一種偏置電流產(chǎn)生電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種偏置電流產(chǎn)生電路，包括環(huán)路單元、輸出單元及放大單元；所述環(huán)路單元包括構(gòu)成第一電流鏡結(jié)構(gòu)的第一PMOS管和第二PMOS管、以及構(gòu)成第二電流鏡結(jié)構(gòu)的第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管和第二NMOS管工作在亞閾值區(qū)；所述輸出單元用于輸出所述偏置電流；所述放大單元包括第一輸入端和輸出端，所述第一輸入端連接至所述第一NMOS管或第二NMOS管的源極，所述輸出端分別連接至所述第一PMOS管和第二PMOS管的柵極。本發(fā)明技術(shù)方案能夠減小溫度對偏置電流產(chǎn)生電路的輸出影響。
【專利說明】—種偏置電流產(chǎn)生電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種偏置電流產(chǎn)生電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，對電路穩(wěn)定性的要求越來越高。在各種電子電路或電子系統(tǒng)中，比如數(shù)模轉(zhuǎn)換電路(ADC)、鎖相環(huán)電路(PPL)、存儲器電路(memory)等電路均需要被提供偏置電流。
[0003]偏置電流在各電子電路或電子系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用?，F(xiàn)有技術(shù)的一種偏置電流產(chǎn)生電路如圖1所示，包括:
[0004]構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)的PM0S管P10和PM0S管P11 ;
[0005]構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)的PM0S管P11和PM0S管P12 ；
[0006]構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)的NM0S管N10和NM0S管N11，NM0S管N10和NM0S管Nil工作在飽和區(qū)；
[0007]所述PM0S管P10的漏極與所述NM0S管N10的漏極相連，并輸出電流Iinl，所述PM0S管P11的漏極與所述NM0S管Nil的漏極相連，并輸出電流Iin2，所述PM0S管P12的漏極輸出所述偏置電流Ιο ；
[0008]除了上述結(jié)構(gòu)，繼續(xù)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)偏置電流產(chǎn)生電路還包括:
[0009]電源單元D，為所述PM0S管P10、PM0S管Ρ11及PM0S管Ρ12提供電源電壓；
[0010]接地單元，為所述NM0S管N10及NM0S管Nil提供接地電壓；
[0011]電阻R，連接于所述接地單元和NM0S管N10之間。
[0012]圖1所述的偏置電流產(chǎn)生電路具有如下缺陷:
[0013]電流Iinl、電流Iin2及輸出的偏置電流Ιο之間是具有比例關(guān)系的，在工作時，NM0S管Ν10和NM0S管Nil是工作在飽和區(qū)的，NMOS管N10和NM0S管Nil組成的電流鏡結(jié)構(gòu)對電流Iinl及電流Iin2有鉗位作用，可認為電流Iinl及電流Iin2之間大致相等。假使偏置電流Ιο與電流I ini和電流I in2之間的比值為1:1:1，可得到:
[0014]
【權(quán)利要求】
1.一種偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，包括:環(huán)路單元，包括構(gòu)成第一電流鏡結(jié)構(gòu)的第一 PMOS管和第二 PMOS管、以及構(gòu)成第二電流鏡結(jié)構(gòu)的第一 NMOS管和第二 NMOS管；所述第一 PMOS管的漏極連接至第一 NMOS管的漏極，且輸出第一電流，所述第二 PMOS管的漏極連接至第二 NMOS管的漏極，且輸出第二電流；所述第一 NMOS管和第二 NMOS管工作在亞閾值區(qū)；輸出單元，用于輸出所述偏置電流，所述偏置電流與所述第一電流和第二電流呈鏡像關(guān)系;放大單元，包括第一輸入端和輸出端，所述第一輸入端連接至所述第一 NMOS管或第二NMOS管的源極，所述輸出端分別連接至所述第一 PMOS管和第二 PMOS管的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一PMOS管的柵極連接至所述第二 PMOS管的柵極，第一 PMOS管和第二 PMOS管的源極分別連接至電源電壓；所述第一 NMOS管柵漏相連，其柵極連接至所述第二 NMOS管的柵極；所述環(huán)路單元還包括:阻值與溫度系數(shù)正相關(guān)的電阻單元，所述電阻單元的一端連接至所述第一 NMOS管的源極，另一端接地；所述第二 PMOS管的源極接地，所述第一輸入端連接至所述第一 NMOS管的源極。
3.如權(quán)利要求2所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電阻單元至少包括一個正溫度系數(shù)電阻。
4.如權(quán)利要求2所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電阻單元包括至少一個正溫度系數(shù)電阻和至少一個負溫度系數(shù)電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述放大單元還包括第二輸入端，所述第二輸入端用于輸入第三電流。
6.如權(quán)利要求5所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第三電流為自偏置電流，所述偏置電流產(chǎn)生電路還包括自偏置電流單元，所述自偏置電流單元用于輸出所述自偏置電流；所述自偏置電流與所述第一電流和第二電流呈鏡像關(guān)系。
7.如權(quán)利要求6所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述自偏置電流單元包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的源極連接至電源電壓，漏極連接至所述第二輸入端；所述輸出端還連接至所述第三PMOS管的柵極。
8.如權(quán)利要求7所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述放大單元還包括第三NMOS管；所述第三NMOS管的源極連接至所述第一輸入端，漏極連接至所述第二輸入端和輸出端的聯(lián)接點，柵極連接至所述第一 NMOS管或第二 NMOS管的漏極；所述第三NMOS管工作在亞閾值區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述輸出單元包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的源極連接至電源電壓，柵極分別連接至所述第一 PMOS管和第二 PMOS管的柵極，漏極輸出所述偏置電流。
10.如權(quán)利要求2、7或9所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括電源單元，用于提供所述電源電壓。
【文檔編號】G05F1/46GK103729004SQ201410005961
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月7日
【發(fā)明者】徐光磊 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司