專利名稱：用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體芯片裝置的制作方法
現(xiàn)有技術本發(fā)明涉及用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體芯片裝置。
盡管本發(fā)明可應用于任意的半導體芯片裝置上，但僅參照具有壓力傳感器的一個微機械半導體芯片裝置來說明本發(fā)明及以其作為礎的問題。
由DE 102 004 011 203公開了用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的方法的各個例子，以下將詳細描述其中的三個例子。
圖7表示用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第一例的橫截面。
圖7中標號100表示一個TO8管座，它例如由科伐合金制成。標號5是一個具有壓阻的變換元件51的微機械硅壓力傳感器芯片，這些變換元件被設置在一個膜片55上。為了制造膜片55在相關的硅壓力傳感器芯片5的背面設置一個空腔58，例如通過各向異性的蝕刻及例如使用KOH或TMAH。變換地，膜片55也可通過溝槽蝕刻來制造。
傳感器芯片5可由具有壓敏電阻的一個純電阻橋組成或與一個求值電路組合，該求值電路與壓敏電阻一起在一個半導體工序中集成。一個由含鈉的玻璃組成的玻璃管座140被陽極化地接合在芯片5的背面，該玻璃管座用于減小由焊劑或粘劑70引起的機械應力，借助該焊劑或粘劑在TO8管座100上裝配玻璃管座140。圖7中的標號53表示一個未詳細表示的集成電路52的鍵合焊盤，它通過一個壓焊絲60與一個電連接裝置130相連接，該連接裝置又通過一個絕緣層131與TO8管座100絕緣。玻璃管座140具有一個透孔141，該透孔使空腔58通過TO8管座100的透孔101及裝配在其上的連接裝置120與外部具有的壓力P相連通。圖7中所示的結構通常還與一個未示出的金屬帽密閉地密封焊接。
但這種結構具有其缺點，即在密閉地封閉傳感器芯片5時該結構繁瑣及經(jīng)常出現(xiàn)問題，例如由于未密封的焊縫等引起的問題。因為TO8殼體與硅具有不同的溫度膨脹系數(shù)，因此在溫度改變時形成機械應力，它會作為干擾信號被壓敏電阻測量出。
圖8表示用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第二例的橫截面。
該第二例考慮，將傳感器芯片5通過一個不具有透孔的玻璃管座140’粘接到一個由陶瓷或塑料作的襯底1上并且為了保護它免受環(huán)境影響用凝膠2來作鈍化。此外在襯底1上在芯片裝置的上方設有一個保護帽13，該保護帽具有一個用于待施加的壓力P的透孔15。并且在該例中玻璃管座140’不具有透孔，因為壓力P從另一側來施加。
在使用這種凝膠2時最大壓力不利地由凝膠2來確定，因為氣體擴散到凝膠2中并在突然的壓力下降時在凝膠2中形成氣泡，這將破壞凝膠2。
圖9表示用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第三例的橫截面。
在該例中傳感器芯片5’是一個表面微機械的傳感器芯片，它例如可根據(jù)在DE 100 32 579 A1中所述的方法來制造及具有一個在膜片區(qū)域55’上面的組合的空腔58’。
為了裝配，傳感器芯片5’的鍵合焊盤53在一個裝配區(qū)域中借助焊接連接或粘接連接、例如借助小焊珠26被焊接在(未示出的)襯底鍵合焊盤上，該襯底是一個由塑料制成的預先模制殼體10的一部分，由該預先模制殼體從側面伸出一個整體成型到殼體中的引出框8。預先模制殼體10具有一個凹槽11，傳感器芯片5以倒裝芯片技術(Flip-Chip-Technik)懸置地裝配在該凹槽旁邊。
在傳感器芯片5的裝配區(qū)域中，引出框8的接觸區(qū)域的最小間距通常大于在傳感器芯片5上鍵合焊盤53的最小間距。但因為在傳感器芯片5上僅需要少量的鍵合焊盤53，例如用于惠斯登測量電橋端子的四個鍵合焊盤，所以這些鍵合焊盤可以彼此被盡可能遠地布置。
裝配區(qū)域還具有一個由絕緣的塑料材料作的底填料28，其中位于裝配區(qū)域與膜片區(qū)域55’之間的凹槽11的邊緣K可用作裝配工序中底填料28的斷開邊緣。該斷開邊緣K用于使底填料28不能達到膜片區(qū)域55’中或其下面。傳感器芯片5’的膜片區(qū)域55’由此側面地伸出在條狀裝配區(qū)域的旁邊，以使得壓力介質可不受干擾地達到膜片區(qū)域55’上。
在膜片區(qū)域55’中傳感器芯片5’在表面上由一個(未示出的)層、例如氮化物層鈍化，它起到可靠的防介質的保護作用。在裝配區(qū)域中傳感器芯片5’通過底填料28被保護以防腐蝕。
最后預先模制殼體10具有一個環(huán)形的側壁區(qū)域10a，在它的上側面設置有一個蓋20’，此蓋具有用于待施加的壓力P的透孔15b。由于事實上傳感器芯片5’通過倒裝芯片法裝配在周圍區(qū)域的與裝配區(qū)域相對的一側上而與預先模制殼體10的表面隔開，可以保證所施加的壓力P無問題地傳遞到膜片區(qū)域55上。
此外，蓋20’具有一個壓力接管21，其中在透孔15b中可裝入一個可選用的過濾器，該過濾器可防止顆?；蛞簯B(tài)介質到達傳感器封裝的內部。因此例如可防止水的侵入，水在結冰時會擠壓傳感器芯片5’并由此可損壞它。
在該例中可完全取消根據(jù)圖7或8的玻璃管座140，140’，它們在制造時導致成本的增高，因為表面微機械的傳感器芯片5’。在條狀裝配區(qū)域旁邊側向的伸出能使由硅以及與小焊珠26及底填料28的連接部分的不同溫度膨脹系數(shù)形成的應力下降。
本發(fā)明的優(yōu)點作為本發(fā)明基礎的構思在于在一個設有凹槽的襯底上借助倒裝芯片裝配技術的半導體芯片、尤其是表面微機械(OMM)壓差傳感器芯片的懸置結構方式，其中通過側面的懸置來設置半導體芯片的機械去耦合。
根據(jù)本發(fā)明的具有權利要求1的特征的用于半導體芯片的裝配方法及根據(jù)權利要求8的相應半導體芯片裝置相對公知的解決方案具有其優(yōu)點，即可實現(xiàn)一種簡單的、成本上有利的及應力不敏感的結構。
本發(fā)明的主題具有的另一優(yōu)點是，相對于無第二壓力連接的絕對壓力傳感器，除了一個用于開設一個至空腔的進入開口的附加的短的硅溝槽步驟外不需要其它的工藝步驟，這使根據(jù)本發(fā)明的方法可在成本上有利地實施。用于開設第二壓力入口的蝕刻步驟無需通過整個傳感器進行，而僅需通過膜片的一個小的厚度，這導致一個短的蝕刻過程。
膜片空腔到壓力連接孔的連接通道可能由介質中顆粒的堵塞可通過大面積的細網(wǎng)孔柵格來防止。根據(jù)本發(fā)明的傳感器類型具有非常抗介質影響的結構，該結構通過底填料來保護電端子、例如由鋁制的電端子。得到僅由硅或氮化硅(鈍化層)構成的表面，壓力介質可到達其上。不需要用凝膠來鈍化芯片電端子(鍵合焊盤)可制造單晶硅膜片，它的特別的優(yōu)點是高的機械強度以及其中摻雜的壓敏電阻的高K系數(shù)。
通過在半導體芯片和襯底上的連接焊劑，由于焊劑的表面應力使半導體芯片定位。當在芯片和襯底上的兩個接觸面之間的焊劑具有最小的表面時，達到能效最有利的狀態(tài)。當兩個面直接上下布置時可達到該狀態(tài)。由此壓力進入孔可借助該自調整精確地被調整到芯片端子上。由此即使很小的結構也可被精確地定位。
現(xiàn)有的制造過程可大部分被保留，例如用于傳感器部分和/或求值電路部分或用于傳感器殼體部分的制造半導體工藝可被保留。
可進行在晶片復合物(Wafer-Verbund))中電的預測量，并且在裝配到載體上后也可進行帶端平衡(Bandendeabgleich)。根據(jù)本發(fā)明的方法也可實現(xiàn)傳感器芯片及求值電路的節(jié)省位置的結構。
在從屬權利要求中可得到本發(fā)明的相應主題的進一步構型及改進。
根據(jù)一個優(yōu)選的進一步構型，在裝配區(qū)域中設有多個鍵合焊盤，它們通過焊接或粘接連接被裝配在襯底的表面上。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，在裝配半導體芯片之前設置穿過襯底至空腔的開口的透孔。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，在襯底的背面上設置第一壓力連接裝置及在襯底的正面上設置第二壓力連接裝置，它們被這樣地設計，使得在膜片區(qū)域的兩側上可施加不同的壓力。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，襯底是一個預制造的殼體的一部分。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，殼體是一個由塑料制成的預先模制殼體，在其中成型出一個引出框。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，殼體具有一個環(huán)形的側壁區(qū)域，該側壁區(qū)域包圍著傳感器芯片并且該側壁區(qū)域在傳感器芯片的上方通過一個具有透孔的蓋封閉。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，空腔具有第一空腔區(qū)域，第二空腔區(qū)域及第三空腔區(qū)域，其中第一空腔區(qū)域位于膜片區(qū)域的里面，第三空腔區(qū)域位于周圍區(qū)域中，及該第三空腔區(qū)域具有一個向著襯底的開口及第二空腔區(qū)域是一個通道形式的區(qū)域，它使第一及第三空腔區(qū)域相連接。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，第二空腔區(qū)域具有窄長的形狀。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，第一空腔區(qū)域具有矩形的，優(yōu)選為方形的形狀。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，第二空腔區(qū)域由第一空腔區(qū)域的一個角導出。
根據(jù)另一優(yōu)選的進一步構型，在膜片區(qū)域中設有一個壓電的或壓阻的壓力撿測裝置。
附圖本發(fā)明的實施例被表示在附圖中及在以下的說明中對其詳細地描述。
附圖表示
圖1a，b本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第一實施形式的側向以及水平方向的橫截面；圖2本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第二實施形式的橫截面；圖3本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第三實施形式的橫截面；圖4本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第四實施形式的橫截面；圖5，6本發(fā)明的用作壓力傳感器的半導體芯片的實施形式的橫截面；圖7用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第一例的橫截面；圖8用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第二例的橫截面；圖9用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第三例的橫截面；
實施例的說明附圖中相同的標號表示相同或功能相同的組成部分。
圖1a，b表示本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第一實施形式的側向以及水平方向的橫截面。
在該例中傳感器芯片5”是一個表面微機械傳感器芯片，它例如根據(jù)在DE 100 32 579 A1中描述的方法來制造并且具有一個組合在一個膜片區(qū)域55’上的空腔58’。
為了裝配，傳感器芯片5”的鍵合焊盤在一個裝配區(qū)域MB中借助焊接連接或粘接連接、例如借助一個焊珠26被焊接在襯底1’的(未示出的)鍵合焊盤上，在這里該襯底是一個印刷電路板或陶瓷及具有一個凹槽11，傳感器芯片5”以倒裝芯片技術懸置地裝配在該凹槽旁邊。
裝配區(qū)域MB還具有一個由絕緣的塑料材料構成的底填料28，其中位于裝配區(qū)域與膜片區(qū)域55’之間的凹槽11的邊緣K在裝配工序中用作底填料28的斷開邊緣。該斷開邊緣K用于使底填料28不能達到膜片區(qū)域55’中或其下面。傳感器芯片5”的膜片區(qū)域55’由此側面地伸出在條狀裝配區(qū)域的旁邊，以使得具有壓力P1的壓力介質可不受干擾地達到膜片區(qū)域55’上。
在膜片區(qū)域55’中傳感器芯片5”在表面上由一個(未示出的)層、例如氮化物層鈍化，它起到可靠的防介質的保護作用。在裝配區(qū)域中傳感器芯片5”通過底填料28被保護以防腐蝕。
與上面結合圖9所述的結構不同地，傳感器芯片5”具有空腔58’的一個不同結構，該空腔可由圖1b中看出。尤其是該空腔58’具有第一空腔區(qū)域158’，第二空腔區(qū)域258’及第三空腔區(qū)域358’。第一空腔區(qū)域158’位于膜片區(qū)域55’的里面，如由圖9中已知的。附加的第三空腔區(qū)域385’位于該周圍區(qū)域中，即這里在裝配區(qū)域MB中間并包括一個開口58’a，該開口使空腔58’向外對于壓力加載可進入。此外在該實施形式中第二空腔區(qū)域258’是一個通道形式的區(qū)域，它使第一及第三空腔區(qū)域158’，358’相連接。
在該實施形式中第一空腔區(qū)域158’具有一個方形的形狀，其中由第一空腔區(qū)域158’的一個角導出第二空腔區(qū)域258’。鑒于防止第二空腔區(qū)域258’的可能的應力耦合到壓敏電阻51中，這是有利的。
在本例中第三通道區(qū)域158’是圓形的，及如在圖1b中可看到的，它具有柵格形狀的開口58’a，其中柵格結構是需要的，它用于防止外部顆粒進入空腔58’或妨礙通道區(qū)域。
襯底1’在開口58’a的下面具有一個透孔101’，該透孔允許壓力P2通過襯底1’耦合到空腔58’中。并且在結合圖9所述的倒裝芯片裝配中無底填料28達到透孔101’的區(qū)域。由此在襯底1’上又形成一個邊緣，在該邊緣上構成彎月形及底填料28被中斷。
根據(jù)圖1b求值電路6被集成在芯片5”的裝配區(qū)域MB中。當然也可考慮設置一個分開的求值芯片的方案。
通過該實施形式的所述的結構可實現(xiàn)在膜片區(qū)域55’的一側上通過凹槽11施加第一壓力P1及在膜片55’的另一側上通過透孔101’施加第二壓力P2。因此所述的該實施形式尤其適用于差壓傳感器裝置。
以下描述兩個實施形式，由它們可得知不同的壓力P1，P2如何合乎目的彼此無關地被施加到膜片區(qū)域55’的兩側上。
圖2表示本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第二實施形式的橫截面。
在圖2的實施形式中，在襯底1’上借助粘劑21’a設置了一個蓋20”。蓋20”具有一個開口15a。
在此情況下壓力連接裝置具有一個殼體裝置3，該殼體裝置借助O型密封圈裝置4法蘭連接在開口15a及開口101’上并且具有相應的壓力開口15a’。因此壓力P1僅到達膜片區(qū)域55’的前側上及壓力P2到達膜片區(qū)域55’的后側上。
圖3表示本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第三實施形式的橫截面。
在圖3中所示的實施形式中也設置有蓋20”，但這里此蓋具有一個帶有開口15a的壓力接管21。在該實施形式中背面設有另一壓力接管21’，該另一壓力接管通過粘接層21’a被粘接到襯底1’的背面上。在壓力接管21’中附加地設有一個可選的過濾器22。
圖4表示本發(fā)明的用于裝配半導體芯片的方法及相應的半導體裝置的第四實施形式的橫截面。
圖4中所示的實施形式是基于結合圖9所述的例子。
但這里傳感器芯片5”具有改型的空腔58’，對于該空腔已結合圖1b作了詳細的說明。
預先模制殼體10在其背面具有一個透孔101”，在該透孔上由外部粘接了一個可選的過濾器22’。通過透孔101”壓力P2可到達膜片區(qū)域55的后側。
如已結合圖9所述地，壓力P1可通過接管21以及位于其中的可選的過濾器22到達膜片區(qū)域55’的前側。
圖5，6表示本發(fā)明的絕對壓力傳感器或差值壓力傳感器的實施形式的橫截面。
在圖5及6中描述了在傳感器芯片5”的倒裝裝配之前柵格形式的開口58’a(參見圖1b)的制造。
根據(jù)圖5在芯片5”的正面上首先施加一個例如由氮化硅構成的鈍化層65及在該鈍化層的上面施加一個光刻膠層71，它在相關區(qū)域中以傳統(tǒng)方式利用光刻技術被結構化形成一個柵格75形狀。
然后借助該作為掩模的結構化的光刻膠層71進行蝕刻以獲得柵格形式的開口58’a。該溝槽蝕刻工序的一大優(yōu)點是，僅是空腔區(qū)域358’上面的鈍化層65和硅構成的覆蓋層的厚度必須被蝕刻，而不像現(xiàn)有技術那樣是硅芯片5”的整個厚度。因為在達到第三空腔區(qū)域358’時蝕刻過程未停止，故使位于其下面的硅也被刻去，如在圖6中可清楚看到的一樣。由于該原則上無妨礙的效應可設定足夠長的過蝕刻時間(bertzzeit)，以致可保證在整個晶片上能可靠地開出達到空腔58的相應開口58’a。
盡管以上借助優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行描述，但本發(fā)明不被限制于其上，而也能以另外的方式實施。
在上面的例子中僅考慮了壓敏電阻的傳感器結構。但本發(fā)明也適合于電容性的或其中使用膜片的其它傳感器結構。
膜片的幾何結構可任意地設計，但最好為方形、矩形或圓形。
參考標號表1，1’ 襯底2 凝膠100 TO8-管座5，5’，5” 傳感器芯片6 求值電路51 壓電電阻52 集成電路53 鍵合焊盤60 壓焊絲55，55’ 膜片70 焊接層或粘接層
120 壓力連接裝置130 電連接裝置131 絕緣層140，140’ 玻璃管座141 孔口58，58’ 空腔13保護蓋15，15a，15a’，15b透孔101，101’，101”透孔20，20’，20” 蓋26小焊球28 底填料10，10’ 預先模制殼體10a側壁區(qū)域8 引出框11，11’ 凹槽58’a 開口K邊緣21，21’ 壓力接管22，22’ 過濾器MB裝配區(qū)域158’第一空腔區(qū)域258’第二空腔區(qū)域358’第三空腔區(qū)域P，P1，P2 壓力3 殼體4 O型密封圈
21’a 粘劑65芯片鈍化層71光刻膠75柵格
權利要求
1.用于裝配半導體芯片的方法，具有以下步驟準備一個具有一個表面的半導體芯片(5”)，該表面具有一個膜片區(qū)域(55’)及一個周圍區(qū)域，其中該周圍區(qū)域具有一個裝配區(qū)域(MB)，及其中在該膜片區(qū)域(55’)的里面是一個空腔(58’)，該空腔延伸到該裝配區(qū)域(MB)中并且在那里通入一個開口(58’a)中；設置一個襯底(1’；10)，該襯底具有一個帶有一個凹槽(11)的表面；用倒裝芯片技術將該半導體芯片(5”)的該裝配區(qū)域(MB)這樣地裝配到該襯底(1’；10)的所述表面上，使得該凹槽(11)的一個邊緣(K)位于該裝配區(qū)域(MB)與該膜片區(qū)域(55’)之間并且該開(58’a)向著該襯底(1’；10)；用一種底填料(28)對該裝配區(qū)域(MB)進行底填充，其中該凹槽(11)的邊緣(K)用作用于該底填料(28)的斷開區(qū)域，使得沒有底填料(28)達到該膜片區(qū)域(55)中；及設置一個穿過該襯底(1’；10)至該空腔(58’)的開(58’a)的透孔(101’；101”)。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于在該裝配區(qū)域(MB)中設置有多個鍵合焊盤(53)，它們通過焊接或粘接連接被裝配在該襯底(1’；10)的表面上。
3.根據(jù)權利要求1或2的方法，其特征在于在裝配該半導體芯片(5”)之前設置該穿過該襯底(1’；10)至該空腔(58’)的開口(58’a)的透孔(101’；101”)。
4.根據(jù)權利要求1，2或3的方法，其特征在于在該襯底(1’；10)的背面上設置一個第一壓力連接裝置(3，4；21’；22’)及在該襯底(1’；10)的正面設置一個第二壓力連接裝置(3，4，20”；20”，21；20’，21)，它們被這樣地構造，使得在該膜片區(qū)域(55’)的兩側上可施加不同的壓力(P1，P2)。
5.根據(jù)以上權利要求中至少一項的方法，其特征在于該襯底(1’；10)是一個預制造的殼體(10)的一部分。
6.根據(jù)以上權利要求中至少一項的方法，其特征在于該殼體(10)是一個由塑料制成的預先模制殼體，在其中成型出一個引出框(8)。
7.根據(jù)權利要求5或6的方法，其特征在于該殼體(10)具有一個環(huán)形的側壁區(qū)域(10a)，該側壁區(qū)域包圍著該傳感器芯片(5”)并且該側壁區(qū)域在該傳感器芯片(5”)的上方通過一個具有透孔(15a；15b)的蓋(20’；20”)封閉。
8.半導體芯片裝置，具有一個具有一個表面的半導體芯片(5”)，該表面具有一個膜片區(qū)域(55’)及一個周圍區(qū)域，其中該周圍區(qū)域具有一個裝配區(qū)域(MB)，及其中在該膜片區(qū)域(55’)的里面是一個空腔(58’)，該空腔延伸到該裝配區(qū)域(MB)中并在那里通入一個開(58’a)中；一個襯底(1’；10)，該襯底具有一個帶有一個凹槽(11)的表面；其中該半導體芯片(5”)的裝配區(qū)域(MB)用倒裝芯片技術被這樣地裝配到該襯底(1’；10)的表面上，使得該凹槽(11)的一個邊緣(K)位于該裝配區(qū)域(MB)與該膜片區(qū)域(55’)之間并且該開口(58’a)向著該襯底(1’；10)；其中用一種底填料(28)對該裝配區(qū)域(MB)進行底填充，其中該凹槽(11)的所述邊緣(K)用作用于該底填料(28)的斷開區(qū)域，使得沒有底填料(28)存在于該膜片區(qū)域(55’)中；及其中設置有一個穿過該襯底(1’；10)至該空腔(58’)的開口(58’a)的透孔(101’；101”)。
9.根據(jù)權利要求8的半導體芯片裝置，其特征在于在該裝配區(qū)域(MB)中設置有多個鍵合焊盤(53)，它們通過焊接或粘接連接被裝配在該襯底(1’；10)的表面上。
10.根據(jù)權利要求8或9的半導體芯片裝置，其特征在于在該襯底(1’；10)的背面上設置一個第一壓力連接裝置(3，4；21’；22’)及在該襯底(1’；10)的正面設置一個第二壓力連接裝置(3，4，20”；20”，21；20’，21)，它們被這樣地構造，使得在該膜片區(qū)域(55’)的兩側上可施加不同的壓力(P1，P2)。
11.根據(jù)權利要求8，9或10的半導體芯片裝置，其特征在于該襯底(1’；10)是一個預制造的殼體(10)的一部分。
12.根據(jù)以上權利要求8至11中至少一項的半導體芯片裝置，其特征在于該殼體(10)是一個由塑料制成的預先模制殼體，在其中成型出一個引出框(8)。
13.根據(jù)權利要求11或12的半導體芯片裝置，其特征在于該殼體(10)具有一個環(huán)形的側壁區(qū)域(10a)，該側壁區(qū)域包圍著該傳感器芯片(5”)并且該側壁區(qū)域在該傳感器芯片(5”)的上方通過一個具有透孔(15a；15b)的蓋(20’；20”)封閉。
14.根據(jù)以上權利要求8至13中至少一項的半導體芯片裝置，其特征在于該空腔(58’)具有一個第一空腔區(qū)域(158’)，一個第二空腔區(qū)域(258’)及一個第三空腔區(qū)域(358’)，其中該第一空腔區(qū)域(158’)位于該膜片區(qū)域(55’)的里面，該第三空腔區(qū)域(358’)位于周圍區(qū)域中，及該第三空腔區(qū)域具有向著該襯底(1’；10)的開口(58’a)，及該第二空腔區(qū)域(258’)是一個通道形式的區(qū)域，它使該第一及第三空腔區(qū)域(158’；358’)相連接。
15.根據(jù)權利要求14的半導體芯片裝置，其特征在于該第二空腔區(qū)域(258’)具有窄長的形狀。
16.根據(jù)權利要求15的半導體芯片裝置，其特征在于該第一空腔區(qū)域(158’)具有矩形的、優(yōu)選為方形的形狀。
17.根據(jù)權利要求16的半導體芯片裝置，其特征在于該第二空腔區(qū)域(258’)由該第一空腔區(qū)域(158’)的一個角導出。
18.根據(jù)以上權利要求8至17中至少一項的半導體芯片裝置，其特征在于在該膜片區(qū)域(55’)中設有一個壓電的或壓阻的壓力檢測裝置(51)。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于裝配半導體芯片的方法，具有以下步驟準備一個具有一個表面的半導體芯片(5”)，該表面具有一個膜片區(qū)域(55’)及一個周圍區(qū)域，其中周圍區(qū)域具有一個裝配區(qū)域(MB)，及其中在膜片區(qū)域(55’)的里面具有一個空腔(58’)，該空腔延伸到裝配區(qū)域(MB)中及在那里通到一個開(58’a)中；設置一個襯底(1’；10)，該襯底具有一個帶有凹槽(11)的表面；用倒裝芯片技術將半導體芯片(5”)這樣地裝配在襯底(1’；10)的表面上，以致凹槽(11)的一個邊緣(K)位于裝配區(qū)域(MB)與膜片區(qū)域(55’)之間及開口(58’a)向著襯底(1’；10)；用一種底填料(28)對裝配區(qū)域(MB)進行底填充，其中凹槽(11)的邊緣(K)用作底填料(28)的斷開區(qū)域，以致底填料(28)不達到膜片區(qū)域(MB)中；及通過襯底(1’；10)向著空腔(58’)的開(58’a)設置一個透孔(101’；101”)。該發(fā)明還提供了相應的半導體芯片裝置。
文檔編號G01L9/00GK101044088SQ200580036160
公開日2007年9月26日 申請日期2005年8月24日 優(yōu)先權日2004年10月22日
發(fā)明者胡貝特·本澤爾 申請人:羅伯特·博世有限公司