專利名稱：射頻識(shí)別標(biāo)簽的通電時(shí)序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽和系統(tǒng)的領(lǐng)域。本發(fā)明尤其涉及RFID標(biāo)簽的許多電路改進(jìn)以優(yōu)化性能。
背景技術(shù)：
在本領(lǐng)域眾所周知，基本的RFID系統(tǒng)包括三個(gè)部件天線或線圈；具有解碼器的收發(fā)器，即RFID閱讀器；利用獨(dú)特信息編程的應(yīng)答器，即RFID標(biāo)簽。將RFID標(biāo)簽分類為有源的或無(wú)源的。有源RFID標(biāo)簽通過(guò)內(nèi)部電池供電，且通?？杀蛔x/寫(xiě)，即可以重寫(xiě)和/或修改標(biāo)簽數(shù)據(jù)。無(wú)源RFID標(biāo)簽不利用分開(kāi)的外部電源工作，獲得閱讀器所產(chǎn)生的運(yùn)行功率。在圖I中示出典型的無(wú)源RFID標(biāo)簽的示例。標(biāo)簽100包括連接至模擬前端電路104的天線102，模擬前端電路104通過(guò)接收(RX)和發(fā)送(TX)路徑與數(shù)字和存儲(chǔ)電路106通信。目前，大多數(shù)無(wú)源RFID標(biāo)簽使用某種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，例如閃存。盡管至今，EEPROM存儲(chǔ)器已用在無(wú)源RFID標(biāo)簽的應(yīng)用中，但是RFID的更大的數(shù)據(jù)吞吐量的需要不斷增加。例如可以在工廠環(huán)境和高速公路收費(fèi)站中看出這點(diǎn)?；贓EPROM的無(wú)源RFID標(biāo)簽是緩慢的的且可不適合于較高吞吐量的應(yīng)用。或者，更快的存儲(chǔ)器技術(shù)，例如FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器存在，理想地適合于這些新的較高速RFID應(yīng)用。然而，對(duì)于基于FRAM的集成電路，RFID環(huán)境是極具挑戰(zhàn)性的，不僅對(duì)于例如工藝角(processcorner)不同、溫度不同和低功率工作的限制的一般挑戰(zhàn)，而且對(duì)于導(dǎo)致與RFID標(biāo)簽上的可用電源中斷的和RFID閱讀器的不良接觸。因此，所期望的是對(duì)于RFID標(biāo)簽的電路改進(jìn)，該電路改進(jìn)將在挑戰(zhàn)性的RFID環(huán)境中提供穩(wěn)健的操作，同時(shí)利用FRAM存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對(duì)RFID應(yīng)用的時(shí)序控制電路，該時(shí)序控制電路基本上消除了因相關(guān)領(lǐng)域的局限性和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。RFID芯片的時(shí)序控制電路包括輸入節(jié)點(diǎn)，所述輸入節(jié)點(diǎn)用以接收來(lái)自整流器的外部電壓；帶隙電路，所述帶隙電路連接所述輸入節(jié)點(diǎn)；帶隙準(zhǔn)備電路，所述帶隙準(zhǔn)備電路連接所述帶隙電路；旋轉(zhuǎn)濾波器，所述旋轉(zhuǎn)濾波器具有連接所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述帶隙準(zhǔn)備電路的輸入端；濾波電容器，所述濾波電容器連接所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端；以及LDO調(diào)節(jié)器，所述LDO調(diào)節(jié)器具有連接所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端的輸入端，具有若干用以在存儲(chǔ)器部分和數(shù)字電路部分中使用的已調(diào)電壓且用以產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。應(yīng)當(dāng)理解，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和說(shuō)明性的，且意圖提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式，并連同下文描述來(lái)闡述本發(fā)明的原理，所包括的附圖用以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入本說(shuō)明書(shū)且構(gòu)成本說(shuō)明的一部分。
在附圖中圖I為現(xiàn)有技術(shù)的基于EEPROM的無(wú)源RFID標(biāo)簽的方框圖；圖2A為根據(jù)本發(fā)明的基于FRAM存儲(chǔ)器的無(wú)源RFID標(biāo)簽的總體方框圖；圖2B為在圖2A中所涉及的基于FRAM存儲(chǔ)器的無(wú)源RFID標(biāo)簽的第一部分的更詳細(xì)的方框圖；圖2C為在圖2B中所涉及的基于FRAM存儲(chǔ)器的無(wú)源RFID標(biāo)簽的第二部分的更詳細(xì)的方框圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的低功率電壓調(diào)節(jié)器和緩沖器級(jí)的示意圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的低功率電壓調(diào)節(jié)器和射極跟隨器級(jí)的示意圖；圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的低功率電壓調(diào)節(jié)器的工作的VDD_REG和ILoad的曲線圖；圖6為標(biāo)識(shí)了圖7的曲線圖中所使用的電壓和電流的晶體管的示意圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明的例如在低功率電壓調(diào)節(jié)器中所使用的晶體管的亞閾工作的曲線圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明的低功率電壓調(diào)節(jié)器的實(shí)施方式的詳細(xì)的晶體管級(jí)的示意圖；圖9為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的鉗位電路的示意圖；圖10為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的因遲緩的鉗位電路而產(chǎn)生的RFID的VDDR電源中的過(guò)沖瞬態(tài)的時(shí)序圖；圖11為根據(jù)本發(fā)明的利用有源的且動(dòng)態(tài)的鉗位響應(yīng)于快速RF上升的VDDR的時(shí)序圖；圖12為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的通電時(shí)序電路的示意圖；圖13為與圖12的電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖14為根據(jù)本發(fā)明的通電復(fù)位電路的示意圖；圖15為與圖14的電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖16為根據(jù)本發(fā)明的狀態(tài)機(jī)的方框圖；圖17為與圖16的狀態(tài)機(jī)相關(guān)的時(shí)序圖；圖18為與圖14的通電復(fù)位電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖19為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的和電源一起使用的第一延時(shí)電路的實(shí)施方式的示意圖；圖20為與圖19的延時(shí)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖21為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的和電源一起使用的第二延時(shí)電路的實(shí)施方式的示意圖；圖22為與圖21的延時(shí)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖23為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的和電源一起使用的第三延時(shí)電路的實(shí)施方式的示意圖；圖24為與圖23的延時(shí)電路相關(guān)的時(shí)序圖；
圖25為根據(jù)本發(fā)明的級(jí)聯(lián)的延時(shí)電路的實(shí)施方式的示意圖；圖26為與圖25的級(jí)聯(lián)的延時(shí)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖27為根據(jù)本發(fā)明的帶隙準(zhǔn)備電路的示意圖；圖28為和圖27的帶隙準(zhǔn)備電路一起使用的邏輯電路的示意圖；圖29為與本發(fā)明的帶隙準(zhǔn)備電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖30為現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)電路的示意圖；圖31為與圖30的現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖32為與圖30的現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖33為根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整RFID解調(diào)電路的示意圖；圖34 圖36為與根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整RFID解調(diào)電路相關(guān)的時(shí)序圖；圖37A和圖37B為現(xiàn)有技術(shù)的分路調(diào)節(jié)器的示意圖；圖38為根據(jù)本發(fā)明的具有分流輸出的整流電路輸出所驅(qū)動(dòng)的分路調(diào)節(jié)器的示意圖；以及圖39和圖40為與圖38的分路調(diào)節(jié)器相關(guān)的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式下面參照?qǐng)D2A，根據(jù)本發(fā)明的無(wú)源RFID標(biāo)簽200包括天線202、模擬前端204和數(shù)字部分206，數(shù)字部分206包括數(shù)字控制電路和FRAM存儲(chǔ)器并使用RX路徑和TX路徑與模擬前端204通信。參照?qǐng)D2B，RFID標(biāo)簽200的第一部分208的更詳細(xì)的方框圖包括整流器210、包括兩個(gè)下文將更詳細(xì)描述的二極管的分流輸出212、有源鉗位214和連接至VDDR電源的動(dòng)態(tài)鉗位218，下文也將更詳細(xì)地描述。整流器的輸出也連接至用以提供數(shù)字輸出的解調(diào)器216，下文也將更詳細(xì)地描述解調(diào)器216。參照?qǐng)D2C，RFID標(biāo)簽200的第二部分220的更詳細(xì)的方框圖包括都連接至VDDR電源的旋轉(zhuǎn)濾波器(slew filter)224和帶隙電路222，下文都將更詳細(xì)地描述旋轉(zhuǎn)濾波器224和帶隙電路222。旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出連接至用以提供VDDM供電電壓的VDDM調(diào)節(jié)器226。反過(guò)來(lái)，VDDD調(diào)節(jié)器連接至VDDM供電電壓延時(shí)電路232和延時(shí)電路234。下文將更詳細(xì)地描述這些電路的目的和性質(zhì)。VDDMP0K電路238接收VDDM信號(hào)、VBG信號(hào)和DLY2信號(hào)，并提供VDDMP0K信號(hào)。延時(shí)電路240接收VDDMP0K信號(hào)，并提供GEN2P0K信號(hào)。復(fù)位電路242接收GEN2P0K信號(hào)和VDDMP0K信號(hào)，以提供RESET信號(hào)。最后，電路236接收VDDMP0K信號(hào)、GEN2P0K信號(hào)和P0RBTHRESH信號(hào)，以提供VDDD PORB信號(hào)。下文將更詳細(xì)地闡述所有這些信號(hào)和電路的性質(zhì)。電路230監(jiān)控VDDD閾值。下面參照?qǐng)D3，低功率電壓調(diào)節(jié)器300包括用以提供已調(diào)輸出電壓(VDD_REG)的輸出節(jié)點(diǎn)，在輸出節(jié)點(diǎn)和地端之間所連接的串聯(lián)的第一極性類型(P溝道)的第一二極管接法(diode-connected)晶體管Ql和第二極性類型(N溝道)的第二二極管接法晶體管Q2。偏置電流Ibias具有用以將第一二極管接法晶體管和第二二極管接法晶體管偏置在亞閾工作模式中的值，下文將更詳細(xì)地闡述?？梢允褂脦峨娐坊颥F(xiàn)有技術(shù)中已知的其它偏置電流電路產(chǎn)生Ibias電流。緩沖放大器302連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)以提供低阻抗的已調(diào)輸出電壓。下面參照?qǐng)D4，低功率電壓調(diào)節(jié)器400包括用以提供已調(diào)輸出電壓(VDD_REG)的輸出節(jié)點(diǎn)以及在輸出節(jié)點(diǎn)和地端之間所連接的串聯(lián)的第一極性類型(P溝道)的第一二極管接法晶體管Ql和第二極性類型(N溝道)的第二二極管接法晶體管Q2。提供二極管D3以補(bǔ)償在Q3中所歷經(jīng)的壓降給已調(diào)電壓VDD_REG。偏置電流Ibias具有用以將第一二極管接法晶體管和第二二極管接法晶體管偏置在亞閾工作模式(或其它模式)中的值，這和二極管D3將在下文更詳細(xì)地予以闡述。射極跟隨器級(jí)晶體管Q3 (通過(guò)二極管D3)連接至輸出節(jié)點(diǎn)， 以提供低阻抗的已調(diào)輸出電壓。下面參照?qǐng)D5，重要的是應(yīng)當(dāng)注意，盡管標(biāo)為Ibias的偏置電流可能為恒定的，但晶體管Ql和晶體管Q2兩端的總電壓不是恒定電壓。因此，圖4的電路不是恒定電壓發(fā)生器。在一;〖亙定的偏置電流下，在較低的溫度下，產(chǎn)生較高的總電壓V2。在同一;〖亙定的偏置電流下，在較高的溫度下，產(chǎn)生較低的總電壓％。因此，總電壓隨溫度升高而降低。電壓VDD_REG為溫度補(bǔ)償電壓，這有助于提供穩(wěn)定的電路性能。在較低溫度下，提供較高的VDD_REG電壓以補(bǔ)償相對(duì)較緩慢的晶體管。在較高溫度下，提供較低的VDD_REG電壓以補(bǔ)償相對(duì)較快速的晶體管。Ibias的強(qiáng)度也將Ql和Q2的工作模式設(shè)置為亞閾模式或較高功率模式。下面參照?qǐng)D6，示出的晶體管標(biāo)識(shí)出其漏源電流(IDS)、漏源電壓(Vds)和柵源電壓(VGS)。下面參照?qǐng)D7，示出的曲線圖繪出晶體管的響應(yīng)于柵源電壓的漏源電流。示出閾值電壓VTHKESH(M。在閾值電壓之上，晶體管工作在“平方律”工作模式中。在閾值電壓之下，晶體管工作在指數(shù)工作模式中，裝置的泄漏電流形成電流下限。在圖4的電路中，限制流經(jīng)Ql和Q2及串聯(lián)的二極管D3的偏置電流，以使這些晶體管工作在很低功率運(yùn)作的亞閾工作模式中。這確保圖4的電路運(yùn)行低功率模式，在RFID標(biāo)簽中這是至關(guān)重要的，因?yàn)殡娐饭ぷ鞯目捎媚芰渴菢O其有限的。隨著Ibias更大，獲得更高功率、更高性能的電路工作。下面參照?qǐng)D8，示出低功率電壓調(diào)節(jié)器800的實(shí)施方式的詳細(xì)的晶體管級(jí)的示意圖。低功率電壓調(diào)節(jié)器800包括在輸出節(jié)點(diǎn)和地端之間所連接的串聯(lián)的第一極性類型(P溝道)的第一二極管接法晶體管Ql和第二極性類型(N溝道)的第二二極管接法晶體管Q2。偏置電流發(fā)生器I1用于將第一二極管接法晶體管和第二二極管接法晶體管偏置在亞閾工作模式中。在偏置電流I1與第一二極管接法晶體管Ql和第二二極管接法晶體管Q2之間連接有第三二極管接法晶體管(Q3，N溝道)。緩沖放大器(Q4、Q5、12、I3)連接至第三晶體管Q3，以提供已調(diào)輸出電壓VDD_REG。緩沖放大器包括輸入晶體管Q4 (N溝道)，Q4的柵極形成緩沖器的輸入端，且Q4的源極形成緩沖器用以提供已調(diào)輸出電壓的輸出端。還包括反饋晶體管Q5 (P溝道)，其柵極連接輸入至晶體管的漏極，其源極用以連接至電源電壓，且其漏極連接至輸入晶體管Q4的源極。第一緩沖器偏置電流I2連接輸入晶體管Q4的漏極，第二緩沖器偏置電流I3連接輸入晶體管Q4的源極。第二偏置電流I3的值大于第一偏置電流I2的值。以很低功率運(yùn)作的電壓調(diào)節(jié)器800的偏置電流的代表值如下=I1SZOnAJ2SZOnA'I3 為 40nA。在圖9中示出RFID標(biāo)簽的鉗位電路900，鉗位電路900包括VDDR電源節(jié)點(diǎn)(在圖9中未示出的RFID整流電路提供鉗位電源電壓)、在電源節(jié)點(diǎn)和地端之間所連接的動(dòng)態(tài)鉗位902和也在電源節(jié)點(diǎn)和地端之間所連接的有源鉗位904，當(dāng)RF提供的功率超過(guò)工作最低值時(shí)，將電源VDDR保持在最大穩(wěn)態(tài)鉗位值。動(dòng)態(tài)鉗位902包括電容器分壓電路，該電路包括在VDDR軌(rail)和地端之間所連接的電容器C91和電容器C92。電阻器R91連接在電容器分壓電路的中心抽頭節(jié)點(diǎn)906處。N溝道的晶體管Q91的柵極在中心抽頭節(jié)點(diǎn)906處連接電容器分壓電路。晶體管Q91的漏極連接VDDR軌，且源極接地。有源鉗位包括差分放大器906,差分放大器906的第一輸入端在中心抽頭節(jié)點(diǎn)908處連接包括電阻器R92和電阻器R93的電阻分壓器，第二輸入端用以接收基準(zhǔn)電壓VREF，輸出端連接用以提供鉗位VDDR電壓的P溝道的晶體管Q92。差分放大器906可以為運(yùn)算放大器。晶體管Q92的柵極連接差分放大器906的輸出端，在該晶體管的源極提供鉗位VDDR電壓，且該晶體管的漏極接地。在VDDR和地端之間連接保持電容器C93。在以下部分中也將鉗位VDDR稱為“VDD”。下面參照?qǐng)D10，示出因現(xiàn)有技術(shù)的鉗位電路的不合需要的遲緩響應(yīng)而產(chǎn)生的VDD鉗位電源電壓中的過(guò)沖瞬態(tài)。只有在經(jīng)歷了可嚴(yán)重影響下游電路的重大過(guò)沖之后，電源電 壓波形1002才能達(dá)到合意的最終VDD電平。下面參照?qǐng)D11，示出包括不合需要的過(guò)沖的現(xiàn)有技術(shù)的VDD電壓波形1102和根據(jù)本發(fā)明的利用有源且動(dòng)態(tài)的鉗位所鉗位的VDD電壓波形1104。應(yīng)當(dāng)注意，電壓波形1104具有大大降低的過(guò)沖。因此，根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的鉗位方法包括從RFID整流器提供在非鉗位條件下具有過(guò)沖的電源電壓，并刪去RFID整流器在過(guò)沖時(shí)期內(nèi)所得到的多余的能量，以防止過(guò)沖和防止過(guò)度驅(qū)動(dòng)時(shí)序RFID電路。使用與有源鉗位級(jí)聯(lián)的動(dòng)態(tài)鉗位提供該方法。動(dòng)態(tài)鉗位包括用以從RFID整流器的輸出中分流出快速上升的初始能量的NMOS晶體管，且還包括用以在過(guò)沖時(shí)期之后關(guān)斷NMOS晶體管的泄漏路徑。換言之，根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的鉗位方法包括去除RFID整流器從快速上升的RF場(chǎng)所得到的將在預(yù)定初始時(shí)期產(chǎn)生過(guò)沖條件的能量，以防止過(guò)沖和防止過(guò)度驅(qū)動(dòng)時(shí)序RFID電路。下面參照?qǐng)D12，電路1200為根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽提供時(shí)序控制。在輸入節(jié)點(diǎn)
(I)處的電壓為整流器的動(dòng)態(tài)且有源的鉗位輸出端所供應(yīng)的原始電源電壓VDDR，即圖2B中的電力VDDR。可以在單芯片或雙芯片的解決方案中實(shí)現(xiàn)電路1200。電路塊1202為常見(jiàn)的帶隙電路，在節(jié)點(diǎn)(2)處連接帶隙準(zhǔn)備電路1204。下文將更詳細(xì)地闡述帶隙準(zhǔn)備電路1204。電路塊1206為旋轉(zhuǎn)濾波器(slew filter)，下文將更詳細(xì)地闡述。旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端示為節(jié)點(diǎn)(3)，連接至濾波電容器1208。電路塊1210為L(zhǎng)DO調(diào)節(jié)器，為存儲(chǔ)器電路塊1224、數(shù)字電壓調(diào)節(jié)器電路塊1212產(chǎn)生電力。電路塊1210還提供分壓(divided down)信號(hào)給電路塊1214 (比較器)，在該比較器中，將該分壓信號(hào)與帶隙電壓進(jìn)行比較以產(chǎn)生下文進(jìn)一步所闡述的信號(hào)VDDMP0K?！按鎯?chǔ)器VDDM”電壓意味著提供給存儲(chǔ)器的電壓。注意，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器塊1224連接VDDM線。電路塊1212為第二調(diào)節(jié)器，用以在節(jié)點(diǎn)(5)處提供已調(diào)VDDD電壓給塊1226所表示的芯片上的數(shù)字電路。電路塊1214為比較器。示出三個(gè)輸入端，包括正相輸入端、反相輸入端和使能輸入端。比較器1214的輸出為VDDMPOK信號(hào)和反相VDDMP0K信號(hào)。將VDDMPOK信號(hào)節(jié)點(diǎn)標(biāo)為(6A)。VDDMPOK信號(hào)名稱意味著“VDDM電力是可以的”(“VDDMPower is 0K”)。塊1216和塊1218為延時(shí)電路，下文將更詳細(xì)地闡述。電路塊1220也為延時(shí)電路。延時(shí)電路1220可以為使用電流源和電容器的簡(jiǎn)單的模擬延時(shí)器，且用于在所示的節(jié)點(diǎn)(6B)處產(chǎn)生GEN2P0K信號(hào)。塊1222為電壓監(jiān)控器，下文將更詳細(xì)地描述。最后，示出復(fù)位信號(hào)發(fā)生塊1228，以在節(jié)點(diǎn)1808處產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。圖13為與圖12相關(guān)的時(shí)序圖，其中，示出節(jié)點(diǎn)(I)、節(jié)點(diǎn)(2)、節(jié)點(diǎn)(3)、節(jié)點(diǎn)(4)和節(jié)點(diǎn)(5)的節(jié)點(diǎn)波形。將相應(yīng)波形命名為1302、1304、1306、1308和1310。與圖12的電路相關(guān)的一個(gè)最重要的功能是通過(guò)適當(dāng)?shù)仃P(guān)閉存儲(chǔ)器來(lái)保護(hù)FRAM存儲(chǔ)器免受任何內(nèi)容損失。換言之，當(dāng)存儲(chǔ)器電壓低于一定值時(shí)，防止新的存儲(chǔ)器訪問(wèn)。只有當(dāng)VDDM高于第一閾值且保持該值時(shí)，存儲(chǔ)器才能工作。當(dāng)VDDM降到第二閾值之下時(shí)，停止存儲(chǔ)器的工作。
下面參照?qǐng)D14，示出電壓監(jiān)控器電路，該電路包括晶體管Q 1402、電容器1404和數(shù)字電路，該數(shù)字電路包括反相器1406和反相器1408以及用以產(chǎn)生POR信號(hào)的或門1410。下面參照?qǐng)D15，示出與圖14的監(jiān)控器電路相關(guān)的波形1502。下面參照?qǐng)D16，示出狀態(tài)機(jī)1600，狀態(tài)機(jī)1600接收所有不同的時(shí)序輸入，并產(chǎn)生VDDD_P0RB信號(hào)。狀態(tài)機(jī)1600根據(jù)以下規(guī)則工作如果P0RB_THRESH為低，則狀態(tài)機(jī)的輸出為低。如果P0RB_THRESH 為高，則如果其它兩個(gè)輸入信號(hào)為高，則輸出為高。如果其它兩個(gè)輸入信號(hào)為低，則輸出為低。如果所述兩個(gè)輸入信號(hào)中只有一個(gè)為高，貝Ij輸出為高。下面參照?qǐng)D17，示出與圖16的狀態(tài)機(jī)相關(guān)的時(shí)序圖。尤其示出關(guān)于VDDMPOK信號(hào)1702和GEN2P0K信號(hào)1704的下降沿延遲，該延遲在2微秒飛微秒的范圍內(nèi)。下面參照?qǐng)D18，示出與圖12的總體時(shí)序電路相關(guān)的時(shí)序圖，該時(shí)序圖包括輸入VDDRAM 電壓、VDDMPOK 信號(hào) 1804、GEN2P0K 信號(hào) 1806 和放電脈沖 1808。下面參照?qǐng)D19，在RFID標(biāo)簽中和電源一起使用的第一延遲電路1900包括電源輸入端VDD_IN和電源輸出端VDD_0UT。在電源輸入端VDD_IN和地端之間連接無(wú)源電路1902和無(wú)源電路1904。晶體管Q1906具有在電源輸入端VDD_IN和電源輸出端VDD_0UT之間所連接的電流路徑以及連接至無(wú)源電路的中間節(jié)點(diǎn)1908的控制節(jié)點(diǎn)。無(wú)源電路包括串聯(lián)的電容器1902和電阻器1904。在電源輸入端VDD_IN和中間節(jié)點(diǎn)1908之間連接電容器1902。在中間節(jié)點(diǎn)1908和地端之間連接電阻器1904。晶體管Q1906為P溝道的晶體管。下面參照?qǐng)D20，示出延遲電路1900的響應(yīng)。VDD_IN通常由RFID標(biāo)簽上的二極管整流器供應(yīng)，且具有波形2002所顯示的過(guò)沖。通過(guò)第一延遲電路1900處理后的VDD_0UT波形2004沒(méi)有過(guò)沖，且延遲由無(wú)源電路的時(shí)間常量所確定的預(yù)定延遲時(shí)間，該無(wú)源電路包括電容器1902和電阻器1904。下面參照?qǐng)D21，在RFID標(biāo)簽中和電源一起使用的第二延遲電路2100包括電源輸入端VDD_IN和電源輸出端VDD_0UT。在電源輸入端VDD_IN和地端之間連接斜坡電路2102和斜坡電路2104。晶體管Q2106具有在電源輸入端VDD_IN和電源輸出端VDD_OUT之間所連接的電流路徑以及連接至斜坡電路的中間節(jié)點(diǎn)2108的控制節(jié)點(diǎn)。斜坡電路包括串聯(lián)的電容器2102和電流源2104。若需要，則該電流源可以為從帶隙電路所提供的溫度穩(wěn)定的電流源。在電源輸入端VDD_IN和中間節(jié)點(diǎn)2108之間連接電容器2102。在中間節(jié)點(diǎn)2108和地端之間連接電流源2104。晶體管Q2106為P溝道的晶體管。下面參照?qǐng)D22，示出第二延遲電路2100的響應(yīng)。VDD_IN通常由RFID標(biāo)簽上的二極管整流器供應(yīng)，且具有波形2202所顯示的過(guò)沖。通過(guò)第二延遲電路2100處理后的VDD_OUT波形2204沒(méi)有過(guò)沖，且延遲由斜坡電路的斜升速度所確定的預(yù)定延遲時(shí)間，斜坡電路包括電容器1902和電阻器1904。預(yù)定延遲時(shí)間包括由電流源的開(kāi)啟所確定的第一延遲時(shí)間DLYl和由晶體管Q2106的導(dǎo)通所確定的第二延遲時(shí)間DLY2。在圖22中還示出帶隙波形2206。下面參照?qǐng)D23，在RFID標(biāo)簽中和電源一起使用的第三延遲電路2300包括電源輸 入端VDD_IN和電源輸出端VDD_0UT。電流鏡電路Q2302和電流鏡電路Q2304具有連接電流源2306的輸入端、連接電源輸出端VDD_0UT的輸出端和連接電源輸入端VDD_IN的電源節(jié)點(diǎn)。在電源輸出端VDD_0UT和地端之間連接電容器2308 (Claege)0電流鏡電路包括具有P溝道的MOS輸入晶體管Q2302和P溝道的MOS鏡像晶體管Q2304的簡(jiǎn)單的雙晶體管的電流鏡。也可以使用本領(lǐng)域中已知的其它更復(fù)雜的電流鏡電路。若需要，則電流源2306可以為來(lái)自帶隙電路的溫度穩(wěn)定的電流源。下面參照?qǐng)D24，示出第三延遲電路2300的響應(yīng)。VDD_IN通常由RFID標(biāo)簽上的二極管整流器供應(yīng)，且具有波形2402所顯示的過(guò)沖。通過(guò)第一延遲電路1900處理后的VDD_OUT波形2404沒(méi)有過(guò)沖，且延遲由Ikef的開(kāi)啟所確定的預(yù)定延遲時(shí)間。通過(guò)電流源2306和電容器2308的值限定輸出波形2404的斜率，直至達(dá)到穩(wěn)定的最終輸出電壓值為止。在圖25中示出為RFID標(biāo)簽的調(diào)節(jié)器提供電力的級(jí)聯(lián)的延遲電路2600，該電路包括電源輸入端VDD_IN和電源輸出端VDD_0UT以及在電源輸入端和電源輸出端之間級(jí)聯(lián)的延遲電路2602和延遲電路2604。可以使用單元和數(shù)量的不同組合。例如，延遲單元2602可以為圖19中所示的延遲單元1900或圖21中所示的延遲單元2100。延遲單元2604可以為圖23中所示的旋轉(zhuǎn)濾波器2300。調(diào)節(jié)器2606可以為任何已知的電壓調(diào)節(jié)器，例如LDO調(diào)節(jié)器、分路調(diào)節(jié)器或源極跟隨器調(diào)節(jié)器。延遲單元2602可以包括在本地電源輸入端(VDD_IN)和本地電源輸出端2610之間所連接的如上所述的延遲電路1900或延遲電路2100。旋轉(zhuǎn)濾波器2604可以包括在本地電源輸入端2610和本地電源輸出端2612之間所連接的如上所述的延遲電路2300。電壓調(diào)節(jié)器2606可以包括在本地電源輸入端2612和本地電源輸出端VDD_0UT之間所連接的如上所述的任何已知的電壓調(diào)節(jié)器。下面參照?qǐng)D26，在與圖25中的電路2600相關(guān)的時(shí)序圖中示出若干響應(yīng)波形。示出具有過(guò)沖的VDD_IN波形2702。示出略延遲的且無(wú)過(guò)沖的第一延遲單元的輸出2706。示出仍進(jìn)一步延遲的旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出2704，該輸出具有高達(dá)最終穩(wěn)定的電壓輸出的旋轉(zhuǎn)控制(slew-controlled)的輸出。在波形2708中，仍進(jìn)一步延遲該輸出，且通過(guò)所示的電壓調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)該輸出。示出在VDD_IN波形的起點(diǎn)和VDD_0UT調(diào)節(jié)輸出電壓的起點(diǎn)之間的總延遲2710。各種單一的和級(jí)聯(lián)的電源延遲電路的目的是僅在確保可提供穩(wěn)定的電源電壓時(shí)，提供用以開(kāi)啟RFID標(biāo)簽內(nèi)的電路塊和功能的控制機(jī)制。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員明白的是，可以利用延時(shí)單元的其它布置設(shè)計(jì)級(jí)聯(lián)的延時(shí)電路2600，同時(shí)仍提供滿足需要的穩(wěn)定的電壓功能。參照?qǐng)D27，例如在RFID標(biāo)簽中所遇到的用以檢測(cè)芯片的安全電壓工作的電路，需要在源自帶隙電壓發(fā)生器的系統(tǒng)基準(zhǔn)電平足夠穩(wěn)定時(shí)進(jìn)行第一檢測(cè)，使得從本基準(zhǔn)所產(chǎn)生的信號(hào)在靠近穩(wěn)態(tài)工作的范圍內(nèi)。具有帶隙基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)器產(chǎn)生與該基準(zhǔn)成比例的電壓。如果沒(méi)有該基準(zhǔn)沒(méi)有完全穩(wěn)定，則調(diào)節(jié)器的輸出不在其設(shè)計(jì)范圍之內(nèi)。帶隙電路通過(guò)反饋控制來(lái)保持在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)I和節(jié)點(diǎn)2)電壓的交點(diǎn)處(crossing point)的操作。根據(jù)本發(fā)明，在接通瞬間穿過(guò)一節(jié)點(diǎn)且處在低于最終工作電壓的較高的穩(wěn)態(tài)電壓的第三支路用于 在節(jié)點(diǎn)I處產(chǎn)生與一帶隙基準(zhǔn)電壓相比較的電壓，以產(chǎn)生帶隙準(zhǔn)備邏輯信號(hào)的一部分。然而，在處理輸入瞬變和緩慢且不穩(wěn)定的電源時(shí)，確定出額外的問(wèn)題。未很好地控制支路瞬變且預(yù)測(cè)了錯(cuò)誤的有效操作。為了解決這個(gè)次要問(wèn)題，添加額外的監(jiān)控電路以檢測(cè)在帶隙電壓發(fā)生器中的電流的核心支路的飽和操作，該監(jiān)控電路與交叉信息邏輯信號(hào)相結(jié)合以更可靠地預(yù)測(cè)帶隙基準(zhǔn)單元接近穩(wěn)態(tài)工作的時(shí)間。一旦帶隙基準(zhǔn)單元處于穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，則有效地比較調(diào)節(jié)器的輸出，用以發(fā)信號(hào)通知控制電路已達(dá)到電源的適當(dāng)狀態(tài)。在圖27中的帶隙準(zhǔn)備電路2800中，所監(jiān)控的僅在限定范圍內(nèi)的用以控制操作的電平依賴于具有處于或接近于其接通瞬態(tài)的末尾的基準(zhǔn)。一旦產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)單元的基準(zhǔn)有效監(jiān)控，則基本上消除了處在對(duì)可靠操作來(lái)說(shuō)過(guò)低的電平上的RFID芯片的操作的錯(cuò)誤解鎖。帶隙電路在本領(lǐng)域是眾所周知的。例如在RFID標(biāo)簽中的芯片中所需的電壓調(diào)節(jié)需要穩(wěn)定的帶隙基準(zhǔn)電壓也是眾所周知的。在通電期間，如果基準(zhǔn)還未穩(wěn)定，則在通電序列中所使用的監(jiān)控電路將不期望地錯(cuò)誤操作，且當(dāng)電源超出工作范圍時(shí)，可不適當(dāng)?shù)亟怄i電路功能?，F(xiàn)有技術(shù)使用時(shí)序延遲，以允許帶隙基準(zhǔn)電路在指示已達(dá)到穩(wěn)定的工作電壓之前穩(wěn)定下來(lái)。盡管根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)于確保達(dá)到適當(dāng)工作電壓、然后開(kāi)始其它電路功能是有效的，但該方法的過(guò)程是易受外界影響的，且應(yīng)該進(jìn)行調(diào)整以確保最佳性能。參照?qǐng)D27，‘帶隙準(zhǔn)備’電路2800包括用以提供帶隙電壓的帶隙電路，該帶隙電路包括二極管D2820、二極管D2822、標(biāo)為2832的電阻器R1、N溝道的晶體管Q2810和Q2812以及P溝道的晶體管Q2804和Q2806。晶體管Q2810和Q2812形成N溝道的電流鏡。晶體管Q2804和Q2806形成P溝道的電流鏡。其它帶隙設(shè)計(jì)將具有本示例設(shè)計(jì)的等效的監(jiān)控節(jié)點(diǎn)。從P溝道的電流鏡鏡像P溝道的晶體管Q2808。晶體管Q2808的漏極電流用于產(chǎn)生標(biāo)為2834的二極管電阻R2和二極管D2824兩端的電壓VBeAP。電容器C2826連接帶隙輸出電壓節(jié)點(diǎn)。第一比較器2828用于監(jiān)控帶隙電路中的第一電壓和第二電壓，且用以在節(jié)點(diǎn)2814處提供第一邏輯信號(hào)。第一輸入端連接晶體管Q2810的源極，第二輸入端連接副本支路(i^plica branch)中的P溝道的晶體管Q2802的漏極。流經(jīng)晶體管Q2802的電流在標(biāo)為2830的電阻器R3和二極管D2818之間產(chǎn)生略大的跟蹤電壓給帶隙核心中的節(jié)點(diǎn)2。第二比較器2826用于監(jiān)控帶隙電路中的第三電壓和第四電壓，且用以在節(jié)點(diǎn)2816處提供第二邏輯信號(hào)。第一輸入端連接晶體管Q2806的漏極，第二輸入端連接晶體管Q2808的漏極，第二輸入端也連接電阻器R2830，如圖所示。在圖27所示的電路2800中，給出用以適當(dāng)產(chǎn)生帶隙電壓的二極管的相對(duì)尺寸如下D2818, m=M ；D2820, m=l ；D2822, m=N 和 D2824, m=l。下面參照?qǐng)D28，在節(jié)點(diǎn)2814和節(jié)點(diǎn)2816處結(jié)合第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)的AND邏輯電路2900用于提供帶隙準(zhǔn)備邏輯信號(hào)BG0K。下面參照?qǐng)D29(a)，示出圖27中的晶體管Q2810的源極和晶體管Q2802的漏極的電壓的曲線圖，標(biāo)為節(jié)點(diǎn)(I)和(3006)。這兩個(gè)電壓的交點(diǎn)用于在節(jié)點(diǎn)2814處產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)。在核心節(jié)點(diǎn)上不直接進(jìn)行比較，而是通過(guò)由上所述的晶體管Q2802、標(biāo)為2830的電阻器R3和二極管D2818所提供的副本支路進(jìn)行比較。在圖29 (b)中，關(guān)于時(shí)間示出越過(guò)最低允許操作閾值的VDD電源電壓。波形3002表征在節(jié)點(diǎn)(3)處的電壓，波形3004表征在節(jié)點(diǎn)(I)處的電壓，波形3006表征在節(jié)點(diǎn)(2)處的電阻器R3的頂端的電壓，以及電壓差3008表征因乘R3的穩(wěn)態(tài)核心電流I而產(chǎn)生的有保證的交叉電壓差。下面參照?qǐng)D30，示出現(xiàn)有技術(shù)的解調(diào)電路3100，該解調(diào)電路包括在節(jié)點(diǎn)3114處的RF輸入端、在輸入節(jié)點(diǎn)3114和節(jié)點(diǎn)3116之間所連接的輸入二極管3102。與電容器3106并 聯(lián)的電阻器3104連接節(jié)點(diǎn)3116。二極管3102、電阻器3104和電容器3106形成本領(lǐng)域所熟知的包絡(luò)檢波器。通過(guò)包括電阻器3108和電容器3110的低通濾波器過(guò)濾節(jié)點(diǎn)3116處的信號(hào)。比較器3112接收在節(jié)點(diǎn)3118處的低通濾波器的輸出和在節(jié)點(diǎn)3116處的包絡(luò)信號(hào)，以在輸出節(jié)點(diǎn)3120處提供數(shù)據(jù)輸出數(shù)字信號(hào)。下面參照?qǐng)D31，示出包括RF波形3114和包絡(luò)波形3116的時(shí)序圖。圖32的時(shí)序圖示出包絡(luò)波形3116和輸出波形，該輸出波形示出期望平均值和因均衡電路3100所產(chǎn)生的不良脈動(dòng)?，F(xiàn)有技術(shù)的RFID解調(diào)電路(比如上文所述的)由于處在高功率的大的輸入信號(hào)而不能在所有輸入功率級(jí)上提供正確操作。校正該問(wèn)題的求平均值的方案是有問(wèn)題的，因?yàn)檫@些方案是與數(shù)據(jù)速率有關(guān)的，導(dǎo)致在求平均值的瞬態(tài)脈沖寬度發(fā)生變化。為了校正這個(gè)問(wèn)題，在檢測(cè)操作邊緣時(shí)，在功率級(jí)下降的地方添加固定基準(zhǔn)。將與電流有關(guān)的其他信號(hào)添加到基準(zhǔn)電壓，使得較高功率級(jí)產(chǎn)生其自身的高電平參考，下文將更詳細(xì)地闡述。伴隨均衡電路損壞數(shù)據(jù)檢測(cè)，瞬態(tài)脈沖寬度改變。利用現(xiàn)有的均衡電路，對(duì)于低數(shù)據(jù)速率和高數(shù)據(jù)速率來(lái)說(shuō)，單個(gè)濾波時(shí)間常數(shù)是不足夠的。在高速數(shù)據(jù)速率下，脈動(dòng)信號(hào)平均而言是低的，但具有長(zhǎng)瞬態(tài)，在該長(zhǎng)穩(wěn)態(tài)期間，工作周期改變。在低數(shù)據(jù)速率下，脈動(dòng)信號(hào)大且可以越過(guò)根據(jù)輸入功率級(jí)的檢測(cè)閾值。在啟動(dòng)狀態(tài)期間的數(shù)據(jù)檢測(cè)中，這兩個(gè)極端都有錯(cuò)誤。下面參照?qǐng)D33，示出根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整RFID解調(diào)電路3400。動(dòng)態(tài)調(diào)整RFID解調(diào)電路3400包括具有用以在節(jié)點(diǎn)3422處接收調(diào)制RF信號(hào)的包絡(luò)檢波器3402、包絡(luò)檢波器3404和包絡(luò)檢波器3406 ;固定基準(zhǔn)3412 ;連接至RC濾波器3416和RC濾波器3418的輸入端的Q3414 ;以及比較器3420，比較器3420具有連接至包絡(luò)檢波器的輸出端的第一輸入端，連接至RC濾波器的輸出端的第二輸入端，和用以在節(jié)點(diǎn)3430處提供數(shù)據(jù)輸出信號(hào)的輸出端。該包絡(luò)檢波器包括輸入二極管3402，并聯(lián)的電阻器3404和電容器3406，以及輸出二極管3408和輸出電阻器3410。固定基準(zhǔn)包括電流源3412和二極管接法的N溝道的晶體管Q3414，電流源3412可以為源自帶隙電路的熱補(bǔ)償電流源?？梢允褂闷渌潭ɑ鶞?zhǔn)。RC濾波器包括電阻器3416和電容器3418。在優(yōu)選實(shí)施方式中，比較器3424的第一輸入端是正相輸入端，第二輸入端是反相輸入端。因此，本發(fā)明的解調(diào)電路3400包括由電流源(若需要，則來(lái)自帶隙電路)所產(chǎn)生的固定基準(zhǔn)、二極管接法的MOS晶體管和RC濾波器以及另一在高功率級(jí)上所激活的能量路徑，該路徑在比較器的輸入端處將電流注入RC濾波器的輸出端。因此，比較器的閾值與輸入功率成比例的增長(zhǎng)，從而平等地辨別高功率RF輸入信號(hào)和低功率RF輸入信號(hào)。下面參照?qǐng)D34 圖36，示出各種電路波形，各種電路波形示出響應(yīng)于不同輸入級(jí)的電路3400的動(dòng)態(tài)閾值。在圖34中，示出兩條RF包絡(luò)。示出在低功率級(jí)的第一 RF包絡(luò)3424A。示出在相對(duì)較高功率級(jí)的第二 RF包絡(luò)3424B。在低功率級(jí)的比較器3420的閾值電壓在節(jié)點(diǎn)3426和節(jié)點(diǎn)3428處是相同的。然而，如圖35所示，在較高功率級(jí)時(shí)，在節(jié)點(diǎn)3426和節(jié)點(diǎn)3428處的電平是不同的。換言之，在較高功率級(jí)時(shí)，在節(jié)點(diǎn)3428處的電壓大于在節(jié)點(diǎn)3426處的電壓。最后，在圖36中，示出關(guān)于逐漸增加的RF輸入功率級(jí)的節(jié)點(diǎn)3428處的電壓。節(jié)點(diǎn)3428處的電壓開(kāi)始在第一電平且隨輸入功率的增加而增加。
下面參照?qǐng)D37A，示出在RFID標(biāo)簽應(yīng)用的環(huán)境中的現(xiàn)有技術(shù)的分路電壓調(diào)節(jié)器3800的示意圖。整流器3802接收RF輸入信號(hào)，整流RF輸入信號(hào)以提供已調(diào)電源電壓，該電源電壓為同一電壓節(jié)點(diǎn)，V·，對(duì)于分路調(diào)節(jié)器來(lái)說(shuō)是已知的。在V·和地端之間連接電阻分壓器電路和比較器3804。電阻分壓器電路和比較器接收輸入基準(zhǔn)電壓，并在節(jié)點(diǎn)3812處為放電裝置提供控制電壓。所示的P溝道的放電裝置，這里例如晶體管Q3806，具有連接Vkk節(jié)點(diǎn)的源極、用以在節(jié)點(diǎn)3812處接收控制電壓的柵極和接地的漏極。Vkk連接至大的保持電容器3808，保持電容器3808提供穩(wěn)定的電壓和能量以激勵(lì)片上電路，例如FRAM存儲(chǔ)器電路、各種數(shù)字電路和模擬電路以及I/O電路。在圖37B中更詳細(xì)地示出電阻分壓器電路和比較器3804，其中，在V·和地端之間連接包括電阻器3814和電阻器3816的電阻分壓器。放大器3818在第一輸入端(反相)處接收輸入基準(zhǔn)電壓，在第二輸入端(正相)處接收電阻分壓器的抽頭電壓。放大器3818的輸出電壓在所示的節(jié)點(diǎn)3812處，為P溝道的晶體管Q3806提供控制電壓。保持電容器3808有效地為RFID標(biāo)簽中的集成電路或電路的剩余部分提供片上電源電壓。電容器3808上的電壓來(lái)自于從RF閱讀器中所得到的電荷。在任何調(diào)節(jié)工作期間使該電荷守恒且不被浪費(fèi)是很重要的。下面參照?qǐng)D38，示出根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽芯片的分路調(diào)節(jié)器3900，該分路調(diào)節(jié)器3900具有RF整流器的分流源輸出端，且包括用以為片上電路3916提供電力輸送路徑的第一輸出端3914和用以提供放電調(diào)節(jié)路徑的第二輸出端3924。如前所述，片上電路可以包括FRAM存儲(chǔ)器電路、I/O電路及具體應(yīng)用所需要的其它數(shù)字和模擬電路。在第一輸出端3914和地端之間連接大的保持電容器3912。分路調(diào)節(jié)器3900包括用以從整流器輸出端接收電源電壓的輸入節(jié)點(diǎn)3902、正極連接輸入節(jié)點(diǎn)的第一二極管3904、正極連接輸入節(jié)點(diǎn)的第二二極管3906、在第一二極管的負(fù)極和地端之間所連接的電阻分壓器電路和比較器3908、具有在節(jié)點(diǎn)3918處連接電阻分壓器電路和比較器的輸出端的控制端的P溝道的晶體管3910、以及在第二二極管的負(fù)極和地端之間所連接的電流路徑，其中，第一二極管的負(fù)極形成第一輸出端3914，第二二極管的負(fù)極形成第二輸出端3924。電阻分壓器和比較器電路3908基本上和圖37B中所示的相同。
下面參照?qǐng)D39，示出相對(duì)地的未調(diào)節(jié)電壓波形4002和已調(diào)電壓波形4004的曲線圖4000。示出超過(guò)預(yù)期上限值的輸入未調(diào)節(jié)電壓4002，將被調(diào)節(jié)成調(diào)節(jié)電壓4004中的恒定的可接受的上限值。注意，在存在過(guò)量的RF能量時(shí)，將圖38中所示的電流下拉節(jié)點(diǎn)3902，與節(jié)點(diǎn)3914隔離。參照?qǐng)D40，利用進(jìn)入調(diào)節(jié)的分路調(diào)節(jié)器，繪制在節(jié)點(diǎn)3902處的來(lái)自于整流器的輸入電壓和在第一輸出節(jié)點(diǎn)3914處的輸出電壓。過(guò)壓狀態(tài)導(dǎo)致圖39中的Q3910激活，以傾泄過(guò)量的獲得的能量、下拉節(jié)點(diǎn)3902、隔離節(jié)點(diǎn)3914且不使電容器3912放電。注意，在因失去與RF閱讀器的接觸而產(chǎn)生電壓下降的情況下，輸入電壓也降低；然而，在節(jié)點(diǎn)3914處的片上電源電壓瞬間保持為高，并使額外的電荷守恒且可不斷地用于激勵(lì)片上電路?？梢员３址烹娬{(diào)節(jié)路徑與電力輸送路徑分隔，同時(shí)不從激勵(lì)電路的剩余部分的保持電容器3912中移除電荷。根據(jù)本發(fā)明所描述的分隔各輸出使RFID標(biāo)簽更有效。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變型，而不脫離本發(fā)明 的精神和范圍。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以以固件、軟件、硬件或其任何可能的組合實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的等效實(shí)施方式。此外，盡管為了幫助理解本發(fā)明，示出了有代表性的方框圖，但是可以按照具有應(yīng)用或?qū)崿F(xiàn)的需要，改變并組合或分離出方框圖的準(zhǔn)確邊界。最后，盡管描述和要求保護(hù)FRAM存儲(chǔ)器，但是本發(fā)明也適用于任何其它高速非易失性的存儲(chǔ)器技術(shù)。因此，本發(fā)明意圖覆蓋所提供的本發(fā)明的修改和變型，這些修改和變型在附加的權(quán)利要求及其等效變型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于RFID電路的時(shí)序電路，所述時(shí)序電路包括 輸入節(jié)點(diǎn)，所述輸入節(jié)點(diǎn)用于接收外部電壓； 帶隙電路，所述帶隙電路連接至所述輸入節(jié)點(diǎn)； 帶隙準(zhǔn)備電路，所述帶隙準(zhǔn)備電路連接至所述帶隙電路； 旋轉(zhuǎn)濾波器，所述旋轉(zhuǎn)濾波器具有連接至所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述帶隙準(zhǔn)備電路的輸入端; 濾波電容器，所述濾波電容器連接至所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端；以及LDO調(diào)節(jié)器，所述LDO調(diào)節(jié)器具有連接至所述旋轉(zhuǎn)濾波器的所述輸出端的輸入端，具有若干用以在存儲(chǔ)器部分和數(shù)字電路部分中使用的已調(diào)電壓且用以產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。
2.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，其中，所述RFID電路包括鐵電RFID電路。
3.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，還包括多個(gè)延時(shí)電路，用于在所述RFID電路的各工作模式之間引入受控延時(shí)。
4.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，還包括多個(gè)POR單元。
5.如權(quán)利要求4所述的時(shí)序電路，其中，所述多個(gè)POR單元包括第一類型POR單元和第二類型POR單元。
6.如權(quán)利要求5所述的時(shí)序電路，其中，所述POR單元檢測(cè)第一電源電壓的充足性。
7.如權(quán)利要求6所述的時(shí)序電路，其中，所述POR單元檢測(cè)第二電源電壓的充足性。
8.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，還包括數(shù)字狀態(tài)機(jī)，用于監(jiān)控多個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)以控制關(guān)閉的脈沖發(fā)生器。
9.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，還包括多個(gè)關(guān)閉放電單元。
10.如權(quán)利要求I所述的時(shí)序電路，其中，所述LDO調(diào)節(jié)器連接至延時(shí)電路。
11.一種用于RFID電路的定序方法,所述定序方法包括 在輸入節(jié)點(diǎn)處接收外部電壓； 將帶隙電路連接至所述輸入節(jié)點(diǎn)； 將帶隙準(zhǔn)備電路連接至所述帶隙電路； 將旋轉(zhuǎn)濾波器的輸入端連接至所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述帶隙準(zhǔn)備電路； 將濾波電容器連接至所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端；以及 將LDO調(diào)節(jié)器的輸入端連接至所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端，所述LDO調(diào)節(jié)器具有若干用以在存儲(chǔ)器部分和數(shù)字電路部分中使用的已調(diào)電壓且用以產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。
12.如權(quán)利要求11所述的定序方法，其中，所述RFID電路包括鐵電RFID電路。
13.如權(quán)利要求11所述的定序方法，還包括提供多個(gè)用以在所述RFID電路的各工作模式之間引入受控延時(shí)的延時(shí)電路。
14.如權(quán)利要求11所述的定序方法，還包括提供多個(gè)POR單元。
15.如權(quán)利要求14所述的定序方法，其中，所述多個(gè)POR單元包括第一類型POR單元和第二類型POR單元。
16.如權(quán)利要求15所述的定序方法，其中，所述POR單元檢測(cè)第一電源電壓的充足性。
17.如權(quán)利要求16所述的定序方法，其中，所述POR單元檢測(cè)第二電源電壓的充足性。
18.如權(quán)利要求11所述的定序方法，還包括提供用于監(jiān)控多個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)以控制關(guān)閉脈沖發(fā)生器的數(shù)字狀態(tài)機(jī)。
19.如權(quán)利要求11所述的定序方法，還包括提供多個(gè)關(guān)閉放電單元。
20.如權(quán)利要求11所述的定序方法，其中，所述LDO調(diào)節(jié)器連接至延時(shí)電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及射頻識(shí)別標(biāo)簽的通電時(shí)序。鐵電RFID電路的時(shí)序電路包括輸入節(jié)點(diǎn)，用以接收外部電壓；帶隙電路，連接所述輸入節(jié)點(diǎn)；帶隙準(zhǔn)備電路，連接所述帶隙電路；旋轉(zhuǎn)濾波器，具有連接所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述帶隙準(zhǔn)備電路的輸入端；濾波電容器，連接所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端；以及LDO調(diào)節(jié)器，具有連接所述旋轉(zhuǎn)濾波器的輸出端的輸入端，具有若干用以在存儲(chǔ)器部分和數(shù)字電路部分中使用的調(diào)節(jié)電壓，且用以產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。所述時(shí)序電路還包括用以在各工作模式之間引入受控延時(shí)的延時(shí)電路、用以監(jiān)控電源電壓的POR單元和用于監(jiān)控內(nèi)部節(jié)點(diǎn)以控制關(guān)閉的脈沖發(fā)生器的數(shù)字狀態(tài)機(jī)。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102842061SQ201210191878
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月10日
發(fā)明者阿古斯丁·奧喬亞, 霍華德·唐 申請(qǐng)人:瑞創(chuàng)國(guó)際公司