本發(fā)明涉及電子元器件檢測,尤其涉及一種檢漏儀監(jiān)測方法和裝置。
背景技術(shù):
1、目前,電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件的性能和可靠性成為了產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵因素。在電子元器件的生產(chǎn)過程中,密封性能的檢測尤為關(guān)鍵,因為任何微小的泄漏都可能對元器件的性能和壽命產(chǎn)生嚴重影響,所以檢漏在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)、測試和維護過程中具有極其重要的意義。
2、由于,傳統(tǒng)的氟油檢漏儀檢漏操作復(fù)雜,需要專業(yè)技術(shù)人員進行操作維護和判斷,這增加了企業(yè)的人工成本和時間成本。同時,其檢測精度和效率相對較低,可能導(dǎo)致一些潛在的問題被忽視。
3、以上檢測方法依賴人工進行,導(dǎo)致檢測精度和效率較低。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供了一種檢漏儀監(jiān)測方法和裝置,以實現(xiàn)對電子元器件的自動檢測,提高檢測精度和效率。
2、第一方面,為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種檢漏儀監(jiān)測方法,包括:
3、在氟油檢漏儀工作過程中,獲取從所述氟油檢漏儀采集的檢測區(qū)域圖像和設(shè)備運行參數(shù);
4、根據(jù)所述檢測區(qū)域圖像進行特征提取操作,得到圖像中的氣泡特征;
5、根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài);
6、根據(jù)所述工作狀態(tài),將所述氣泡特征與預(yù)設(shè)的標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級;其中,所述標簽氣泡特征與所述密封性能等級之間預(yù)先配置了映射關(guān)系。
7、作為一種可選的實施方式,在根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài)之前,所述方法還包括:
8、對所述設(shè)備運行參數(shù)進行小波去噪處理操作,得到去噪后數(shù)據(jù),所述小波去噪處理操作包括采用軟閾值進行去噪。
9、作為一種可選的實施方式,所述根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài),包括:
10、根據(jù)所述去噪后數(shù)據(jù),進行局部密度度量操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的稀疏程度;
11、根據(jù)所述稀疏程度,進行離散因子計算操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的密度差異;其中,所述密度差異高于預(yù)設(shè)差異閾值的數(shù)據(jù)為異常數(shù)據(jù),所述密度差異低于預(yù)設(shè)差異閾值的數(shù)據(jù)為正常數(shù)據(jù);
12、根據(jù)所述氣泡特征和所述異常數(shù)據(jù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài)。
13、作為一種可選的實施方式,所述根據(jù)所述去噪后數(shù)據(jù),進行局部密度度量操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的稀疏程度,包括:
14、所述局部密度度量操作公式為,其中ai為所述設(shè)備運行參數(shù)第i個點的數(shù)值,aj為所述設(shè)備運行參數(shù)第j個點的數(shù)值,z(j)為待檢測數(shù)據(jù)aj的稀疏程度,|h(j)|為距離aj最近的幾個數(shù)據(jù),dist(ai,aj)為ai和aj間的距離;其中,所述設(shè)備運行參數(shù)包括壓力、溫度。
15、作為一種可選的實施方式,所述根據(jù)所述稀疏程度,進行離散因子計算操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的密度差異,包括:
16、所述離散因子計算操作公式為,其中l(wèi)of(aj)為aj與所述去噪后數(shù)據(jù)的密度差異,z(j)為待檢測數(shù)據(jù)aj的稀疏程度,z(i)為待檢測數(shù)據(jù)ai的稀疏程度,|h(j)|為距離aj最近的幾個數(shù)據(jù)。
17、作為一種可選的實施方式,所述根據(jù)所述工作狀態(tài),將所述氣泡特征與標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級,包括;
18、當(dāng)判定所述工作狀態(tài)正常時,發(fā)送檢漏操作指令;
19、根據(jù)所述檢漏操作指令將所述氣泡特征與預(yù)設(shè)的標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級。
20、作為一種可選的實施方式,所述標簽氣泡特征為氣泡大小、氣泡數(shù)量或氣泡的位置。
21、第二方面,本發(fā)明提供一種檢漏儀監(jiān)測裝置,包括:
22、信息獲取模塊,用于在氟油檢漏儀工作過程中,獲取從所述氟油檢漏儀采集的檢測區(qū)域圖像和設(shè)備運行參數(shù);
23、特征提取模塊,用于根據(jù)所述檢測區(qū)域圖像進行特征提取操作,得到圖像中的氣泡特征;
24、故障檢測模塊,用于根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài);
25、器件性能獲取模塊,用于根據(jù)所述工作狀態(tài),將所述氣泡特征與預(yù)設(shè)的標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級。
26、第三方面,本發(fā)明提供了一種終端設(shè)備,包括處理器、存儲器以及存儲在所述存儲器中且被配置為由所述處理器執(zhí)行的計算機程序,所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如上述內(nèi)容所述的檢漏儀監(jiān)測方法。
27、第四方面,本發(fā)明還提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)包括存儲的計算機程序,其中,在所述計算機程序運行時控制所述計算機可讀存儲介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行如上述內(nèi)容所述的檢漏儀監(jiān)測方法。
28、相比于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有如下有益效果:
29、本發(fā)明提供了一種檢漏儀監(jiān)測方法,包括:在氟油檢漏儀工作過程中,獲取從所述氟油檢漏儀采集的檢測區(qū)域圖像和設(shè)備運行參數(shù);根據(jù)所述檢測區(qū)域圖像進行特征提取操作,得到圖像中的氣泡特征;根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài);根據(jù)所述工作狀態(tài),將所述氣泡特征與預(yù)設(shè)的標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級;其中,所述標簽氣泡特征與所述密封性能等級之間預(yù)先配置了映射關(guān)系。
30、在本發(fā)明中,通過攝像設(shè)備獲取氟油液面圖像并提取出氣泡特征以及通過傳感器設(shè)備獲取相關(guān)設(shè)備參數(shù),然后用戶通過去噪和相關(guān)算法對相關(guān)設(shè)備參數(shù)進行數(shù)據(jù)檢測,將檢測結(jié)果與氣泡特征進行異常值檢測,得到工作狀態(tài)。得到正常工作狀態(tài)后發(fā)送檢漏指令,向氣泡特征與標簽氣泡特征進行對比得到電子器件的密封性能等級。所述方法是通過微控制器接收預(yù)處理發(fā)送到云平臺進行實時故障檢測與檢漏操作,不需要無需派遣專業(yè)人士進行實時操作、判斷和故障排查,從而極大的降低了人工成本,使得電子元器件的檢測精度和效率顯著提高。
1.一種檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,在根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài)之前,所述方法還包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述氣泡特征和所述設(shè)備運行參數(shù),進行異常值檢測,得到所述氟油檢漏儀的工作狀態(tài),包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述去噪后數(shù)據(jù),進行局部密度度量操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的稀疏程度,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述稀疏程度,進行離散因子計算操作,得到所述去噪后數(shù)據(jù)的密度差異,包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述工作狀態(tài),將所述氣泡特征與標簽氣泡特征進行匹配,得到電子器件的密封性能等級,包括;
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢漏儀監(jiān)測方法,其特征在于,所述標簽氣泡特征為氣泡大小、氣泡數(shù)量或氣泡的位置。
8.一種檢漏儀監(jiān)測裝置,其特征在于,包括:
9.一種終端設(shè)備,其特征在于,包括處理器、存儲器以及存儲在所述存儲器中且被配置為由所述處理器執(zhí)行的計算機程序,所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任意一項所述的檢漏儀監(jiān)測方法。
10.一種計算機可讀存儲介質(zhì),其特征在于,所述計算機可讀存儲介質(zhì)包括存儲的計算機程序,其中,在所述計算機程序運行時控制所述計算機可讀存儲介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1至7中任意一項所述的檢漏儀監(jiān)測方法。