專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及一種具有晶片級封裝(WLP)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年來，WLP技術(shù)引起人們的注意，WLP技術(shù)用于在晶片狀態(tài)下執(zhí)行從在晶片中形成芯片的工藝到將晶片切割成獨立芯片的工藝并且包含封裝在內(nèi)的所有工藝。WLP技術(shù)有望用于如微型化半導(dǎo)體器件，改善半導(dǎo)體器件的性能，增加半導(dǎo)體器件的封裝密度，以及提高半導(dǎo)體器件制造工藝的效率。
順便說一下，通常最適用于半導(dǎo)體器件的樹脂被用來制造半導(dǎo)體器件的封裝，同時需要考慮如半導(dǎo)體器件的用途或特性。此外，在密封樹脂時，必須根據(jù)芯片的形式采取措施，以使半導(dǎo)體器件的性能不會惡化。比如，使用具有稱為空氣橋布線結(jié)構(gòu)的芯片，以防止樹脂進入布線部分之間的區(qū)域，已經(jīng)有人提出圍繞布線部分形成框架形圍堰突出電極的方法(參見日本未審專利公開No.06-252208)。
樹脂通常用于制造具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的封裝，但會出現(xiàn)下列問題。
圖50為傳統(tǒng)具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
在圖50中，示出具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100，對該半導(dǎo)體器件100已使用WLP技術(shù)執(zhí)行切割工藝。
在半導(dǎo)體器件100中，硅(Si)襯底101用作半導(dǎo)體襯底。預(yù)定的晶體管結(jié)構(gòu)(未顯示)形成在Si襯底101中。層間介電膜102，如氧化硅(SiO2)膜，形成在Si襯底101上。鋁(Al)焊盤1 03形成在層間介電膜102上。焊盤103通過在層間介電膜102中形成的布線(未顯示)或通路(未顯示)，與形成在Si襯底101中的晶體管電性相連。覆蓋膜104，如SiO2膜，形成于除焊盤103表面部分之外的層間介電膜102上。形成聚酰亞胺(PI)膜105以覆蓋層間介電膜102和覆蓋膜104。
在具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100中，具有預(yù)定圖案的銅(Cu)重接布線106形成在沒有被覆蓋膜104或PI膜105覆蓋的焊盤103上和PI膜105上。穿過密封樹脂107的銅接線柱108的一端與重接布線106相連，而銅接線柱108的另一端與焊料塊109相連。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100邊緣部分保留的劃片區(qū)域110中，Si襯底101直接與密封樹脂107相接觸。Si襯底101和密封樹脂107之間存在較大的熱膨脹率差。因此，比如，由于半導(dǎo)體器件100運行時產(chǎn)生的熱量，或靠近半導(dǎo)體器件100的其它部件或單元產(chǎn)生的熱量，因而從半導(dǎo)體器件100的側(cè)面上、Si襯底101與密封樹脂107相接觸的部分111處產(chǎn)生裂縫112(在圖50中用虛線表示)。如果出現(xiàn)裂縫112，密封樹脂107可能從Si襯底101或PI膜105脫落。如果裂縫112延伸到芯片內(nèi)部，則在芯片內(nèi)部可能發(fā)生脫落。如果發(fā)生這種脫落，極有可能使半導(dǎo)體器件100的性能下降。
上述密封樹脂等脫落的問題不僅出現(xiàn)在具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，也出現(xiàn)在具有如傳統(tǒng)芯片尺寸封裝(CSP)結(jié)構(gòu)且其制造不需要WLP技術(shù)的半導(dǎo)體器件中。也就是說，上述問題可能出現(xiàn)在完成后具有相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在上述背景環(huán)境下完成。本發(fā)明的目的為提供一種具有良好的耐熱性和高可靠性的半導(dǎo)體器件以及該半導(dǎo)體器件的制造方法。
為了達到上述第一目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其包括芯片，該芯片的一個表面被密封樹脂密封。在這種半導(dǎo)體器件中，圍堰層形成在芯片和密封樹脂之間的芯片邊緣部分上。
此外，為了達到上述第二目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件包括芯片，該芯片的一個表面被密封樹脂密封。這種方法包含如下步驟形成芯片；在芯片和密封樹脂之間的芯片邊緣部分上形成圍堰層；以及通過在形成有圍堰層的芯片表面上形成密封樹脂而密封芯片。
根據(jù)以下結(jié)合附圖的說明，本發(fā)明的上述和其它目的、特征及優(yōu)點將會更加清楚，所述附圖舉例示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖2為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖3為示出如何形成PI膜的另一實例的重要部分的剖視示意圖。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的俯視示意圖。
圖5為沿著圖4中的線A-A截取的剖視示意圖。
圖6為沿著圖4中的線B-B截取的剖視示意圖。
圖7為示出開口形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖8為示出PI膜形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖9為示出籽晶金屬形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖10為示出重接布線和圍堰層抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖11為示出重接布線和圍堰層形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖12為示出第一抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖13為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖14為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖15為示出第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖16為示出籽晶金屬蝕刻工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖17為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖18為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖19為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖20為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖。
圖21為示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖22為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖23為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖24為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖25為示出第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖26為示出籽晶金屬蝕刻工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖27為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖28為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖29為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖30為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
圖31為示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖32為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖33為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖34為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖35為示出第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖36為示出籽晶金屬蝕刻工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖37為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖38為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖39為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖40為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
圖41為示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖42為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。
圖43為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。
圖44為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。
圖45為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。
圖46為示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖47為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖48為示出根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
圖49為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖50為示出傳統(tǒng)具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
具體實施例方式
下面以具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件為例并參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。
首先描述本發(fā)明的第一實施例。
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。
在圖1中示出具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1，對該半導(dǎo)體器件1已采用WLP技術(shù)執(zhí)行切割工藝。
在半導(dǎo)體器件1中，將Si襯底2用作半導(dǎo)體襯底。預(yù)定的晶體管結(jié)構(gòu)(未顯示)形成在Si襯底2中，并且層間介電膜3，如SiO2膜或氮化硅(SiN)膜，形成在Si襯底2上。層間介電膜3可為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。鋁焊盤4形成在層間介電膜3上。焊盤4通過形成在層間介電膜3中的布線(未顯示)或通路(未顯示)，與形成在Si襯底2中的晶體管電性相連。覆蓋膜5，如SiO2膜或SiN膜，形成在除焊盤4表面部分之外的層間介電膜3上。形成PI膜6以覆蓋層間介電膜3和覆蓋膜5。通過這種方式制成包含在半導(dǎo)體器件1中的芯片。
在具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1中，具有預(yù)定圖案的銅重接布線7形成在沒有被覆蓋膜5或PI膜6覆蓋的焊盤4上和PI膜6上。此外，銅圍堰層8形成在PI膜6的側(cè)面上及其附近，該PI膜6在芯片邊緣部分覆蓋層間介電膜3和覆蓋膜5。在這種情況下，圍堰層8形成在PI膜6的頂面和側(cè)面以及Si襯底2的劃片區(qū)域9上。如下文所述，圍堰層8和重接布線7例如同時形成。
采用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等形成密封樹脂10，以覆蓋芯片的一個表面。銅接線柱11作為用于外部連接的導(dǎo)電元件而形成且穿過密封樹脂10，銅接線柱11的一端連接到重接布線7。焊料塊12同樣作為用于外部連接的導(dǎo)電部件而形成，焊料塊12連接到接線柱11的另一端。
如上所述，在半導(dǎo)體器件1中，圍堰層8形成在芯片和密封樹脂10之間的芯片邊緣部分。下面將更詳細地描述包含在半導(dǎo)體器件1中的圍堰層8。
圖2為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。在圖2中示出圖1所示半導(dǎo)體器件1的部件中的Si襯底2、圍堰層8和接線柱11，而其它部件未示出。
如圖1所示，圍堰層8形成在PI膜6的側(cè)面上及其附近。如圖2所示，圍堰層形成為圍繞形成芯片的區(qū)域(芯片區(qū)域)70的所有側(cè)面。
形成圍堰層8所用的材料為與密封樹脂10附著在Si襯底2上的情況相比，該材料與Si襯底2、PI膜6和密封樹脂10都具有良好的附著性，也就是說，該材料與Si襯底2、PI膜6和密封樹脂10的附著性高于或等于某一水平。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1中，形成的圍堰層8分布于PI膜6和Si襯底2上方。此外，在圍堰層8和PI膜6之間、圍堰層8和Si襯底2之間、以及在圍堰層8和密封樹脂10之間均獲得牢固的附著性。圍堰層8圍繞芯片的所有側(cè)面。因此，即使從半導(dǎo)體器件1的側(cè)面上、Si襯底2和密封樹脂10結(jié)合的部分處出現(xiàn)裂縫，圍堰層8也能阻止裂縫延伸到內(nèi)部。從而，避免了密封樹脂10的脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。因此，即使半導(dǎo)體器件1處于加熱環(huán)境中，也能保持其性能。
此外，通過對重接布線7或圍堰層8進行如噴砂(blasting)或涂覆黑色氧化物之類的表面處理，可進一步提高重接布線7和密封樹脂10之間或圍堰層8和密封樹脂10之間的附著性。從而，更有效地避免了密封樹脂10的脫落等。
此外，通過將圍堰層8連接到半導(dǎo)體器件1的接地電極，可獲得屏蔽效果。
在上述實例中，圍堰層8在Si襯底2上的端部從半導(dǎo)體器件1的側(cè)面進入密封樹脂10內(nèi)。然而，圍堰層8在Si襯底2上的端部也可以暴露在半導(dǎo)體器件1的側(cè)面上。在這種情況下，半導(dǎo)體器件1側(cè)面上的圍堰層8位于Si襯底2和密封樹脂10之間，因此在半導(dǎo)體器件1的任一側(cè)面上Si襯底2和密封樹脂10都沒有接觸。從而，圍堰層8和Si襯底2之間以及圍堰層8和密封樹脂10之間牢固的附著力自身避免了裂縫的出現(xiàn)。
在上述實例中，接線柱11的上端部在一定程度上從密封樹脂10伸出。然而，只要確保重接布線7和焊料塊12之間緊密的接合，僅接線柱11的上端可暴露在密封樹脂10上。
在上述實例中，PI膜6覆蓋層間介電膜3和覆蓋膜5的側(cè)面。然而，如圖3所示，即使PI膜6沒有覆蓋層間介電膜3和覆蓋膜5的側(cè)面，仍能獲得與上述相同的效果。
圖3為示出如何形成PI膜的另一實例的重要部分的剖視示意圖。
在圖3中，PI膜6沒有覆蓋層間介電膜3和覆蓋膜5的側(cè)面。也就是說，PI膜6只形成于覆蓋膜5的頂部。在這種情況下，應(yīng)形成在PI膜6頂部上、層間介電膜3和覆蓋膜5的側(cè)面上以及Si襯底2的劃片區(qū)域9上分布的圍堰層8。借此，能獲得與上述相同的效果。換句話說，避免了密封樹脂10的脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。
在上面的描述中，圍堰層8由銅形成。然而，如果能夠確保圍堰層8和Si襯底2之間、圍堰層8和PI膜6之間以及圍堰層8和密封樹脂10之間的附著性達到某一水平或更高，則在原則上用于圍堰層8的材料沒有限制。這同樣適用于PI膜6和密封樹脂10。
此外，在上述實例中，在一個芯片上形成一個焊盤4和一個接線柱11。然而，在一個芯片上也能形成多個焊盤4和多個接線柱11。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的俯視示意圖。圖5為沿圖4的線A-A截取的剖視示意圖。圖6是沿圖4的線B-B截取的剖視示意圖。在圖4至圖6中沒有示出密封樹脂10和焊料塊12。
如圖4所示，半導(dǎo)體器件1包括多個接線柱11和多條重接布線7。在這種情況下，如圖5所示，每個接線柱11與一條重接布線7相連，并且如圖6所示，與接線柱11相連的每條重接布線7與一個焊盤4相連。如圖4和圖6所示，圍堰層8形成為圍繞形成接線柱11、重接布線7、焊盤4等區(qū)域的所有側(cè)面。
為了便于說明，以一個芯片包括一個焊盤4和一個接線柱11的情況為例(除了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的無接線柱結(jié)構(gòu)外)。
下面描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的制造方法。
圖7至圖20示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的制造方法。下面依序描述半導(dǎo)體器件1的制造方法。
圖7為示出開口形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
在Si襯底2中將要形成各個芯片的區(qū)域中，首先通過一般方法形成晶體管結(jié)構(gòu)。此后，在形成所需的布線和通路的同時，形成層間介電膜3。形成與晶體管電性相連的焊盤4。然后，形成覆蓋膜5。開口13形成在覆蓋膜5中，以便露出焊盤4的表面部分。此外，除去芯片之間的劃片區(qū)域9上的覆蓋膜5和層間介電膜3。
圖8為示出PI膜形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
在開口13形成之后，首先，在整個表面上涂覆聚酰亞胺(PI)，以形成厚度大約為2至10μm的PI膜6。對PI膜6執(zhí)行圖案化，以露出開口13中的焊盤4表面和Si襯底2中的劃片區(qū)域9表面。
圖9為示出籽晶金屬形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
在對PI膜6執(zhí)行圖案化之后，通過濺射在整個表面上形成用于形成重接布線7和圍堰層8的籽晶金屬14。在這種情況下，要考慮籽晶金屬14和Si襯底2之間以及籽晶金屬14和PI膜6之間的附著性。因此，舉例來說，使用鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)、鉻(Cr)等執(zhí)行濺射，以形成下層。然后使用銅執(zhí)行濺射，以形成上層。所述上層和下層被用作籽晶金屬14。上層和下層的總厚度應(yīng)該是大約0.2至1μm。
圖10為示出重接布線和圍堰層抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖。
在形成籽晶金屬14之后，采用液體抗蝕劑或膜狀抗蝕劑形成抗蝕膜15，該抗蝕膜15的圖案具有相應(yīng)于將形成重接布線7和圍堰層8的區(qū)域的開口。也就是說，相應(yīng)于重接布線7的部分抗蝕膜15具有相應(yīng)于形成焊盤4的位置、形成接線柱11的位置等的預(yù)定圖案。相應(yīng)于圍堰層8的部分抗蝕膜15具有圍繞芯片所有側(cè)面的圖案。
圖11為示出重接布線和圍堰層形成工藝的重要部分的剖視示意圖。圖12為示出第一抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖。
如圖11所示，在形成抗蝕膜15之后，以抗蝕膜15作為掩模使用銅電鍍籽晶金屬14，以形成厚度大約為5至10μm的銅鍍層16。在形成鍍層16之后，去除抗蝕膜15，且獲得圖12所示的狀態(tài)。在此電鍍后的適當(dāng)階段，可以對鍍層16執(zhí)行如噴砂或涂覆黑色氧化物這樣的表面處理，以增加鍍層16和隨后形成的密封樹脂10之間的附著性。
圖13為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖。
在去除用以形成鍍層16的抗蝕膜15之后，采用液體抗蝕劑或膜狀抗蝕劑形成抗蝕膜17，該抗蝕膜17的圖案具有相應(yīng)于將形成用于外部連接的接線柱11的區(qū)域的開口。
圖14為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖。圖15為示出第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖。
如圖14所示，在形成抗蝕膜17之后，以抗蝕膜17作為掩模使用銅或依次使用銅、鎳(Ni)和金(Au)電鍍鍍層16。借此，高度大約為50至100μm且直徑大約為100μm的接線柱11形成在鍍層16上。在形成接線柱11之后，去除抗蝕膜17，并獲得圖15所示的狀態(tài)。在去除抗蝕膜17之后，對鍍層16和接線柱11依次進行表面處理，以增加鍍層16和隨后形成的密封樹脂10之間以及接線柱11和隨后形成的密封樹脂10之間的附著性。
圖16為示出籽晶金屬的蝕刻工藝的重要部分的示意剖視圖。
在去除用于形成接線柱11的抗蝕膜17之后，通過以鍍層16作為掩模蝕刻整個表面，除去暴露的籽晶金屬14。借此，籽晶金屬14僅保留在鍍層16之下。從而，在預(yù)定位置形成均包含籽晶金屬14和鍍層16的重接布線7和圍堰層8。
如果在切割線上有金屬材料，則在下文描述的切割工藝中可能遇到麻煩。因此，如圖16所示，從制造的觀點看，優(yōu)選地，未保留如籽晶金屬14之類的金屬材料的區(qū)域應(yīng)形成在劃片區(qū)域9上，而且應(yīng)在該區(qū)域中切割晶片。
圖17為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
在蝕刻籽晶金屬14之后，形成密封樹脂10。密封樹脂10可通過采用環(huán)氧樹脂等執(zhí)行模塑形成或通過采用如丙烯酸樹脂之類的液體樹脂涂覆整個表面形成。在這種情況下，密封樹脂10必須具有足夠的厚度，以便包括接線柱11上端的所有部件都密封在密封樹脂10中。
圖18為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖。
在預(yù)定厚度的密封樹脂10形成之后，進行使密封在其內(nèi)部的接線柱11上端部露出的工藝。舉例來說，為了露出接線柱11的上端部，形成的較厚密封樹脂10從表面逐漸減薄或通過灰化除去密封樹脂10。
圖19為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖。
在接線柱11的上端部露出之后，在接線柱11的露出部分上形成焊料塊12。為了形成焊料塊12，可使用已知的印刷方法，焊料球裝配方法等。然后執(zhí)行回流。
圖20為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖。
在焊料塊12形成之后，根據(jù)一般方法，使用金剛石鋸18在劃片區(qū)域9(金屬材料不存在的地方)進行切割。從而，獲得均具有圖1所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1(包含在重接布線7和圍堰層8中的籽晶金屬14沒有在圖1、2、3、4、5或6中示出)。
通過采用上述方法，重接布線7和圍堰層8能同時形成。因此，可以在不增加制造工序數(shù)量的情況下，采用現(xiàn)有的制造設(shè)備形成圍堰層8。重接布線7和圍堰層8可以在不同的步驟中形成。在這種情況下，重接布線7和圍堰層8可采用不同的材料形成。
下面描述本發(fā)明的第二實施例。
圖21為示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。圖22為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖21和圖22中與圖1和圖2中所示的相同的部件用相同的標號來表示，且省略對這些部件的詳細說明。在圖22中，僅示出圖21所示半導(dǎo)體器件20的部件中的Si襯底2、圍堰層8以及接線柱11和21，而未示出圖21所示半導(dǎo)體器件20的其它部件。
如圖22所示，圖21所示半導(dǎo)體器件20與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的不同之處在于接線柱21形成在圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層8上相應(yīng)于芯片四個角的位置。
具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件20，不僅形成圍堰層8，而且還形成了四個接線柱21，因此，接線柱21和密封樹脂10之間的附著性很牢固。因此，即使半導(dǎo)體器件20處于加熱環(huán)境中，密封樹脂10產(chǎn)生的熱應(yīng)力也可通過接線柱21釋放，有效地避免了密封樹脂10的脫落。
半導(dǎo)體器件20中，圍堰層8形成為圍繞芯片的所有側(cè)面。因此，避免了由側(cè)面上的裂縫引起的密封樹脂10的脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。這與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1是相同的。
下面描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件20的制造方法實例。
圖7至圖12中所示的、用于制造上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所執(zhí)行的工藝，同樣應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件20。后續(xù)工藝將參照圖23至圖30描述。
圖23為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖12所示，形成鍍層16，且去除抗蝕膜15。然后，使用液體抗蝕劑或膜狀抗蝕劑形成抗蝕膜22，該抗蝕膜22的圖案具有相應(yīng)于將形成接線柱11和21的區(qū)域的開口。也就是說，在這個實例中，形成的抗蝕膜22在鍍層16上將形成接線柱11的預(yù)定位置以及在鍍層16上相應(yīng)于將形成接線柱21的芯片四個角的位置(在圖23中由虛線表示)具有開口。
圖24為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。圖25為示出第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖24所示，在形成抗蝕膜22之后，以抗蝕膜22作為掩模，通過使用銅或依次使用銅、鎳(Ni)和金(Au)電鍍位于抗蝕膜22中開口下方的鍍層16。借此，高度大約為50至100μm的接線柱11和21形成在鍍層16上。在接線柱11和21形成之后，去除抗蝕膜22，并獲得圖25所示的狀態(tài)。為了提高鍍層16和后續(xù)形成的密封樹脂10之間、接線柱11和后續(xù)形成的密封樹脂10之間以及接線柱21和后續(xù)形成的密封樹脂10之間的附著性，在去除抗蝕膜22之后，對鍍層16以及接線柱11和21進行表面處理。
在通過這種方式形成接線柱11和21之后，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件20可通過用于制造上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所執(zhí)行的相同工藝制成。
圖26為示出籽晶金屬蝕刻工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。圖27為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。圖28為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。圖29為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。圖30為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖26所示，在去除用于形成接線柱11和21的抗蝕膜22之后，首先，通過以鍍層16以及接線柱11和21作為掩模蝕刻整個表面，除去露出的籽晶金屬14。從而，在預(yù)定位置形成均包括籽晶金屬14和鍍層16的重接布線7和圍堰層8。
然后，如圖27所示，通過模塑和采用液體樹脂涂覆整個表面形成密封樹脂10。在這種情況下，密封樹脂10必須具有足夠的厚度，以便所有部件都密封在密封樹脂10中。如圖28所示，通過研磨、灰化等除去部分密封樹脂10，以便露出密封在密封樹脂10內(nèi)的接線柱11和21的上端部。如圖29所示，在接線柱11和21的上端部露出之后，焊料塊12僅形成在接線柱11上。
最后，如圖30所示，用金剛石鋸18進行切割。從而，獲得均具有圖21所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件20(包含在重接布線7和圍堰層8中的籽晶金屬14沒有在圖21或圖22中示出)。
通過采用上述方法，重接布線7和圍堰層8能同時形成。此外，接線柱11和21也能同時形成。因此，可以在不增加制造工序數(shù)量的情況下，采用現(xiàn)有的制造設(shè)備形成圍堰層8和21。重接布線7和圍堰層8可以在不同的步驟中形成。而且，接線柱11和21也可以在不同的步驟中形成。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件20中，接線柱21形成在圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層8上相應(yīng)于芯片的四個角的位置。然而，接線柱21形成在相應(yīng)于芯片的四個角的位置不是必需的。如果多個接線柱以固定的間隔形成在圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層8上，則可獲得通過形成上述接線柱21所獲得的相同的效果。
下面描述本發(fā)明的第三實施例。
圖31為示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。圖32為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖31和圖32中與圖1和圖2中所示的相同的部件用相同的標號來表示，且省略對這些部件的詳細說明。在圖32中，僅示出圖31所示半導(dǎo)體器件30的部件中的Si襯底2、圍堰層8以及接線柱11和31，而未示出圖31所示半導(dǎo)體器件30的其它部件。
如圖32所示，圖31所示半導(dǎo)體器件30與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的不同之處在于接線柱31形成在圍繞芯片所有側(cè)面的整個圍堰層8上。
具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件30，不僅形成圍堰層8，而且還形成接線柱31，因此，接線柱31和密封樹脂10之間的附著性很牢固。因此，即使半導(dǎo)體器件30處于加熱條件環(huán)境中，也能有效避免密封樹脂10的脫落。
半導(dǎo)體器件30中，形成在整個圍堰層8上的接線柱31也以這種方式圍繞芯片的所有側(cè)面。這增加了封裝的強度。從而，例如在用鑷子拾取時，非常容易處理半導(dǎo)體器件30。而且，以這種方式形成的接線柱31可防止封裝變形。
半導(dǎo)體器件30中，圍堰層8圍繞芯片的所有側(cè)面而形成。因此，可避免由側(cè)面上的裂縫引起的密封樹脂10的脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。這與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1是相同的。
下面描述根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件30的制造方法實例。
圖7至圖12所示的、用于制造上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所執(zhí)行的工藝，同樣應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件30。后續(xù)工藝將參照圖33至圖40描述。
圖33為示出接線柱抗蝕劑圖案化工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖12所示，形成鍍層16，且去除抗蝕膜15。然后，形成抗蝕膜32，該抗蝕膜32的圖案具有相應(yīng)于將要形成接線柱11和31的區(qū)域的開口。也就是說，在這個實例中， 形成的抗蝕膜32在鍍層16上將要形成接線柱11的預(yù)定位置以及在鍍層16上將要形成圍繞芯片所有側(cè)面的接線柱31的位置具有開口。
圖34為示出接線柱形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。圖35為第二抗蝕劑去除工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖34所示，在形成抗蝕膜32之后，以抗蝕膜32作為掩模，通過使用銅或依次使用銅、鎳(Ni)和金(Au)電鍍位于抗蝕膜32中開口下方的鍍層16。借此，高度大約為50至100μm的接線柱11和31形成在鍍層16上。在形成接線柱11和31之后，去除抗蝕膜32，并獲得圖35所示的狀態(tài)。為了提高鍍層16和后續(xù)形成的密封樹脂10之間、接線柱11和后續(xù)形成的密封樹脂10之間、以及接線柱31和后續(xù)形成的密封樹脂10之間的附著性，在去除抗蝕膜32之后，可對鍍層16以及接線柱11和31進行表面處理。
在通過這種方式形成接線柱11和31后，根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件30可通過用于制造上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所執(zhí)行的相同工藝制成。
圖36為示出籽晶金屬蝕刻工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。圖37為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。圖38為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。圖39為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。圖40為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件。。
如圖36所示，在去除用于形成接線柱11和31的抗蝕膜32之后，首先，通過以鍍層16以及接線柱11和31作為掩模蝕刻整個表面，除去露出的籽晶金屬14。從而，在預(yù)定位置形成均包括籽晶金屬14和鍍層16的重接布線7和圍堰層8。
然后，如圖37所示，通過模塑和采用液體樹脂涂覆整個表面以形成密封樹脂10。在這種情況下，密封樹脂10必須具有足夠的厚度，以使所有部件都密封在密封樹脂10中。如圖38所示，為了露出密封在密封樹脂10內(nèi)的接線柱11和31的上端部，通過研磨、灰化等除去部分密封樹脂10。如圖39所示，在接線柱11和31的上端部露出之后，焊料塊12僅形成在接線柱11上。
最后，如圖40所示，用金剛石鋸18進行切割。從而，獲得均具有圖31中所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件30(包含在重接布線7和圍堰層8中的籽晶金屬14沒有在圖31或圖32中示出)。
通過采用上述方法，重接布線7和圍堰層8能同時形成。此外，接線柱11和31也能同時形成。因此，可以在不增加制造工序數(shù)量的情況下，采用現(xiàn)有的制造設(shè)備形成圍堰層8和31。重接布線7和圍堰層8可以在不同的步驟中形成。而且，接線柱11和31也可以在不同的步驟中形成。
下面描述本發(fā)明的第四實施例。
圖41為示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。圖41中與圖3 1中所示的相同部件用相同的標號來表示，并且省略對這些部件的詳細說明。
圖41所示半導(dǎo)體器件40與述根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件30的不同之處在于密封樹脂10不形成在圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層8和接線柱31外側(cè)。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件40中可獲得根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件30獲得的相同的效果。此外，在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件40中，例如由銅制成的接線柱31暴露在側(cè)面上，因此半導(dǎo)體器件40可散發(fā)更多的熱量。
下面描述根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件40的制造方法實例。
圖33至圖36中所示的、用于制造上述根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體器件30所執(zhí)行的工藝，同樣應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件40。后續(xù)工藝將參照圖42至圖45描述。
圖42為示出密封樹脂形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。圖43為示出接線柱露出處理工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。圖44為示出焊料塊形成工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。圖45為示出切割工藝的重要部分的剖視示意圖，該工藝用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體器件。
如圖36所示，通過蝕刻整個表面，除去露出的籽晶金屬14。從而，形成均包括籽晶金屬14和鍍層16的重接布線7和圍堰層8。然后，如圖42所示，密封樹脂10只形成在接線柱31圍繞的區(qū)域內(nèi)。舉例來說，通過使用具有相應(yīng)于接線柱31圍繞區(qū)域的開口的掩模應(yīng)用液體樹脂。接線柱31圍繞的區(qū)域被液體樹脂填充，并且形成密封樹脂10。
然后，如圖43所示，為了露出接線柱11和31的上端部，通過研磨、灰化等除去部分密封樹脂10。如圖44所示，在接線柱11和31上端部露出之后，焊料塊12僅形成在接線柱11上。
最后，如圖45所示，用金剛石鋸18進行切割。從而，獲得均具有圖41所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件40(包含在重接布線7和圍堰層8中的籽晶金屬14沒有在圖41中示出)。
下面描述本發(fā)明的第五實施例。
圖46為示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。圖47為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖46和圖47中與圖1和圖2中所示的相同的部件用相同的標號表示，并且省略對這些部件的詳細說明。在圖47中，僅示出圖46所示半導(dǎo)體器件50的部件中的Si襯底2和圍堰層8，沒有示出圖46所示半導(dǎo)體器件50的其它部件。
圖46所示半導(dǎo)體器件50與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的不同之處在于其具有將焊料塊12直接連接到重接布線7的無接線柱結(jié)構(gòu)。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件50中可獲得根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1獲得的相同的效果。此外，半導(dǎo)體器件50不包括接線柱11，因此可使半導(dǎo)體器件50減薄。
具有上述無接線柱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件50可通過用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所采用的相同的工序制成。也就是說，執(zhí)行圖7至圖12所示的工藝。在這種情況下，沒有形成接線柱11。在沒有接線柱11的狀態(tài)下執(zhí)行圖16所示的籽晶金屬蝕刻工藝，并且執(zhí)行圖17至圖20所示的工藝。
具有上述無接線柱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件50中，通過選擇性去除位于將形成焊料塊12的位置處的部分密封樹脂10，使用適當(dāng)?shù)难谀Ｔ诔藢⑿纬珊噶蠅K12的位置之外的區(qū)域中形成密封樹脂10，等等，形成焊料塊12。
下面描述本發(fā)明的第六實施例。
圖48為示出根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件實例的重要部分的剖視示意圖。圖49為示出包含在根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件中的圍堰層的示意圖。
圖48和圖49中與圖1和圖2中所示的相同的部件用相同的標號來表示，并且省略對這些部件的詳細說明。在圖49中，僅示出圖48所示半導(dǎo)體器件60的部件中的Si襯底2、圍堰層61和接線柱11，而沒有示出圖48所示半導(dǎo)體器件60的其它部件。
如圖49所示，圖48所示半導(dǎo)體器件60與上述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1的不同之處在于均具有平面L形的圍堰層61形成在芯片的四個角上。
具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件60中，圍堰層61形成在芯片的四個角上，因此可獲得根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件1所獲得的相同的效果。在這種情況下，可減少用于形成圍堰層61的材料數(shù)量，而且可獲得防止密封樹脂10脫落等的效果。
半導(dǎo)體器件60可通過用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的制造半導(dǎo)體器件1所采用的相同工序制成。也就是說，首先，執(zhí)行圖7至圖9中所示的工藝。在圖10所示的工藝中，形成具有相應(yīng)于將形成重接布線7和圍堰層61的區(qū)域的開口的抗蝕圖案。然后，執(zhí)行圖11至圖20中所示的工藝。
根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件60中，圍堰層61形成在芯片的四個角上。然而，在芯片的四個角上形成圍堰層61不是必需的。如果多個圍堰層以固定的間隔形成在芯片的邊緣部分，則可獲得通過形成上述圍堰層61所獲得的相同的效果。在這種情況下，每個圍堰層的形狀不局限于每個圍堰層61所具有的平面L形。
根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體器件60中，接線柱可形成圍堰層61上，而圍堰層61例如形成在芯片四個角上。借此，可獲得根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件20所獲得的相同的效果。
如上所述，分別在根據(jù)本發(fā)明第一至第六實施例的均具有WLP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1、20、30、40、50和60中，形成圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層8，在圍堰層8上形成接線柱21或接線柱31，或者在芯片的邊緣部分以固定的間隔形成圍堰層61。在這種情況下，通過適當(dāng)選擇圍堰層8和61與接線柱21和31的材料以及與它們接觸的部件材料，可提高圍堰層8和PI膜6之間、圍堰層61和PI膜6之間、圍堰層8和Si襯底2之間、圍堰層61和Si襯底2之間、圍堰層8和密封樹脂10之間、圍堰層61和密封樹脂10之間、接線柱21和密封樹脂10之間以及接線柱31和密封樹脂10之間的附著性。這可以避免密封樹脂10的脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。即使半導(dǎo)體器件1、20、30、40、50和60處于加熱環(huán)境中，其性能也能得到保持。
如果形成接線柱21或接線柱31，則可提高封裝強度、散熱特性等。
通過圍堰層8或圍堰層61與接地電極連接，可獲得屏蔽效果。
在上述半導(dǎo)體器件1、20、30、40、50和60的描述中，每個部件的材料、每個部件的厚度等為簡單的實例。這些條件可根據(jù)半導(dǎo)體器件1、20、30、40、50和60的使用環(huán)境和它們所需的特性等而改變。
上述每個半導(dǎo)體器件都具有WLP結(jié)構(gòu)。然而，上述描述也適用于通過將晶片分為獨立芯片并在樹脂中密封每個芯片而制成的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件中。
在本發(fā)明中，圍堰層形成在芯片和密封樹脂之間的芯片邊緣部分上。從而，在芯片和圍堰層之間以及圍堰層和密封樹脂之間可獲得牢固的附著性。即使處于加熱環(huán)境中，仍可避免密封樹脂從芯片脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落。因此，可實現(xiàn)具有優(yōu)良的耐熱性和高可靠性的半導(dǎo)體器件。此外，通過使用WLP技術(shù)，可實現(xiàn)具有WLP結(jié)構(gòu)且具有高可靠性和高性能的半導(dǎo)體器件。
以上說明可視為僅示出本發(fā)明的原理。此外，由于本領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易地進行多種修改和變化，因此不應(yīng)將本發(fā)明限制為所示及所述的具體結(jié)構(gòu)和應(yīng)用，從而所有適當(dāng)?shù)男薷暮偷刃鎿Q可認為落入本發(fā)明所附的權(quán)利要求書及其等效范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括芯片，該芯片的一個表面被密封樹脂密封；圍堰層，形成在芯片和密封樹脂之間的芯片邊緣部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該圍堰層形成為圍繞芯片的所有側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該圍堰層上形成有接線柱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該圍堰層形成為圍繞芯片的所有側(cè)面；以及在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層上形成有接線柱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接線柱以固定的間隔形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接線柱形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的整個圍堰層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的整個圍堰層上的接線柱外表面沒有被密封樹脂覆蓋且露出來。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該圍堰層以固定的間隔形成在芯片的邊緣部分上。
9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件包括芯片，該芯片的一個表面被密封樹脂密封，該方法包括如下步驟形成芯片；在芯片和密封樹脂之間的芯片邊緣部分上形成圍堰層；以及在形成有圍堰層的芯片表面上形成密封樹脂以密封芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成圍堰層的步驟中，與圍堰層同時形成布線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成圍堰層的步驟中，該圍堰層形成為圍繞芯片的所有側(cè)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成圍堰層的步驟之后，還包括在該圍堰層上形成接線柱的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成圍堰層的步驟之后，還包括在該圍堰層上形成接線柱的步驟，該圍堰層在形成圍堰層的步驟中形成，以圍繞芯片的所有側(cè)面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在形成接線柱的步驟中，所述接線柱以固定的間隔形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的圍堰層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在形成接線柱的步驟中，所述接線柱形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的整個圍堰層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在形成密封樹脂以密封芯片的步驟中形成在形成為圍繞芯片所有側(cè)面的整個圍堰層上的接線柱外表面沒有被密封樹脂覆蓋且露出來；以及密封芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成圍堰層的步驟中，該圍堰層以固定的間隔形成在芯片的邊緣部分上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有WLP結(jié)構(gòu)且能夠提高耐熱性的半導(dǎo)體器件。在芯片的Si襯底和密封樹脂之間形成圍堰層，以圍繞芯片的所有側(cè)面，該圍堰層分布在PI膜和Si襯底上。選擇圍堰層的材料，以在圍堰層和Si襯底之間、圍堰層和PI膜之間以及圍堰層和密封樹脂之間獲得良好的附著性。從而，即使在加熱環(huán)境中，在半導(dǎo)體器件的側(cè)面上、Si襯底和密封樹脂結(jié)合的部分處出現(xiàn)裂縫，該裂縫也不會延伸到圍堰層中。因此，可避免密封樹脂脫落或芯片內(nèi)部出現(xiàn)脫落，并且保持半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號H01L21/56GK1983573SQ20061007108
公開日2007年6月20日 申請日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月12日
發(fā)明者野坂圭司, 愛場喜孝 申請人:富士通株式會社