本揭露涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、電子行業(yè)已經(jīng)歷對(duì)更小且更快的電子裝置的持續(xù)增大的需求，所述多個(gè)電子裝置同時(shí)能夠支持更大數(shù)目個(gè)日益錯(cuò)綜且復(fù)雜的功能。因此，在半導(dǎo)體行業(yè)中存在制造低成本、高效能及低功率集成電路(integrated?circuit，ic)的延續(xù)趨勢。迄今為止，需求已通過按比例縮小半導(dǎo)體ic尺寸(例如，最小特征大小)且借此改良生產(chǎn)效率及減低關(guān)聯(lián)成本被大部分滿足。然而，此類縮放亦已向半導(dǎo)體制造工藝引入增大的復(fù)雜性。因此，半導(dǎo)體ic及裝置中繼續(xù)進(jìn)步的實(shí)現(xiàn)要求半導(dǎo)體制造工藝及技術(shù)中的類似進(jìn)步。

2、多柵極裝置已在通過增大柵極通道耦合來改良柵極控制、減小關(guān)斷狀態(tài)電流并減小短通道效應(yīng)(short-channel?effect，sce)的努力中被引入。已引入的一個(gè)此類多柵極裝置是鰭片場效晶體管(fin?field-effect?transistor，finfet)。finfet自鰭片狀結(jié)構(gòu)獲得其名稱，該鰭片狀結(jié)構(gòu)自鰭片狀結(jié)構(gòu)形成于上面的基板延伸，且鰭片狀結(jié)構(gòu)用以形成fet通道。部分引入以解決與finfet相關(guān)聯(lián)的效能挑戰(zhàn)的另一多柵極裝置為全環(huán)繞柵極(gate-all-around，gaa)晶體管。gaa裝置自柵極結(jié)構(gòu)獲得其名稱，該柵極結(jié)構(gòu)完全圍繞通道延伸，從而相較于finfet提供更好靜電控制。finfet裝置及gaa裝置與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary?metal-oxide-semiconductor，cmos)工藝相容。另外，此類裝置的三維結(jié)構(gòu)允許裝置積極地縮放，同時(shí)維持柵極控制且減輕sce。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本揭露的一些實(shí)施方式提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含以下步驟：形成由一隔離材料分離的多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)及該隔離材料上方沉積一高k材料，其中該高k材料包括位于多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)下部部分及位于所述多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)上方的一上部部分；在該高k材料上方沉積一頂蓋層；及執(zhí)行一化學(xué)機(jī)械平坦化工藝以移除該頂蓋層及該高k材料的該上部部分且界定多個(gè)高k絕緣區(qū)段。

2、本揭露的一些實(shí)施方式提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含以下步驟：形成一鰭片結(jié)構(gòu)；形成側(cè)向相鄰于該鰭片結(jié)構(gòu)的一高k隔離區(qū)，其中該高k隔離區(qū)具有一上表面；及移除該鰭片結(jié)構(gòu)的一頂部層以形成具有一最上表面的該鰭片結(jié)構(gòu)，該最上表面位于該高k隔離區(qū)的該上表面下方的一高度處。

3、本揭露的一些實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包含：一半導(dǎo)體鰭片結(jié)構(gòu)；位于該半導(dǎo)體鰭片結(jié)構(gòu)上方的一柵極結(jié)構(gòu)；及側(cè)向相鄰于該半導(dǎo)體鰭片結(jié)構(gòu)的一氧化鉿隔離區(qū)。

技術(shù)特征：

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包含以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中沉積該高k材料的步驟包含以下步驟：形成一多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由多個(gè)氧化鉿層及多個(gè)插入的均勻性改良層組成。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該化學(xué)機(jī)械平坦化工藝包含：

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含以下步驟：

5.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包含以下步驟：

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中一鰭片結(jié)構(gòu)包含一第一鰭片材料及一第二鰭片材料的多個(gè)交替層，且其中該方法進(jìn)一步包含以下步驟：

7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中：

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中：

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中：

技術(shù)總結(jié)
本揭露提供半導(dǎo)體裝置及其制造方法。一種例示性方法包括：形成由一隔離材料分離的多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)及隔離材料上方沉積一高k材料，其中該高k材料包括位于多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)下部部分及位于所述多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)上方的一上部部分；在該高k材料上方沉積一地形改良頂蓋層；執(zhí)行一化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)工藝以移除該頂蓋層及該高k材料的該上部部分且界定多個(gè)高k絕緣區(qū)段。

技術(shù)研發(fā)人員：黃罡,卓登明,潘婉君,孫旭昌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21