專利名稱：封裝支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種封裝支架，尤其涉及一種集成電路芯片的封裝支架。
背景技術(shù)：
將集成電路芯片封裝成電子元件裝置，隨著體積小型化，散熱已變成是越來(lái)越重要的一個(gè)課題。在電子元件裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，封裝支架的作用在于支撐芯片與加強(qiáng)散熱， 另外也作為將電子元件的內(nèi)部接點(diǎn)電性連接到外部的電路板。但現(xiàn)有封裝支架的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，這樣增加了此類發(fā)光電子元件封裝的復(fù)雜度與生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種封裝支架，其具有較低的制造成本。本實(shí)用新型提出一種封裝支架，應(yīng)用于電子元件載體的封裝，電子元件載體具有內(nèi)連接導(dǎo)體，而封裝支架包括支架主體、開(kāi)口、容置空間以及至少一個(gè)外連接導(dǎo)體，支架主體具有第一表面與第二表面；開(kāi)口連通第一表面和第二表面；容置空間連通至開(kāi)口，容置空間可容置電子元件載體，電子元件載體的承載表面通過(guò)開(kāi)口而露出于第一表面；至少一個(gè)外連接導(dǎo)體電性連接至內(nèi)連接導(dǎo)體。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述電子元件載體包括基板以及至少一個(gè)晶粒， 基板表面為承載表面，承載表面上形成有內(nèi)連接導(dǎo)體；至少一個(gè)晶粒設(shè)置于基板的承載表面上。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述內(nèi)連接導(dǎo)體和外連接導(dǎo)體的材質(zhì)為鋁或銅。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述支架主體還包括通孔，外連接導(dǎo)體配置于通孔中，內(nèi)連接導(dǎo)體的位置對(duì)應(yīng)通孔位置，且電性連接至外連接導(dǎo)體。本實(shí)用新型另提出一種封裝支架，應(yīng)用于電子元件載體的封裝，電子元件載體具有承載表面，且承載表面上具有至少一個(gè)電路接點(diǎn)。封裝支架包括支架主體、開(kāi)口、容置空間以及至少一個(gè)通孔，支架主體具有第一表面與第二表面；開(kāi)口連通第一表面和第二表面； 容置空間連通至開(kāi)口，容置空間可容置電子元件載體，電子元件載體的承載表面通過(guò)開(kāi)口而露出于第一表面；至少一個(gè)通孔連通第一表面和第二表面，電子元件載體的電路接點(diǎn)通過(guò)通孔而露出于第一表面。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述支架主體的材質(zhì)為高分子材料。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述電子元件載體包括基板以及至少一個(gè)晶粒， 基板表面為承載表面；至少一個(gè)晶粒設(shè)置于基板的承載表面上。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述第一表面的開(kāi)口具有傾斜側(cè)壁，且開(kāi)口在第二表面的形狀適于容納電子元件載體。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述晶粒為集成電路芯片。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述晶粒為發(fā)光二極管芯片。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述基板為非晶硅基板。[0015]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上述容置空間位于第二表面。在本實(shí)用新型的低功率電子元件載體，比起低電壓、高電流的高功率電子元件載體具有良率較高，使用壽命也較長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。此外，晶粒所在的承載表面具有電路接點(diǎn)，可以配置電線經(jīng)過(guò)通孔連接電路接點(diǎn)并和外界電性連接，比起現(xiàn)有的電子元件裝置需在硅基板上形成穿孔以和外界電性連接，本實(shí)用新型也降低了制程上的復(fù)雜度。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖1為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電子元件裝置的示意圖。圖2和圖3為本實(shí)用新型電子元件裝置的元件的示意圖。圖4為本實(shí)用新型電子元件裝置的元件的底部示意圖。圖5為本實(shí)用新型電子元件裝置的底部示意圖。圖6為本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的電子元件裝置的示意圖。圖7和圖8為本實(shí)用新型電子元件裝置的元件的示意圖。圖9為圖6沿切線S的剖面圖。圖10到圖12為本實(shí)用新型的其它實(shí)施例中電子元件裝置的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段及功效，
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的封裝支架其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過(guò)具體實(shí)施方式
的說(shuō)明，可對(duì)本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效有一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō)明之用，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加以限制。圖1為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電子元件裝置的示意圖。請(qǐng)參考圖1，電子元件裝置100包括電子元件載體110和封裝支架12。圖2和圖3為本實(shí)用新型電子元件裝置的部分元件的示意圖。請(qǐng)參考圖2，其中，電子元件載體110具有承載表面112，且承載表面112 具有一個(gè)或多個(gè)電路接點(diǎn)114。請(qǐng)參考圖3，封裝支架12具有支架主體120、第一表面121、 第二表面122、容置空間124、開(kāi)口 123和通孔125，開(kāi)口 123和通孔125連通第一表面121 和第二表面122，支架主體120可保護(hù)電子元件載體110，且本實(shí)施例中支架主體120的形狀相當(dāng)適合經(jīng)由射出成型的方式來(lái)大批制造，或各個(gè)支架主體120也可分別單個(gè)制造。而將電子元件載體110和封裝支架12進(jìn)行組合便如圖1所示，請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，容置空間IM 用以容置電子元件載體110，承載表面112和電路接點(diǎn)114分別通過(guò)開(kāi)口 123和通孔125而露出于第一表面121的一側(cè)。再請(qǐng)參考圖2，上述的電子元件載體110包括基板118和多個(gè)晶粒116。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，基板118可采用材料為非晶硅的硅基板來(lái)完成，晶粒116可為發(fā)光二
4極管芯片、集成電路芯片等，以下本實(shí)用新型均以發(fā)光二極管芯片為例，進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在此硅基板118上配置多個(gè)發(fā)光二極管芯片116，硅基板118熱傳導(dǎo)效果較佳，且較容易固晶。而硅基板118上配置發(fā)光二極管芯片116的表面即為承載表面112，發(fā)光二極管芯片116之間可以并聯(lián)或是串聯(lián)形式連接，形成操作于高電壓、低電流的工作狀態(tài)的電子元件載體110，這種低功率電子元件載體110比起現(xiàn)有低電壓、高電流的電子元件載體，因電流較小，產(chǎn)熱量降低，搭配上導(dǎo)熱性好的硅基板118，使得電子元件裝置 100良率提高、使用壽命也較長(zhǎng)。且因本實(shí)用新型的電子元件載體110可適用高電壓，則在電子元件裝置100中便無(wú)需配置電源調(diào)整器元件等降壓器，加上使用非晶硅的硅基板118， 這樣就大大降低了本實(shí)用新型電子元件裝置100的生產(chǎn)成本。圖4為本實(shí)用新型電子元件裝置100的元件的底部示意圖。請(qǐng)參考圖4，支架主體120的容置空間IM可位于第二表面122。圖5為本實(shí)用新型電子元件裝置100的底部示意圖，請(qǐng)參考圖5，電子元件載體110可經(jīng)由支架主體120第二表面122的開(kāi)口 123，配置在容置空間124中，組合而成電子元件裝置100。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1，電子元件裝置100利用接線130，通過(guò)通孔125連接至電子元件載體110的電路接點(diǎn)114，因此電子元件載體110也可通過(guò)第一表面121上的通孔125和外界電性連接。為了在容置空間IM承載電子元件載體110，開(kāi)口 123在第二表面122的形狀可適于容納電子元件載體110，此外，第一表面的開(kāi)口 123具有傾斜側(cè)壁127，傾斜側(cè)壁127和第一表面121的開(kāi)口 123形狀，有利于反射出發(fā)光二極管芯片116所發(fā)出的工作光線。在本實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖1，支架主體120還具有固定結(jié)構(gòu)126，而電子元件裝置 100通過(guò)支架主體120的固定結(jié)構(gòu)1 固定在燈泡基座(本圖未示出)上，這樣便可與現(xiàn)有的白熾燈泡或日光燈管兼容。而將電子元件裝置100封裝時(shí)，可在第一表面的開(kāi)口 123處涂布熒光粉來(lái)制成發(fā)光二極管照明設(shè)備。而為了讓材料具有彈性且絕緣，使得固定結(jié)構(gòu)126更易于將電子元件裝置100固定，支架主體120的材質(zhì)可選用高分子材料，例如工程塑料和高性能工程塑料。工程塑料包括聚酰胺(簡(jiǎn)稱PA)、聚對(duì)苯二甲酸丁酯(簡(jiǎn)稱PBT )、聚碳酸酯 (簡(jiǎn)稱PC)、聚縮醛(簡(jiǎn)稱POM)、聚氧化二甲苯(簡(jiǎn)稱ΡΡ0)、聚對(duì)苯二甲酸乙酯(簡(jiǎn)稱PET)等， 高性能工程塑料則可能是結(jié)晶性的液晶聚合物(簡(jiǎn)稱LCP)、聚二醚酮(簡(jiǎn)稱PEEK)、聚氧苯甲酯(簡(jiǎn)稱POB )、聚磷苯二甲酰胺(簡(jiǎn)稱PPA)、聚苯硫醚(簡(jiǎn)稱PPS )、聚四氟乙烯(簡(jiǎn)稱PTFE ) 以及非結(jié)晶性的聚芳香酯(簡(jiǎn)稱PAR)、聚酰胺酰(簡(jiǎn)稱PEI)、聚醚(簡(jiǎn)稱PES)。圖6為本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的電子元件裝置200的示意圖。請(qǐng)參考圖6，電子元件裝置200包括電子元件載體210和封裝支架22。圖7、圖8為本實(shí)用新型電子元件裝置200的元件的示意圖。請(qǐng)參考圖7，電子元件載體210具有承載表面212，且承載表面212 具有至少一個(gè)內(nèi)連接導(dǎo)體214，還包括基板218和至少一個(gè)晶粒216。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，基板218可為非晶硅的硅基板，晶粒216可為發(fā)光二極管芯片、集成電路芯片等。 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在此硅基板218上配置至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片216，硅基板218熱傳導(dǎo)效果較好，且較容易固晶，而硅基板218上配置發(fā)光二極管芯片216的表面即為承載表面212，發(fā)光二極管芯片216之間可以內(nèi)連接導(dǎo)體214互相并聯(lián)或是串聯(lián)，形成高電壓、低電流的電子元件載體210，這種電子元件載體210比起現(xiàn)有低電壓、高電流的電子元件載體，因電流較小，產(chǎn)熱量降低，搭配上導(dǎo)熱好的硅基板218，使得電子元件裝置200良率提高、使用壽命也較長(zhǎng)。且因本實(shí)用新型的電子元件載體210可適用高電壓，則在電子元件裝置200中便無(wú)需配置電源調(diào)整器元件等降壓器，加上使用非晶硅的硅基板218，這樣就大大降低了本實(shí)用新型電子元件裝置200的生產(chǎn)成本。請(qǐng)參考圖8，封裝支架22具有支架主體220、第一表面221、第二表面222、容置空間224、開(kāi)口 223和外連接導(dǎo)體230，開(kāi)口 223連通第一表面221和第二表面222，容置空間 2 用以容置電子元件載體210，容置空間2 位于第二表面222。請(qǐng)參考圖6，電子元件載體210中的承載表面212可通過(guò)開(kāi)口 223露出于第一表面221，外連接導(dǎo)體230電性連接內(nèi)連接導(dǎo)體214，內(nèi)連接導(dǎo)體214和外連接導(dǎo)體230的材質(zhì)為鋁或銅。圖9為圖6沿切線S的剖面圖，支架主體220中的外連接導(dǎo)體230可沿支架主體 220往下延伸，方便固定在額外的裝置或基板上，例如燈泡基座(本圖未示出)上，這樣便可與現(xiàn)有的白熾燈泡或日光燈管兼容。而將電子元件裝置200封裝后，可在第一表面的開(kāi)口 223處涂布熒光粉來(lái)制成發(fā)光二極管照明設(shè)備。圖10至12為本實(shí)用新型的其它實(shí)施例中電子元件裝置的剖面示意圖，請(qǐng)參考圖 10，外連接導(dǎo)體230也可沿支架主體220往上延伸，或者，請(qǐng)參考圖11，外連接導(dǎo)體230也可沿支架主體220往上延伸后再覆蓋于支架主體220的表面，以利于各種可能的使用需求。 請(qǐng)參考圖12，支架主體220除上述構(gòu)造還包括通孔225，外連接導(dǎo)體230也填充在通孔225 中，以便和其它電子元件連接，此外也可在外連接導(dǎo)體230上形成金屬墊片M0，以增加電性連接面積。本實(shí)用新型的電子元件裝置支架形狀并無(wú)限制，可為圓形、多邊形或不規(guī)則形狀寸。綜上所述，現(xiàn)有的高功率發(fā)光二極管大多是使用單顆的大尺寸(40-45mils)晶粒來(lái)封裝，因此熱源相當(dāng)集中，而傳統(tǒng)的小功率封裝普遍是使用耐熱性不好的樹(shù)脂(epoxy)。 因此兩種都會(huì)因?yàn)闊岬膯?wèn)題而造成使用壽命變短。本實(shí)用新型的電子元件載體可在硅基板上配置比現(xiàn)有電子元件載體數(shù)量更多的晶粒，將其分散在一個(gè)封裝體內(nèi)，形成的高功率電子元件載體，由于熱源分散，且電流較小，產(chǎn)生熱能也較少，比起低電壓、高電流的高功率電子元件載體具有良率較高，使用壽命也較長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。且因上述電子元件載體可適用高電壓， 則在電路結(jié)構(gòu)中便無(wú)需配置降壓器，加上使用非晶硅的硅基板，這樣就大大降低了本實(shí)用新型電子元件裝置的生產(chǎn)成本，此外硅基板散熱也較好，再以此封裝晶粒，也可大幅減少因熱膨脹系數(shù)不同造成的應(yīng)力問(wèn)題，使電子元件壽命大幅延長(zhǎng)。此外，晶粒所在的承載表面具有電路接點(diǎn)，可以配置電線經(jīng)過(guò)通孔連接電路接點(diǎn)并和外界電性連接，比起現(xiàn)有的電子元件裝置需在硅基板上形成穿孔以和外界電性連接，本實(shí)用新型也降低了制程上的復(fù)雜度。 另外，本實(shí)用新型的支架形狀并無(wú)限制，可為圓形、多邊形或不規(guī)則形狀等。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種封裝支架，其特征是所述封裝支架應(yīng)用于電子元件載體的封裝，所述電子元件載體具有內(nèi)連接導(dǎo)體，而所述封裝支架包括支架主體、開(kāi)口、容置空間以及至少一個(gè)外連接導(dǎo)體，所述支架主體具有第一表面與第二表面；所述開(kāi)口連通所述第一表面和所述第二表面；所述容置空間連通至所述開(kāi)口，所述容置空間可容置所述電子元件載體，所述電子元件載體的承載表面通過(guò)所述開(kāi)口而露出于所述第一表面；所述至少一個(gè)外連接導(dǎo)體電性連接至所述內(nèi)連接導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝支架，其特征是所述支架主體的材質(zhì)為高分子材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝支架，其特征是所述電子元件載體包括基板以及至少一個(gè)晶粒，所述基板表面為所述承載表面，所述承載表面上形成有所述內(nèi)連接導(dǎo)體；所述至少一個(gè)晶粒設(shè)置于所述基板的承載表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝支架，其特征是所述第一表面的開(kāi)口具有傾斜側(cè)壁，且所述開(kāi)口在所述第二表面的形狀適于容納所述電子元件載體。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝支架，其特征是所述晶粒為集成電路芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝支架，其特征是所述晶粒為發(fā)光二極管芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝支架，其特征是所述基板為非晶硅基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝支架，其特征是所述容置空間位于所述第二表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝支架，其特征是所述內(nèi)連接導(dǎo)體和所述外連接導(dǎo)體的材質(zhì)為鋁或銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝支架，其特征是所述支架主體還包括通孔，所述外連接導(dǎo)體配置于所述通孔中，所述內(nèi)連接導(dǎo)體的位置對(duì)應(yīng)所述通孔位置，且電性連接至所述外連接導(dǎo)體。
11.一種封裝支架，其特征是所述封裝支架應(yīng)用于電子元件載體的封裝，所述電子元件載體具有承載表面，且所述承載表面上具有至少一個(gè)電路接點(diǎn)，而所述封裝支架包括支架主體、開(kāi)口、容置空間以及至少一個(gè)通孔，所述支架主體具有第一表面與第二表面；所述開(kāi)口連通所述第一表面和所述第二表面；所述容置空間連通至所述開(kāi)口，所述容置空間可容置所述電子元件載體，所述電子元件載體的所述承載表面通過(guò)所述開(kāi)口而露出于所述第一表面；所述至少一個(gè)通孔連通所述第一表面和所述第二表面，所述電子元件載體的所述電路接點(diǎn)通過(guò)所述通孔而露出于所述第一表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝支架，其特征是所述支架主體的材質(zhì)為高分子材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝支架，其特征是所述電子元件載體包括基板以及至少一個(gè)晶粒，所述基板表面為所述承載表面；所述至少一個(gè)晶粒設(shè)置于所述基板的承載表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝支架，其特征是所述第一表面的開(kāi)口具有傾斜側(cè)壁，且所述開(kāi)口在所述第二表面的形狀適于容納所述電子元件載體。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝支架，其特征是所述晶粒為集成電路芯片。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝支架，其特征是所述晶粒為發(fā)光二極管芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝支架，其特征是所述基板為非晶硅基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝支架，其特征是所述容置空間位于所述第二表面。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種封裝支架，該封裝支架應(yīng)用于電子元件載體的封裝，電子元件載體具有內(nèi)連接導(dǎo)體，而封裝支架包括支架主體、開(kāi)口、容置空間以及至少一個(gè)外連接導(dǎo)體，支架主體具有第一表面與第二表面，且開(kāi)口連通第一表面和第二表面，容置空間連通至開(kāi)口，容置空間可容置電子元件載體，電子元件載體的承載表面通過(guò)開(kāi)口而露出于第一表面，至少一個(gè)外連接導(dǎo)體電性連接至內(nèi)連接導(dǎo)體。本實(shí)用新型封裝支架良率較高，壽命較長(zhǎng)，并且制造成本較低。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202183367SQ201120239368
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者何奎樟, 王健全 申請(qǐng)人:黃斐琪