專利名稱：隔離腔體的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)制造技術領域，具體來說，本發(fā)明涉及一種隔離腔體的制造方法。
背景技術：
在微機電系統(tǒng)(MEMS)的應用中，壓力傳感器、微流器件和其他應用中都需要用到隔離的腔體。這些腔體是重要的部件，基于不同的應用領域，有些是真空的，有些是充有氣體或者是液體的。在不同的應用中，腔體也具有不同的作用。例如在壓力傳感器中，腔體就作為實現(xiàn)壓力比較的背景壓力。為了實現(xiàn)上述不同應用中的腔體的制造，研究人員提出了各種不同的方法，例如在MEMS中普遍存在的是通過背面工藝在硅晶圓的一面形成凹槽，隨后在背面的陽極鍵合實現(xiàn)硅晶圓與玻璃基底之間的鍵合。鍵合過程中間，在高溫下，通過高壓的施加實現(xiàn)硅晶圓與玻璃基底離子的遷移，實現(xiàn)兩塊基片的陽極鍵合，鍵合溫度普遍超過400度。但是首先背面工藝與眾多傳統(tǒng)的CMOS制造工藝不兼容，而且通過這種方法實現(xiàn)的腔體所在的基底整個厚度很厚(是硅晶圓和玻璃的總厚度)，在某些方面并不是很適合。中國發(fā)明專利(申請?zhí)?200610054435.X,申請日:2006.7. 13，發(fā)明名稱壓力傳感器硅諧振膜的制造方法)公開了一種壓力傳感器硅諧振膜的制造方法，具體采用SOI (絕緣體上硅)與有圖形的硅基底進行鍵合，隨后通過減薄、濕法腐蝕形成硅諧振膜。利用此方法需要采用價格昂貴的SOI片，并且在鍵合完畢后，破壞性地去除SOI片上的多余部分。因此，制造成本很高。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種低成本、半導體工藝完全兼容的隔離腔體的制造方法，不需要采用背面工藝和鍵合，避免采用硅基底以外的材料。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種隔離腔體的制造方法，包括步驟提供硅基底，其上形成有基底保護層；依次刻蝕所述基底保護層和所述硅基底，在所述硅基底中形成多個淺槽；在所述基底保護層表面和多個所述淺槽的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層；將所述擴散層中的所述易擴散元素擴散至與所述擴散層相接觸的所述硅基底中， 在所述硅基底中形成重摻雜擴散區(qū)；通過回刻工藝將所述基底保護層表面和所述淺槽底部的所述擴散層去除，所述淺槽側壁保留的所述擴散層作為側壁保護層；以所述基底保護層和所述側壁保護層為掩模，刻蝕多個所述淺槽，在所述硅基底中形成多個深槽；采用濕法腐蝕法腐蝕多個所述深槽，在所述硅基底內部形成腔體；以及
在多個所述淺槽的側壁之間淀積填充材料，在所述腔體上方形成插塞結構，將所述腔體與外界隔離?？蛇x地，在多個所述淺槽的側壁之間淀積填充材料之前，所述方法還包括步驟去除多個所述淺槽的側壁上的所述側壁保護層?？蛇x地，所述硅基底是取向為(111)的硅基底?？蛇x地，所述濕法腐蝕法采用的腐蝕液為堿金屬氫氧化物、EPW、TMAH、EDP或者聯(lián)氨?？蛇x地，采用(111)取向的硅基底，利用各向異性腐蝕得到在所述硅基底內部形成的腔體是橫向的?？蛇x地，所述易擴散元素包括硼元素、銦元素。可選地，所述重摻雜擴散區(qū)的摻雜濃度不小于lX1018cnT3?？蛇x地，所述重摻雜擴散區(qū)的摻雜濃度范圍為IX 102°cm_3 7X 102°cm_3?？蛇x地，所述重摻雜擴散區(qū)在靠近所述淺槽側壁底部的區(qū)域厚度最厚?？蛇x地，所述填充材料為單層或者多層。為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供一種隔離腔體的制造方法，包括步驟提供硅基底，其上形成有基底保護層；依次刻蝕所述基底保護層和所述硅基底，在所述硅基底中形成多個淺槽；在所述基底保護層表面和多個所述淺槽的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層；通過回刻工藝將所述基底保護層表面和所述淺槽底部的所述擴散層去除，所述淺槽側壁保留的所述擴散層作為側壁保護層；以所述基底保護層和所述側壁保護層為掩模，刻蝕多個所述淺槽，在所述硅基底中形成多個深槽；將所述擴散層中的所述易擴散元素擴散至與所述擴散層相接觸的所述硅基底中， 在所述硅基底中形成重摻雜擴散區(qū)；采用濕法腐蝕法腐蝕多個所述深槽，在所述硅基底內部形成腔體；以及在多個所述淺槽的側壁之間淀積填充材料，在所述腔體上方形成插塞結構，將所述腔體與外界隔離?？蛇x地，在多個所述淺槽的側壁之間淀積填充材料之前，所述方法還包括步驟去除多個所述淺槽的側壁上的所述側壁保護層。可選地，所述硅基底是取向為(111)的硅基底?？蛇x地，所述易擴散元素包括硼元素、銦元素?？蛇x地，所述重摻雜擴散區(qū)的摻雜濃度不小于1 X 1018cm_3?？蛇x地，所述重摻雜擴散區(qū)的摻雜濃度范圍為IX 102°cm_3 7X 102°cm_3?？蛇x地，所述重摻雜擴散區(qū)在靠近所述淺槽側壁底部的區(qū)域厚度最厚。可選地，所述填充材料為單層或者多層。可選地，所述濕法腐蝕法采用的腐蝕液為堿金屬氫氧化物、EPW、TMAH、EDP或者聯(lián)氨?？蛇x地，采用(111)取向的硅基底，利用各向異性腐蝕得到在所述硅基底內部形成的腔體是橫向的。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明采用含有易擴散元素的材料進行擴散，利用此材料和重摻雜擴散區(qū)進行雙重的保護，使硅基底上表面在濕法腐蝕的過程中具有更好的一致性，成品率更高。另外，本發(fā)明不需要采用背面工藝和鍵合，避免采用除了硅基底以外的材料，如玻璃基底，使其完全與半導體工藝完全兼容，并且成本較低。此外，本發(fā)明可以將含易擴散元素的材料在加熱擴散后去除，就完全采用重摻雜擴散區(qū)來阻擋濕法腐蝕，又有另外的優(yōu)點擴散形成L型的側壁，倒角部分能夠受到更好的保護，并且因為倒角的存在，淀積填充材料后更加不容易出現(xiàn)漏氣(填充材料在高壓作用下向隔離腔體里面脫落)。


本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質和優(yōu)勢將通過下面結合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中圖1為本發(fā)明一個實施例的隔離腔體的制造方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明另一個實施例的隔離腔體的制造方法的流程示意圖；圖3至圖10為本發(fā)明一個實施例的隔離腔體的制造過程的剖面結構示意圖；圖11至圖13為本發(fā)明另一個實施例的隔離腔體的制造過程的剖面結構示意圖。
具體實施例方式下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述地其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下根據(jù)實際應用情況作類似推廣、演繹，因此不應以此具體實施例的內容限制本發(fā)明的保護范圍。圖1為本發(fā)明一個實施例的隔離腔體的制造方法的流程示意圖。如圖所示，該實施例的隔離腔體的制造方法可以包括執(zhí)行步驟S101，提供硅基底，其上形成有基底保護層；執(zhí)行步驟S102，依次刻蝕基底保護層和硅基底，在硅基底中形成多個淺槽；執(zhí)行步驟S103，在基底保護層表面和多個淺槽的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層；執(zhí)行步驟S104，將擴散層中的易擴散元素擴散至與擴散層相接觸的硅基底中，在硅基底中形成重摻雜擴散區(qū)；執(zhí)行步驟S105，通過回刻工藝將基底保護層表面和淺槽底部的擴散層去除，淺槽側壁保留的擴散層作為側壁保護層；執(zhí)行步驟S106，以基底保護層和側壁保護層為掩模，刻蝕多個淺槽，在硅基底中形成多個深槽；執(zhí)行步驟S107，采用濕法腐蝕法腐蝕多個深槽，在硅基底內部形成腔體；執(zhí)行步驟S108，在多個淺槽的側壁之間淀積填充材料，在腔體上方形成插塞結構， 將腔體與外界隔離。
圖2為本發(fā)明另一個實施例的隔離腔體的制造方法的流程示意圖。如圖所示，該實施例的隔離腔體的制造方法可以包括執(zhí)行步驟S201，提供硅基底，其上形成有基底保護層；執(zhí)行步驟S202，依次刻蝕基底保護層和硅基底，在硅基底中形成多個淺槽；執(zhí)行步驟S203，在基底保護層表面和多個淺槽的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層；執(zhí)行步驟S204，通過回刻工藝將基底保護層表面和淺槽底部的擴散層去除，淺槽側壁保留的擴散層作為側壁保護層；執(zhí)行步驟S205，以基底保護層和側壁保護層為掩模，刻蝕多個淺槽，在硅基底中形成多個深槽；執(zhí)行步驟S206，將擴散層中的易擴散元素擴散至與擴散層相接觸的硅基底中，在硅基底中形成重摻雜擴散區(qū)；執(zhí)行步驟S207，采用濕法腐蝕法腐蝕多個深槽，在硅基底內部形成腔體；執(zhí)行步驟S208，在多個淺槽的側壁之間淀積填充材料，在腔體上方形成插塞結構， 將腔體與外界隔離。隔離腔體的制造過程的第一實施例圖3至圖10為本發(fā)明一個實施例的隔離腔體的制造過程的剖面結構示意圖。需要注意的是，這些以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的， 并且不應該以此作為對本發(fā)明實際要求的保護范圍構成限制。如圖3所示，提供硅基底101，其優(yōu)選為(111)取向的硅基底，但是顯然也可以是其他類型的基底。采用(111)取向的硅基底是在濕法腐蝕的過程中，能夠采用濕法腐蝕法進行各向異性腐蝕，能夠在硅基底內部形成橫向排布的腔體。在腐蝕的過程中，因為各向異性腐蝕，對硅基底101表面的損傷很少，因此適合制造高質量、高可靠、高靈敏度的傳感器。在該硅基底101上形成有基底保護層102。如圖4所示，通過光刻工藝，依次刻蝕基底保護層102和硅基底101，打開基底保護層102，并在硅基底101中形成多個淺槽103。如圖5所示，在基底保護層102表面和多個淺槽103的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層104。其中，該易擴散元素可以包括硼、磷、砷、銦等易擴散元素。該擴散層 104同時還可以具有隔離腐蝕液的作用，用以在后續(xù)的腐蝕工藝中保護基底不受腐蝕。如圖6所示，利用退火工藝，將擴散層104中的易擴散元素擴散至與擴散層104 相接觸的硅基底101中，易擴散元素擴散在硅基底101中形成重摻雜擴散區(qū)105。而易擴散元素顯然也會擴散到基底保護層102中，但是在此沒有表示出。重摻雜擴散區(qū)105的摻雜濃度一般不小于 1 X IO1W3,優(yōu)選為 1 X 1018Cm_3，4 X IO18cnT3, 5 X IO19cnT3，1 X IO20cnT3， 3X 102°αιΓ3，5X 102°αιΓ3，7X 102°αιΓ3，2X 1021Cm_3，1 X IO22CnT3 等，優(yōu)選范圍為 1 X IO20CnT3 到 7X IO20Cm-30上述的擴散層104可以采用含硼材料，采用含硼材料后，重摻雜擴散區(qū)105就是P型重摻雜的區(qū)域，能夠有效阻擋如堿金屬氫氧化物、EDP、TMAH、EPW、聯(lián)氨等材料的腐蝕。但是顯然，擴散層104也可以采用其他具有易擴散特性的材料，在此不再贅述。如圖7所示，通過回刻工藝將基底保護層102表面和淺槽103底部的擴散層104 去除，淺槽103側壁保留的擴散層104除了起到擴散作用之外還起到側壁保護層(未標示)的作用如圖8所示，以基底保護層102和側壁保護層為掩模，繼續(xù)刻蝕多個淺槽103，在硅基底101中形成多個深槽106。在本實施例中，也可以先如圖7所示地通過回刻工藝將基底保護層102表面和淺槽103底部的擴散層104去除，淺槽103側壁保留的擴散層104作為側壁保護層；接著如圖 8所示地以基底保護層102和側壁保護層為掩模，刻蝕多個淺槽103，在硅基底101中形成多個深槽106 ；然后再如圖6所示地利用退火工藝，將擴散層104中的易擴散元素擴散至與擴散層104相接觸的硅基底101中，在硅基底101中形成重摻雜擴散區(qū)105。如圖9所示，采用濕法腐蝕法腐蝕多個深槽106，在硅基底101內部形成腔體107， 濕法腐蝕法采用的腐蝕液可以為堿金屬氫氧化物、EPW、TMAH、EDP或者聯(lián)氨。而硅基底101 的表面，因為側壁保護層、重摻雜擴散區(qū)105和基底保護層102的共同作用，在濕法腐蝕過程中，對硅基底101的表面部分起到充分的保護而不受腐蝕。在圖中用虛線圓圈表示出的區(qū)域108是通過本擴散方法得到的特殊結構，在靠近淺槽103側壁底部的區(qū)域擁有較厚的重摻雜區(qū)域，有助于更有效地阻擋濕法腐蝕，虛線內倒角保護層的存在對于保護硅基底101 表面材料不受腐蝕具有重要的作用，也是本發(fā)明的特點之一。如圖10所示，在多個淺槽103的側壁之間淀積填充材料109，該填充材料109可以為單層，也可以為多層。填充材料109在腔體107上方形成插塞結構，將腔體107與外界隔離。同樣，因為上述虛線中倒角的存在，更加有助于插塞結構的穩(wěn)定，更難在外界壓力的作用下脫落。在此需要指出，在腐蝕腔體107的過程中，側壁保護層可能會部分消耗或者完全消耗。如果側壁保護層尚未完全消除，在淀積填充材料109之前，可以先去除多個淺槽103 的側壁上的多余的側壁保護層，也可以保留此保護層。本實施例的特點在于形成腔體107的腐蝕過程中，是采用側壁保護層和重摻雜擴散區(qū)105的共同阻擋作用，更好地保護硅基底101的表面不受腐蝕，因此更加容易地控制工藝，從而可以實現(xiàn)具有更薄表面硅材料層的空腔，這樣的空腔能夠應用在高靈敏度的傳感
ο隔離腔體的制造過程的第二實施例圖11至圖13為本發(fā)明另一個實施例的隔離腔體的制造過程的剖面結構示意圖。 本實施例與上一個實施例的區(qū)別在于本實施例僅采用重摻雜擴散層110對腐蝕液進行阻擋形成腔體113。為了簡明起見，本實施例在此僅闡述與上一個實施例的不同的步驟。類似地，需要注意的是，這些以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的，并且不應該以此作為對本發(fā)明實際要求的保護范圍構成限制。本實施例從在硅基底中形成了多個深槽111之后開始描述。首先如圖11所示，去除多個淺槽的側壁上的側壁保護層，僅保留經(jīng)重摻雜的擴散層110。類似地，在圖中也用虛線圓圈表示出的區(qū)域112是通過本擴散方法得到的特殊結構(倒角結構)，在靠近側壁底部的區(qū)域擁有較厚的重摻雜區(qū)域，有助于更有效阻擋濕法腐蝕，對于保護基底表面材料不受腐蝕具有重要的作用。然后如圖12所示，采用濕法腐蝕法腐蝕多個深槽111，在硅基底101內部形成腔體 113。在本實施例中，僅采用重摻雜的擴散層110對腐蝕液的阻擋形成腔體113。
最后如圖13所示，在多個淺槽的側壁之間淀積填充材料114，該填充材料114可以為單層，也可以為多層。填充材料114在腔體113上方形成插塞結構，將腔體113與外界隔離。同樣倒角的存在有助于增強插塞結構的穩(wěn)定性。本發(fā)明采用含有易擴散元素的材料進行擴散，利用此材料和重摻雜擴散區(qū)進行雙重的保護，使硅基底上表面在濕法腐蝕的過程中具有更好的一致性，成品率更高。另外，本發(fā)明不需要采用背面工藝和鍵合，避免采用除了硅基底以外的材料，如玻璃基底，使其完全與半導體工藝完全兼容，并且成本較低。此外，本發(fā)明可以將含易擴散元素的材料在加熱擴散后去除，就完全采用重摻雜擴散區(qū)來阻擋濕法腐蝕，又有另外的優(yōu)點擴散形成L型的側壁，倒角部分能夠受到更好的保護，并且因為倒角的存在，淀積填充材料后更加不容易出現(xiàn)漏氣(填充材料在高壓作用下向隔離腔體里面脫落)。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以做出可能的變動和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權利要求所界定的保護范圍之內。
權利要求
1.一種隔離腔體的制造方法，包括步驟提供硅基底(101)，其上形成有基底保護層(102)；依次刻蝕所述基底保護層(10 和所述硅基底(101)，在所述硅基底(101)中形成多個淺槽(103)；在所述基底保護層(10 表面和多個所述淺槽(10 的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層(104)；將所述擴散層(104)中的所述易擴散元素擴散至與所述擴散層(104)相接觸的所述硅基底(101)中，在所述硅基底(101)中形成重摻雜擴散區(qū)(105)；通過回刻工藝將所述基底保護層(10 表面和所述淺槽(10 底部的所述擴散層 (104)去除，所述淺槽(103)側壁保留的所述擴散層(104)作為側壁保護層；以所述基底保護層(10 和所述側壁保護層為掩模，刻蝕多個所述淺槽(103)，在所述硅基底(101)中形成多個深槽(106)；采用濕法腐蝕法腐蝕多個所述深槽(106)，在所述硅基底(101)內部形成腔體(107)；以及在多個所述淺槽(10 的側壁之間淀積填充材料(109)，在所述腔體(107)上方形成插塞結構，將所述腔體(107)與外界隔離。
2.根據(jù)權利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，在多個所述淺槽(103)的側壁之間淀積填充材料(109)之前，所述方法還包括步驟去除多個所述淺槽(103)的側壁上的所述側壁保護層。
3.根據(jù)權利要求2所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述硅基底(101)是取向為(111)的硅基底。
4.根據(jù)權利要求1所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕法采用的腐蝕液為堿金屬氫氧化物、EPW、TMAH、EDP或者聯(lián)氨。
5.根據(jù)權利要求1或3所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，采用(111)取向的硅基底，利用各向異性腐蝕得到在所述硅基底(101)內部形成的腔體(107)是橫向的。
6.根據(jù)權利要求3所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述易擴散元素包括硼元素、銦元素。
7.根據(jù)權利要求6所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū)(105) 的摻雜濃度不小于ι χ 1018cm_3。
8.根據(jù)權利要求7所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū)(105) 的摻雜濃度范圍為1 X IO2tlCnT3 7X 102°CnT3。
9.根據(jù)權利要求7所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū)(105) 在靠近所述淺槽(10 側壁底部的區(qū)域厚度最厚。
10.根據(jù)權利要求9所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述填充材料(109)為單層或者多層。
11.一種隔離腔體的制造方法，包括步驟提供硅基底(101)，其上形成有基底保護層(102)；依次刻蝕所述基底保護層(10 和所述硅基底(101)，在所述硅基底(101)中形成多個淺槽(103)；在所述基底保護層(10 表面和多個所述淺槽(10 的側壁及底部淀積含有易擴散元素的擴散層(104)；通過回刻工藝將所述基底保護層(10 表面和所述淺槽(10 底部的所述擴散層(104)去除，所述淺槽(103)側壁保留的所述擴散層(104)作為側壁保護層；以所述基底保護層(10 和所述側壁保護層為掩模，刻蝕多個所述淺槽(103)，在所述硅基底(101)中形成多個深槽(106)；將所述擴散層(104)中的所述易擴散元素擴散至與所述擴散層(104)相接觸的所述硅基底(101)中，在所述硅基底(101)中形成重摻雜擴散區(qū)(105)；采用濕法腐蝕法腐蝕多個所述深槽(106)，在所述硅基底(101)內部形成腔體(107)；以及在多個所述淺槽(10 的側壁之間淀積填充材料(109)，在所述腔體(107)上方形成插塞結構，將所述腔體(107)與外界隔離。
12.根據(jù)權利要求11所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，在多個所述淺槽(103) 的側壁之間淀積填充材料(109)之前，所述方法還包括步驟去除多個所述淺槽(103)的側壁上的所述側壁保護層。
13.根據(jù)權利要求12所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述硅基底(101)是取向為(111)的硅基底。
14.根據(jù)權利要求13所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述易擴散元素包括硼元素、銦元素。
15.根據(jù)權利要求14所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū)(105)的摻雜濃度不小于lX1018cm_3。
16.根據(jù)權利要求15所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū) (105)的摻雜濃度范圍為IX IO2ciCnT3 7 X IO2W30
17.根據(jù)權利要求15所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述重摻雜擴散區(qū) (105)在靠近所述淺槽(10 側壁底部的區(qū)域厚度最厚。
18.根據(jù)權利要求17所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述填充材料(109)為單層或者多層。
19.根據(jù)權利要求11所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕法采用的腐蝕液為堿金屬氫氧化物、EPW、TMAH、EDP或者聯(lián)氨。
20.根據(jù)權利要求11或13所述的隔離腔體的制造方法，其特征在于，采用(111)取向的硅基底，利用各向異性腐蝕得到在所述硅基底(101)內部形成的腔體(107)是橫向的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種隔離腔體的制造方法，包括步驟提供硅基底，其上形成有基底保護層；刻蝕基底保護層和硅基底，形成多個淺槽；在基底保護層表面和淺槽的側壁及底部淀積含易擴散元素的擴散層；將易擴散元素擴散至與擴散層相接觸的硅基底中，形成重摻雜擴散區(qū)；將基底保護層表面和淺槽底部的擴散層去除，淺槽側壁的擴散層作為側壁保護層；以基底保護層和側壁保護層為掩模，刻蝕多個淺槽，在硅基底中形成多個深槽；采用濕法腐蝕法腐蝕多個深槽，在硅基底內部橫向形成腔體；在淺槽的側壁之間淀積填充材料，形成插塞結構，將腔體與外界隔離。本發(fā)明采用含易擴散元素的擴散層，與重摻雜擴散區(qū)作雙重保護，使硅基底表面在濕法腐蝕過程中具有更好的一致性。
文檔編號B81C1/00GK102408093SQ20111032404
公開日2012年4月11日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權日2011年10月21日
發(fā)明者張挺, 張艷紅, 謝志峰, 邵凱 申請人:上海先進半導體制造股份有限公司