本申請涉及芯片封裝，特別是一種電子芯片封裝方法及芯片封裝件。

背景技術(shù)：

1、電子封裝是集成電路制造中的重要環(huán)節(jié)，其主要功能是保護(hù)半導(dǎo)體芯片，防止物理損傷和環(huán)境影響，同時(shí)為芯片提供電氣連接。

2、傳統(tǒng)的芯片結(jié)構(gòu)多為上下電極，這種芯片通過打線鍵合的方式與外部電路連接，從而進(jìn)行封裝。然而，這種封裝方式存在一些問題，如可靠性不高以及導(dǎo)熱性差等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于所述問題，提出了本申請以便提供克服所述問題或者至少部分的解決所述問題的一種電子芯片封裝方法及芯片封裝件，包括：

2、一種電子芯片封裝方法，所述芯片包括相對設(shè)置的第一電極和第二電極，所述方法包括：

3、在載板表面制備導(dǎo)電層，并將所述芯片放置在所述導(dǎo)電層表面；其中，所述第一電極和所述第二電極分別與所述導(dǎo)電層垂直；

4、在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并進(jìn)行曝光和顯影，使所述感光材料的目標(biāo)區(qū)域露出；其中，所述感光材料的高度低于所述芯片的高度；

5、通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域和所述電極表面制備電極引線框架；

6、除去所述導(dǎo)電層、所述感光材料和所述載板，并通過模具將所述電極引線框架壓合形成引腳，得到芯片預(yù)封裝件；

7、往所述芯片預(yù)封裝件的周側(cè)灌注封裝膠，得到目標(biāo)芯片封裝件。

8、進(jìn)一步地，所述在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并進(jìn)行曝光和顯影，使所述感光材料的目標(biāo)區(qū)域露出的步驟，包括：

9、在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并在所述感光材料的上方放置光罩；

10、對所述感光材料進(jìn)行曝光，使發(fā)生光聚合反應(yīng)的所述感光材料固化形成感光材料層；

11、通過顯影去除未發(fā)生光聚合反應(yīng)的所述感光材料，露出所述目標(biāo)區(qū)域；其中，所述目標(biāo)區(qū)域靠近所述電極。

12、進(jìn)一步地，所述通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域和所述電極表面制備電極引線框架的步驟，包括：

13、通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域生長引線框架，并同時(shí)在所述電極表面生長電極，得到所述電極引線框架。

14、進(jìn)一步地，通過模具將所述電極引線框架壓合形成引腳，得到芯片預(yù)封裝件的步驟，包括：

15、通過模具壓合所述電極引線框架的引線框架，使所述電極引線框架形成所述引腳。

16、進(jìn)一步地，所述往所述芯片預(yù)封裝件的周側(cè)灌注封裝膠，得到目標(biāo)芯片封裝件的步驟，包括：

17、將所述芯片預(yù)封裝件放置在封裝載板表面，并向所述封裝載板周側(cè)灌注所述封裝膠；

18、將所述封裝膠烘干固化；

19、除去所述封裝載板，切割得到所述目標(biāo)芯片封裝件。

20、進(jìn)一步地，所述將所述封裝膠烘干固化的步驟，包括：

21、在60-160℃下對所述封裝膠進(jìn)行烘干處理。

22、進(jìn)一步地，所述封裝膠的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi樹脂、pe樹脂和pt樹脂中的一種或幾種。

23、進(jìn)一步地，所述增材制造方式包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、濺射、蒸發(fā)、電鍍和化學(xué)鍍中的一種或幾種。

24、進(jìn)一步地，所述感光材料包括光致抗蝕劑、感光型聚酰亞胺樹脂、感光型溶膠凝膠或其混合物或組合物、以及phtes、n－甲基-2-吡咯烷酮和聚甲基丙烯酸甲酯的混合溶液中的一種或幾種。

25、一種芯片封裝件，包括芯片預(yù)封裝件和包裹所述芯片預(yù)封裝件的封裝膠層；

26、所述芯片預(yù)封裝件包括芯片和電極引線框架，所述芯片包括相對設(shè)置的兩個(gè)電極，所述電極引線框架與所述電極電連接，將所述電極從所述封裝膠層引出。

27、本申請具有以下優(yōu)點(diǎn)：

28、在本申請的實(shí)施例中，相對于現(xiàn)有技術(shù)中的打線鍵合的封裝方式可靠性不高以及導(dǎo)熱性差的問題，本申請?zhí)峁┝送ㄟ^增材制造方式將電極引出的解決方案，具體為：在載板表面制備導(dǎo)電層，并將所述芯片放置在所述導(dǎo)電層表面；其中，所述第一電極和所述第二電極分別與所述導(dǎo)電層垂直；在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并進(jìn)行曝光和顯影，使所述感光材料的目標(biāo)區(qū)域露出；其中，所述感光材料的高度低于所述芯片的高度；通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域和所述電極表面制備電極引線框架；除去所述導(dǎo)電層、所述感光材料和所述載板，并通過模具將所述電極引線框架壓合形成引腳，得到芯片預(yù)封裝件；往所述芯片預(yù)封裝件的周側(cè)灌注封裝膠，得到目標(biāo)芯片封裝件。本發(fā)明采用上下電極的芯片橫向放置，利用增材制造方式將電極引出，大大提高了封裝的可靠性和導(dǎo)熱性，同時(shí)本發(fā)明避免了打線工藝的逐一操作方法，可以同時(shí)操作批量生產(chǎn)，提升了生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)特征：

1.一種電子芯片封裝方法，所述芯片包括相對設(shè)置的第一電極和第二電極，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并進(jìn)行曝光和顯影，使所述感光材料的目標(biāo)區(qū)域露出的步驟，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域和所述電極表面制備電極引線框架的步驟，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通過模具將所述電極引線框架壓合形成引腳，得到芯片預(yù)封裝件的步驟，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述往所述芯片預(yù)封裝件的周側(cè)灌注封裝膠，得到目標(biāo)芯片封裝件的步驟，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述將所述封裝膠烘干固化的步驟，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述封裝膠的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi樹脂、pe樹脂和pt樹脂中的一種或幾種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述增材制造方式包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、濺射、蒸發(fā)、電鍍和化學(xué)鍍中的一種或幾種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述感光材料包括光致抗蝕劑、感光型聚酰亞胺樹脂、感光型溶膠凝膠或其混合物或組合物、以及phtes、n－甲基-2-吡咯烷酮和聚甲基丙烯酸甲酯的混合溶液中的一種或幾種。

10.一種芯片封裝件，其特征在于，包括芯片預(yù)封裝件和包裹所述芯片預(yù)封裝件的封裝膠層；

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N電子芯片封裝方法及芯片封裝件，包括在載板表面制備導(dǎo)電層，并將所述芯片放置在所述導(dǎo)電層表面；其中，所述第一電極和所述第二電極分別與所述導(dǎo)電層垂直；在所述導(dǎo)電層的表面涂覆感光材料，并進(jìn)行曝光和顯影，使所述感光材料的目標(biāo)區(qū)域露出；其中，所述感光材料的高度低于所述芯片的高度；通過增材制造方式在所述目標(biāo)區(qū)域和所述電極表面制備電極引線框架；除去所述導(dǎo)電層、所述感光材料和所述載板，并通過模具將所述電極引線框架壓合形成引腳，得到芯片預(yù)封裝件；往所述芯片預(yù)封裝件的周側(cè)灌注封裝膠，得到目標(biāo)芯片封裝件。本發(fā)明采用上下電極的芯片橫向放置，利用增材制造方式將電極引出，大大提高了封裝的可靠性和導(dǎo)熱性。

技術(shù)研發(fā)人員：祁山,申廣,何懿德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳瑞沃微半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10