發(fā)光二極管像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法以及顯示面板，用于實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償。所述AMOLED像素單元電路包括發(fā)光模塊；用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊的驅(qū)動(dòng)模塊；用于控制發(fā)光模塊發(fā)光的發(fā)光控制模塊；用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償?shù)拈撝笛a(bǔ)償模塊；用于給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓寫入模塊以及用于將閾值補(bǔ)償模塊初始化的初始化模塊。
【專利說明】發(fā)光二極管像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示面板【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種發(fā)光二極管像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode, AMOLED)顯示裝置以其超薄、抗震性能好、可視角度大、響應(yīng)時(shí)間短、低溫性好、發(fā)光效率高、可制成柔性顯示器等多種優(yōu)點(diǎn)，逐漸受到人們的關(guān)注。圖1(a)是現(xiàn)有技術(shù)中的N型薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)驅(qū)動(dòng)有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)基本像素電路結(jié)構(gòu)，圖 1(b)是現(xiàn)有技術(shù)中的P型TFT驅(qū)動(dòng)AMOLED基本像素電路結(jié)構(gòu)。圖1 (a)和圖1 (b)中的VDATA為數(shù)據(jù)電平信號(hào)，VSCAN為掃描信號(hào)，VDD為高電壓電平信號(hào)，VSS為低電壓電平信號(hào)，Tl、T2為薄膜晶體管，Cl為電容，Dl為發(fā)光二極管，圖1(a)和圖1(b)中的電路適用于所有類型晶體管，包括耗盡型TFT，但該像素電路不具有閾值電壓補(bǔ)償功能，不能解決由于工藝均勻性導(dǎo)致的閾值電壓均一性問題和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLEDWK動(dòng)發(fā)光均一'I"生問題。
[0003]氧化物TFT是大尺寸AMOLED的發(fā)展方向，氧化物TFT的器件特性大都具有耗盡型的特點(diǎn)，即N型閾值電壓為負(fù)。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中N型耗盡TFT的Ids-Vgs特性曲線，其中，Ids為TFT漏極與源極之間的電流，Vgs為TFT柵極與源極之間的電壓。由圖2可以看出N型耗盡TFT的最大特點(diǎn)是閾值電壓小于O。
[0004]圖3 (a)為現(xiàn)有技術(shù)中常見具有閾值電壓補(bǔ)償功能的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tl的柵極為g,源極為s,漏極為d, C為存儲(chǔ)電容,Dl為發(fā)光二極管，VINI為初始電平信號(hào)，VDD為高電壓電平信號(hào)，VSS為低電壓電平信號(hào)，DATA為數(shù)據(jù)電平信號(hào)，Gn分別為薄膜晶體管T2和T4的柵極控制信號(hào)，Glri為薄膜晶體管T5的柵極控制信號(hào)，EM分別為薄膜晶體管T3和T6的柵極控制信號(hào)，在電壓編程階段，如圖3 (b)所示，首先切斷Tl與高電壓電平信號(hào)VDD和低電壓電平信號(hào)VSS的聯(lián)系，將存儲(chǔ)電容接Tl柵極g的一端充電至初始電平電壓Vini，存儲(chǔ)電容接Tl源極s的一端充電至數(shù)據(jù)電平電壓VDATA，然后將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tl的柵極g與漏極d連接(即，使圖3 Ca)中的晶體管T4導(dǎo)通)組成二極管連接方式進(jìn)行放電，即將存儲(chǔ)電容兩端電壓由Vin1-Vdata放電至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tl亞閾導(dǎo)通狀態(tài)VTH。其中，Vth表示Tl的閾值電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為一般增強(qiáng)型特性時(shí)，閾值電壓為正，如圖4 (a)所示，存儲(chǔ)電容兩端電壓可以正常放電至Vth，實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償。但是，當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為耗盡型特性時(shí)，閾值電壓為負(fù)，如圖4 (b)所示，存儲(chǔ)電容兩端電壓通過二極管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電時(shí)，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源漏電壓變?yōu)榱憬刂箷r(shí)，依然未放電達(dá)到亞閾導(dǎo)通狀態(tài)，即存儲(chǔ)電容兩端電壓為0，而不是Vth (VTH〈0)，因此，像素驅(qū)動(dòng)閾值電壓補(bǔ)償失效，其中圖4 (a)和圖4 (b)中的Vds表示TFT漏極與源極之間的電壓。
[0005]綜上所述，耗盡型TFT若采用傳統(tǒng)N型TFT的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，在采用二極管連接方式補(bǔ)償閾值電壓時(shí)，由于閾值電壓為負(fù)值，TFT進(jìn)入亞閾飽和截止之前，源漏電壓為零而提前截止，從而失去閾值電壓補(bǔ)償功能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法，以及顯示面板，用于實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償功能。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路，包括發(fā)光模塊、驅(qū)動(dòng)模塊、發(fā)光控制模塊、閾值補(bǔ)償模塊、數(shù)據(jù)電壓寫入模塊和初始化模塊；其中，
[0008]驅(qū)動(dòng)模塊，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊；
[0009]發(fā)光控制模塊，用于選通發(fā)光模塊以使所述發(fā)光模塊發(fā)光；
[0010]閾值補(bǔ)償模塊，用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；
[0011]數(shù)據(jù)電壓寫入模塊，用于給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓；
[0012]初始化模塊，用于將閾值補(bǔ)償模塊初始化。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括所述AMOLED像素單元電路。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述像素單元電路包括所述的有源矩陣發(fā)光二極管像素單元電路，所述方法包括下述步驟:
[0015]初始化步驟，對(duì)閾值補(bǔ)償模塊進(jìn)行初始化；
[0016]數(shù)據(jù)寫入和閾值補(bǔ)償步驟，給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓并對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；
[0017]顯示步驟，發(fā)光模塊在驅(qū)動(dòng)管漏電流驅(qū)動(dòng)下顯示發(fā)光。
[0018]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法以及顯示面板中，所述AMOLED像素單元電路包括發(fā)光模塊；用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊的驅(qū)動(dòng)模塊；用于控制發(fā)光模塊發(fā)光的發(fā)光控制模塊；用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償?shù)拈撝笛a(bǔ)償模塊；用于給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓寫入模塊以及用于將閾值補(bǔ)償模塊初始化的初始化模塊，通過改進(jìn)預(yù)充電方式，使驅(qū)動(dòng)TFT柵極固定設(shè)置為低于高電平的數(shù)據(jù)電平，從而在補(bǔ)償階段，源漏電壓為零之前就進(jìn)入亞閾飽和截止?fàn)顟B(tài)，實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1 (a)、圖1 (b)是現(xiàn)有技術(shù)中的AMOLED基本像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中耗盡型TFT電流-電壓特性曲線圖；
[0021]圖3 (a)、圖3 (b)是現(xiàn)有技術(shù)中常見具有閾值電壓補(bǔ)償功能的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路不意圖；
[0022]圖4 Ca)是現(xiàn)有技術(shù)中電路增強(qiáng)型TFT閾值電壓補(bǔ)償示意圖；圖4 (b)是現(xiàn)有技術(shù)中電路耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償失效示意圖；
[0023]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償?shù)腁MOLED像素單元電路不意圖；
[0024]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償?shù)腁MOLED像素單元電路的控制信號(hào)的時(shí)序圖；
[0025]圖7 (a)、圖7 (b)、圖7 (C)是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償?shù)腁MOLED像素單元電路的工作原理示意圖；
[0026]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)的示意圖；
[0027]圖9是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種耗盡型TFT閾值電壓補(bǔ)償?shù)腁MOLED像素單元電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法，以及顯示面板，用于實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償功能。
[0029]下面給出本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案的詳細(xì)介紹。
[0030]實(shí)施例一:
[0031]參見圖5，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路，包括:發(fā)光模塊50、驅(qū)動(dòng)模塊51、發(fā)光控制模塊52、閾值補(bǔ)償模塊53、數(shù)據(jù)電壓寫入模塊54和初始化模塊55 ;其中，
[0032]驅(qū)動(dòng)模塊51，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊50 ；
[0033]發(fā)光控制模塊52,用于控制發(fā)光模塊50是否發(fā)光；
[0034]閾值補(bǔ)償模塊53，用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊51進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；
[0035]數(shù)據(jù)電壓寫入模塊54，用于給驅(qū)動(dòng)模塊51輸入數(shù)據(jù)電壓；
[0036]初始化模塊55,用于將閾值補(bǔ)償模塊53初始化。
[0037]較佳地，所述驅(qū)動(dòng)模塊51包括第一晶體管Tl，其柵極與所述電路的第一節(jié)點(diǎn)NI連接，另外兩極分別與所述電路的第二節(jié)點(diǎn)N2和高電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)高電壓電平信號(hào)VDD)連接；其中，所述第一節(jié)點(diǎn)NI為所述驅(qū)動(dòng)模塊51與所述發(fā)光控制模塊52和所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊54的共同連接點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)N2為所述驅(qū)動(dòng)模塊51、所述發(fā)光控制模塊52、所述閾值補(bǔ)償模塊53和所述初始化模塊55的共同連接點(diǎn)。
[0038]較佳地，所述發(fā)光控制模塊52包括第二晶體管T2和第六晶體管T6，其中，第二晶體管T2的柵極與第二控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第二控制信號(hào)S2)連接，另外兩極分別與第一節(jié)點(diǎn)NI和第三節(jié)點(diǎn)N3連接；第六晶體管T6的柵極與第二控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第二控制信號(hào)S2)連接，另外兩極分別與第二節(jié)點(diǎn)N2和發(fā)光模塊50連接；其中，所述第三節(jié)點(diǎn)N3為所述初始化模塊55與所述發(fā)光控制模塊52和所述閾值補(bǔ)償模塊53的共同連接點(diǎn)。
[0039]較佳地，所述發(fā)光模塊50包括發(fā)光二極管Dl,其陽極與所述發(fā)光控制模塊52連接，陰極與低電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)低電壓電平信號(hào)VSS )連接。
[0040]較佳地，所述發(fā)光二極管Dl為有機(jī)發(fā)光二極管。
[0041]較佳地，所述閾值補(bǔ)償模塊53包括存儲(chǔ)電容Cl，其一端與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，另一端與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接。
[0042]較佳地，所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊54包括第三晶體管T3，其中，第三晶體管T3的柵極與第一控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第一控制信號(hào)SI)連接，另外兩極分別與所述第一節(jié)點(diǎn)NI和數(shù)據(jù)信號(hào)線(對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電平信號(hào)VDATA)連接；[0043]較佳地，所述初始化模塊55包括第四晶體管T4和第五晶體管T5，其中第四晶體管T4的柵極與第一控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第一控制信號(hào)SI)連接，另外兩極分別與高電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)高電壓電平信號(hào)VDD)和所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接；第五晶體管T5的柵極與第三控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第三控制信號(hào)S3)連接，另外兩極分別與所述第二節(jié)點(diǎn)N2和數(shù)據(jù)信號(hào)線(對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電平信號(hào)VDATA)連接。
[0044]較佳地，所述晶體管Tl、T2、T3、T4、T5和T6均為N型薄膜晶體管。
[0045]下面結(jié)合圖6、圖7 (a)、圖7 (b)和圖7 (C)說明本發(fā)明實(shí)施例一提供的AMOLED像素單元電路的工作原理。
[0046]如圖6所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED像素單元電路的控制信號(hào)的時(shí)序圖，其中，SI和S2為極性相反的控制信號(hào)，S3為初始化控制信號(hào)。該AMOLED像素單元電路的工作包括三個(gè)階段:初始化階段a、數(shù)據(jù)寫入和閾值補(bǔ)償階段b和OLED發(fā)光顯示階段C。
[0047]初始化階段a:如圖6和圖7 (a)所示，第一控制信號(hào)SI和第三控制信號(hào)，即初始化控制信號(hào)S3為高電平，第二控制信號(hào)S2為低電平，DATA為數(shù)據(jù)電平信號(hào)VDATA，其電壓稱為灰階電壓VDATA(VSS〈VDATA〈VDD)，其中Vss為低電壓電平信號(hào)VSS的電壓，Vdd為高電壓電平信號(hào)VDD的電壓，晶體管T3、T4和Τ5導(dǎo)通，晶體管Τ2和Τ6截止。晶體管Tl的柵極充電至Vdata，存儲(chǔ)電容Cl接晶體管Tl源極端充電至Vdata,另一端充電為VDD，則存儲(chǔ)電容Cl兩端電壓為 Vdd-Vdai^
[0048]數(shù)據(jù)寫入和閾值補(bǔ)償階段b:如圖6和圖7(b)所示，SI為高電平，S2和S3為低電平，晶體管T3和T4導(dǎo)通，晶體管T2、T5和Τ6截止。晶體管Tl柵極保持為VDATA，由于VTH〈0，存儲(chǔ)電容Cl兩端電壓依然通過晶體管Tl充電直至Tl亞閾飽和截止，即Tl的源極電平為Vdata-Vth,其中，Vth表示Tl 的閾值電壓。而存儲(chǔ)電容Cl另一端仍然保持為VDD，則存儲(chǔ)電容Cl 兩端電壓為 Vdd- (Vdata-Vth) =Vdd-Vdata+Vth。
[0049]OLED發(fā)光顯示階段c:如圖6和圖7 (0)所示，52為高電平，SI和S3為低電平，晶體管T3、T4和Τ5截止，晶體管Τ2和Τ6導(dǎo)通，晶體管Tl柵源電壓為VDD_VDATA+VTH，因此，晶體
管Tl漏電流為ulMV^-V.A+Vm-V^f^k^Vm-VD.)2，其中，k為預(yù)設(shè)常數(shù)，發(fā)
光二極管Dl在晶體管Tl漏電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光顯示，同時(shí)晶體管Tl漏電流與閾值電壓無關(guān)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)Tl閾值電壓的補(bǔ)償。
[0050]由于上述TI漏電流與閾值電壓無關(guān)，可見本發(fā)明實(shí)施例提供的耗盡型TFT能夠?qū)崿F(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償，如圖8所示，圖8中的Vds表示TFT漏極與源極之間的電壓。
[0051]實(shí)施例二:
[0052]參見圖9，本發(fā)明實(shí)施例提供的另外一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單兀電路，包括:發(fā)光模塊80、驅(qū)動(dòng)模塊81、發(fā)光控制模塊82、閾值補(bǔ)償模塊83、數(shù)據(jù)電壓寫入模塊84和初始化模塊85 ;其中，
[0053]驅(qū)動(dòng)模塊81，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊80 ；
[0054]發(fā)光控制模塊82，用于控制發(fā)光模塊80是否發(fā)光；
[0055]閾值補(bǔ)償模塊83，用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊81進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；
[0056]數(shù)據(jù)電壓寫入模塊84，用于給驅(qū)動(dòng)模塊81輸入數(shù)據(jù)電壓；
[0057]初始化模塊85，用于將閾值補(bǔ)償模塊83初始化。[0058]較佳地，所述驅(qū)動(dòng)模塊81包括第一晶體管Tl，其柵極與所述電路的第一節(jié)點(diǎn)NI連接，另外兩極分別與所述電路的第二節(jié)點(diǎn)N2和高電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)高電壓電平信號(hào)VDD)連接；其中，所述第一節(jié)點(diǎn)NI為所述驅(qū)動(dòng)模塊81與所述發(fā)光控制模塊82和所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊84的共同連接點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)N2為所述驅(qū)動(dòng)模塊81、所述發(fā)光控制模塊82、所述閾值補(bǔ)償模塊83和所述數(shù)據(jù)初始化模塊85的共同連接點(diǎn)。
[0059]較佳地，所述發(fā)光控制模塊82包括第二晶體管T2和第六晶體管T6，其中，第二晶體管T2的柵極與第二控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第二控制信號(hào)S2)連接，另外兩極分別與第一節(jié)點(diǎn)NI和第三節(jié)點(diǎn)N3連接；第六晶體管T6的柵極與第二控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第二控制信號(hào)S2)連接，另外兩極分別與第二節(jié)點(diǎn)N2和發(fā)光模塊80連接；其中，所述第三節(jié)點(diǎn)N3為所述初始化模塊55與所述發(fā)光控制模塊82和所述閾值補(bǔ)償模塊83的共同連接點(diǎn)。
[0060]較佳地，所述發(fā)光模塊80包括發(fā)光二極管Dl，其一端與所述發(fā)光控制模塊82連接，另一端與低電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)低電壓電平信號(hào)VSS)連接。
[0061]較佳地，所述閾值補(bǔ)償模塊83包括存儲(chǔ)電容Cl，其一端與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，另一端與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接。
[0062]較佳地，所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊84包括第三晶體管T3，其中，第三晶體管T3的柵極與第一控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第一控制信號(hào)SI)連接，另外兩極分別與所述第一節(jié)點(diǎn)NI和數(shù)據(jù)信號(hào)線(對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電平信號(hào)VDATA)連接；
[0063]較佳地，所述初始化模塊85包括第四晶體管T4和第五晶體管T5，其中第四晶體管T4的柵極與第一控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第一控制信號(hào)SI)連接，另外兩極分別與高電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)高電壓電平信號(hào)VDD)和所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接；第五晶體管T5的柵極與第三控制信號(hào)線(對(duì)應(yīng)AMOLED像素單元電路第三控制信號(hào)S3)連接，另外兩極分別與所述第二節(jié)點(diǎn)N2和低電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)低電壓電平信號(hào)VSS)連接。
[0064]較佳地，所述發(fā)光二極管Dl的陽極與所述第六晶體管T6連接，陰極與低電壓電平信號(hào)線(對(duì)應(yīng)低電壓電平信號(hào)VSS)連接。
[0065]較佳地，所述晶體管Tl、T2、T3、T4、T5和T6均為N型薄膜晶體管。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例二提供的電路的工作原理與本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路的工作原理相同，區(qū)別僅在于初始化時(shí)將電容Cl接晶體管Tl源極的一端充電至不同的電壓，故在此不予贅述。
[0067]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括所述AMOLED像素單元電路。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述像素單元電路包括所述的有源矩陣發(fā)光二極管像素單元電路，所述方法包括下述步驟:
[0069]初始化步驟，對(duì)閾值補(bǔ)償模塊進(jìn)行初始化；
[0070]數(shù)據(jù)寫入和閾值補(bǔ)償步驟，給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓并對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；
[0071]顯示步驟，發(fā)光模塊在驅(qū)動(dòng)管漏電流驅(qū)動(dòng)下顯示發(fā)光。
[0072]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管AMOLED像素單元電路、其驅(qū)動(dòng)方法以及顯示面板中，所述AMOLED像素單元電路包括發(fā)光模塊；用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊的驅(qū)動(dòng)模塊；用于控制發(fā)光模塊發(fā)光的發(fā)光控制模塊；用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償?shù)拈撝笛a(bǔ)償模塊；用于為閾值補(bǔ)償模塊充電的充電模塊以及用于給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓寫入模塊，通過改進(jìn)預(yù)充電方式，使驅(qū)動(dòng)TFT柵極固定設(shè)置為低于高電平的數(shù)據(jù)電平，從而在補(bǔ)償階段，源漏電壓為零之前就進(jìn)入亞閾飽和截止?fàn)顟B(tài)，實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償。
[0073]盡管上述實(shí)施例中，以有機(jī)發(fā)光二極管為例進(jìn)行了說明，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，上述像素電路可以應(yīng)用于其他發(fā)光二極管(例如無機(jī)發(fā)光二極管)的驅(qū)動(dòng)，而不僅限于有機(jī)發(fā)光二極管。
[0074]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有源矩陣發(fā)光二極管像素單元電路，其特征在于，包括:發(fā)光模塊、驅(qū)動(dòng)模塊、發(fā)光控制模塊、閾值補(bǔ)償模塊、數(shù)據(jù)電壓寫入模塊和初始化模塊；其中， 驅(qū)動(dòng)模塊，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊； 發(fā)光控制模塊，用于選通發(fā)光模塊以使所述發(fā)光模塊發(fā)光； 閾值補(bǔ)償模塊，用于對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償； 數(shù)據(jù)電壓寫入模塊，用于給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓； 初始化模塊，用于將閾值補(bǔ)償模塊初始化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一晶體管，其柵極與所述電路的第一節(jié)點(diǎn)連接，另外兩極分別與所述電路的第二節(jié)點(diǎn)和高電壓電平信號(hào)線連接；其中，所述第一節(jié)點(diǎn)為所述驅(qū)動(dòng)模塊與所述發(fā)光控制模塊和所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊的共同連接點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)為所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述發(fā)光控制模塊、所述閾值補(bǔ)償模塊和所述初始化模塊的共同連接點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊包括第二晶體管和第六晶體管，其中，第二晶體管的柵極與第二控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)連接；第六晶體管的柵極與第二控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與第二節(jié)點(diǎn)和發(fā)光模塊連接；其中，所述第三節(jié)點(diǎn)為所述初始化模塊與所述發(fā)光控制模塊和所述閾值補(bǔ)償模塊的共同連接點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括發(fā)光二極管，其陽極與所述發(fā)光控制模塊連接，陰極與低電壓電平信號(hào)線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述發(fā)光二極管為有機(jī)發(fā)光二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述閾值補(bǔ)償模塊包括存儲(chǔ)電容，其一端與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，另一端與所述第三節(jié)點(diǎn)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)電壓寫入模塊包括第三晶體管，其中，第三晶體管的柵極與第一控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與所述第一節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述初始化模塊包括第四晶體管和第五晶體管，所述第四晶體管的柵極與第一控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與高電壓電平信號(hào)線和所述第三節(jié)點(diǎn)連接；第五晶體管的柵極與第三控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與所述第二節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)線連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述初始化模塊包括第四晶體管和第五晶體管，所述第四晶體管的柵極與第一控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與高電壓電平信號(hào)線和所述第三節(jié)點(diǎn)連接；所述第五晶體管的柵極與第三控制信號(hào)線連接，另外兩極分別與所述第二節(jié)點(diǎn)和低電壓電平信號(hào)線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-9任一權(quán)項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述晶體管均為N型薄膜晶體管TFT。
11.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一權(quán)項(xiàng)所述的有源矩陣發(fā)光二極管像素單元電路。
12.—種像素單元電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述像素單元電路為如權(quán)利要求1-10任一權(quán)項(xiàng)所述的有源矩陣發(fā)光二極管像素單元電路，所述方法包括下述步驟:初始化步驟，對(duì)閾值補(bǔ)償模塊進(jìn)行初始化； 數(shù)據(jù)寫入和閾值補(bǔ)償步驟，給驅(qū)動(dòng)模塊輸入數(shù)據(jù)電壓并對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償； 顯示步驟，發(fā)光模塊在驅(qū) 動(dòng)管漏電流驅(qū)動(dòng)下顯示發(fā)光。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103544917SQ201310284757
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】譚文, 祁小敬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司