專利名稱：全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法
全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，且特別是關(guān)于一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池(back-contact hetero junction solar cell)。
背景技術(shù)：
目前高效率太陽(yáng)能電池是未來(lái)產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，因?yàn)楦咝侍?yáng)能電池不僅僅是提升單位面積的發(fā)電瓦數(shù)，還可降低成本，更深一層的含意是可以提升模塊發(fā)電的附加價(jià)值。
目前世界上效率最高的太陽(yáng)能電池模塊是SunPower的內(nèi)交指背接觸式(Interdigitated Back-Contact, IBC)的全背結(jié)模塊,其電池效率可以超過(guò)24%以上,就市場(chǎng)上而言，因?yàn)樯鲜龈咝侍?yáng)能電池制造流程太繁瑣，制程所花的成本很高，所以模塊的制造成本高出傳統(tǒng)硅晶模塊5成以上。
另一種高效率太陽(yáng)能電池是使用異質(zhì)結(jié)的太陽(yáng)能電池。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池一般是在硅晶片上成長(zhǎng)非晶硅(a-Si)的鈍化層與非晶硅電極，其具有極低的表面復(fù)合速率，因此擁有很高的開(kāi)路電壓。結(jié)合上述兩項(xiàng)電池的優(yōu)點(diǎn)，把電池電極制作到背面，并使用鈍化能力很好的非晶硅層，將可以使電池轉(zhuǎn)換效率更往上提升，例如美國(guó)專利US 7，199，395所提出的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。
然而，這種全背電極結(jié)構(gòu)卻存在元件結(jié)能帶差過(guò)大，導(dǎo)致造成的電阻過(guò)高的問(wèn)題，電池轉(zhuǎn)換使效率始終都是不如預(yù)期。發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，能改善異質(zhì)結(jié)全背電極結(jié)構(gòu)效率受限的因素。
本發(fā)明提出一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括一第一導(dǎo)電型娃基板、一第一非晶半導(dǎo)體層、一第二非晶半導(dǎo)體層、一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。第一非晶半導(dǎo)體層位在第一導(dǎo)電型硅基板的受光面上，其中第一非晶半導(dǎo)體層為本質(zhì)半導(dǎo)體層或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。第二非晶半導(dǎo)體層位在第一導(dǎo)電型硅基板的非受光面上，其中第二非晶半導(dǎo)體層為本質(zhì)半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層分別位在第一導(dǎo)電型硅基板的第二非晶半導(dǎo)體層上。至于第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)則位在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的第一導(dǎo)電型硅基板內(nèi)并與第二非晶半導(dǎo)體層接觸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)例如P型摻雜區(qū)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)的摻雜濃度在lel8cnT3 le21cm 3 之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)的結(jié)深度在0.001 μ m 10 μ m之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層互相隔離或者部分重疊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一與第二非晶半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅(amorphous silicon)、非晶碳化娃(amorphous Silicon carbide)、非晶娃錯(cuò)(amorphoussilicon Germanium)等半導(dǎo)體材料。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料包括非晶娃(amorphous silicon)、非晶碳化娃(amorphous Silicon carbide)、非晶娃錯(cuò)(amorphous silicon Germanium)、微晶娃(micro-crystal silicon)、微晶碳化娃(micro-crystal Silicon carbide)、微晶娃錯(cuò)(micro-crystal silicon Germanium)等半導(dǎo)體材料。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述太陽(yáng)能電池還可包括一抗反射層，位在第一非晶半導(dǎo)體層上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述太陽(yáng)能電池還可包括第一與第二電極，分別與第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層接觸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一電極完全覆蓋或部分覆蓋第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二電極完全覆蓋或部分覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一與第二電極至少包括一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層與一金屬層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述太陽(yáng)能電池還可包括一絕緣層，位在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第二非晶半導(dǎo)體層上。上述絕緣層的材料包括高分子材料、二氧化硅、氮化硅或其他不導(dǎo)電的介電材料。
基于上述，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池可以同時(shí)提升開(kāi)路電壓、短路電流與降低模塊封裝后的輸出損失，還能憑借降低結(jié)電阻，使太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率更往上躍升。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖2是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖3是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖4是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖5是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖6是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖7是模擬實(shí)驗(yàn)一的IV數(shù)據(jù)圖8是模擬實(shí)驗(yàn)二的結(jié)深度與效率的曲線圖。
附圖標(biāo)記
100、200、300、400、500、600:全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池
102:第一導(dǎo)電型硅基板
102a:受光面
102b:非受光面
104:第一非晶半導(dǎo)體層
106、402、404、602a、602b:第二非晶半導(dǎo)體層
108:第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層
110:第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層
112:第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)
114、116:電極
118、122、202、204:TC0 層
120、124:金屬層
126:抗反射層
302:絕緣層具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
請(qǐng)參照附圖來(lái)了解本發(fā)明，然而本發(fā)明可用多種不同形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不局限于實(shí)施例的描述。而在附圖中，為明確起見(jiàn)可能未按比例繪制各層以及區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸。
當(dāng)文中以一構(gòu)件或?qū)邮恰拔挥诹硪粯?gòu)件或?qū)由稀睍r(shí)，如無(wú)特別說(shuō)明，則表示其可直接位于另一構(gòu)件或?qū)由?，或兩者之間可存在中間構(gòu)件或?qū)?。另外，文中使用如“于……上”、“于……下方”及其類似的空間相對(duì)用語(yǔ)，來(lái)描述附圖中的構(gòu)件與另一(或多個(gè))構(gòu)件的關(guān)系。然此空間相對(duì)用語(yǔ)除附圖顯示的狀態(tài)外，還可包括使用中或操作中的構(gòu)件的方向。舉例而言，若將圖中的構(gòu)件翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他構(gòu)件或特征“下方”或“之下”的構(gòu)件接著將定向成位于其他構(gòu)件或特征“上方”。
此外，本文雖使用 “第一”、“第二”等來(lái)描述各種構(gòu)件、區(qū)域或?qū)?，但是此用語(yǔ)用以將一構(gòu)件、區(qū)域或?qū)优c另一構(gòu)件、區(qū)域或?qū)幼鲄^(qū)別。因此，在不背離本發(fā)明的情況下，下文所述的第一構(gòu)件、區(qū)域或?qū)右嗫梢暈榈诙?gòu)件、區(qū)域或?qū)印?br> 圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖。
在圖1中，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池100包括一第一導(dǎo)電型娃基板102、一第一非晶半導(dǎo)體層104、一第二非晶半導(dǎo)體層106、一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108、一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110以及一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)112。其中，第一非晶半導(dǎo)體層104是位在第一導(dǎo)電型娃基板102的受光面102a上。在本實(shí)施例中，第一非晶半導(dǎo)體層104為本質(zhì)半導(dǎo)體層(intrinsi csemiconductor layer),此外第一非晶半導(dǎo)體層104也可以是與第一導(dǎo)電型娃基板102相同導(dǎo)電型的一第一導(dǎo)電型層。第二非晶半導(dǎo)體層106則位在第一導(dǎo)電型硅基板102的非受光面102b上，其中第二非晶半導(dǎo)體層106為本質(zhì)半導(dǎo)體層。上述第一與第二非晶半導(dǎo)體層104、106的材料例如非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺等半導(dǎo)體材料。上述第一導(dǎo)電型硅基板102例如η型硅基板。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D1，本實(shí)施例的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110分別位在第二非晶半導(dǎo)體層106上，且兩者互相隔離。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110的材料例如非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺、微晶硅、微晶碳化硅、微晶硅鍺等半導(dǎo)體材料。至于第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)112是位在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110下方的第一導(dǎo)電型娃基板102內(nèi)并與第二非晶半導(dǎo)體層106接觸。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)112例如P型摻雜區(qū)，且其摻雜濃度例如在lel8cm_3 le21cm_3之間；結(jié)深度(junctiondepth)例如在0.001 μπι 10 μ m之間。由于非受光面102b具有第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)112，所以成長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)后能增加鈍化效果，進(jìn)而增加電池效率。此外，如有需要的話，可選擇在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108下方的第一導(dǎo)電型硅基板102內(nèi)設(shè)置與第二非晶半導(dǎo)體層106接觸的一第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)(未繪示)。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池100還可包括第一與第二電極114與116,分別與第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與110接觸。在圖1中，第一電極114部分覆蓋第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108、第二電極116部分覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110,且第一電極114至少包括一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層118與一金屬層120 ;第二電極116至少包括一透明導(dǎo)電氧化物層122與一金屬層124。舉例來(lái)說(shuō)，TCO層118、122可為銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等；金屬層120、124可為銀或其他金屬。本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池100還可包括一抗反射層126，位在第一非晶半導(dǎo)體層104上，用以防止入射光在受光面102a反射，其中抗反射層126的材料包括氮化硅、或氧化硅、或氧化鋁、或氟化鎂、或氧化鋅、以及其他適用的介電物質(zhì)。
圖2是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其中使用與第一實(shí)施例相同的元件符號(hào)來(lái)代表相同的構(gòu)件。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池200與上一實(shí)施例的差別在于，第一電極114中的TCO層202完全覆蓋第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108、第二電極116中的TCO層204完全覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。
圖3是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其中使用與第二實(shí)施例相同的元件符號(hào)來(lái)代表相同的構(gòu)件。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池300與上一實(shí)施例的差別在于，其包括一層位在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110之間的絕緣層302，且絕緣層302是覆蓋在第二非晶半導(dǎo)體層106上。這層保護(hù)層302的材料包括高分子材料、二氧化硅、氮化硅、或其他不導(dǎo)電的介電材料。這層保護(hù)層302能用來(lái)保護(hù)第二非晶半導(dǎo)體層106并隔開(kāi)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110。
圖4是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其中使用與第一實(shí)施例相同的元件符號(hào)來(lái)代表相同的構(gòu)件。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池400與第實(shí)施例的差別在于，第一電極114的金屬層120完全覆蓋TCO層118、第二電極116的金屬層124完全覆蓋TCO層122。另外，第四實(shí)施例是先形成第二非晶半導(dǎo)體層402和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110，再利用遮罩(mask)蓋住第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110，以便進(jìn)行的第二非晶半導(dǎo)體層404和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108的制作。因此，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池400的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110會(huì)與第二非晶半導(dǎo)體層404相接。
圖5是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其中使用與第一實(shí)施例相同的元件符號(hào)來(lái)代表相同的構(gòu)件。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池500與第一實(shí)施例的差別在于，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110部分重疊。另外，第二電極116因?yàn)橹瞥添樞虻年P(guān)系，會(huì)覆蓋到部分第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108。
圖6是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的剖面示意圖，其中使用與第一實(shí)施例相同的元件符號(hào)來(lái)代表相同的構(gòu)件。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池600與第一實(shí)施例的差別在于，第二非晶半導(dǎo)體層602a、602b不是同一步驟形成的。詳細(xì)地說(shuō)，第二非晶半導(dǎo)體層602b、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層110與第二電極116先形成 在第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)112上，然后再形成第二非晶半導(dǎo)體層602a與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108，之后才形成第一電極114。因此，后形成的第二非晶半導(dǎo)體層602a與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層108會(huì)部份覆蓋第二電極116。
以下列舉幾個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)驗(yàn)證上述實(shí)施例的效果。
模擬實(shí)驗(yàn)一
使用商用半導(dǎo)體元件數(shù)值模擬軟體進(jìn)行模擬，且模擬的結(jié)構(gòu)如圖1。模擬的比較點(diǎn)是η型硅基板內(nèi)是否有P型摻雜區(qū)(圖1的112)以及P型摻雜區(qū)的結(jié)深度(dopingdensity)與電池效率的關(guān)系，模擬結(jié)果如下表一所示。
表一
權(quán)利要求
1.一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括: 一第一導(dǎo)電型硅基板，具有一受光面與一非受光面； 一第一非晶半導(dǎo)體層，位在該第一導(dǎo)電型硅基板的該受光面上，其中該第一非晶半導(dǎo)體層為本質(zhì)半導(dǎo)體層或第一導(dǎo)電型層； 一第二非晶半導(dǎo)體層，位在該第一導(dǎo)電型硅基板的該非受光面上，其中該第二非晶半導(dǎo)體層為本質(zhì)半導(dǎo)體層； 一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位在該第二非晶半導(dǎo)體層上； 一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位在該第二非晶半導(dǎo)體層上；以及 一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)，位在該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的該第一導(dǎo)電型硅基板內(nèi)并與該第二非晶半導(dǎo)體層接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)的摻雜濃度在lel8cnT3 le21cnT3之間。
4.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)的結(jié)深度在0.0Olym 10 μ m之間。
5.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層互相隔離。
6.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層部分重疊。
7.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅鍺。
8.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅鍺。
9.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一非晶半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅鍺。
10.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二非晶半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅鍺。
11.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，還包括一抗反射層，位在該第一非晶半導(dǎo)體層上。
12.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，還包括: 一第一電極，與該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層接觸；以及 一第二電極，與該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一電極完全覆蓋或部分覆蓋該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
14.如權(quán)利要求12所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二電極完全覆蓋或部分覆蓋該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求12所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一電極至少包括一透明導(dǎo)電氧化物(TCO) 層與一金屬層。
16.如權(quán)利要求12所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二電極至少包括一透明導(dǎo)電氧化物層與一金屬層。
17.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，還包括一絕緣層，位在該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的該第二非晶半導(dǎo)體層上。
18.如權(quán)利要求1所述的全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該絕緣層的材料包括高分子材料、二氧化 硅或氮化硅。
全文摘要
一種全背電極異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括一第一導(dǎo)電型硅基板、一第一非晶半導(dǎo)體層、一第二非晶半導(dǎo)體層、一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)。第一非晶半導(dǎo)體層位在硅基板的受光面上，其為本質(zhì)半導(dǎo)體層或第一導(dǎo)電型層。第二非晶半導(dǎo)體層位在硅基板的非受光面上，其中第二非晶半導(dǎo)體層為本質(zhì)半導(dǎo)體層。第一與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層分別位在第二非晶半導(dǎo)體層上。至于第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)則位在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方的硅基板內(nèi)并與第二非晶半導(dǎo)體層接觸。
文檔編號(hào)H01L31/075GK103137767SQ20121008949
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者吳德清, 蕭睿中, 陳建勛, 林景熙, 丁密特·薩哈雷夫·丁密措夫 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院