專利名稱：疊合標記結(jié)構(gòu)及其測量應用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種疊合標記(Overlay Mark)結(jié)構(gòu)及其測量應用，且特別涉及一種可防止化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing)工藝破壞的疊合標記結(jié)構(gòu)，由于本質(zhì)上優(yōu)于傳統(tǒng)的設計，并配合X、Y方向同時的測量，因此可提高測量疊合誤差(Overlay Error)的精度，其利用本發(fā)明所提出的疊合標記來完成。
背景技術(shù)：
通常決定一晶片的光刻工藝(Photolithography Process)成敗的因素，除了臨界尺寸(Critical Dimension，CD)的控制外，另一重要者即為對準精度(Alignment Accuracy，AA)。因此，對準精度的測量，即疊合誤差的測量是半導體工藝中重要的一環(huán)，而疊合標記就是用來測量疊合誤差的工具，其用來判斷光刻工藝后光致抗蝕劑層的圖案與芯片上前一晶片層之間是否有精確的對準。
圖1所顯示為一晶片的上視圖，并繪出疊合標記的位置。
請參照圖1，在晶片(Wafer)100制作完成之后，即可沿著切割槽104切割晶片100，以形成數(shù)個芯片(Chip)或管芯(Die)102。通常疊合標記106配置在每一芯片102周緣的四個角落的切割槽104上，用以測量工藝步驟中每一芯片上的光致抗蝕劑層圖案是否與芯片上前一晶片層對準。
圖2為圖1的直線I-I’的剖面圖，其顯示現(xiàn)有的疊合標記與相鄰的芯片的一部分的結(jié)構(gòu)，此疊合標記應用于一金屬內(nèi)連線工藝中，且其制造過程說明如下。
請參照圖2，在襯底200中已形成有金屬層202，且在襯底200上形成有一介電層205，而在介電層205中形成有通孔(Via Hole)206與溝槽207。接著在介電層205上沉積一金屬層204，以完全填滿寬度較窄的通孔206，但僅覆蓋住溝槽207的表面，之后以化學機械拋光法除去通孔206與溝槽207外的金屬層204，暴露出介電層205，意即以介電層205為拋光終止層(Stop Layer)，以在通孔206中形成插塞。接著，在介電層205上沉積金屬層208，并填入溝槽207中，此時由于溝槽207的寬度夠?qū)?，所以在溝?07上方的金屬層208上亦形成有溝槽211。
之后，經(jīng)過光致抗蝕劑涂布、曝光及光刻等工藝以在金屬層208上形成圖案化的一光致抗蝕劑層210，其暴露出金屬層208中欲形成導線的區(qū)域，而在切割槽中形成的光致抗蝕劑圖案210a與溝槽211即合為用以測量對準精度的疊合標記212。
圖3所顯示為現(xiàn)有的疊合標記結(jié)構(gòu)的上視圖。
請同時參照圖2與圖3，圖3為圖2中由溝槽211與光致抗蝕劑圖案210a所組成的疊合標記212的上視圖。現(xiàn)有的疊合標記2 12由一外圍標記(Outer Mark)302與一內(nèi)部標記(Inner Mark)304所組成，其中外圍標記302由圍成矩形的四個圖2中的溝槽211所組成，而內(nèi)部標記304由圍成另一矩形的四個圖2中的條狀光致抗蝕劑圖案210a所組成，且外圍標記302包圍住內(nèi)部標記304。而此疊合標記212配置在每一芯片周圍四個角落的切割槽上，用以測量該層光致抗蝕劑層是否與芯片上前一層精確對準。
圖4所顯示為圖3的直線II-II’的剖面圖。
請同時參照圖3與圖4，圖4中的溝槽211對應于圖3的外圍標記302，而圖4的光致抗蝕劑圖案210a對應于圖3的內(nèi)部標記304。
圖5所顯示為由圖4中的疊合標記所得的信號波形。
請同時參照圖4與圖5，圖4的溝槽211的波峰信號為圖5中的502a、502b，而光致抗蝕劑圖案210a的波峰信號為圖5中的506a、506b。利用現(xiàn)有疊合標記測量對準精度的方法，是先讀取溝槽211的波峰信號502a、502b，并取其中間值504，再讀取光致抗蝕劑圖案210a的波峰信號506a、506b，并取其中間值508，然后計算中間值504與中間值508的差異，即為疊合誤差。倘若此疊合誤差大于可接受的偏差值，則表示該次光致抗蝕劑層圖案與芯片間的對準并未達到所要求的精度，而必須將此光致抗蝕劑層去除，并重新再做一次光刻工藝，直到疊合誤差的值小于可接受的偏差值為止。
然而，現(xiàn)有的疊合標記的外圍標記在歷經(jīng)化學機械拋光工藝后，因拋光率的變異(Polishing Rate Deviation)、研磨膏(Slurry)的腐蝕、晶片上圖案的密度、以及晶片中心與邊緣的拋光差異等等許多因素，會影響疊合標記的品質(zhì)，甚至損壞疊合標記。再者，金屬層本質(zhì)上的管芯(Grain)亦是影響測量精度的重要因素，因為若管芯的顆粒太大會造成測量的噪聲。上述兩者均會致使所測量到的波峰信號的波形(Signal Profile)不佳，而嚴重影響到測量的結(jié)果，甚至無法測量，這是因為現(xiàn)有的疊合標記的外圍標記302(即溝槽211部分)相距較遠，意即溝槽211分布的密度較低結(jié)構(gòu)較為松散，因此較無法抵抗化學機械拋光工藝的磨損。尤其對于金屬通孔形成后的化學機械拋光，特別是銅金屬雙重金屬鑲嵌，其疊合標記的完整性對于后續(xù)工藝具有舉足輕重的影響，這是因為銅金屬本身的穩(wěn)定性、抗研磨膏腐蝕性以及擴散等問題，都比其他金屬例如鎢更為嚴重。
圖6所示，其顯示為使用現(xiàn)有的疊合標記測量疊合誤差的方法。
請參照圖6，使用現(xiàn)有的疊合標記測量疊合誤差時，是沿著疊合標記212的一X方向直線310測量一X方向偏移量，再沿著疊合標記212的一Y方向直線312測量一Y方向偏移量。當所有切割槽上被指定的疊合標記212皆以此方式測量之后，即可利用X方向與Y方向兩組偏移量計算出當前層光致抗蝕劑層的圖案與芯片上前一晶片層之間是否精確對準。
然而，由一個現(xiàn)有疊合標記212僅能測量出一個X方向偏移量與一個Y方向偏移量，倘若外圍標記302在化學機械拋光工藝中遭到破壞，而無法測量到X方向或Y方向偏移量時，將無法正確判斷出其對準精度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是在于提供一種疊合標記的結(jié)構(gòu)與制造方法，其可以減小疊合標記被化學機械拋光工藝破壞的幾率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種疊合標記結(jié)構(gòu)及其測量與分析方法，以提高所測量的疊合誤差的準確度。
本發(fā)明提出一種疊合標記結(jié)構(gòu)，其包含一外圍標記與一內(nèi)部標記，其中外圍標記圍出一封閉十字形區(qū)域，且此封閉十字形區(qū)域具有二中心軸線；內(nèi)部標記由四個長條狀圖案組成，此四個長條狀圖案沿著二中心軸線排列，且四個長條狀圖案分別以四個方向由十字形區(qū)域的中心部分往外延伸。
本發(fā)明提出一種測量疊合誤差的方法，此方法首先提供一疊合標記，此疊合標記系由一外圍標記與一內(nèi)部標記所組成，其中此外圍標記圍出具有二中心軸線的一封閉十字形區(qū)域，而內(nèi)部標記沿著二中心軸線排列，并由十字形區(qū)域的中心部分向外延伸的二個X方向長條狀圖案與二個Y方向長條狀圖案。接著，沿著疊合標記的一X/Y方向直線測量一X/Y方向偏移量，其中X/Y方向直線切過封閉十字形區(qū)域的一Y/X方向延伸區(qū)以及其中的一Y/X方向長條狀圖案。
本發(fā)明又提出一種分析疊合誤差因子的方法，此方法首先提供一疊合標記，此疊合標記由一外圍標記與一內(nèi)部標記所組成，其中此外圍標記圍出具有二中心軸線的一封閉十字形區(qū)域，而內(nèi)部標記沿著二中心軸線排列，并由十字形區(qū)域的中心部分向外延伸的二個X方向長條狀圖案與二個Y方向長條狀圖案。接著，沿著疊合標記的一第一X/Y方向直線測量一第一X/Y方向偏移量，其中第一X/Y方向直線切過封閉十字形區(qū)域的其中一Y/X方向延伸區(qū)以及其中的一Y/X方向長條狀圖案，并且沿著疊合標記的一第二X/Y方向直線測量一第二X/Y方向偏移量，其中第二X/Y方向直線切過封閉十字形區(qū)域的另一Y/X方向延伸區(qū)以及另一Y/X方向長條狀圖案。之后由第一X/Y方向偏移量與第二X/Y方向偏移量(共四個)求得數(shù)種疊合誤差因子，其中數(shù)種疊合誤差因子包含平移誤差與因掩膜位置造成的標線旋轉(zhuǎn)(Reticle Rotation，RR)誤差。
本發(fā)明的疊合標記為一強化的結(jié)構(gòu)，對于抵抗在金屬內(nèi)連線工藝的化學機械拋光工藝對外圍標記的損壞特別具有成效，因此可降低被化學機械拋光工藝破壞的幾率，其原因?qū)⒃趯嵤├姓f明。
本發(fā)明的疊合標記的內(nèi)部標記由當前層光致抗蝕劑層所定義，一般其信號均相當良好，所以不必顧忌單一截面的測量由二個標記成為只有一個標記，會造成測量的不穩(wěn)定的原因，反而會因單一組標記其X、Y方向各二點，而為現(xiàn)有疊合標記的二倍，增加了取樣及計算精度。
另外，使用本發(fā)明的疊合標記結(jié)構(gòu)及測量方法時，可提高測量出的疊合誤差的準確度，其原因亦將在實施例中說明。
再者，本發(fā)明只需要一個疊合標記即可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差，其原因亦將在實施例中說明。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下圖1為一晶片的上視圖，并繪出其上疊合標記的位置；圖2為圖1的直線I-I’的剖面圖，其顯示現(xiàn)有的疊合標記與相鄰的芯片的一部分的結(jié)構(gòu)，此疊合標記應用于一金屬內(nèi)連線工藝中；圖3為現(xiàn)有的疊合標記結(jié)構(gòu)的上視圖；圖4為圖3的疊合標記的直線II-II’的剖面圖；圖5為由圖4的疊合標記所測量得的信號波形；圖6為使用現(xiàn)有的疊合標記時的疊合誤差測量方法；圖7為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合標記結(jié)構(gòu)的上視圖；圖8為圖7的疊合標的直線III-III’的剖面圖；圖9為由圖8的疊合標記所測量得的信號波形；圖10為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合誤差的測量方法；圖11為圖解本發(fā)明單一組疊合標記可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差的示意圖；以及圖12為圖解現(xiàn)有疊合標記無法以單一組求出標線旋轉(zhuǎn)誤差，而必須藉由不同方位的多組標記才可計算得到的示意圖。
附圖中的附圖標記說明如下100晶片 102芯片或管芯104切割槽 106疊合標記200、800襯底202、208、808金屬層204、804金屬層或插塞205介電層206通孔 207、807溝槽210光致抗蝕劑層210a、810a切割槽上的光致抗蝕劑圖案211、811溝槽212、700疊合標記302、702外圍標記304、704內(nèi)部標記310、710、712X方向直線 312、714、716Y方向直線502a、502b、506a、506b、902a、902b、904波峰信號504、508、906、908中間值706、708中心軸線
具體實施例方式
實施例圖7所示，其顯示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合標記結(jié)構(gòu)的上視圖。
請參照圖7，本發(fā)明的疊合標記700由一外圍標記702與一內(nèi)部標記704所組成，其中外圍標記702圍出一封閉十字形區(qū)域，其具有二中心軸線710、712。內(nèi)部標記704由四個長條狀圖案所組成，這四個長條狀圖案沿著二中心軸線710、712排列，并分別以四個方向由十字形區(qū)域的中心部分向外延伸，此內(nèi)部標記704的四個長條狀圖案之間彼此不連接，且與外圍的外圍標記702亦不連接。
圖8顯示為圖7的疊合標記700的直線III-III’的剖面圖。
請同時參照圖7與圖8，圖7中的外圍標記702對應于圖8的溝槽811，而圖7中的內(nèi)部標記704對應于圖8的光致抗蝕劑層圖案810a。
請參照圖8，疊合標記700的制造方法如下首先提供已形成有二溝槽807的襯底800，此二溝槽807為對應于外圍標記702的十字環(huán)狀溝槽的一部分。接著，形成一共形金屬層804，其材料為適用于插塞的材料例如為鎢或銅。之后，以化學機械拋光工藝去除溝槽807外的共形金屬層804，而暴露出襯底800。然后在襯底800上形成一金屬層808，此時由于二溝槽807的寬度足夠?qū)?，使得二溝?07上方的金屬層808上形成有二溝槽811，其中二溝槽811為外圍標記702的一部分。之后，在金屬層808上形成圖案化的一光致抗蝕劑層810a，此光致抗蝕劑層810a位于兩溝槽811中間的部分的金屬層808上，且為內(nèi)部標記704的一部分。
圖9所示，其顯示為由圖8的疊合標記所測量得的信號波形。
請同時參照圖8與圖9，圖8的溝槽811的波峰信號為圖9的902a、902b，且圖8的光致抗蝕劑圖案810a的波峰信號為圖9的904。本實施例在計算疊合誤差時，先讀取溝槽811的波峰信號902a、902b，并取其中間值906，再讀取光致抗蝕劑圖案810a的單一波峰信號904的中間值908，然后計算中間值906與中間值908的差異，即為疊合誤差。倘若此疊合誤差大于可接受的偏差值，則表示該次光致抗蝕劑層圖案與芯片的對準并未達到所要求的精度，而必須將此光致抗蝕劑層去除，重新再做一次光刻工藝，直到疊合誤差的值小于可接受的偏差值為止。
與現(xiàn)有矩形疊合標記相比，本發(fā)明所形成的十字形疊合標記對于化學機械拋光的抵抗能力較好。這是因為本發(fā)明的疊合標記圖形中溝槽分布的密度較高，因此對于化學機械拋光的抵抗能力較好。
圖10所示，其顯示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的疊合誤差的測量方法。
請參照圖10，本實施例的疊合誤差的測量法，是沿著第一X方向直線710測量第一X方向偏移量，此第一X方向直線710切過此外圍標記702的一Y方向延伸區(qū)以及內(nèi)部標記704的一Y方向長條狀圖案。然后沿著第二X方向直線712測量第二X方向偏移量，此第二X方向直線712切過外圍標記702的另一Y方向延伸區(qū)以及內(nèi)部標記704的另一Y方向長條狀圖案。然后沿著第一Y方向直線714測量第一Y方向偏移量，此第一Y方向直線714切過外圍標記702的一X方向延伸區(qū)以及內(nèi)部標記704的一X方向長條狀圖案。然后沿著第二Y方向直線716測量第二Y方向偏移量，此第二Y方向直線716切過外圍標記702的另一X方向延伸區(qū)以及內(nèi)部標記704的另一X方向長條狀圖案。之后，由第一Y方向偏移量與第二Y方向偏移求得一Y方向平均偏移量，并由第一X方向偏移量與第二X方向偏移求得一X方向平均偏移量。
本發(fā)明的疊合標記的測量方法，對于每一疊合標記在X或Y方向上皆可測量兩個偏移量，而現(xiàn)有的疊合標記在X或Y方向上僅能讀取一個偏移量，所以就統(tǒng)計觀點而言，本發(fā)明的對準精度的測量較為精確。再者，倘若本發(fā)明的疊合標記在化學機械拋光時遭到局部破壞，僅需測量一個X方向偏移量，或者一個Y方向偏移量，就可以完成對準精度的測量。反之，由于現(xiàn)有的疊合標記在X或Y方向上僅能讀取一個偏移量，所以當部分疊合標記遭受化學機械拋光的破壞時，極可能無法完成對準精度的測量。
圖11所示，其顯示為圖解本發(fā)明單一組疊合標記可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差的示意圖。
請參照圖11，利用本發(fā)明的疊合標記700以分析疊合誤差因子的方法，是利用如圖7所示的疊合誤差的測量方法，沿著疊合標記700的第一X/Y方向直線710/714測量出第一X/Y方向偏移量，并沿著疊合標記700的第二X/Y方向直線712/716測量出第二X/Y方向偏移量。之后由第一/二X方向偏移量的平均值AX即可求出X方向平移誤差，由第一/二Y方向偏移量的平均值AY即可求出Y方向平移誤差，且由第一X方向偏移量與第二X方向偏移量各自與AX的差異(或再加上第一Y方向偏移量與第二Y方向偏移量各自與AY的差異)即可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差。因此，本發(fā)明的疊合標記僅需一個疊合標記即可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差。
圖12所示，其顯示為圖解現(xiàn)有疊合標記無法以單一組求出標線旋轉(zhuǎn)誤差，而必須藉由不同方位的多組標記才可計算得到的示意圖。
請參照圖12，然而以現(xiàn)有的疊合標記212分析疊合誤差因子，由于測量機臺對于疊合標記212的測量是以一固定寬度的區(qū)域測量，因此僅能由X方向直線310測量出一X方向偏移量，由Y方向測量出一Y方向直線312測量出一Y方向偏移量。然而，由一X方向偏移量與一Y方向偏移量僅能求出平移誤差，而無法求得標線旋轉(zhuǎn)誤差。因此，倘若要以現(xiàn)有的疊合標記212求出標線旋轉(zhuǎn)誤差，必須再測量另一疊合標記的X方向偏移量與Y方向偏移量，利用兩個X方向偏移量與兩個Y方向偏移量，才能求得標線旋轉(zhuǎn)誤差。
綜合以上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明的疊合標記為一強化的結(jié)構(gòu)，對于抵抗在金屬內(nèi)連線工藝的化學機械拋光特別具有成效，因此可降低被化學機械拋光工藝破壞的幾率。
2.使用本發(fā)明的疊合標記結(jié)構(gòu)及測量方法時，可提高測量出的疊合誤差的準確度。
3.本發(fā)明只需要一個疊合標記即可求出標線旋轉(zhuǎn)誤差。
雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實施例公開如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可作些許更改與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種疊合標記結(jié)構(gòu)，包括一外圍標記，該外圍標記圍出一封閉十字形區(qū)域，該封閉十字形區(qū)域具有二中心軸線；以及一內(nèi)部標記，該內(nèi)部標記由四個長條狀圖案組成，該四個長條狀圖案沿著該二中心軸線排列，且該四個長條狀圖案分別以四個方向由該封閉十字形區(qū)域的中心部分往外延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該四個長條狀圖案之間彼此不連接。
3.如權(quán)利要求1所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該四個長條狀圖案與外圍的該外圍標記不連接。
4.如權(quán)利要求1所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該外圍標記為一凹陷結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該外圍標記是形成在一介電層中的一溝槽。
6.如權(quán)利要求5所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該介電層的該溝槽下方為形成有一共形金屬層的一溝槽。
7.如權(quán)利要求6所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該共形金屬層的材料選自銅與鎢其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該內(nèi)部標記為一凸出結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的疊合標記結(jié)構(gòu)，其中該內(nèi)部標記的材料為一光致抗蝕劑材料。
10.一種測量疊合誤差的方法，包括提供一疊合標記，其中該疊合標記由一外圍標記與一內(nèi)部標記所組成，其中該外圍標記圍出具有二中心軸線的一封閉十字形區(qū)域，該二中心軸線與該封閉十字形區(qū)域朝X/Y方向延伸，而該內(nèi)部標記為沿著該該二中心軸線排列，并由該封閉十字形區(qū)域的中心部分向外延伸的二個X方向長條狀圖案與二個Y方向長條狀圖案；沿著一第一X方向直線測量一第一X方向偏移量，其中該第一X方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的一Y方向延伸區(qū)以及其中的一Y方向長條狀圖案；以及沿著一第一Y方向直線測量一第一Y方向偏移量，其中該第一Y方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的一X方向延伸區(qū)以及其中的一X方向長條狀圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的測量疊合誤差的方法，其中還包括沿著一第二X方向直線測量一第二X方向偏移量，其中該第二X方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的另一Y方向延伸區(qū)以及另一Y方向長條狀圖案，再求得該第一X方向偏移量與該第二X方向偏移量的一平均X方向偏移量。
12.如權(quán)利要求10所述的測量疊合誤差的方法，其中還包括沿著一第二Y方向直線測量一第二Y方向偏移量，其中該第二Y方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的另一X方向延伸區(qū)以及另一X方向長條狀圖案，再求得該第一Y方向偏移量與該第二Y方向偏移量的一平均Y方向偏移量。
13.一種分析疊合誤差因子的方法，包括提供一疊合標記，其中該疊合標記由一外圍標記與一內(nèi)部標記所組成，其中該外圍標記圍出具有二中心軸線的一封閉十字形區(qū)域，該二中心軸線與該封閉十字形區(qū)域皆朝X/Y方向延伸，而該內(nèi)部標記為沿著該二中心軸線排列，并由該封閉十字形區(qū)域的中心部分向外延伸的二個X方向長條狀圖案與二個Y方向長條狀圖案；沿著一第一X方向直線測量一第一X方向偏移量，其中該第一X方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的一Y方向延伸區(qū)以及其中的一Y方向長條狀圖案；沿一第二X方向直線測量一第二X方向偏移量，其中該第二X方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的另一Y方向延伸區(qū)以及另一Y方向長條狀圖案；沿一第一Y方向直線測量一第一Y方向偏移量，其中該第一Y方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的一X方向延伸區(qū)及其中的一X方向長條狀圖案；沿一第二Y方向直線測量一第二Y方向偏移量，其中該第二Y方向直線切過該封閉十字形區(qū)域的另一X方向延伸區(qū)以及另一X方向長條狀圖案；以及由該第一X方向偏移量、該第二X方向偏移量、該第一Y方向偏移量與該第二Y方向偏移量計算出多種疊合誤差因子。
14.如權(quán)利要求13所述的分析疊合誤差因子的方法，其中該些疊合誤差因子包括平移誤差與標線旋轉(zhuǎn)誤差。
全文摘要
一種疊合標記結(jié)構(gòu)及其測量應用，此疊合標記結(jié)構(gòu)包括一外圍標記與一內(nèi)部標記，其中外圍標記圍出一封閉十字形區(qū)域，且封閉十字形區(qū)域具有二中心軸線；內(nèi)部標記由四個長條狀圖案組成，此四個長條狀圖案沿著二中心軸線排列，且分別以四個方向由封閉十字形區(qū)域的中心部分往外延伸。
文檔編號H01L23/544GK1421747SQ0214014
公開日2003年6月4日 申請日期2002年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月30日
發(fā)明者余政宏, 郭智亮 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司