實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及具有旋轉(zhuǎn)底座的半導(dǎo)體處理工具。

背景技術(shù)：

1、旋轉(zhuǎn)底座在半導(dǎo)體制造環(huán)境中被使用，以便提供能夠在工具中處理的基板上實(shí)現(xiàn)高度均勻結(jié)果的工具。在現(xiàn)有工具中，旋轉(zhuǎn)底座可包括靜電吸附電極和偏壓電極。偏壓電極可以無線配置電耦接到固定板。例如，固定板可以電容耦接到偏壓電極。因此，省略了跨越導(dǎo)體的任何直接電耦接，并且偏壓電極隨底座自由旋轉(zhuǎn)。

2、此外，靜電吸附電極可以由穿過旋轉(zhuǎn)底座的軸承組件的電流供電。這有助于在旋轉(zhuǎn)底座的同時(shí)向吸附電極提供功率。例如，可以從直流電源汲取功率并將功率路由至軸承組件。電流流過軸承組件，隨后通過設(shè)置在底座下方的軸內(nèi)部的吸附電源線路由至吸附電極。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文公開的實(shí)施例包括靜電吸盤。在實(shí)施例中，靜電吸盤包括：底座，所述底座具有支撐表面以及與支撐表面相對的第二表面，支撐表面用于支撐基板；吸附電極，所述吸附電極在底座內(nèi)。在實(shí)施例中，偏壓電極在底座內(nèi)，加熱元件在底座內(nèi)。在實(shí)施例中，靜電吸盤進(jìn)一步包括：軸，所述軸耦接至底座的第二表面；以及旋轉(zhuǎn)組件，所述旋轉(zhuǎn)組件耦接至軸以旋轉(zhuǎn)軸與底座。

2、實(shí)施例可進(jìn)一步包括半導(dǎo)體工具。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體工具包括：腔室；第一軸，所述第一軸穿過腔室，其中第一軸與腔室之間的擋板密封腔室。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體工具進(jìn)一步包括：第二軸，所述第二軸在第一軸內(nèi)；以及底座，所述底座在腔室內(nèi)的第二軸的第一端之上。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體工具進(jìn)一步包括：旋轉(zhuǎn)組件，所述旋轉(zhuǎn)組件耦接至第二軸以相對于第一軸旋轉(zhuǎn)第二軸與底座。

3、實(shí)施例可進(jìn)一步包括半導(dǎo)體工具，所述半導(dǎo)體工具包括腔室，以及腔室內(nèi)的底座。在實(shí)施例中，底座包括吸附電極、偏壓電極和加熱元件。在實(shí)施例中，第一軸穿過腔室的底部，第二軸穿過腔室的底部并且在第一軸內(nèi)。在實(shí)施例中，底座耦接到第二軸。在實(shí)施例中，擋板在第一軸的一部分和腔室之間以密封腔室。在實(shí)施例中，真空饋通件在第二軸的與底座相對的一端，并且射頻(rf)旋轉(zhuǎn)饋通件在真空饋通件下方。

技術(shù)特征：

1.一種靜電吸盤，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述旋轉(zhuǎn)組件是磁性驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)組件。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述軸旋轉(zhuǎn)所述底座、所述吸附電極、所述偏壓電極與所述加熱設(shè)備。

4.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述加熱元件包括電阻加熱元件。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述加熱元件包括多個(gè)燈。

6.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述靜電吸盤至少部分地在腔室內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的靜電吸盤，其中所述軸在不旋轉(zhuǎn)的外部軸內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的靜電吸盤，其中所述軸的所述內(nèi)部被配置成處于大氣壓力，并且軸與所述外部軸的所述內(nèi)部之間的空間被配置成處于真空壓力。

9.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，進(jìn)一步包括：

10.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中七根導(dǎo)線沿著所述軸往上延伸以接觸所述吸附電極、所述偏壓電極與所述加熱元件。

11.如權(quán)利要求10所述的靜電吸盤，其中所述導(dǎo)線耦接至滑環(huán)連接器以便允許所述導(dǎo)線旋轉(zhuǎn)。

12.一種半導(dǎo)體工具，包括：

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體工具，其中所述旋轉(zhuǎn)組件是磁性驅(qū)動組件。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體工具，其中第一磁體附接至所述第二軸，并且其中第二磁體磁性耦接至所述第一磁體，并且其中所述第二磁體在所述第一軸外部。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體工具，進(jìn)一步包括在所述第一軸和所述第二軸下方的旋轉(zhuǎn)電饋通件。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體工具，其中所述旋轉(zhuǎn)電饋通件是滑環(huán)饋通件。

17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體工具，其中導(dǎo)電線從所述旋轉(zhuǎn)電饋通件穿過到所述底座中的部件。

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體工具，其中所述底座中的所述部件包括吸附電極、偏壓電極以及加熱元件。

19.一種半導(dǎo)體工具，包括：

20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體工具，其中所述rf旋轉(zhuǎn)饋通件是滑環(huán)饋通件。

技術(shù)總結(jié)
本文公開的實(shí)施例包括靜電吸盤。在實(shí)施例中，靜電吸盤包括：底座，所述底座具有支撐表面以及與支撐表面相對的第二表面，支撐表面用于支撐基板；吸附電極，所述吸附電極在底座內(nèi)。在實(shí)施例中，偏壓電極在底座內(nèi)，加熱元件在底座內(nèi)。在實(shí)施例中，靜電吸盤進(jìn)一步包括：軸，所述軸耦接至底座的第二表面；以及旋轉(zhuǎn)組件，所述旋轉(zhuǎn)組件耦接至軸以旋轉(zhuǎn)軸與底座。

技術(shù)研發(fā)人員：A·薩布萊曼尼,郭飏,S·法澤里,R·桑達(dá),A·R·科特拉帕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21