一種電流采樣電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管、采樣功率NMOS管M2、M3、M4、采樣電阻Rs，分流功率NMOS管和采樣功率NMOS管M2、M3和M4的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管和采樣功率NMOS管M2的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs的一端接采樣管M2、M3、M4的源極，另一端接地，其特征在于：采樣功率NMOS管M3和M4的導(dǎo)通狀態(tài)被信號分別控制，所述控制采樣功率NMOS管M3和M4導(dǎo)通狀態(tài)的信號外部輸入管腳A和管腳B提供?？梢詫崿F(xiàn)多種限流值，方式簡單。
【專利說明】一種電流采樣電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及用于模擬集成電路中的電流采樣電路。【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的中，尤其是模擬集成電路中，為了檢測大電流，因為功耗等的要求需要對電流進行采樣后在進行檢測。而通常電流的采樣只能有一種采樣值。
[0003]這樣的方案主要存在以下缺陷:
[0004]因為只能采樣一種電流，所以它所能檢測的電流值只有一種，不便于實現(xiàn)多種電流值得采樣檢測。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了解決電流檢測電路只能采樣一種電流值，不便于實現(xiàn)多種電流值得采樣檢測的缺點。
[0006]本實用新型的解決方案如下:
[0007]一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs (8)的一端接采樣管NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極，另一端接地。采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的導(dǎo)通狀態(tài)被信號分別控制，所述控制采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)導(dǎo)通狀態(tài)的信號由外部輸入管腳A (7)和管腳B (8)提供。
[0008]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0009]電流采樣電路信號A和B由外部輸入第一管腳(7)和第二管腳(8)提供。實現(xiàn)多種限流值，方式簡單。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的示意圖。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示，Ml、M2、M3、M4為功率NMOS管。Ml為分流管，M2、M3、M4為采樣管。其中M1、M2柵極接電源Vin，因此M1、M2是處于常導(dǎo)通狀態(tài)，為固定接入狀態(tài)。M3、M4的導(dǎo)通狀態(tài)通過外部輸入管腳7和8提供的信號A、B分別接M3、M4的柵極進行控制。當M3、M4的柵極信號為高電平時M3、M4導(dǎo)通，為低電平時M3、M4截止。根據(jù)實際需要控制M3、M4的導(dǎo)通狀態(tài)。管腳Ps接功率MOS管Ml、M2、M3、M4的漏極。采樣電阻Rs —端接采樣管M2、M3、M4的源極，另一端接地。
[0012]Ps中有電流輸入。因為M1、M2是處于常導(dǎo)通狀態(tài)，Ps中的電流流過Ml、M2，流過Ml的電流直接到地，而流過M2的電流流入采樣電阻Rs，當外部輸入管腳7和8進行控制的M3和/或M4導(dǎo)通時，Ps中的電流流過它們后，流入采樣電阻Rs。流入的電流在采樣電阻Rs產(chǎn)生電壓Vs后輸出給后續(xù)電路。
[0013]其中Ml、M2、M3、M4以一定的大小比例設(shè)置。所設(shè)置的比例值根據(jù)電路的具體情況而定。通過外部輸入管腳7和8對M3和/或M4導(dǎo)通狀態(tài)的控制，可以通過M2、M3、M4得到不同的采樣電流，因此通過采樣電阻Rs也就可以產(chǎn)生不同的電壓Vs。M2、M3、M4導(dǎo)通的越多，采樣的電流越大，產(chǎn)生的采樣電壓Vs也就越大。最大時為M2、M3、M4全部導(dǎo)通。采樣電流具體見下表1 (信號A、B不同狀態(tài)對應(yīng)采樣值)。
[0014]
【權(quán)利要求】
1.一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs (8)的一端接采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極，另一端接地，其特征在于:采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的導(dǎo)通狀態(tài)被信號分別控制，所述控制采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)導(dǎo)通狀態(tài)的信號由外部輸入管腳A (7)和管腳B(8)提供。
【文檔編號】G01R19/00GK203798886SQ201320770890
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月1日
【發(fā)明者】張俊 申請人:陜西易陽科技有限公司