專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將多個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在引線框上，具有用密封部覆蓋了多個(gè)半導(dǎo)體芯片和引線框的需要被覆部的構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
在使用多個(gè)半導(dǎo)體芯片構(gòu)成規(guī)定的電路的半導(dǎo)體裝置中，在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在引線框的島上的同時(shí)，用焊絲等的布線連接各半導(dǎo)體芯片和引線框的內(nèi)引線之間。此外，以覆蓋引線框的島和安裝在該島上的半導(dǎo)體芯片和內(nèi)引線的方式形成由樹脂的成形品構(gòu)成的密封部，謀求半導(dǎo)體芯片和其布線部分的保護(hù)。
這種半導(dǎo)體裝置在各種領(lǐng)域中使用。例如，在從發(fā)電機(jī)等的電源向負(fù)荷提供電力的裝置、控制向負(fù)荷提供的電力的裝置的領(lǐng)域中，為了構(gòu)成使用由包含二極管、晶閘管、晶體管、MOSFET等的電力元件的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的整流電路、變換(inverter)電路、電壓調(diào)整電路等的功率電路(流過大的電流的電路)等，使用在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片，用樹脂密封部密封了所要求部分的構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。構(gòu)成功率電路的半導(dǎo)體裝置例如公開于特開2000-196009號和特開2004-63688號公報(bào)中。
在構(gòu)成功率電路的半導(dǎo)體裝置中使用的引線框通過打通由導(dǎo)電材料構(gòu)成的比較厚的板，形成兼作散熱器的島和與半導(dǎo)體芯片的端子電氣連接的多個(gè)引線。當(dāng)使用該引線框構(gòu)成形成功率電路的半導(dǎo)體裝置的情況下，首先在引線框的各島上用焊接或粘接等安裝電力元件等的半導(dǎo)體芯片后，通過焊絲在半導(dǎo)體芯片和規(guī)定的引線之間進(jìn)行布線。接著，在引線框的各部中，將島和內(nèi)引線作為需要被覆部，用樹脂覆蓋這些需要被覆部和半導(dǎo)體芯片形成樹脂密封部(樹脂封裝)，通過將在該樹脂密封部的外部上的引線框的不需要部分切掉，得到從樹脂密封部向外部導(dǎo)出外引線作為引線端子的構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。
作為以往使用的引線框，有如特開2000-196009號所示，將導(dǎo)出到外部的多個(gè)引線的全部排列配置在框的寬度方向的一側(cè)上的引線框，和如特開2004-63688號公報(bào)所示，將導(dǎo)出到外部的多個(gè)引線分開配置在框的寬度方向的兩側(cè)上的引線框。當(dāng)使用將引線排列配置在寬度方向的一側(cè)上的構(gòu)造的引線框的情況下，如圖18(A)、(B)所示，能夠得到從樹脂密封部P的寬度方向的一側(cè)導(dǎo)出引線端子T的構(gòu)造的單列直插型的半導(dǎo)體裝置Ms。此外當(dāng)使用在寬度方向的兩側(cè)具有引線的構(gòu)造的引線框的情況下，如圖19(A)、(B)所示，能夠得到從樹脂密封部P的寬度方向的兩側(cè)導(dǎo)出引線端子T以及T’的構(gòu)造的雙列直插型的半導(dǎo)體裝置Md。而且在圖18以及圖19中CB表示用于安裝半導(dǎo)體裝置的電路基板。
圖18以及圖19所示的半導(dǎo)體裝置例如將各自的引線端子插入到設(shè)置在電路基板CB上的通孔中，通過焊接到設(shè)置于電路基板CB上的導(dǎo)電圖案(未圖示)，安裝在電路基板CB上。此外這種半導(dǎo)體裝置還有通過在安裝于電路基板上的插座的凹形端子中插入引線端子來安裝在電路基板上的情況。
當(dāng)使用將全部的引線配置在寬度方向的單側(cè)上的引線框構(gòu)成單列直插型的半導(dǎo)體裝置的情況下，如圖18所示，當(dāng)在比半導(dǎo)體裝置的樹脂密封部P還小的電路基板CB上安裝半導(dǎo)體裝置的情況下，因?yàn)榘雽?dǎo)體裝置從基板或者插座向單側(cè)大大突出，所以存在平衡差的問題。
此外如圖19(A)、(B)所示，當(dāng)使用在引線框的寬度方向兩側(cè)上配置了引線的引線框來構(gòu)成雙列直插型的半導(dǎo)體裝置的情況下，在以提高電子元件的冷卻效果等的理由，進(jìn)行加大引線框的島的尺寸的設(shè)計(jì)變更時(shí)，如圖19(B)用點(diǎn)劃線表示的那樣，樹脂密封部P的寬度尺寸從W增加到W’，隨之因?yàn)橐€端子T、T’之間的距離從d增加到d’，所以即使引線端子的數(shù)量未改變的情況下，也不能在與設(shè)計(jì)變更前相同的電路基板CB或者插座上安裝半導(dǎo)體裝置，存在設(shè)計(jì)變更要求的成本增加的問題。
進(jìn)而，即使取單列直插型以及雙列直插型的任何形式的情況下，因?yàn)閷?gòu)成半導(dǎo)體裝置的全部的發(fā)熱元件埋入設(shè)置在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)，所以半導(dǎo)體裝置的溫度增高，還存在元件的冷卻性能變差的問題。
進(jìn)而，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，因?yàn)樾枰獙⑨槍Ω鲘u設(shè)置的引線導(dǎo)入到框的寬度方向的端部，所以在島的數(shù)量多的情況下，不能避免島以及引線的排列的圖案變得復(fù)雜的情況。因此，當(dāng)通過打通形成框的情況下，打通模的構(gòu)造變得復(fù)雜，還存在模的成本增高的問題。
以上，以構(gòu)成功率電路的半導(dǎo)體裝置為例子說明了其問題點(diǎn)，但即使在構(gòu)成功率電路以外的電子電路的半導(dǎo)體裝置中，也是在取單列直插型以及雙列直插型的構(gòu)成時(shí)產(chǎn)生和上述一樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠平衡良好地安裝在電路基板上的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種不改變引線的排列和引線相互間的距離，就能夠進(jìn)行島的尺寸的變更等的設(shè)計(jì)變更的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種使埋入設(shè)置在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量減少，能夠抑制溫度上升、提高冷卻性能的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種通過謀求引線框的構(gòu)造的簡化，將打通引線框的模的構(gòu)造設(shè)置得簡單，能夠謀求降低模的成本，謀求降低制造成本的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明適合于將多個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在引線框上，以覆蓋多個(gè)半導(dǎo)體芯片和引線框的需要被覆部的方式設(shè)置密封部的半導(dǎo)體裝置。
在本發(fā)明中，將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分為第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，以兩組半導(dǎo)體芯片在引線框的寬度方向上隔開間隔的狀態(tài)下分別安裝在引線框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上。密封部由將第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別與引線框的需要被覆部一同覆蓋的第1以及第2樹脂密封部構(gòu)成，在第1樹脂密封部和第2樹脂密封之間用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)。此外在第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，與第1樹脂密封部內(nèi)的電路連接的多個(gè)引線的外引線部以及與第2樹脂密封部內(nèi)的電路連接的多個(gè)引線的外引線部作為引線端子通過第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
如上所述，如果將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分為第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，以在引線框的寬度方向上隔開間隔的狀態(tài)下將兩組半導(dǎo)體芯片分別安裝在引線框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上的同時(shí)，將密封部分為將第1組以及第2組半導(dǎo)體芯片分別與引線框的需要被覆部一同覆蓋的第1樹脂密封部以及第2樹脂密封部，設(shè)置成從兩樹脂密封部之間引出引線端子的構(gòu)造，則因?yàn)樵诎雽?dǎo)體裝置的寬度方向的中央部或者大致中央部配置引線端子群，在引線端子群的兩側(cè)上配置第1以及第2樹脂密封部，所以當(dāng)將半導(dǎo)體裝置安裝在比該半導(dǎo)體裝置還小的電路基板上時(shí)，能夠防止半導(dǎo)體裝置從電路基板向單側(cè)大大突出的狀態(tài)的發(fā)生，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置平衡良好地安裝在電路基板上。
此外如果如上述那樣構(gòu)成，則因?yàn)椴桓淖円€端子的排列和間隔，就能夠沿著引線框的寬度方向放大或者縮小各島的尺寸，所以不改變引線端子的排列和間隔，就能夠進(jìn)行改變島的尺寸等的設(shè)計(jì)變更。因而，當(dāng)在設(shè)計(jì)變更前后引線端子的數(shù)量未改變的情況下，在設(shè)計(jì)變更后也能夠在與設(shè)計(jì)變更前同樣型的電路基板或者插座上安裝半導(dǎo)體裝置，能夠謀求在設(shè)計(jì)變更中要求的成本的消減。
進(jìn)而，如上所示，如果將構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片分成2個(gè)組，用各自的樹脂密封部覆蓋兩組的半導(dǎo)體芯片，則因?yàn)槟軌蚴孤袢朐O(shè)置到1個(gè)樹脂密封部內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量減少，所以能夠抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升，提高其冷卻性能。
如果如上述那樣構(gòu)成，則因?yàn)樵谝€框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上配置用于安裝半導(dǎo)體芯片的島，在引線框的寬度方向的中央部上配置引線群，所以能夠謀求引線框的島以及引線群的排列圖案的簡潔化。因而，能夠簡單地設(shè)置打通引線框的模的構(gòu)造，能夠防止模的成本增高。
在本發(fā)明的理想的形態(tài)中，上述連結(jié)部由形成引線框的一部分的多個(gè)引線構(gòu)成，將構(gòu)成該連結(jié)部的多個(gè)引線各自的兩端埋入設(shè)置在第1樹脂密封部內(nèi)以及第2樹脂密封部內(nèi)。
如上所述，當(dāng)將構(gòu)成引線框的一部分的引線作為連結(jié)部使用的情況下，理想的是用與構(gòu)成第1樹脂密封部以及第2樹脂密封部的樹脂同樣的樹脂，跨越兩樹脂密封部形成分別覆蓋構(gòu)成連結(jié)部的多個(gè)引線的連結(jié)用樹脂模塑(mould)部，使該連結(jié)用樹脂密封部也具有機(jī)械地連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的功能。
這樣在將連結(jié)用樹脂模塑部跨越第1樹脂密封部以及第2樹脂密封部形成的情況下，在使用傳遞模(transfer mould)用的型模使第1樹脂密封部以及第2樹脂密封部成形時(shí)，因?yàn)槟軌驅(qū)Φ?樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔和對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔之間通過對連結(jié)用樹脂模塑部進(jìn)行成形的內(nèi)腔連通，所以能夠從對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)向?qū)蓸渲芊獠窟M(jìn)行成形的內(nèi)腔注入樹脂。因而，將對第1樹脂密封部以及第2樹脂密封部進(jìn)行成形的型模的構(gòu)造作為只在對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)上具有樹脂注入口的構(gòu)造，能夠使型模的構(gòu)造簡單。
此外如上所述，當(dāng)以覆蓋構(gòu)成連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的連結(jié)部的引線的方式形成連結(jié)用樹脂模塑部，使該連結(jié)用樹脂模塑部也具有連結(jié)兩樹脂密封部之間的功能的情況下，因?yàn)槟軌蛱岣哌B結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的連結(jié)部的強(qiáng)度，所以能夠提高半導(dǎo)體裝置的機(jī)械強(qiáng)度。
但是，本發(fā)明并不限于如上所述那樣以覆蓋構(gòu)成連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的連結(jié)部的引線的方式形成連結(jié)用樹脂模塑部的情況，不覆蓋引線而通過樹脂成形來形成連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的連結(jié)部，用該連結(jié)部連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間也可以。
即使在這種構(gòu)成的情況下，也是因?yàn)槟軌驅(qū)Φ?樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔和對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔之間通過對連結(jié)部進(jìn)行成形的內(nèi)腔連通，所以將型模的構(gòu)造作為只在對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)上具有樹脂注入口的構(gòu)造，能夠?qū)渲芊獠窟M(jìn)行成形的型模的構(gòu)造設(shè)置得簡單。
在本發(fā)明的理想形態(tài)中，上述引線框具備在該引線框的寬度方向的一端側(cè)上在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第n(n是大于等于1的整數(shù))島；在引線框的寬度方向的另一端側(cè)上在該引線框的長度方向上排列配置的第2組的第1至第m(m是大于等于1的整數(shù))島，將包含與各島對應(yīng)的多個(gè)引線的引線群配置在形成于第1組的島和第2組的島之間的空間上。m以及n可以相等也可以不相等。
將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片分為第1組和第2組，將第1組的半導(dǎo)體芯片以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別安裝在屬于引線框的第1組的島以及屬于第2組的島上。安裝在各島上的半導(dǎo)體芯片通過布線連接在與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線上。
此外，密封部由覆蓋了第1組的半導(dǎo)體芯片、與屬于引線框的第1組的島和與屬于第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋了第2組的半導(dǎo)體芯片、與屬于引線框的第2組的島和與屬于第2組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間。
在上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，在設(shè)置于引線框的多個(gè)引線中，與外部電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
在本發(fā)明的另一理想的形態(tài)中，引線框具備在其寬度方向的一端側(cè)上在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第n(n是大于等于1的整數(shù))島；與第1組的第1至第n島分別成對地設(shè)置在引線框的寬度方向的另一端側(cè)上的第2組的第1至第n島，形成第1組以及第2組的對的島之間在引線框的寬度方向上隔著間隔對置配置的同時(shí)，在形成于構(gòu)成第1組以及第2組的各對的島之間的空間上配置與形成各對的島對應(yīng)的多個(gè)引線。
這種情況下，也是將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1組半導(dǎo)體芯片和第2組半導(dǎo)體芯片，將第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別安裝在屬于引線框的第1組的島以及屬于第2組的島上，安裝在各島上的半導(dǎo)體芯片和與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線之間通過布線連接。
密封部由覆蓋第1組半導(dǎo)體芯片、屬于引線框的第1組的島和與屬于第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋第2組半導(dǎo)體芯片、屬于引線框的第2組的島和與屬于第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間。而后，在第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，在多個(gè)引線中，與外部電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和上述第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
如上所述，如果以成對的方式設(shè)置第1組以及第2組的島，在形成各對的島之間配置與形成各對的島對應(yīng)的引線，則因?yàn)槟軌驅(qū)⑨槍Ω鲘u設(shè)置的引線配置在各島的附近，因此不需要將特定的引線長長地圍繞到從對應(yīng)的島離開的位置，所以能夠使引線框的圖案簡潔，能夠容易制造它。
在本發(fā)明的另一理想的形態(tài)中，上述引線框具備在其寬度方向的一端側(cè)上在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第3島；與第1組的第1至第3島分別成對地設(shè)置在引線框的寬度方向的另一端側(cè)上的第2組的第1至第3島。在該引線框中，形成第1組以及第2組的對的島之間在引線框的寬度方向上隔開間隔對置配置，在形成于組成第1組以及第2組的各對的島之間的空間上配置與組成各對的島對應(yīng)的多個(gè)引線。
此外多個(gè)半導(dǎo)體芯片包含第1至第3二極管Du至Dw；在共同連接陽極的同時(shí)，陰極分別連接在第1至第3二極管的陽極上，與第1至第3二極管一同構(gòu)成二極管橋3相全波整流電路的第4至第6二極管Dx至Dz；分別反并聯(lián)連接在第4至第6二極管上，在為了調(diào)整整流電路的輸出電壓而使該整流電路的輸入端子間短路時(shí)同時(shí)被觸發(fā)的第1至第3晶閘管Thx至Thz，第1至第3二極管以將各自的陽極直接連接在引線框的第2組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝，第4至第6二極管以將各自的陽極直接連接在引線框的第1組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝。
第1至第3晶閘管以將各自的陽極直接連接在第2組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝，安裝在分別屬于第1組以及第2組的各島上的半導(dǎo)體芯片和與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線之間通過布線連接。
這種情況下，密封部由覆蓋第1組的第1至第3島、安裝在這些島上的半導(dǎo)體芯片和與屬于第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋第2組的第1至第3島、安裝在這些島上的半導(dǎo)體芯片和與屬于第2組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，在多個(gè)引線中，與外部的電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
具有以下部分的電路作為帶整流功能的短路式電壓調(diào)整電路是公知的電路，該電路具有由構(gòu)成橋的上邊的第1至第3二極管Du至Dw，和構(gòu)成橋的下邊的第4至第6二極管Dx至Dz形成的3相二極管橋全波整流電路；與構(gòu)成該整流電路的橋的下邊的第4至第6二極管反并聯(lián)連接的第1至第3晶閘管Thx至Thz。在該電壓調(diào)整電路中，無論在晶閘管變成導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(使輸出短路時(shí))，還是變成截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，因?yàn)樵跇?gòu)成橋的下邊的二極管中流過電流，所以構(gòu)成橋的下邊的二極管的發(fā)熱比構(gòu)成橋的上邊的二極管的發(fā)熱更多。因而，在本發(fā)明中，通過在引線框的第1組的島上只安裝發(fā)熱多的第4至第6二極管Dx至Dz，在第2組的島上安裝發(fā)熱少的第1至第3二極管Du至Dw和第1至第3晶閘管Thx至Thz，使發(fā)熱源分散，防止半導(dǎo)體裝置的溫度上升。
此外如果采用上述構(gòu)成，則在將二極管安裝在引線框的島上時(shí)，無論哪個(gè)二極管只要將其陽極連接在島上即可。因而，能夠使用同一型的芯片以同樣的工序?qū)⑷康亩O管安裝在引線框上，能夠簡單地進(jìn)行二極管的安裝作業(yè)。
如上所述，如果采用本發(fā)明，則通過設(shè)置成將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分為第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，在引線框的寬度方向上隔開間隔的狀態(tài)下將兩組的半導(dǎo)體芯片分別安裝在引線框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上的同時(shí)，將密封部分成把第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別與引線框的需要被覆部一同覆蓋的第1以及第2樹脂密封部，從兩樹脂密封部之間將引出引線端子的構(gòu)造，能夠在半導(dǎo)體裝置的寬度方向的中央部或者大致中央部上配置引線端子群，在引線端子群的兩側(cè)配置第1以及第2樹脂密封部，因此不會使半導(dǎo)體裝置向電路基板的一側(cè)偏移，能夠平衡良好地安裝。
此外，如果采用本發(fā)明，因?yàn)槟軌虿桓淖円€端子的排列和間隔，就能夠沿著引線框的寬度方向放大或縮小各島的尺寸，所以不改變引線端子的排列和間隔就能夠進(jìn)行改變島的尺寸等的設(shè)計(jì)變更。因而，當(dāng)在設(shè)計(jì)變更的前后引線端子的數(shù)量未改變的情況下，在設(shè)計(jì)變更后也能夠在與設(shè)計(jì)變更前同樣型的電路基板或者插座上安裝半導(dǎo)體裝置，能夠謀求設(shè)計(jì)變更需要的成本的降低。
在本發(fā)明中還將半導(dǎo)體芯片分成2個(gè)組，因?yàn)橛酶髯缘臉渲芊獠扛采w兩組半導(dǎo)體芯片，所以能夠使在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)埋入設(shè)置的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量減少，抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升，提高其冷卻性能。
此外，如果采用本發(fā)明，因?yàn)樵谝€框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上配置用于安裝半導(dǎo)體芯片的島，在引線框的寬度方向的中央部或者中央部附近配置引線群，所以能夠謀求引線框的島以及引線群的排列圖案的簡潔化。因而，能夠?qū)⒋蛲ㄒ€框的模的構(gòu)造設(shè)置得簡單，防止模的成本增高，能夠謀求制造成本的降低。
進(jìn)而，在本發(fā)明中，當(dāng)以成對的方式設(shè)置第1組以及第2組的島，在形成各對的島之間配置與形成各對的島對應(yīng)的引線的情況下，因?yàn)槟軌驅(qū)⑨槍Ω鲘u設(shè)置的引線配置在各島的附近，因而不需要將特定的引線長長地圍繞到與對應(yīng)的島離開的位置，所以能夠使引線框的圖案簡單，從而容易制造它。


圖1是表示使用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的引線框構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的電路圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的引線框的構(gòu)成的正面圖。
圖3是表示在圖2所示的引線框上安裝半導(dǎo)體芯片并且用焊絲連接半導(dǎo)體芯片和引線之間的狀態(tài)的正面圖。
圖4是在如圖3所示那樣安裝半導(dǎo)體芯片的引線框上通過形成樹脂密封部得到的半成品的正面圖。
圖5(A)是表示通過切斷圖4所示的半成品的引線框的2個(gè)半部而得到的半成品的正面圖，圖5(B)是沿著(A)的VB-VB線剖開的剖面圖。
圖6是表示通過從圖5的半成品中切斷引線框的外框部分而得到的半成品的正面圖。
圖7(A)至(C)分別是通過使圖6所示的半成品的引線框成形而得到的半導(dǎo)體裝置的成品的正面圖、右視圖以及示意性地表示樹脂密封部的內(nèi)部的右視圖。
圖8(A)和(B)分別是表示將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上的狀態(tài)的正面圖以及右視圖。
圖9(A)和(B)分別是表示切斷本發(fā)明的另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的引線的不需要部分前的狀態(tài)的外觀的正面圖以及右視圖。
圖10是表示圖1所示的短路式電壓調(diào)整器的輸入電流和輸出電流的波形圖。
圖11是表示在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的正面圖。
圖12是表示本發(fā)明的又一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的電路圖。
圖13是表示在制造具有圖12的電路構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的過程中在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的正面圖。
圖14是表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的電路圖。
圖15是表示在制造具有圖14所示的電路構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的過程中在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的正面圖。
圖16是表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的電路圖。
圖17是表示在具有圖16的電路構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的正面圖。
圖18(A)和(B)分別是表示將現(xiàn)有的單列直插型的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上的狀態(tài)的正面圖和右視圖。
圖19(A)和(B)分別是表示將現(xiàn)有的雙列直插型的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上的狀態(tài)的正面圖以及右視圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的理想的實(shí)施方式。
在本實(shí)施方式中，以構(gòu)成功率電路的半導(dǎo)體裝置為例子，該功率電路在控制從由引擎等的原動機(jī)驅(qū)動的3相磁鐵式交流發(fā)電機(jī)向直流負(fù)荷提供的電壓以保持在設(shè)定范圍的的短路式的電壓調(diào)整器中使用。
在圖1中，1是用原動機(jī)驅(qū)動的3相磁鐵式交流發(fā)電機(jī)，該發(fā)電機(jī)由安裝在原動機(jī)的轉(zhuǎn)軸上的磁鐵轉(zhuǎn)子(未圖示)、具有3相電樞線圈1u至1w的定子構(gòu)成。2是適用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置構(gòu)成具備整流功能的短路式電壓調(diào)整電路(大電流流過的部分)。
圖示的短路式電壓調(diào)整電路由以下部分構(gòu)成由第1至第3二極管Du、Dv以及Dw、將陽極共同連接并且將陰極連接在二極管Du至Dw的陽極上的第4至第6二極管Dx至Dz構(gòu)成的二極管橋3相全波整流電路；在構(gòu)成該整流電路的橋的下邊的第4至第6二極管Dx至Dz的兩端上分別反并聯(lián)連接的發(fā)電機(jī)輸出短路用的第1至第3晶閘管Thx至Thz。從第1至第3二極管Du至Dw的陰極的共同連接點(diǎn)以及第4至第6二極管Dx至Dz的陽極的共同連接點(diǎn)分別引出半導(dǎo)體裝置的正側(cè)輸出端子2a以及負(fù)側(cè)輸出端子2b。在這些輸出端子之間連接電池3和負(fù)荷4。第1至第3二極管Du至Dw的陽極和第4至第6二極管Dx至Dz的陰極之間的連接點(diǎn)分別成為3相交流輸入端子2u、2v以及2w，在這些輸入端子2u、2v以及2w上連接發(fā)電機(jī)的3相輸出端子。
5是由混合IC構(gòu)成的控制電路，檢測輸出端子2a、2b之間的電壓，在檢測到的電壓超過了設(shè)定值時(shí)，向第1至第3晶閘管Thx至Thz同時(shí)給予觸發(fā)信號，在輸出端子2a、2b之間的電壓未達(dá)到設(shè)定值時(shí)停止向晶閘管Thx至Thz提供觸發(fā)信號。用半導(dǎo)體裝置2和控制電路5構(gòu)成具備整流功能的短路式電壓調(diào)整器6。
在圖1所示的電壓調(diào)整器中，在輸出端子2a、2b之間的電壓未達(dá)到設(shè)定值時(shí)晶閘管Thx至Thz處于截止?fàn)顟B(tài)，將發(fā)電機(jī)1的整流輸出施加在電池3和負(fù)荷4上。如果輸出端子2a、2b之間的電壓超過設(shè)定值，則因?yàn)榭刂齐娐?將觸發(fā)信號給予晶閘管Thx至Thz，所以在這些晶閘管中，在陽極陰極之間施加正向電壓的晶間管變成導(dǎo)通狀態(tài)，通過用變成導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管和構(gòu)成整流電路的橋的下邊的二極管Dx至Dz之一構(gòu)成的短路電路，發(fā)電機(jī)1的輸出短路。由此使發(fā)電機(jī)的輸出電壓下降到不足設(shè)定值。如果由于發(fā)電機(jī)的輸出電壓的降低使得輸出端子2a、2b之間的電壓未達(dá)到設(shè)定值，則因?yàn)椴粚чl管Thx至Thz給予觸發(fā)信號，所以各晶閘管在其陽極電流變成小于等于保持電流的時(shí)刻變成截止?fàn)顟B(tài)。由此發(fā)電機(jī)的輸出電壓上升。通過重復(fù)這些動作，將輸出端子2a、2b之間的電壓保持在設(shè)定值附近。
在圖10中示出了圖1所示的例子中，從發(fā)電機(jī)流入到電壓調(diào)整電路中的3相的電流的波形、輸出電流波形。圖10的(A)、(B)以及(C)分別表示從U、V以及W的3相電樞線圈1u、1v以及1w流入到電壓調(diào)整電路中的相電流Iu、Iv以及Iw，該圖(D)以及(E)分別是在晶閘管Thx至Thz的截止時(shí)以及導(dǎo)通時(shí)從電壓調(diào)整電路輸出的電流的波形。在該例子中，將從電樞線圈1u至1w的中性點(diǎn)向著各相的線圈的非中性點(diǎn)一側(cè)的端子流動的電流作為各相的正半周的電流。在圖1所示的電路中，如果觀察由二極管Dx以及晶閘管Thx的并聯(lián)電路與二極管Du的串聯(lián)電路構(gòu)成的U相的支路，則在輸出非短路時(shí)(晶閘管Thx至Thz處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí))，在U相的電流Iu的正半周中，通過二極管Du流過電流，在U相的電流Iu的負(fù)半周中，通過二極管Dx流過電流。此外在輸出短路時(shí)(晶閘管Thx至Thz被觸發(fā)時(shí))在U相的電流Iu的正半周中，通過晶閘管Thx流過電流，在U相的電流Iu的負(fù)半周中通過二極管Dx流過電流。
同樣，如果觀察由二極管Dy以及晶閘管Thy的并聯(lián)電路與二極管Dv的串聯(lián)電路構(gòu)成的V相的支路，則在輸出非短路時(shí)，在V相的電流Iv的正半周中，通過二極管Dv流過電流，在V相的電流Iv的負(fù)半周中，通過二極管Dy流過電流。此外在輸出短路時(shí)，在V相的電流Iv的正半周中，通過晶閘管Thy流過電流，在V相的電流Iv的負(fù)半周中通過二極管Dy流過電流。
此外，如果觀察由二極管Dz以及晶閘管Thz的并聯(lián)電路與二極管Dw的串聯(lián)電路構(gòu)成的W相的支路，則在輸出非短路時(shí)，在W相的電流Iw的正半周中，通過二極管Dw流過電流，在W相的電流Iw的負(fù)半周中，通過二極管Dz流過電流。此外在輸出短路時(shí)，在W相的電流Iw的正半周中，通過晶閘管Thz流過電流，在W相的電流Iw的負(fù)半周中通過二極管Dz流過電流。
如上所述，在圖1所示的電壓調(diào)整電路中，在構(gòu)成橋的上邊的二極管Du至Dw中，只在輸出非短路時(shí)在各相的電流的正半周中流過電流，但在構(gòu)成橋的下邊的二極管Dx至Dz中，無論在輸出非短路時(shí)還是短路時(shí)，都在各相的電流的負(fù)半周流過電流，因此在構(gòu)成橋的下邊的二極管Dx、Dy以及Dz中產(chǎn)生的發(fā)熱量比在構(gòu)成橋的上邊的二極管Du、Dv以及Dw中產(chǎn)生的發(fā)熱量還多。
圖2是表示為了構(gòu)成圖1所示的半導(dǎo)體裝置2而使用的引線框10的理想的構(gòu)成例的圖。該引線框構(gòu)成為，通過打通由銅等具有良好導(dǎo)電性的導(dǎo)電材料形成的比較厚的板而使整體呈現(xiàn)矩形形狀，在寬度方向(Y方向)以及長度方向(X方向)上分別具有規(guī)定尺寸W以及L。
圖示的引線框10具備半導(dǎo)體裝置2份的島和引線。在占據(jù)圖示的引線框左側(cè)的半部的第1半部10A上設(shè)置第1組A的第1至第3島11u至11w；第2組B的第1至第3島12u至12w；包含針對這些島設(shè)置的引線13至18的引線群，它們用于構(gòu)成一個(gè)半導(dǎo)體裝置。此外在占據(jù)圖示的引線框右側(cè)的半部的第2半部10B上設(shè)置第1組A的第1至第3島11u’至11w’；第2組B的第1至第3島12u’至12w’；包含針對這些島設(shè)置的引線13至18的引線群，它們用于構(gòu)成另一個(gè)半導(dǎo)體裝置。
在圖示的例子中，將各島形成為矩形形狀，設(shè)置成屬于第1組A的島11u至11w以及11u’至11w’分別與屬于第2組B的島12u至12w以及12u’至12w’形成對。在該例子中，因?yàn)樵诟鲘u上安裝產(chǎn)生熱量的電力用的半導(dǎo)體芯片，所以為了使各島具有散熱器的功能，以各島具有比較厚的厚度的方式形成。
將設(shè)置在引線框的第1半部10A上的屬于第1組A的第1至第3島11u至11w以及設(shè)置在第2半部10B上的第1至第3島11u’至11w’設(shè)置在引線框10的寬度方向的一端側(cè)上，排列配置在該引線框的長度方向上。
此外，將設(shè)置在引線框10的第1半部10A上的第2組B的第1至第3島12u至12w以及設(shè)置在第2半部10B上的第2組B的第1至第3島12u’至12w’設(shè)置在引線框的寬度方向的另一端側(cè)上，與第1組的島一樣，排列配置在該引線框的長度方向上。
而后，將形成對的島之間(11u，12u)、(11v，12v)以及(11w，12w)配置成在引線框的寬度方向上隔開間隔對置，將與形成各對的島分別對應(yīng)設(shè)置的多個(gè)引線13至18配置在形成于框的寬度方向的中央部上的形成各對的島相互間的空間上。將各引線形成為具有比島薄的厚度。
在配置于形成各對的島(例如11u，12u)之間的引線13至18中，引線13以及14以在屬于第1組A的島11u上連接后端部的狀態(tài)設(shè)置，引線18以在屬于第2組B的島12u上連接后端部的狀態(tài)設(shè)置。
引線13、14以及18沿著引線框10的寬度方向延伸，引線13的前端終止于接近屬于第2組B的島12u的位置，引線14的前端終止于引線13的前端的跟前的位置。此外，引線18的前端延伸到接近屬于第1組A的島11u的位置，在從該引線18的前端部向引線14側(cè)折彎且在橫切成對的島的對置方向的方向上延伸的橫向引線(crosslead)18a上，連接沿著框的寬度方向向第2組的島一側(cè)延伸的引線16的后端部。
將引線16配置在引線14和引線18之間的大致中間部，其前端在與屬于第2組B的島12u離開的位置上終止。在引線14和引線16之間、引線16和引線18之間分別配置沿著引線框的寬度方向延伸的引線15以及17。
引線15以及17使各自的后端部位于接近形成對的島中的、屬于第2組B的島12u的位置上，以使前端在與屬于第1組A的島11u離開的位置上終止的狀態(tài)設(shè)置。配置在形成各對的島之間的一系列的引線13至18經(jīng)由沿著框的長度方向延伸的可以切斷的連接引線19以及20相互連結(jié)。
此外，為了劃分引線框10的第1半部10A和第2半部10B之間，在第1半部10A和第2半部10B之間形成沿著框的寬度方向延伸的寬度比較寬的縫隙21。在該例子中，用形成各對的島、配置在其間的引線13至18構(gòu)成1個(gè)單位引線框，在引線框的第1以及第2半部10A以及10B的各自上構(gòu)成合計(jì)3個(gè)單位引線框。
此外，以隔開構(gòu)成于引線框10的半部10A、10B各自的3個(gè)單位引線框相互間的方式形成在框的寬度方向上延伸的寬度窄的縫隙22，設(shè)置成用于電氣連接屬于第1組的島11u至11w之間的連結(jié)部23截?cái)嗫p隙22。
在屬于第1組A的各島和框的寬度方向的一端之間，以及屬于第2組B的各島和框的寬度方向的另一端之間分別形成在框的長度方向上延伸的矩形形狀的縫隙25以及26，在引線框的寬度方向的一端以及另一端側(cè)的端部上剩下的帶狀的部分上，形成在夾具上進(jìn)行引線框的定位時(shí)用于使定位銷嵌入的定位孔27。
如上所述，在本實(shí)施方式中，引線框10具備在其寬度方向的一端側(cè)上，在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第3島11u至11w；與第1組的第1至第3島11u至11w分別成對地設(shè)置在引線框的寬度方向的另一端側(cè)上的第2組的第1至第3島12u至12w，第1組以及第2組的成對的島之間以在引線框的寬度方向上隔開間隔對置的方式配置，在形成于組成第1組以及第2組的各對的島之間的空間上配置與形成各對的島對應(yīng)的多個(gè)引線13至18。
圖3表示在上述的引線框10上安裝構(gòu)成圖1所示的半導(dǎo)體裝置2的半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行布線的狀態(tài)。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，將兩組半導(dǎo)體芯片以在引線框的寬度方向上隔開間隔的狀態(tài)分別安裝在引線框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上。
此外，作為密封部，設(shè)置分別與引線框的需要被覆部一同覆蓋了第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片的第1以及第2樹脂密封部41以及42，第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間用連結(jié)部進(jìn)行機(jī)械連結(jié)。在第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間形成間隙，連接在第1樹脂密封部41內(nèi)的電路上的多個(gè)引線的外引線部以及連接在第2樹脂密封部42內(nèi)的電路上的多個(gè)引線的外引線部，作為引線端子通過第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
更詳細(xì)地說，在本實(shí)施方式中，為了構(gòu)成圖1所示的短路式電壓調(diào)整電路，設(shè)置第1至第3二極管Du至Dw；在陽極共同連接的同時(shí)陰極分別連接在第1至第3二極管Du至Dw的陽極上，與第1至第3二極管Du至Dw一同構(gòu)成二極管橋3相全波整流電路的第4至第6二極管Dx至Dz；分別反并聯(lián)連接在第4至第6二極管Dx至Dz上并為了調(diào)整整流電路的輸出電壓而使該整流電路的輸入端子之間(發(fā)電機(jī)1的輸出端子之間)短路時(shí)同時(shí)被觸發(fā)的第1至第3晶閘管Thx至Thz，將構(gòu)成這些半導(dǎo)體元件的芯片安裝在引線框10上。在本實(shí)施方式中，第4至第6二極管Dx至Dz的芯片是第1組的半導(dǎo)體芯片，第1至第3二極管Du至Dw的芯片以及晶閘管Thx至Thz的芯片是第2組的半導(dǎo)體芯片。第1至第3二極管Du至Dw的陰極在將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置安裝于電路基板上時(shí)，通過設(shè)置在該電路基板上的布線圖案共同連接，連接到正側(cè)的輸出端子上。
在圖3所示的例子中，在引線框10的第1組的島11u至11w上分別安裝構(gòu)成橋的下邊的二極管Dx至Dz的芯片。作為這些二極管，使用在芯片的一面以及另一面上分別具有陽極和陰極的二極管，將各個(gè)陽極直接焊接到島11u至11w上。同樣，在島11u’至11w’上也安裝二極管Dx至Dz。
此外，在第2組的島12u至12w上分別安裝晶閘管Thx至Thz的芯片、二極管Du至Dw的芯片。作為晶閘管Thx至Thz的芯片，使用在一面上具有陽極，在另一面上具有陰極和柵極的芯片，將各個(gè)陽極焊接到島12u至12w上。此外將二極管Du至Dw的陽極直接焊接到島12u至12w。同樣，在第2組的島12u’至12w’上分別安裝二極管Du至Dw的芯片和晶閘管Thx至Thz的芯片。
而后，將安裝在第1組的島上的二極管Dx至Dz的陰極通過多條(在圖示的例子中是2條)焊絲30連接到對應(yīng)的橫向引線18a上，將二極管Du至Dw的陰極通過多條焊絲31連接在對應(yīng)的引線17的后端部上。此外，將晶閘管Thx至Thz的陰極通過多條焊絲32連接在對應(yīng)的引線13的前端上，將晶閘管Thx至Thz的柵極通過焊絲連接在對應(yīng)的引線15的后端部上。為了能夠在通過焊絲連接各半導(dǎo)體芯片的端子和規(guī)定的引線之間時(shí)，縮短焊絲的長度，將各半導(dǎo)體芯片配置在接近引線的位置上。如果縮短連接各半導(dǎo)體芯片和引線之間的焊絲，則不僅能夠減少在焊絲上的發(fā)熱，而且能夠防止在使樹脂密封部成形時(shí)焊絲移動而產(chǎn)生斷線等的問題。
在進(jìn)行了全部的安裝在島上的半導(dǎo)體芯片和規(guī)定的引線之間的布線后，用樹脂覆蓋屬于第1組A的第1至第3島11u至11w和與安裝在該第1至第3島的各自上的半導(dǎo)體芯片電氣連接的引線13、16、18的內(nèi)引線部；安裝在屬于第1組A的島11u至11w上的半導(dǎo)體芯片；將該半導(dǎo)體芯片連接在引線18上的焊 30，構(gòu)成呈現(xiàn)扁平的板形的第1樹脂密封部41。
此外，用樹脂覆蓋屬于第2組B的第1至第3島12u至12w和與安裝在該第1至第3島的各自上的半導(dǎo)體芯片電氣連接的引線13、15、17以及18的內(nèi)引線部；安裝在屬于第2組B的第1至第3島12u至12w上的半導(dǎo)體芯片；將該半導(dǎo)體芯片連接在各引線上的焊絲，構(gòu)成呈現(xiàn)扁平的板形的第2樹脂密封部42。第1以及第2樹脂密封部用傳遞模形成。
圖4表示這樣形成了第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42的狀態(tài)。在第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間形成有間隙。在該例子中，構(gòu)成引線框的一部分的多個(gè)引線13、18成為機(jī)械地連結(jié)第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間的連結(jié)部，將構(gòu)成這些連結(jié)部的引線各自的兩端埋入設(shè)置在第1樹脂密封部41內(nèi)以及第2樹脂密封部42內(nèi)。
如上所示在形成樹脂密封部41以及42后，如圖5所示，切斷引線框的兩半部10A以及10B，進(jìn)而如圖6所示，切斷連接引線等，引線框的不需要部分。其后，如圖7(A)至(C)所示，通過進(jìn)行將引線14至17的外引線部(從樹脂密封部露出到外部的部分)彎曲到一側(cè)的成形，將引線14至17的外引線部作為引線端子從樹脂密封部41以及42之間的間隙引出到外部，完成半導(dǎo)體裝置2。
在該半導(dǎo)體裝置中，在多個(gè)引線13至18中，將配置在各島的兩端上的一部分的引線13以及18的兩端埋入設(shè)置在第1樹脂密封部41內(nèi)以及第2樹脂密封部42內(nèi)，第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間經(jīng)由在第1樹脂密封部內(nèi)以及第2樹脂密封部內(nèi)埋入設(shè)置了兩端的引線13以及18機(jī)械地連結(jié)。
圖8(A)以及(B)表示將上述那樣得到的半導(dǎo)體裝置2安裝在電路基板CB上的狀態(tài)。在該例子中，將半導(dǎo)體裝置2的引線14至17插入到設(shè)置在電路基板CB的寬度方向的中央部上的通孔中，通過焊接到設(shè)置于電路基板上的導(dǎo)電圖案上，來將半導(dǎo)體裝置2安裝在電路基板CB上。
如上所述，如果將引線13至18配置在引線框10的寬度方向的中央部上，在其兩側(cè)上配置第1組A的島以及第2組B的島，則如圖8所示，即使在引線框的寬度方向上放大分別屬于第1組以及第2組的島的尺寸，進(jìn)行了使半導(dǎo)體裝置的寬度尺寸從W增大到W’的設(shè)計(jì)變更，引線端子相互間的距離g也不改變。因而，在設(shè)計(jì)變更前后引線端子的數(shù)量未改變的情況下，在設(shè)計(jì)變更后也能夠在與設(shè)計(jì)變更前相同型的電路基板或者插座上安裝半導(dǎo)體裝置，能夠謀求設(shè)計(jì)變更需要的成本的消減。
此外如上述實(shí)施方式所示，如果將引線13至18配置在引線框10的寬度方向的中央部上，在其兩側(cè)上配置島，在構(gòu)成半導(dǎo)體裝置2時(shí)在引線端子的兩側(cè)配置第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42，則如圖8所示，不會使半導(dǎo)體裝置2向電路基板CB的一側(cè)偏移，能夠平衡良好地安裝。
進(jìn)而，如上述實(shí)施方式所示，如果將島分為第1組A和第2組B，將安裝在第1組的島上的半導(dǎo)體芯片以及安裝在第2組的島上的半導(dǎo)體芯片分別用第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42各自密封，則與用1個(gè)樹脂密封部密封了全部的圖18或者圖19的半導(dǎo)體裝置相比，因?yàn)槟軌驕p少配置在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)的發(fā)熱元件的數(shù)量，所以能夠提高島的散熱性能，抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升。
進(jìn)而如上述實(shí)施方式所示，如果將屬于第1組的各島以與屬于第2組的某個(gè)島形成對的方式組合，在形成各對的島之間配置對應(yīng)的引線，則能夠?qū)⑨槍Ω鲘u設(shè)置的引線配置在各島的近旁。由此，因?yàn)椴恍枰獙⒁€長長地圍繞到與對應(yīng)的島離開的位置，所以能夠使引線框的圖案簡潔，能夠容易制造它。
進(jìn)而，如上所述，如果將構(gòu)成1個(gè)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片分成2個(gè)組，用各自的樹脂密封部覆蓋兩組的半導(dǎo)體芯片，則因?yàn)槟軌驕p少埋入設(shè)置在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量，所以能夠抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升，能夠提高其冷卻性能。
特別是在上述實(shí)施方式中，通過在引線框10的第1組的島11u至1 1w上只安裝發(fā)熱多的第4至第6二極管Dx至Dz，在第2組的島12u至12w上安裝發(fā)熱少的第1至第3二極管Du至Dw和第1至第3晶閘管Thx至Thz，使發(fā)熱源分散，因此能夠防止半導(dǎo)體裝置的溫度上升。
此外如果如上述實(shí)施方式那樣構(gòu)成，則在將構(gòu)成短路型電壓調(diào)整電路的二極管安裝在引線框的島上時(shí)，任何二極管都只要將其陽極連接在島上即可，因?yàn)槟軌驅(qū)⑷康亩O管使用同一型的芯片以同樣的工序安裝在引線框上，所以能夠高效率地進(jìn)行二極管的安裝作業(yè)。
此外如上所述，如果在引線框10的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上配置安裝半導(dǎo)體芯片的島，在引線框的寬度方向的中央部上配置引線群，則因?yàn)椴恍枰獜?fù)雜地圍繞引線，能夠謀求引線框的島以及引線群的排列圖案的簡潔化，所以能夠?qū)⒋蛲ㄒ€框的模的構(gòu)造設(shè)置得簡單，能夠減低模的成本。
在上述的實(shí)施方式中，只經(jīng)由引線13以及18連結(jié)第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42，沒有經(jīng)由樹脂連結(jié)，但如圖9的(A)以及(B)所示，理想的是用與構(gòu)成第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42的樹脂相同的樹脂跨越兩樹脂密封部形成分別覆蓋構(gòu)成連結(jié)部的多個(gè)引線13、18的連結(jié)用樹脂模塑部43，還利用該連結(jié)用樹脂模塑部43機(jī)械地連結(jié)第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間。而且圖9表示切斷連接引線19、20之前的狀態(tài)。
當(dāng)只用引線構(gòu)成連結(jié)第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間的連結(jié)部的情況下，當(dāng)在各樹脂密封部上從相對引線框的板面成直角的方向施加外力的情況下，構(gòu)成連結(jié)部的引線有可能彎曲。與此相反，如上所述，如果設(shè)置連結(jié)用樹脂模塑部以覆蓋構(gòu)成連結(jié)部的引線，則能夠提高連結(jié)兩樹脂密封部之間的連結(jié)部的機(jī)械強(qiáng)度。
如圖5所示，當(dāng)只用引線連結(jié)第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間的情況下，在對第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42進(jìn)行成形時(shí)，在為了使第1樹脂密封部41成形而設(shè)置在傳遞模用型模上的內(nèi)腔、為了使第2樹脂密封部42成形而設(shè)置在傳遞模用型模上的內(nèi)腔的雙方中需要設(shè)置樹脂注入口。當(dāng)這樣在2個(gè)內(nèi)腔中分別設(shè)置了樹脂的注入口的情況下，型模的構(gòu)造變得復(fù)雜，不能避免型模的價(jià)格變高。
與此相反，如圖9所示，當(dāng)設(shè)置了連結(jié)用樹脂模塑部43的情況下，在使用傳遞模用型模使第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42成形時(shí)，因?yàn)槟軌驅(qū)Φ?樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔和對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔之間通過對連結(jié)用樹脂模塑部進(jìn)行成形的內(nèi)腔連通，所以能夠從對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)，向?qū)蓸渲芊獠窟M(jìn)行成形的內(nèi)腔內(nèi)注入樹脂。因而，將對第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42進(jìn)行成形的型模的構(gòu)造設(shè)置成只在對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)上具有樹脂注入口的構(gòu)造，能夠使型模的構(gòu)造簡單，能夠謀求型模的成本的降低。
此外，當(dāng)不能設(shè)置連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的引線的情況下，也可以代替如上所述以覆蓋引線的狀態(tài)設(shè)置連結(jié)用樹脂模塑部43，通過將一端與第1樹脂密封部41一體化、另一端與第2樹脂密封部42一體化的樹脂制的連結(jié)部跨越第1樹脂密封部41和第2樹脂密封部42之間設(shè)置，連結(jié)第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間。
即使在這樣構(gòu)成的情況下，因?yàn)橐彩悄軌驅(qū)Φ?樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔和對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔之間通過對樹脂制的連結(jié)部進(jìn)行成形的內(nèi)腔連通，所以將對第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42進(jìn)行成形的型模的構(gòu)造設(shè)置成只在對第1樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔以及對第2樹脂密封部進(jìn)行成形的內(nèi)腔中的任一側(cè)上具有樹脂注入口的構(gòu)造，能夠使型模的構(gòu)造簡單。
在以上的說明中，是以在圖1所示的3相短路式電壓調(diào)整器中使用的半導(dǎo)體裝置為例子，但在構(gòu)成其它功率電路等的半導(dǎo)體裝置中也能夠適用本發(fā)明。
例如，如圖11所示，通過在第1組的第2島11v、11v’和第2組的第2島12v、12v’上未安裝芯片，也能夠使用與上述同樣的引線框，得到構(gòu)成與單相磁鐵式交流發(fā)電機(jī)連接的單相用的短路式電壓調(diào)整電路的半導(dǎo)體裝置。
圖12是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的另一例子的圖，在該例子中，去掉圖1所示的晶閘管Thx至Thz，代之分別用晶閘管Thu至Thw置換圖1所示的二極管Du至Dw。用晶閘管Thu至Thw和二極管Dx至Dz構(gòu)成混合橋整流電路20。50是控制晶閘管Thu至Thw的控制電路，該控制電路檢測電池3兩端的電壓，在檢測到的電壓小于等于設(shè)定值時(shí)將觸發(fā)信號給予晶閘管Thu至Thw的柵極，在檢測到的電壓超過了設(shè)定值時(shí)，停止向晶閘管Thu至Thw提供觸發(fā)信號。晶閘管Thu至Thw在給予了觸發(fā)信號時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，從發(fā)電機(jī)1將充電電流提供給電池3。如果電池兩端的電壓超過設(shè)定值，停止向晶閘管Thu至Thw提供觸發(fā)信號，則晶閘管Thu至Thw在各自的陽極電流變成小于等于保持電流的時(shí)刻變成截止?fàn)顟B(tài)，停止對電池3提供充電電流。用混合橋全波整流電路20和控制電路50構(gòu)成電壓調(diào)整器60。在該例子中，構(gòu)成二極管Dx至Dz的半導(dǎo)體芯片是第1組的半導(dǎo)體芯片，構(gòu)成晶閘管Thu至Thw的半導(dǎo)體芯片是第2組的半導(dǎo)體芯片。
在構(gòu)成圖12所示的電路的情況下，如圖13所示，在設(shè)置于引線框10的第1半部10A上的第1組的島11u至11w上分別安裝二極管Dx至Dz，在第2組的島12u至12w上分別安裝晶閘管Thu至Thw。此外，在設(shè)置于引線框10的第2半部10B上的第1組的島11u’至11w’上分別安裝二極管Dx至Dz，在第2組的島12u’至12w’上分別安裝晶閘管Thu至Thw。第1樹脂密封部41以及第2樹脂密封部42的設(shè)置方法和上述的實(shí)施方式一樣。
圖14是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的又一例子的圖，在該例子中，去掉圖1所示的晶閘管Thx至Thz，代之分別用MOSFETQu至Qw置換圖1所示的二極管Du至Dw。作為MOSFET使用P溝道型的，將MOSFETQu至Qw的源極連接到正側(cè)輸出端子21a上，將漏極分別連接到二極管Dx至Dz的陰極上。將二極管Dx至Dz的陽極連接在負(fù)側(cè)輸出端子21b上，用MOSFETQu至Qw和二極管Dx至Dz構(gòu)成控制整流電路21。在該控制整流電路中，用形成在MOSFETQu至Qw的漏源之間的寄生二極管Dfu至Dfw和二極管Dx至Dz構(gòu)成全波整流電路。在該例子中，構(gòu)成二極管Dx至Dz的半導(dǎo)體芯片是第1組的半導(dǎo)體芯片，構(gòu)成MOSFETQu至Qw的半導(dǎo)體芯片是第2組的半導(dǎo)體芯片。
51是控制MOSFETQu至Qw的控制電路，該控制電路檢測電池3兩端的電壓，在檢測到的電壓是小于等于設(shè)定值時(shí)將MOSFETQu至Qw保持在截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)發(fā)電機(jī)1的輸出用由形成在MOSFETQu至Qw的漏源之間的寄生二極管Dfu至Dfw和二極管Dx至Dz構(gòu)成的全波整流電路進(jìn)行整流并提供給電池3?？刂齐娐?1還在電池3兩端的電壓超過了設(shè)定值時(shí)將驅(qū)動信號給予MOSFETQu至Qw，將這些MOSFE同時(shí)設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，通過構(gòu)成橋的上邊的二極管Dfu至Dfw之一、處于導(dǎo)通狀態(tài)的MOSFET使發(fā)電機(jī)1的輸出短路，停止對電池3提供充電電流。在該例子中，用控制整流電路21和控制電路51構(gòu)成電壓調(diào)整器61。
在構(gòu)成圖14所示的電路的情況下，如圖15所示，在設(shè)置于引線框10的第1半部10A上的第1組的島11u至11w上分別安裝二極管Dx至Dz，在第2組的島12u至12w上分別安裝MOSFETQu至Qw。作為MOSFETQu至Qw使用在芯片的一面上具有漏極，在另一面上具有源極和柵極的器件，將各自的漏極焊接在島12u至12w上。此外，使MOSFETQu至Qw的各自的源極S通過布線連接在對應(yīng)的引線17上，將柵極G連接在對應(yīng)的引線15上。同樣，在設(shè)置于引線框10的第2半部10B上的第1組的島11u’至11w’上分別安裝二極管Dx至Dz，在第2組的島12u’至12w’上分別安裝MOSFETQu至Qw。其他方面與圖1至圖7所示的實(shí)施方式相同。MOSFETQu至Qw的源極在將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上時(shí)，通過設(shè)置在該電路基板上的布線圖案共同連接并與正側(cè)輸出端子連接。
圖16是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電路構(gòu)成的再一例子的圖，在該圖中，22是具有連接電池3以及負(fù)荷4的直流側(cè)端子22a、22b和連接磁鐵發(fā)電機(jī)1的3相輸出端子的交流側(cè)端子22u至22w的變換電路，52是控制變換電路的控制電路。變換電路22由用P溝道型的MOSFETQu至Qw構(gòu)成橋的上邊，將漏極分別連接在MOSFETQu至Qw的漏極上，N溝道型的MOSFETQx至Qz構(gòu)成橋的下邊的公知的橋式電路構(gòu)成。在圖示的例子中，形成在MOSFETQu至Qw的漏源之間的寄生二極管Dfu至Dfw以及形成在MOSFETQx至Qz的漏源之間的寄生二極管Dfx至Dfz構(gòu)成對磁鐵式交流發(fā)電機(jī)1的輸出進(jìn)行整流并提供給電池3的二極管橋全波整流電路。在該例子中，構(gòu)成二極管MOSFETQx至Qz的半導(dǎo)體芯片是第1組的半導(dǎo)體芯片，構(gòu)成MOSFETQu至Qw的半導(dǎo)體芯片是第2組的半導(dǎo)體芯片。
控制電路52為了控制磁鐵式交流發(fā)電機(jī)1的輸出，將電池3的輸出電壓變換為頻率與磁鐵式交流發(fā)電機(jī)1的輸出頻率相等、相對該發(fā)電機(jī)的無負(fù)荷輸出電壓的相位具有規(guī)定的相位角的交流控制電壓，將該交流控制電壓施加在磁鐵發(fā)電機(jī)1的電樞線圈1u至1w上。如果在磁鐵式交流發(fā)電機(jī)1的電樞線圈上施加交流控制電壓，則因?yàn)楦鶕?jù)交流控制電壓的相位的變化，發(fā)電機(jī)的輸出發(fā)生變化，所以根據(jù)電池3兩端的電壓(負(fù)荷4兩端的電壓)，使通過變換電路22施加在發(fā)電機(jī)1上的交流控制電壓的相位變化，由此能夠控制發(fā)電機(jī)的輸出，使得將電池兩端的電壓保持在設(shè)定范圍。在該例子中，用變換電路22、控制電路52構(gòu)成控制發(fā)電機(jī)1的輸出的發(fā)電機(jī)輸出控制裝置62。
在構(gòu)成圖16所示的電路的情況下，例如如圖17所示改變設(shè)置在引線框10的第1組的島和第2組的島之間的引線群的配設(shè)圖案。在圖17所示的例子中，針對第1組的島11u至11w以及11u’至11w’設(shè)置引線L1至L3，在這些引線中，將引線L1連接在第1組的島上。此外，針對第2組的島12u至12w以及12u’至12w’設(shè)置引線L4至L6，在這些引線中，將引線L4連接在第2組的島上。此外，作為對第1組的島和第2組的島共同的引線設(shè)置連接第1組的島和第2組的島之間的引線L7。
在圖17所示的例子中，在設(shè)置于引線框10的第1半部10A上的第1組的島11u至11w上分別安裝N溝道型的MOSFETQx至Qz，在第2組的島12u至12w上分別安裝P溝道型的MOSFETQu至Qw。作為N溝道型MOSFETQx至Qz使用在芯片的一面上具有漏極，在另一面上具有源極和柵極的器件，將各自的漏極焊接在島11u至11w上。MOSFETQx至Qz的源極通過布線連接在對應(yīng)的引線L2上，柵極通過布線連接在對應(yīng)的引線L3上。
此外，作為P溝道型的MOSFETQu至Qw，也是使用在芯片的一面上具有漏極，在另一面上具有源極和柵極的器件，將各自的漏極焊接在島12u至12w上。此外MOSFETQu至Qw各自的源極S通過布線連接在對應(yīng)的引線L6上，柵極G通過布線連接在對應(yīng)的引線L5上。
同樣，在設(shè)置于第2半部10B上的第1組的島11u’至11w’上分別安裝N溝道型的MOSFETQx至Qz，在第2組的島12u至12w上分別安裝P溝道型的MOSFETQu至Qw。其他方面與圖1至圖7所示的實(shí)施方式相同，以覆蓋引線框的各半部的第1組的島、安裝在該第1組的島上的半導(dǎo)體芯片、引線L1、L2、L3的內(nèi)引線部、引線L7的一端(第1組的島側(cè)的端部)的方式設(shè)置第1樹脂密封部41。此外，以覆蓋引線框的各半部的第2組的島、安裝在該第2組的島上的半導(dǎo)體芯片、引線L1的前端、引線L5以及L6的內(nèi)引線部、引線L7的另一端的方式設(shè)置第2樹脂密封部42。MOSFETQu至Qw的源極在將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上時(shí)，通過引線L6和設(shè)置于該電路基板上的布線圖案共同連接，與正側(cè)的直流側(cè)端子22a連接，MOSFETQx至Qz的源極通過引線L2和設(shè)置在該電路基板上的布線圖案共同連接，與負(fù)側(cè)的直流側(cè)端子22b連接。此外，分別連接在島12u至12w上的3條引線L4通過設(shè)置在電路基板上的規(guī)定的布線圖案與3相交流側(cè)端子22u至22w連接。
在上述的說明中，假設(shè)圖16所示的電路是構(gòu)成控制磁鐵式交流發(fā)電機(jī)1的輸出的控制裝置的電路，但即使靠電池的輸出通過變換電路驅(qū)動3相無刷電機(jī)的情況下，也能夠采用和圖16一樣的電路構(gòu)成。因而，在構(gòu)成驅(qū)動無刷電機(jī)的電路的半導(dǎo)體裝置中也能夠適用本發(fā)明。
以上，說明了本發(fā)明的理想的實(shí)施方式，但設(shè)置在引線框上的島的數(shù)量以及引線的數(shù)量及其排列的圖案并不限于上述的例子，可以根據(jù)半導(dǎo)體裝置內(nèi)的電路的構(gòu)成適宜地改變。此外本發(fā)明如上述各實(shí)施方式所示，并不限定在使用電力用的半導(dǎo)體芯片的情況，本發(fā)明當(dāng)然也能夠適用到用通電電流比較小的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中。
在上述的實(shí)施方式中，使用了將第1組的島的數(shù)量以及第2組的島的數(shù)量都設(shè)為3個(gè)的引線框，但在本發(fā)明中，一般可以使用在框的寬度方向的一端側(cè)上設(shè)置排列在框的長度方向上的第1組的第1至第n(n是大于等于1的整數(shù))的島，在寬度方向的另一端側(cè)上設(shè)置排列在框的長度方向上的第2組的第1至第m(m是大于等于1的整數(shù))的島，將包含與各島對應(yīng)的多個(gè)引線的引線群設(shè)置在第1組的島和第2組的島之間的構(gòu)造的引線框。上述m以及n可以相等，也可以不等。
在上述各實(shí)施方式中，以使用用于一次制造2個(gè)半導(dǎo)體裝置的引線框的情況為例，但顯然，即使在使用用于一次制造1個(gè)半導(dǎo)體裝置或者3個(gè)及3個(gè)以上的半導(dǎo)體裝置的引線框的情況下也能夠適用本發(fā)明。
在上述各實(shí)施方式中，為了將連接各半導(dǎo)體芯片和規(guī)定引線之間的焊絲設(shè)置得盡可能短，將半導(dǎo)體芯片配置在靠近島的引線側(cè)的端部的位置上，但本發(fā)明并不限這樣安裝半導(dǎo)體芯片的情況，也可以將各半導(dǎo)體芯片安裝在島的中央部上。如果將各半導(dǎo)體芯片安裝在島的中央部上，則連接各半導(dǎo)體芯片和引線之間的焊絲變長，但是能夠提高對于半導(dǎo)體芯片的散熱性能。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過將構(gòu)成規(guī)定的電路的多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成2個(gè)組，用各自的樹脂密封部覆蓋兩組半導(dǎo)體芯片，減少埋入設(shè)置在1個(gè)樹脂密封部內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量，能夠抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升。因而，本發(fā)明特別適合于構(gòu)成對整流電路、短路式電壓調(diào)整電路、變換電路等的電力進(jìn)行處理的電路的半導(dǎo)體裝置。但是，本發(fā)明并不限定在構(gòu)成處理電力的電路的半導(dǎo)體裝置，能夠廣泛適用到使用多個(gè)半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，在引線框上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以覆蓋上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片和上述引線框的需要被覆部的方式設(shè)置密封部而構(gòu)成，該半導(dǎo)體裝置的特征在于將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，兩組半導(dǎo)體芯片在上述引線框的寬度方向上隔開間隔的狀態(tài)下分別安裝在上述引線框的寬度方向的一端側(cè)以及另一端側(cè)上，上述密封部由將上述第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別與上述引線框的需要被覆部一同覆蓋的第1以及第2樹脂密封部構(gòu)成，用連結(jié)部機(jī)械地連接上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間，在上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，將連接在上述第1樹脂密封部內(nèi)的電路上的引線的外引線部以及連接在第2樹脂密封部內(nèi)的電路上的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述連結(jié)部由形成上述引線框的一部分的多個(gè)引線構(gòu)成，將構(gòu)成該連結(jié)部的多個(gè)引線各自的兩端埋入設(shè)置在上述第1樹脂密封部內(nèi)以及第2樹脂密封部內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于跨越上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部形成分別覆蓋構(gòu)成上述連結(jié)部的多個(gè)引線的連結(jié)用樹脂模塑部，也利用該連結(jié)用樹脂密封部機(jī)械地連結(jié)上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述連結(jié)部由跨越上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部形成的樹脂成形部構(gòu)成。
5.一種半導(dǎo)體裝置，在引線框上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以覆蓋上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片和上述引線框的需要被覆部的方式設(shè)置密封部而構(gòu)成，該半導(dǎo)體裝置的特征在于上述引線框具備，在上述引線框的寬度方向的一端側(cè)上，在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第n島；在上述引線框的寬度方向的另一端側(cè)上在該引線框的長度方向上排列配置的第2組的第1至第m島，將包含與各島對應(yīng)的多個(gè)引線的引線群配置在形成于上述第1組的島和第2組的島之間的空間上，其中，n是大于等于1的整數(shù)，m是大于等于1的整數(shù)，將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，將第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別安裝在上述引線框的屬于第1組的島以及屬于第2組的島上，安裝在各島上的半導(dǎo)體芯片和與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線之間通過布線連接，上述密封部由覆蓋上述第1組的半導(dǎo)體芯片、屬于上述引線框的第1組的島和與屬于上述第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋上述第2組的半導(dǎo)體芯片、屬于上述引線框的第2組的島和與屬于上述第2組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)，在上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，在上述多個(gè)引線中，與外部的電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
6.一種半導(dǎo)體裝置，在引線框上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以覆蓋上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片和上述引線框的需要被覆部的方式設(shè)置密封部而構(gòu)成，該半導(dǎo)體裝置的特征在于上述引線框具備，在其寬度方向的一端側(cè)上，在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第n島；與上述第1組的第1至第n島分別形成對而設(shè)置在上述引線框的寬度方向的另一端側(cè)的第2組的第1至第n島，將上述第1組以及第2組的形成對的島之間在上述引線框的寬度方向上隔開間隔對置配置，并且在形成于組成上述第1組以及第2組的各對的島之間的空間上配置與形成各對的島對應(yīng)的多個(gè)引線，其中n是大于等于1的整數(shù)，將上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1組的半導(dǎo)體芯片和第2組的半導(dǎo)體芯片，將第1組以及第2組的半導(dǎo)體芯片分別安裝在屬于上述引線框的第1組的島以及屬于第2組的島上，安裝在各島上的半導(dǎo)體芯片和與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線之間通過布線連接，上述密封部由覆蓋上述第1組的半導(dǎo)體芯片、屬于上述引線框的第1組的島和與屬于上述第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋上述第2組的半導(dǎo)體芯片、屬于上述引線框的第2組的島和與屬于上述第2組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)，在上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成有間隙，在上述多個(gè)引線中，與外部的電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
7.一種半導(dǎo)體裝置，在引線框上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以覆蓋上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片和上述引線框的需要被覆部的方式設(shè)置密封部而構(gòu)成，該半導(dǎo)體裝置的特征在于上述引線框具備，在其寬度方向的一端側(cè)上，在該引線框的長度方向上排列配置的第1組的第1至第3島；與上述第1組的第1至第3島分別形成對而設(shè)置在上述引線框的寬度方向的另一端側(cè)的第2組的第1至第3島，在將上述第1組以及第2組的形成對的島之間在上述引線框的寬度方向上隔開間隔對置配置，并且在形成于組成上述第1組以及第2組的各對的島之間的空間上配置與形成各對的島對應(yīng)的多個(gè)引線，上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片包含第1至第3二極管；在將陽極共同連接的同時(shí)將陰極分別連接在上述第1至第3二極管的陽極上，與上述第1至第3二極管一同構(gòu)成二極管橋3相全波整流電路的第4至第6二極管；分別反并聯(lián)連接在上述第4至第6二極管上，在為了調(diào)整上述整流電路的輸出電壓而使該整流電路的輸入端子之間短路時(shí)同時(shí)被觸發(fā)的第1至第3晶閘管，上述第1至第3二極管以將各自的陽極直接連接在上述引線框的上述第2組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝，上述第4至第6二極管以將各自的陽極直接連接在上述引線框的第1組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝，第1至第3晶閘管以將各自的陽極直接連接在上述第2組的第1至第3島上的狀態(tài)安裝，安裝在分別屬于上述第1組以及第2組的各島上的半導(dǎo)體芯片和與各島對應(yīng)的規(guī)定的引線之間通過布線連接，上述密封部由覆蓋上述第1組的第1至第3島、安裝在這些島上的半導(dǎo)體芯片和與屬于上述第1組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第1樹脂密封部；覆蓋上述第2組的第1至第3島、安裝在這些島上的半導(dǎo)體芯片和與屬于上述第2組的各島對應(yīng)的引線的內(nèi)引線部的第2樹脂密封部構(gòu)成，上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)，在上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間形成間隙，在上述多個(gè)引線中，與外部的電路連接的引線的外引線部作為引線端子通過上述第1樹脂密封部和第2樹脂密封部之間的間隙引出到外部。
全文摘要
本發(fā)明是將多個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在引線框(10)上，用密封部覆蓋所需要的部分的半導(dǎo)體裝置。將多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成第1半導(dǎo)體芯片群(Dx～Dz)和第2半導(dǎo)體芯片群(Du～Dw，Thx～Thz)，在兩半導(dǎo)體芯片群以相互間隔開間隔的狀態(tài)下安裝在引線框(10)上。密封部由將第1以及第2半導(dǎo)體芯片群分別與引線框的所需要部分一同覆蓋的第1以及第2樹脂密封部(41以及42)構(gòu)成，用連結(jié)部機(jī)械地連結(jié)兩樹脂密封部之間，分別連接在第1樹脂密封部內(nèi)的電路以及第2樹脂密封部內(nèi)的電路上的引線端子群通過第1樹脂密封部(41)和第2樹脂密封部(42)之間的間隙引出到外部。
文檔編號H01L25/18GK101095231SQ20058004528
公開日2007年12月26日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者村松秀一, 鈴木秀利, 佐藤知行, 原和生, 山崎素基, 淺利真樹, 山口洋史 申請人:國產(chǎn)電機(jī)株式會社