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用于基片的表面處理的裝置制造方法

文檔序號:7251810閱讀:100來源:國知局
用于基片的表面處理的裝置制造方法
【專利摘要】一種用于處理晶片下側的裝置具有用于運輸晶片的運輸滾輪(16a,16b),其同時構造為輸送器件用于利用液態(tài)的工作介質(zhì)(18)潤濕晶片下側。運輸滾輪至少部分地浸入在工作介質(zhì)中以用于在運輸時在與運輸滾輪接觸期間潤濕晶片下側。運輸滾輪具有旋轉(zhuǎn)對稱的外側,其帶有較大的第一直徑的多個區(qū)域(21)和在此之間的較小的第二直徑的多個區(qū)域(25),其中,凹槽引入到帶有較小的第二直徑的區(qū)域中。
【專利說明】用于基片的表面處理的裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于基片(Substrate)的表面處理的裝置,尤其涉及一種用于通過運輸滾輪利用液態(tài)的工作介質(zhì)潤濕基片下側的裝置。
【背景技術】
[0002]由文件EP I 960 119 BI已知一種相應的裝置。在此運輸滾輪設有提高的端部區(qū)域,更確切地說設有帶有較大的第一直徑的端部區(qū)域。待處理的基片以基片下側放在該端部區(qū)域上。因為運輸滾輪利用其下部區(qū)域在工作介質(zhì)(Prozessmedium)中旋轉(zhuǎn)且因此其表面潤濕有工作介質(zhì),所以由于提高的端部區(qū)域(基片僅放在該端部區(qū)域上)僅在該區(qū)域中利用工作介質(zhì)來潤濕并且由此處理基片下側?;聜鹊恼麄€面的處理更確切地說其潤濕應當并且因此利用該裝置并未實現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種開頭提到的裝置,利用其可解決現(xiàn)有技術的問題并且尤其可實現(xiàn)基片更確切地說其基片下側的很好的并且在需要時的整個面的表面處理。
[0004]該目的通過帶有權利要求1的特征的裝置來實現(xiàn)。本發(fā)明的有利的以及優(yōu)選的設計方案為其他的權利要求的對象并且接下來對其進行進一步闡述。權利要求的表述通過明確地參考說明的內(nèi)容得出。
[0005]設置成:裝置具有運輸器件以用于將基片運輸至由其確定的運輸平面中,其中,運輸器件構造為運輸滾輪且同時構造為輸送器件,以便基片在基片下側處潤濕或涂覆有液態(tài)的工作介質(zhì)并且因此利用液態(tài)的工作介質(zhì)來處理。在此,運輸滾輪至少部分地浸入到工作介質(zhì)中或者在其上側處具有工作介質(zhì)。因此運輸滾輪可在運輸時在直接接觸期間潤濕基片下側。
[0006]根據(jù)本發(fā)明,運輸滾輪具有旋轉(zhuǎn)對稱地構造的外側,其帶有較大的第一直徑的多個區(qū)域和較小的第二直徑的多個區(qū)域,其中,較小的第二直徑的區(qū)域相應處在較大的第一直徑的兩個區(qū)域之間。環(huán)繞地并因此重新旋轉(zhuǎn)對稱地構造的凹槽或凹處至少引入到帶有較小的第二直徑的區(qū)域中。在凹槽或凹處中可產(chǎn)生或改善毛細作用,以便在運輸滾輪上利用工作介質(zhì)建立一定的厚度的薄膜。因此可在所有情況下整個面地或完全潤濕基片下側。通過凹槽或凹處以及還通過較大的第一直徑的區(qū)域(其有利地僅少許地突出超過較小的第二直徑的區(qū)域,并且在第一區(qū)域上放有基片)可避免工作介質(zhì)在運輸滾輪處在某種程度上可以說被重新壓回并且然后可在基片的邊緣或端部邊緣處溢到介質(zhì)上側上,這例如在利用腐蝕性的工作介質(zhì)的腐蝕過程中并非是所期望的。
[0007]在發(fā)明對象的另一設計方案中,較大的第一直徑的區(qū)域彼此間具有規(guī)則的間距。這還可與之獨立地適用于較小的第二直徑的區(qū)域。較大的第一直徑的區(qū)域的間距可大約為10mm 至 20mm,優(yōu)選為 13_ 至 1 7mm η
[0008]在本發(fā)明的另一設計方案中,較大的第一直徑可超過較小的第二直徑小于1mm。有利地,直徑差甚至小于0.5_,特別有利地,直徑差處在0.1mm與0.2_之間。即較大的第一直徑的區(qū)域僅少許突出超過處在其之間的較小的第二直徑的區(qū)域。因此基片利用其基片下側僅放在較大的第一直徑的區(qū)域上,而另一方面工作介質(zhì)正好還由較小的第二直徑的區(qū)域的表面從池中攜帶或提升至基片下側以便潤濕基片下側,并且因此可引起基片下側的所期望的整個面的潤濕。同時可正好通過基片下側關于較小的第二直徑的區(qū)域的稍許更大的間距在基片下側處避免由工作介質(zhì)構成的薄膜的之前提到的擠出。在較大的第一直徑的區(qū)域中,這可由此輕易避免,因為其相對狹窄。
[0009]在本發(fā)明的另一設計方案中,較大的第一直徑的區(qū)域可具有至帶有較小的第二直徑的區(qū)域的傾斜的過渡部。這種傾斜角可在45°與60°之間。這一方面改善之前提到的防止由工作介質(zhì)構成的薄膜的擠出或回溢。此外,通過斜面還可在此改善工作介質(zhì)的粘附或基片下側的潤濕。
[0010]有利地設置成帶有較大的第一直徑的區(qū)域構造成無凹槽或凹處。特別有利地,較大的第一直徑的區(qū)域相對狹窄,從而使得總歸不存在用于這種類型的凹槽或凹處的空間和可能性。該區(qū)域例如可具有小于Imrn的寬度,有利地在0.1mm與0.4mm之間。
[0011]在本發(fā)明的另一設計方案中,凹槽或凹處可大致V狀地構造在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中。V形角在此可處在40°與70°之間,特別有利地處在50°與60°之間。因此在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中得到凹槽或凹處的相對很大的開口角度,這又對于工作介質(zhì)在該區(qū)域中粘附在運輸滾輪的表面處是有利的,并且因此使得能夠?qū)崿F(xiàn)更好地潤濕基片下側。
[0012]在本發(fā)明的有利的設計方案中,凹槽或凹處不是特別深。其深度可處在0.1mm與Imm之間,優(yōu)選為大約0.5_。如果接受該情況且除了較大的第一直徑的區(qū)域的之前提到的小于1_的高度之外,那么完全明顯的是可總體上實現(xiàn)由運輸滾輪的浸入的表面利用工作介質(zhì)很好地潤濕基片下側。在本發(fā)明的有利的設計方案中,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中在單獨的凹槽或凹處之間的寬度可小于1mm。特別有利地,其可為大約0.1mm至0.4mm。
[0013]在本發(fā)明的改進方案中,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中,凹槽或凹處的最大的寬度可小于1_,有利地可為大約0.2mm至0.6_。這意味著在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中凹槽可比其間距更寬。
[0014]在本發(fā)明的有利的設計方案中,針對個體的運輸滾輪,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中的所有的凹槽或凹處在深度和/或形狀或輪廓方面相同地來構造。這可同樣適用于較大的第一直徑的區(qū)域的形狀更確切地說輪廓形狀。
[0015]有利地,在裝置的后部區(qū)域中沿著在運輸平面中的基片的運輸軌道發(fā)現(xiàn)類似于在前面那樣構造的運輸滾輪,然而,與在裝置的前部區(qū)域中相比,其在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中具有稍微更大的深度的凹槽或凹處。深度可比前部區(qū)域大大約30%至60%,由此基片下側可在裝置的后部的區(qū)域中潤濕有少許的工作介質(zhì)。因此,為了更均勻的潤濕或腐蝕效果可在裝置的后部的區(qū)域中少許降低工作介質(zhì)的引導的量。
[0016]在本發(fā)明的另一設計方案中,運輸滾輪可具有幾cm—有利地Icm至5cm,特別有利地1.5cm至2cm —的較大的第一直徑。
[0017]在本發(fā)明的又一有利的設計方案中,運輸滾輪由塑料制成,其中,提供有PP (聚丙烯)或PVDF(聚偏氟乙烯)。特別有利地,運輸滾輪單件地或一件式地并且由單一的材料件來成型或成形為單件的材料件,優(yōu)選由相對很硬的材料成形成帶有封閉的表面。
[0018]特別有利地可在說明的這種裝置中腐蝕或構造(texturieren)多晶的晶片。在單晶的晶片中可進行所謂的金字塔紋理(Pyramiden-Texturierung)。
[0019]這些和其他的特征除了來自于權利要求以外,還從說明和附圖中得出,其中,單獨的特征相應本身單獨地或者以多個呈子組合的形式在本發(fā)明的實施方式中和在其他的領域來實現(xiàn)并且可示出有利的以及本身可保護的實施方式,針對其在此要求保護。該申請劃分成單獨的區(qū)段以及中間標題在其普遍有效性方面并未限制在其中作出的說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]在附圖中示意性地示出了本發(fā)明的實施例并且接下來對其進行進一步闡述。其中:
圖1顯示了帶有運輸滾輪的根據(jù)本發(fā)明的裝置的側視圖,該運輸滾輪運輸在運輸平面中的基片并且部分地浸沒在工作介質(zhì)中。
[0021]圖2針對帶有不同大小的直徑的兩個區(qū)域的運輸滾輪的表面形狀的細節(jié)顯示了單個的運輸滾輪的放大的圖示,以及
圖3顯示了圖2的截段的明顯的放大圖以用于說明可能的尺寸。
【具體實施方式】
[0022]在圖1中從在極其示意性的圖示中的側部示出了根據(jù)本發(fā)明的設備或裝置11,利用其運輸和處理基片12。在此,基片12利用上側13向上指向且利用下側14向下指向,其中,這并非強制地為在完成的功能狀態(tài)中的相應的側部,而是僅僅涉及運輸平面。裝置11具有運輸滾輪16a或16b,其以已知的方式相繼布置,有利地相應于開頭提到的文件EP I960 119 BI來布置。運輸滾輪在相同的方向上旋轉(zhuǎn)并且利用其上側形成運輸平面,其中,基片12利用其下側14放在運輸滾輪16a和16b上。
[0023]運輸滾輪16a和16b的下部的區(qū)域浸沒到在此未進一步示出的槽中的工作介質(zhì)18的池中或者在其中旋轉(zhuǎn)。因此由工作介質(zhì)18構成的薄膜19由運輸滾輪16a和16b攜帶并且由運輸滾輪向上帶到下側14處。該過程同樣由提到的文件EP I 960 119 BI已知,關于此可參考該文件。
[0024]在根據(jù)圖2的俯視圖中以確定的輪廓示出了運輸滾輪16a的表面的構造方案,其中,帶有較大的第一直徑的相對狹窄的第一區(qū)域21和較小的第二直徑的相對很寬的第二區(qū)域25。第一區(qū)域21相應布置在運輸滾輪16a的端部處并且在此之間具有第二區(qū)域25。第一區(qū)域21在此利用中間的突起22構造為用于基片12的一種類型的工作面或支承面,其中,在突起22左側和右側存在斜面23a和23b。
[0025]雖然在第二區(qū)域25中同樣設置有突起26,但是其未達到第一區(qū)域21的突起22。在第二區(qū)域25中的突起26由第二斜面27a和27b形成,其在一定程度上設置為一種類型的切槽并且形成凹槽29。由圖2可識別出整個運輸滾輪16a有規(guī)則地來構造。這意味著第一區(qū)域21或其突起22相應彼此間具有保持不變的間距,其如之前說明的一樣可大約為IOmm至20mm。運輸滾輪16a的總寬度可為幾cm,例如5cm至15cm。其相應于圖1的直徑可處在Icm至3cm的范圍中。[0026]在所示出的示例中,第二區(qū)域25相應具有八個突起26。但本身還可有更多或更少的突起。此外,同樣不必所有的第二區(qū)域25相應具有同樣多的突起26。
[0027]基于圖3中的明顯的放大圖使得運輸滾輪16a的輪廓的構造方案再次變得顯而易見。用于第一區(qū)域21的突起22的寬度的數(shù)值Id1可在0.2mm與0.6mm之間。有利地,該數(shù)值同樣相應于第二區(qū)域25的突起26的寬度的數(shù)值b2。
[0028]作為在突起22與26之間的一半的直徑差或高度差的數(shù)值h可處在在稍微小于
0.1mm與0.5mm之間的范圍中,有利地處在0.1mm與0.2mm之間的范圍中。由斜面27a和27b形成的凹槽29的深度那時稍微高于該范圍并且可為0.2mm至0.4mm。凹槽29的寬度V處在其深度的范圍中并且因此同樣在0.2mm至0.4mm中。凹槽29的角α可處在之前提到的范圍中,有利地為50°至60°。同樣,凹槽29在此在下部的區(qū)域中不必完全構造成銳角,而是還可例如為了更容易的可制造性而容易地做成圓形。第一區(qū)域21的突起22關于側向的第一斜面23a和23b的傾斜角可同第二區(qū)域25的突起26關于側向的第二斜面27a和27b相同。
[0029]由圖2還可辨識出基片12利用其下側14放在第一區(qū)域21的突起22上且直到第二區(qū)域25具有由工作介質(zhì)18構成的薄膜19,其那時恰好具有帶有相應于圖3的數(shù)值h的薄膜厚度或還附加地具有進入到凹槽29中的薄膜厚度。如由此明顯的那樣,即帶有更小的直徑的第二區(qū)域25用作輸送器件區(qū)域,也就是說作為這樣的區(qū)域,在其中將工作介質(zhì)18從池中作為所述的工作介質(zhì)薄膜攜帶或提升至基片下側14。通過改變凹槽29的數(shù)值h以及深度可改變帶到基片下側14處的工作介質(zhì)18的量。因此還提供:在相應于圖1的裝置11中在用于運輸滾輪16b的后部的區(qū)域中稍微更小地選取高度差的數(shù)值h,例如20%至40%地更小地來選取。在此在裝置11的后部的部分中,引導到下側14處的工作介質(zhì)18的更小的量被視作是足夠的。此處凹槽29可更深。通過帶有更大的寬度的更深的凹槽29將更少的量的工作介質(zhì)18帶到基片12的下側14處。
[0030]在第一區(qū)域21的突起22 (在其上放有基片12)之間的提到的相對很小的間距可防止放置的基片12的彎曲。這同樣適用于用來制造太陽能電池的非常小的基片厚度,該太陽能電池小于0.2臟,其中,帶有朝0.1mm的方向上的漸增的趨勢。
[0031]平行于運輸方向的基片12的邊緣在相應合適地放置時與運輸滾輪16a和16b無接觸或觸碰。利用在基片12(—方面)與液體薄膜19或工作介質(zhì)18(另一方面)之間的附著力以及工作介質(zhì)18的表面張力,以便基片在其下側處完全潤濕。在圖2中左側可識別出在工作介質(zhì)18處的一種類型的凹形的彎月面(Meniskus)。正好凹形的構造方案防止工作介質(zhì)18溢出到基片12的上側13處。由在圖2中的圖示還可識別出避免了壓回的工作介質(zhì)溢出到基片12的上側13上一如果基片同樣不應被處理。因此還不存在帶有跨越(Umschlag)等等的問題。
[0032]帶有新式的運輸滾輪16a和16b的所顯示的裝置11主要提供用于用來制造太陽能電池的晶片的邊緣隔離,其中,工作介質(zhì)具有HN3O和HF。其他的工藝參數(shù)為運輸滾輪16a和16b的運輸速度或回轉(zhuǎn)速度、溫度、運輸滾輪16a和16b浸沒到工作介質(zhì)18中的深度、在運輸滾輪之間的可能的抽吸和工作介質(zhì)本身的成分。
【權利要求】
1.一種用于基片的表面處理的裝置,帶有運輸器件(16a,16b)以用于將基片運輸至由運輸器件確定的運輸平面中,其中,運輸器件構造為運輸滾輪并且同時構造為輸送器件用于在基片下側處利用液態(tài)的工作介質(zhì)(18)潤濕基片,其中,運輸滾輪至少部分地浸入在工作介質(zhì)中或在其上側處具有工作介質(zhì)以用于在運輸時在在運輸器件與基片表面之間的直接接觸期間潤濕基片下側,其特征在于,運輸滾輪具有旋轉(zhuǎn)對稱的外側,其帶有較大的第一直徑的多個區(qū)域(21)和在此之間的較小的第二直徑的多個區(qū)域(25),其中,凹槽或凹處(29)至少引入到帶有較小的第二直徑的區(qū)域中。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,至少較小的第二直徑的區(qū)域?qū)嵤楣ぷ鹘橘|(zhì)輸送區(qū)域,通過其將工作介質(zhì)從工作介質(zhì)池輸送至基片下側,運輸滾輪至少利用下部的部分區(qū)域浸入到該工作介質(zhì)池中。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,較大的第一直徑的區(qū)域彼此間具有有規(guī)則的間距,和/或較小的第二直徑的區(qū)域彼此間具有有規(guī)則的間距,和/或較大的第一直徑的區(qū)域的間距大約為IOmm至20mm,優(yōu)選為13mm至17mm。
4.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,較大的第一直徑比較小的第二直徑大,大的程度小于1mm,尤其小于0.5mm或在0.1mm與0.2mm之間。
5.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,較大的第一直徑的區(qū)域在朝帶有較小的第二直徑的區(qū)域的過渡部中傾斜,尤其以在45°與60°之間的角度傾斜。
6.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,帶有較大的第一直徑的區(qū)域構造成無凹槽或凹處。
7.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中的凹槽或凹處構造成V狀,尤其帶有在40°與70°之間或在50°至60°之間的角度。
8.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,凹槽或凹處具有在0.2mm與Imm之間的深度,尤其具有大約0.5mm的深度。
9.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中,在凹槽或凹處之間的寬度小于1mm,優(yōu)選為0.1mm至0.4mm。
10.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中,凹槽或凹處的最大寬度小于1mm,優(yōu)選為0.2mm至0.6mm。
11.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,針對運輸滾輪,在帶有較小的第二直徑的區(qū)域中的所有的凹槽或凹處在深度和形狀方面相同地來構造,其中,比起在前部區(qū)域中,運輸滾輪優(yōu)選在裝置的后部區(qū)域中具有更大的深度的凹槽或凹處,尤其具有比前部區(qū)域大大約30%至60%的深度。
12.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,在運輸滾輪的兩端處設置有帶有較大的第一直徑的區(qū)域,并且在此之間設置有帶有較大的第一直徑的其他區(qū)域。
【文檔編號】H01L21/67GK103889588SQ201280040905
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年8月9日 優(yōu)先權日:2011年8月22日
【發(fā)明者】W-H.鄭, H.哈弗坎普, K.魏瑟爾, M.尼塔默 申請人:吉布爾·施密德有限責任公司
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