/或，

19、所述第二本征層為本征非晶硅層和/或本征微晶硅層；和/或，

20、所述第二本征層的厚度為5nm～8nm；和/或，

21、所述第二摻雜層為非晶硅層和/或微晶硅層，摻雜類型與硅片的摻雜類型反；和/或，

22、所述第二摻雜層的厚度為30nm～40nm。

23、一實(shí)施例中，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為80nm～100nm；和/或，

24、所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為80nm～100nm；和/或，

25、所述第一透明導(dǎo)電層為ito透明導(dǎo)電層、vtto透明導(dǎo)電層、iwo透明導(dǎo)電層中的一種或多種的組合；和/或，

26、所述第二透明導(dǎo)電層為ito透明導(dǎo)電層、vtto透明導(dǎo)電層、iwo透明導(dǎo)電層中的一種或多種的組合。

27、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

28、本實(shí)用新型中的異質(zhì)結(jié)電池受光面為局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)，降低電池受光面透明導(dǎo)電層、本征層及摻雜層對光的寄生吸收，大幅提高了電池效率。

技術(shù)特征：

1.一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)電池包括硅片、第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第一電極及第二電極，所述硅片包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于部分第一表面上的第一本征層、第一摻雜層和第一透明導(dǎo)電層，所述第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于全部第二表面上的第二本征層、第二摻雜層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一電極與第一透明導(dǎo)電層電接觸，所述第二電極與第二透明導(dǎo)電層電接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)層疊于第一表面中第一區(qū)域上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一電極在第一表面上的投影位于第一區(qū)域內(nèi)部或與第一區(qū)域重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一電極覆蓋于全部或部分第一透明導(dǎo)電層上，所述第二電極覆蓋于部分第二透明導(dǎo)電層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一電極為柵線電極，包括多個(gè)沿第一方向分布的主柵線和/或多個(gè)沿第二方向分布的副柵線，所述第一區(qū)域包括多個(gè)沿第一方向分布的第一子區(qū)域和/或多個(gè)沿第二方向分布的第二子區(qū)域，其中，所述第一子區(qū)域的寬度大于或等于主柵線的寬度，所述第二子區(qū)域的寬度大于或等于副柵線的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)電池還包括層疊于全部或部分第一表面中第二區(qū)域上的減反層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述減反層為sinx減反層；和/或，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述硅片為n型摻雜或p型摻雜；和/或，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一本征層為本征非晶硅層和/或本征微晶硅層；和/或，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為80nm～100nm；和/或，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種異質(zhì)結(jié)電池，所述異質(zhì)結(jié)電池包括硅片、第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)、第一電極及第二電極，所述硅片包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于部分第一表面上的第一本征層、第一摻雜層和第一透明導(dǎo)電層，所述第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊于全部第二表面上的第二本征層、第二摻雜層和第二透明導(dǎo)電層，所述第一電極與第一透明導(dǎo)電層電接觸，所述第二電極與第二透明導(dǎo)電層電接觸。本技術(shù)中的異質(zhì)結(jié)電池受光面為局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)，降低電池受光面透明導(dǎo)電層、本征層及摻雜層對光的寄生吸收，大幅提高了電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員：張強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240205
技術(shù)公布日：2024/10/21