專利名稱：使用分段預(yù)圖案的定向自組裝嵌段共聚物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成納米級結(jié)構(gòu)的方法。更具體而言，本發(fā)明涉及使用嵌段共聚物在預(yù)定位置形成具有孔或通路孔(Vias)的裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置典型地包括在基底上形成電路網(wǎng)。該裝置可由數(shù)層電路線構(gòu)成，且使用各種互連使這些層彼此連接及與任何下層的晶體管連接。一般而言，作為制造方法的一部分，形成通路孔或接觸孔(以下統(tǒng)稱為通路孔)，其被轉(zhuǎn)印至另一層，繼而用金屬充填以形成互連，使得各層電路彼此電連通。形成互連的現(xiàn)有技術(shù)方法通常仰賴一系列光刻及蝕刻步驟，以限定通路孔的位置及尺寸，從而限定對應(yīng)互連的位置及尺寸。為此，可使用光致抗蝕劑及掩模。然而，使用用于大量制造的常規(guī)光刻法(例如193nm干式及浸沒式光刻法) 所形成的特征的尺寸已達(dá)到光刻工具的分辨率極限。產(chǎn)生具有較小臨界尺寸(CD)、較密間距及較佳⑶均勻性的通路孔是未來技術(shù)節(jié)點的主要挑戰(zhàn)之一；然而可以預(yù)期使用常規(guī)光刻法印刷超越22nm節(jié)點的通路孔圖案甚為困難，即使使用昂貴及復(fù)雜的雙重圖案化工藝、分辨率強化技術(shù)(計算光刻法)、及嚴(yán)苛的布局設(shè)計限制，也是這樣。不幸的是，在不久的未來，似乎尚無具有較高分辨率能力的替代性非光刻技術(shù)，諸如電子束光刻法或極紫外光刻法(EUV)顯示已可用于大量制造。雖然電子束直寫(direct write)光刻法具有極高分辨率度，然而其為直寫技術(shù)，無法達(dá)到使大量制造成為可行所需的晶片產(chǎn)量水平。EUV光刻工具已經(jīng)開發(fā)許多年；然而許多關(guān)于光源、 聚光系統(tǒng)、掩模、及抗蝕劑的挑戰(zhàn)依然存在，且可能會使EUV光刻法的任何實際應(yīng)用延遲數(shù)年。嵌段共聚物(BCP)圖案化在建立較小尺寸圖案的問題的可能解決方案上已受到矚目。在適當(dāng)條件下，該共聚物相的嵌段分開成微疇(microdomains)(亦稱為“微相分離疇”或“疇”)以降低總自由能，且在此過程中，形成具有不同化學(xué)組分的納米級特征。嵌段共聚物形成此種特征的能力使其被推薦用于納米圖案化，而且可形成具較小CD的特征的程度上，這應(yīng)能使得使用常規(guī)光刻法則難以印刷的特征的構(gòu)建成為可能。不過，在無來自基底的任何引導(dǎo)下，自組裝的嵌段共聚物薄膜中的微疇典型地不會在空間上配準(zhǔn)或?qū)?zhǔn)。為了解決空間配準(zhǔn)及對準(zhǔn)的問題，已使用定向自組裝(DSA)。這是將自組裝與經(jīng)光刻方式限定的基底二者加以組合以控制某些自組裝BCP疇的空間排列的方法。一種DSA技術(shù)為制圖外延法(graphoepitaxy)，其中自組裝由經(jīng)光刻方式預(yù)圖案化的基底的拓樸特征所引導(dǎo)。BCP制圖外延法提供具有比預(yù)圖案本身的特征尺寸小的特征尺寸的亞光刻自組裝特征。一些基于BCP制圖外延法的DSA的初期應(yīng)用已被報導(dǎo)。嵌段共聚物的定向自組裝已被用于減小用常規(guī)光刻方法所產(chǎn)生的孔的直徑，如圖1所示(參見例如美國公開專利申請第20080093743A1號)。依照該技術(shù)，將含有嵌段共聚物的溶液施加于具有開口 IM的拓樸狀基底120上(圖1A)，從而填滿開口。(為了清楚起見，在本文各圖中只顯示基底的一部分)。然后，由退火工藝，在開口 1 中形成微相分離疇1 及132(圖1B)。在該開口 124中心形成的分離、隔開的聚合物疇132，隨后經(jīng)由蝕刻工藝除去，產(chǎn)生孔136，其小于對應(yīng)的開口 124。然而，注意由此種方法所實現(xiàn)的圖案的間距與初始光刻預(yù)圖案的間距相較并未改變(亦即，圖案密度未增加)。如圖2A所示，總體圖案密度(這里涉及較小CD及較小間距)通過在光刻法所限定的溝槽140中產(chǎn)生自組裝聚合物疇的陣列而增加(參見Cheng等，Applied Physics Letters，2002，81，3657)。然而，對于各個自組裝疇144的定位(placement)并無有效控制 (圖2B)，因此對于經(jīng)由蝕刻工藝所產(chǎn)生的對應(yīng)孔148的最終位置無法控制(圖2C)。因此， 這些孔148并未形成所述多個疇具有預(yù)定位置的陣列，并且這些位置的標(biāo)準(zhǔn)偏差可與精確陣列相差高達(dá)平均中心對中心疇間隔的10% (參考Cheng等，Advanced Materials 2006， 18，250幻。此種大小的差異使得此種定向自組裝方法不適合需要定位的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為CD 的3. 5% (3 ο為 10%)的圖案化裝置。如圖3Α所示，在預(yù)圖案化溝槽(由電子束光刻制造)的側(cè)壁中納入一個或更多個寬距分開的缺口(indentation) 160，以配準(zhǔn)嵌段共聚物疇的六角形陣列(參見C. Cheng等， Advanced Materials 2003,15,1599 ；及 Cheng 等，Nature Materials 2004，3，823)。然而， 缺口 160對于實現(xiàn)期望的疇164(從而與其對應(yīng)的孔168)的位置準(zhǔn)確度無足夠的影響力， 亦未破壞對應(yīng)陣列的六角形對稱。

發(fā)明內(nèi)容
本文披露一種構(gòu)建通路孔的DSA圖案化方法，其利用BCP疇的小⑶，同時提供BCP 疇放置的精確控制以進行任意的圖案布局，從而使得較高分辨率度的圖案化成為可能。此外，披露了可與常規(guī)光刻工具及成像材料兼容的優(yōu)選方法。在此說明了嵌段共聚物制圖外延法，其使用定向特征在任意預(yù)定的位置產(chǎn)生孔的陣列，這些以足夠的精確性定位的孔可用于各種應(yīng)用。在此可采用優(yōu)選的定向自組裝方法產(chǎn)生孔陣列，該孔陣列所具有的孔密度高于由光刻法所寫入的分離孔的密度，而且即使孔為任意排列，亦可實現(xiàn)精確的配準(zhǔn)。此項成功與現(xiàn)有技術(shù)形成對比，現(xiàn)有技術(shù)至多產(chǎn)生六角形陣列或方形陣列，其只能以周期及格構(gòu)結(jié)構(gòu)近似描述；這樣的陣列無法用于半導(dǎo)體裝置所需要的豎直互連布局。本發(fā)明的一方面為一種方法，其包括提供具有表面且該表面中具有開口的基底。 該開口有邊界，該邊界包括曲線輪廓、凸的側(cè)壁，該側(cè)壁在它們鄰接處限定突出部。該側(cè)壁的基底表面的橫截面由各具小于IOOnm的平均曲率半徑的各個區(qū)段構(gòu)成(但對不同區(qū)段而言，該平均曲率半徑可相同或不同)。本方法還包括在表面上施加包括嵌段共聚物的聚合物層，其中該共聚物的成分彼此不混溶。讓該聚合物在開口內(nèi)部形成多個分離、隔開的疇(例如，退火工藝可用以引發(fā)該自組裝)，其中i)各個分離、隔開的疇的位置由至少一個側(cè)壁及形成該至少一個側(cè)壁的至少一部分的突出部來預(yù)定，及ii)該疇具有各自的幾何中心， 且對任何給定疇而言，其中心與該給定疇的最近鄰者的中心的隔開距離小于下述a)與b) 的總和a)為與預(yù)定該給定疇的位置的所述至少一個側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或所述多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值)，和b)與預(yù)定該給定疇的最近鄰者位置的所述至少一個側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或所述多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值)。(亦即，如果只由一個側(cè)壁決定某疇的位置，則使用對應(yīng)區(qū)段的平均曲率半徑計算該總和，然而如果由多個側(cè)壁決定某疇的位置，則使用與該多個側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的各個曲率半徑的平均值)。相鄰疇的分離可有利地不同于在不包括開口的拓樸平面基底(相同材料)所實現(xiàn)的， 例如3個或更多個相鄰疇的相對位置可不同于在不包括開口的拓樸平面基底(相同材料) 上所得到的。該基底可為許多不同材料的任一種，且該孔可在抗蝕劑、硬掩?；蚩狗瓷渫繉又行纬桑蛘咧苯踊蛘咦鳛槎嗖襟E方法的一部分形成。本發(fā)明的另一方面為在基底上形成自組裝共聚物圖案的方法。在基底中的開口上施加一層，該開口具有邊界，該邊界至少部分由多個定向特征限定，且該施加的層包括嵌段共聚物。使該嵌段共聚物在開口內(nèi)形成多個分離、隔開的疇(例如，退火工藝的結(jié)果)，其中各分離、隔開的疇的位置由定向特征的至少一個來決定。這些定向特征可有利地包括該開口的邊界上的突出部。例如，該疇在沒有所述特征下可能形成具有特定密度及特定周期性的陣列，但是由于所述特征，該疇形成非以該特定密度及該特定周期性為特征的圖案(例如，該疇可具有大于由所述特定密度給出的密度)。在本方法的一種實施中，(i)在開口中形成至少4個分離隔開的疇，及(ii)通過該定向特征及該分離隔開疇所取得的任何橫截面，將不具完全存在于任何多邊形內(nèi)的分離隔開疇的橫截面，該多邊形由連接該橫截面內(nèi)的3個或更多個分離隔開疇的幾何中心間的線段所構(gòu)成。本發(fā)明的另一方面為一種方法，其包括提供具有表面且在該表面內(nèi)有開口的基底，其中該開口具有邊界，該邊界相當(dāng)于由交迭的、基本上為圓柱形的孔所形成。該孔的側(cè)壁在它們鄰接處限定突出部，每個圓柱形孔具有小于IOOnm的平均曲率半徑。在表面上施加包括嵌段共聚物的聚合物層，其中該共聚物的成分彼此不混溶。讓該聚合物在開口內(nèi)部形成多個分離、隔開的疇，其中i)各個分離、隔開的疇的位置由至少一個側(cè)壁及形成該至少一個側(cè)壁的至少一部分的突出部預(yù)定，及ii)該疇具有各自的幾何中心，且對任何給定疇而言，其中心與該給定疇的最近鄰者的中心的隔開距離小于與預(yù)定該給定疇與該給定疇最近鄰者的位置的該側(cè)壁對應(yīng)的圓柱形孔的平均曲率半徑的總和，以及iii)單一的分離、 隔開的疇位于該開口的與圓柱形孔之一對應(yīng)的各部分內(nèi)。本方法優(yōu)選還包括除去至少一些分離、隔開的疇，從而產(chǎn)生孔，所述孔繼而轉(zhuǎn)印至基底，并用材料回填。


圖1至圖7顯示各個平面圖或俯視圖(除了圖4D，其代表三維示意圖)，其中圖1包括圖1A、圖IB及圖1C，示出現(xiàn)有技術(shù)，其中以基底中的開口開始，可以使用自組裝嵌段共聚物來形成小孔；圖2包括圖2A、圖2B及圖2C，示出現(xiàn)有技術(shù)，其中以基底中的溝槽開始，可以使用自組裝嵌段共聚物來形成多個孔；圖3包括圖3A、圖;3B及圖3C，示出現(xiàn)有技術(shù)，其以基底中的溝槽(其中具有缺口) 開始，可以使用自組裝嵌段共聚物形成多個孔；該缺口決定該孔的格構(gòu)的配準(zhǔn)，但并無法決定各孔的精確位置；圖4包括圖4A、圖4B、圖4C及圖4D，示出本發(fā)明的優(yōu)選方面，其中利用包括嵌段共聚物的聚合物組裝體在分段預(yù)圖案內(nèi)形成多個孔，其中相較于用未分段預(yù)圖案所得到的 (例如，如圖2或圖3所示)，該分段預(yù)圖案的特征以增加的準(zhǔn)確性定位了分離、隔開的BCP
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圖5包括圖5A、圖5B及圖5C，示出本發(fā)明的優(yōu)選方面，其使用包括嵌段共聚物的聚合物組裝體使多個孔形成分段預(yù)圖案，其中相較于用未分段預(yù)圖案所得到的，該分段預(yù)圖案的特征以增加的準(zhǔn)確性將分離、隔開的BCP疇定位成行狀與對角線的排列；圖6及圖7為本發(fā)明的各種實施方式的掃描電子顯微鏡(SEM)的顯微照片；及圖8為對比本發(fā)明的實施方式(下圖)與比較例(上圖)的SEM顯微照片，其中相較于用未分段預(yù)圖案所得到的(上圖)，分段預(yù)圖案的特征將分離、隔開的BCP疇以增加的準(zhǔn)確性定位成行狀排列(下圖)。
具體實施例方式此處說明嵌段共聚物制圖外延法，其用于形成規(guī)則陣列或任意排列。優(yōu)選的方法仰賴基底的使用，該基底具有開口，該開口具有分段圖案，該分段圖案被選擇使得所有分離的疇在預(yù)定位置形成。繼而在這些位置形成孔(或通路孔)，隨后這些孔可被轉(zhuǎn)印至下層基底。然后可將這些孔用材料諸如金屬導(dǎo)電體回填(例如形成互連)。此處披露的分段預(yù)圖案與現(xiàn)有技術(shù)形成對比，為高度結(jié)構(gòu)化的，在現(xiàn)有技術(shù)中使用低維度拓樸物體(例如線形溝槽)，或采用分離的缺口，至多粗略地定位六角形疇陣列的嵌段共聚物的少數(shù)疇。超過22nm節(jié)點，光刻法可能無法產(chǎn)生分離的開口且在各開口內(nèi)使單一自組裝孔形成所需的分辨率。雖然較大的、無特征的預(yù)圖案或許能夠容納多個自組裝疇，以實現(xiàn)較高圖案密度，然而它們無法對每個自組裝疇的最后位置提供足夠的控制。在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，使用光刻法在基底中制造一個或更多個經(jīng)分段預(yù)圖案化的開口。該經(jīng)分段預(yù)圖案化的開口具有許多定向特征或“突出部”，其定向及控制每個自組裝疇的位置以實現(xiàn)所期望的定位精確性。此種基底可以有利地使用光刻法來制造，其所具有的分辨率本質(zhì)上低于例如電子束光刻法所具有的分辨率。在光刻法的情況下，經(jīng)分段預(yù)圖案化的開口可被視為將數(shù)個交迭的分離孔(典型為圓柱狀)組合的結(jié)果，各個孔均具有能被光刻法解析的尺寸。換言之，本發(fā)明的優(yōu)選方面采用預(yù)圖案化開口以定向嵌段共聚物的自組裝。代替較小的分離開口，產(chǎn)生較大的經(jīng)結(jié)構(gòu)化開口，最終該開口可包含多個自組裝的疇，但此種經(jīng)結(jié)構(gòu)化開口在其側(cè)壁內(nèi)具有足夠的定向特征，使得各個自組裝的疇的位置可被控制。此處說明的本發(fā)明的優(yōu)選方面使用具有分段預(yù)圖案(具有某種幾何形狀)的基底，以實現(xiàn)所期望的自組裝疇的定位精確性。(術(shù)語“基底”被廣義地用于意指適合此處所說明的方法的任何物理結(jié)構(gòu)，包括但無需限定于半導(dǎo)體工業(yè)所使用的基底。)舉例而言，圖 4A示出基底420的平面圖，該基底具有開口 424，現(xiàn)將說明其幾何形狀。圖4D顯示對應(yīng)的三維圖示，其必須結(jié)合圖4A觀看。該開口似4可被視為由基底420中超過一個孔的交迭而形成。各個該交迭孔的為圓柱形，具有側(cè)壁428，該側(cè)壁4 為豎直的或基本上豎直的(亦即與基底垂直)。因而，該開口 4M的邊界(在基底420的表面)可被視為圓形的交迭，在圓柱狀的情況(其具有豎直側(cè)壁)，所述圓形為圓柱狀孔在基底平面上的投影。因此，開口 424的周界(perimeter)(在基底420的表面上)由與這些交迭圓形(所述交迭圓形各具有曲率半徑)相關(guān)的多個圓弧432限定。換句話說，圖4A可被視為顯示自側(cè)壁頂部(亦即基底420頂部表面)取得的側(cè)壁428的平面橫截面。在此平面內(nèi)的側(cè)壁的周界由具有小于 IOOnm的各曲率半徑rj的多個圓弧432來限定。
更概括而言，該交迭的孔可為曲線輪廓的及凸面的，但可能非為理想的圓柱形，因此替代地可使用在基底420表面的孔的平均半徑。例如，該孔的橫截面可能偏離圓形，且側(cè)壁可能傾斜(圓錐形孔)，或具有更復(fù)雜的形狀(例如具有淚滴形的孔)。就這些較復(fù)雜的情況而言，該平均曲率半徑可取作相同置換體積的等同圓柱形孔的半徑。開口 4M的該側(cè)壁4 在孔相交處鄰接，在該處該側(cè)壁限定突出部構(gòu)件或突出部436。因此，所得到的突出部436可視為兩個相鄰側(cè)壁的一部分，且由兩個相鄰側(cè)壁形成。雖然圖4A所示的分段預(yù)圖案由圓形孔的交迭而形成，在實踐中，給定開口的實際孔由于光刻法的限制(包括抗蝕劑或其他加工步驟的不理想響應(yīng))可能并非理想的圓形。需了解該偏差仍被視作在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，區(qū)段的平均曲率半徑可取為在該給定位置上可產(chǎn)生的等同圓形開口的曲率半徑的平均值。亦即，如果制作此種開口的大量統(tǒng)計學(xué)樣本，任何個別孔可能偏離理想的圓形，但是以樣本整體來看，這些偏離將實現(xiàn)平均數(shù)。可替代地，對于任何具有非圓形輪廓的區(qū)段而言，其平均曲率半徑可使用根據(jù)霍夫變換(Hough transform)的算法測定(參見例如 William K. Pratt, "Digital Image Processing”，第二版，Wiley-Interscience Publication, ISBN 0-471-85766-1，1991)。如圖4B所示，將含有嵌段共聚物(及可能的其他添加劑，如下述)的制劑施加在基底420上，并退火以形成疇442、446。如圖4B所示，該疇442、446呈相分離，其中疇446 被疇442包圍。相分離過程的結(jié)果為，在側(cè)壁4 上，可有(或可沒有)對應(yīng)于疇442的聚合物的薄涂層(刷層)，此取決于該預(yù)圖案的表面化學(xué)及所用嵌段共聚物的組成。自組裝的、分離隔開的疇446具有各自的幾何中心，所述幾何中心位置由至少一個側(cè)壁4 及其對應(yīng)的突出部436來決定。例如，疇446a的幾何中心的位置由對應(yīng)于在突出部436al及436a2間延伸的區(qū)段43 的側(cè)壁并借助該兩個突出部決定。另一方面，相鄰的疇446b的幾何中心位置由兩個對應(yīng)于區(qū)段432b (其于兩對突出部436al與436bl及 436a2與436 之間延伸)的側(cè)壁并借助該四個突出部決定。因而，側(cè)壁4 及其突出部 436可被視作“定向特征”，因為它們在它們各自的自由能最小化的位點處預(yù)定(或定向) 了疇446的位置。如圖4C所示，疇446可被選擇性除去，以形成孔，隨后所述孔可轉(zhuǎn)印至下層基底420，并從而形成接觸孔或通路孔450的圖案。舉例而言，該疇446可通過使用顯影法(例如在水性的堿性顯影劑中使它們顯影)、通過將它們?nèi)芙庠谌軇┲?、或通過將它們用等離子體蝕刻而除去。該選定的方法除去疇446的聚合物，而留下疇442的聚合物。如圖4A所示，各種區(qū)段432可被視作部分的圓形，該圓形的中心以各個距離Dj分開。事實上，側(cè)壁428的周界(在基底420的表面處)可由距離Dj及與該區(qū)段432相關(guān)的曲率半徑&來限定。另外，分離隔開的疇446的幾何中心的位置使得相鄰的隔開疇以距離 dj隔開，該距離小于下述a)與b)的總和a)與預(yù)定給定疇位置的(至少一個)側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或該多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值(算術(shù)平均))，和b)與預(yù)定給定疇的最近鄰者位置的(至少一個)側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或該多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值)。亦即，如果只有一個側(cè)壁決定某疇的位置(如疇446a的情況)，則使用對應(yīng)的區(qū)段G32a)的平均曲率半徑以計算該總和，然而如果多個側(cè)壁決定某疇的位置(如疇446b的情況)，則使用與該多個側(cè)壁對應(yīng)的多個區(qū)段G32b，上區(qū)段及下區(qū)段)的各個曲率半徑的平均值。如圖4B所示=Cl1 < ri+r2, d2 < r2+r3，及d3 < r3+r4。在優(yōu)選的情況，隔開的疇446的中心定位在對應(yīng)于區(qū)段432的圓的中心，于是Dj =…。曲線輪廓的側(cè)壁4 及它們的突出部436可由光刻法形成，因此疇446 (以及因此它們的對應(yīng)通路孔450)可根據(jù)預(yù)選的布局定位。圖5A、圖5B、及圖5C顯示本發(fā)明的另一方面，其中分離隔開的疇M6并非沿著單軸對準(zhǔn)，而是形成“行”及“對角線”。在此種情況，基底520具有開口 524，該開口 524由對應(yīng)于區(qū)段532的側(cè)壁限定，且疇542及546通過將嵌段共聚物溶液施加于該基底上，繼而將該溶液退火而形成。隨后隔開的疇546可經(jīng)蝕刻除去，并將得到的通路孔550轉(zhuǎn)印至下層基底520。然而須注意就本發(fā)明的此特定實施方式而言，疇對應(yīng)于通路孔550)受限于開口 5M的周界一無任何疇(或?qū)?yīng)的通路孔)完全存在于由連結(jié)任何3個或更多個疇
或通路孔550)的中心的線段所構(gòu)成的多邊形中。更準(zhǔn)確而言，并無任何其橫截面(在多邊形的平面內(nèi))完全位于多邊形內(nèi)的疇，該多邊形由連結(jié)任何3個或更多個疇的橫截面 (由該平面限定)的幾何中心而形成。本發(fā)明的優(yōu)選方面的優(yōu)點在于該側(cè)壁(及它們的突出部)可使用光刻法形成。由于圖4及圖5的相鄰的分離隔開的疇446及M6的分開距離小于對應(yīng)的圓形的平均曲率半徑的總和(例如參見圖4B)，該隔開的疇446及546 (及它們的對應(yīng)孔450及550)可用比本來需要的分辨率低的光刻法以期望的面積密度“印刷”。因此，隔開的疇446及及它們的對應(yīng)孔450及550)并不需要符合嵌段共聚物的任何特定對稱性或天然周期性。例如，通過將圖5的行延伸和形成附加行，可形成標(biāo)準(zhǔn)方形格布局。另外，相鄰的分離隔開的疇446(或討6)之間的中心與中心距離可通過對應(yīng)于區(qū)段432(或53 的側(cè)壁或通過其他定向特征預(yù)先決定。由開口 4M及5M所限定的分段預(yù)圖案由光刻技術(shù)，例如電子束或光刻法有利地形成。在電子束光刻法的情況，該分段預(yù)圖案可直接在抗蝕劑上產(chǎn)生。如果使用光刻法來形成由開口 4M及5M所限定的分段預(yù)圖案，則可使用特定掩模并將光致抗蝕劑施加于基底，繼而將施加的光致抗蝕劑暴露于光輻射(例如MSnm或193nm)。該曝光亦可使用浸沒式光刻法進行。該分段預(yù)圖案可使用單次曝光或多次曝光工藝而形成。DSA可直接在負(fù)光致抗蝕劑圖案(negative-tone resist pattern)中進行。如果該DSA在正光致抗蝕劑圖案(positive-tone resist pattern)中進行，則可能需要對抗蝕劑材料進行一些處理，使得該抗蝕劑圖案不溶于嵌段共聚物(及任何其他添加劑)的澆注溶劑。例如，可使用表面交聯(lián)劑或材料將該正光致抗蝕劑圖案進行處理。否則，該抗蝕劑圖案可轉(zhuǎn)印至下層的底部抗反射涂層、硬掩模層(例如，氧化物或氮化物材料)或轉(zhuǎn)移層(交聯(lián)的有機樹脂層)，隨后將抗蝕劑除去，并可選地修改表面。這些圖案通常對嵌段共聚物的澆注溶劑而言是穩(wěn)定的， 而無需另外的穩(wěn)定化處理。另外，分段預(yù)圖案亦可由雙重圖案化工藝而形成。在一種實施方式中，將圖案成像在第一光抗蝕劑中，并轉(zhuǎn)印至下層的硬掩模。除去殘留的第一光抗蝕劑后，將第二光抗蝕劑澆注在圖案化的硬掩模上并成像，以形成第二光抗蝕劑圖案。繼而將該第二光抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)印至該硬掩模。從第一及第二光抗蝕劑轉(zhuǎn)印(交迭)而來的圖案在硬掩模層中組合以形成單一分段圖案，其可用于定向嵌段共聚物的組裝。一旦制造圖4A及圖5A所示的結(jié)構(gòu)，則在所述結(jié)構(gòu)上進行二嵌段共聚物的自組裝。 該方法總結(jié)于此，且在下文中更詳細(xì)說明。首先，制備含有至少一種嵌段共聚物(BCP)的聚合物溶液。在該溶液中亦可再添加其他BCP、均聚物、共聚物、表面活性劑及光酸產(chǎn)生劑。繼而，將該溶液澆注在具有分段預(yù)圖案的基底上，以在期望的區(qū)域內(nèi)形成良好配準(zhǔn)的聚合物疇。對某些聚合物，諸如PS-b-PMMA(聚苯乙烯(PQ與聚甲基丙烯酸甲酯的二嵌段共聚物) 而言，必須增加該嵌段共聚物的遷移率(例如，經(jīng)由烘烤或溶劑蒸氣處理)。對于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于室溫的嵌段共聚物而言，自組裝可自發(fā)發(fā)生。視需要可使用額外的退火(包括熱退火、熱梯度退火、溶劑蒸氣退火或一些其他梯度場(gradient field))以除去任何缺陷。最后，選擇性地除去至少一個自組裝的聚合物疇以產(chǎn)生孔，該孔隨后可被轉(zhuǎn)印至下層基底。例如，雙層(抗蝕劑層及轉(zhuǎn)印層)及三層(抗蝕劑層、硬掩模層及轉(zhuǎn)印層)的方案都是可行的(參見例如"Introduction to Microlithography，，，第二版，Larry F.Thompson、 C. Grant Willson 及 Murrae J. Bowden 編輯，American Chemical Society, Washington, DC, 1994)。在圖案顯影及圖案轉(zhuǎn)印之前，該自組裝的聚合物可任選地進行化學(xué)改性，以改善圖案轉(zhuǎn)印所需要的性質(zhì)，諸如蝕刻抵抗性或某些機械性質(zhì)。此處所使用的共聚物為得自超過一種單體的共聚物。此處所使用的嵌段共聚物為包含超過一種單體的共聚物，其中該單體以嵌段存在。單體的各個嵌段包含該單體的重復(fù)序列。表示嵌段共聚物的式(1)如以下所示(1) - (A) a-⑶b_ (C) c- (D)d-...... - (Z) z-式中A、B、C、D至Z表示單體單元，下標(biāo)“ a”、“b ”、“ c ”、“ d”至“ ζ ”分別表示A、B、
C、D至Z的重復(fù)單元的數(shù)目。以上列舉出的代表性通式并非意圖限定本發(fā)明所使用的嵌段共聚物的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的方法，共聚物的上述單體可被個別使用，亦可組合使用。二嵌段共聚物具有兩種不同聚合物的嵌段。表示二嵌段共聚物的式( 如以下所示(2)-(A)m-(B)n-其中下標(biāo)“m”及“η”分別表示A及B的重復(fù)單元數(shù)目。二嵌段共聚物的標(biāo)記可縮寫為A-b-B，其中A表示第一嵌段的聚合物，B表示第二嵌段的聚合物，-b-意指其為嵌段A 及B的二嵌段共聚物。例如PS-b-PMMA代表聚苯乙烯(PS)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的二嵌段共聚物。除直鏈嵌段共聚物之外，其他構(gòu)造的嵌段共聚物也可用于DSA，例如星狀共聚物、支化共聚物、超支化共聚物及接枝共聚物。一般而言，嵌段可為任何適合的微疇形成性嵌段，且其上可附接另一個不相同的嵌段。該嵌段可得自不同的可聚合單體，其中該嵌段可包括但不限于聚烯烴類，包括聚二烯；聚醚類，包括聚(環(huán)氧烷)(諸如聚(環(huán)氧乙烷)、聚(環(huán)氧丙烷)、聚(環(huán)氧丁烷)、或它們的無規(guī)或嵌段共聚物) ’聚((甲基)丙烯酸酯)類；聚苯乙烯類；聚酯類、聚有機硅氧烷類；聚有機鍺烷類等。嵌段共聚物的嵌段可包括下述單體C2_3(I烯烴類單體、得自C1,醇類的(甲基)丙烯酸酯單體、含有無機物的單體(包括基于i^、Si、Ge、Sn、Al、Ti者)、或包含至少一種前述單體的組合。使用于嵌段物的作為C2,烯烴類單體的單體可包括乙烯、丙烯、1-丁烯、1，
3-丁二烯、異戊二烯、醋酸乙烯酯、二氫吡喃、降冰片烯、馬來酸酐、苯乙烯、4-羥基苯乙烯、
4-乙酰氧基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、或α-甲基苯乙烯。作為(甲基)丙烯酸酯類單體的單體可包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、或(甲基)丙烯酸羥基乙酯。亦可使用這些單體的兩種或更多的組合。為均聚物的嵌段可包括使用苯乙烯制備的嵌段(例如聚苯乙烯嵌段)；或(甲基)丙烯酸酯均聚物嵌段，諸如聚(甲基)丙烯酸甲酯。無規(guī)嵌段可包括，例如，以無規(guī)方式共聚合的苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯的嵌段(例如，聚(苯乙烯-共聚(Co)-甲基丙烯酸甲酯))。交替共聚物嵌段可包括苯乙烯與馬來酸酐的嵌段，已知由于馬來酸酐在大多數(shù)情況下無法均聚合，所以形成苯乙烯-馬來酸酐的二元重復(fù)構(gòu)造(例如，聚(苯乙烯-交替 (alt)-馬來酸酐))。需知這樣的嵌段是示例性的，不應(yīng)被視為限定。另外，適合使用于本發(fā)明方法的嵌段共聚物包括二嵌段或三嵌段共聚物，包括聚 (苯乙烯-b_乙烯基吡啶)、聚(苯乙烯-b_ 丁二烯)、聚(苯乙烯-b_異戊二烯)、聚(苯乙烯-b_甲基丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯_b-烯基芳香族)、聚(異戊二烯_b-環(huán)氧乙烷)、 聚(苯乙烯_b-(乙烯-丙烯))、聚(環(huán)氧乙烷-b_己內(nèi)酯)、聚(丁二烯-b_環(huán)氧乙烷)、 聚(苯乙烯_b-(甲基)丙烯酸叔丁酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯_b-甲基丙烯酸叔丁酯)、聚 (環(huán)氧乙烷_b-環(huán)氧丙烷)、聚(苯乙烯-b-四氫呋喃)、聚(苯乙烯-b-異戊二烯-b-環(huán)氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-二甲基硅氧烷)、聚(甲基丙烯酸甲酯-b-二甲基硅氧烷)，或包含至少一種上述嵌段共聚物的組合。嵌段共聚物宜具有適于進一步加工的總分子量及多分散性。例如，該嵌段共聚物可具有3，000至400，000克/摩的重量平均分子量(Mw)。相似地，該嵌段共聚物可具有 1，000至200，000的數(shù)量平均分子量(Mn)。該嵌段共聚物也可具有1. 01至6的多分散性 (Mw/Mn)，然而并不特別以此為限。分子量Mw及Mn均可由例如凝膠滲透色譜法測定，并使用通用的校正方法以聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)校正。嵌段共聚物制劑可通過將其旋涂在基底上例如旋轉(zhuǎn)速度從約Irpm至約 10，OOOrpm來施加，可進行或不進行后續(xù)干燥程序。其他方法，諸如浸漬涂布法及噴霧涂布法，亦可用于將該嵌段共聚物制劑施加至基底。此處所使用的術(shù)語“相分離”意指該嵌段共聚物的嵌段形成分離的微相分開疇 (亦稱為“微疇”及簡稱為“疇”)的傾向。相同單體的嵌段聚集而形成疇，以及疇的間隔及形態(tài)取決于嵌段共聚物中不同嵌段的交互作用、體積分?jǐn)?shù)及數(shù)量。當(dāng)將嵌段共聚物施加于基底時，諸如在旋轉(zhuǎn)澆注步驟中，嵌段共聚物的疇可自發(fā)地形成，或者其可在退火步驟后形成?！凹訜帷被颉昂婵尽睘橥ǔ５某绦?，其中將基底及其上涂層的溫度提升至高于室溫。“退火”可包括熱退火、熱梯度退火、溶劑蒸氣退火或其他退火方法。熱退火(有時被稱為“熱固化”)被用于引發(fā)相分離，此外，可被用于減少或除去橫向(lateral)微相分開疇的層中的缺陷。其通常涉及在高于嵌段共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的升高溫度加熱一段時間(例如， 數(shù)分鐘至數(shù)日)。可使用的溶劑隨嵌段共聚物成分及各種添加劑(如果存在)的溶解度要求而改變。供這些成分及添加劑用的澆注溶劑的例子包括丙二醇單甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙酸乙氧基乙酯、苯甲醚、乳酸乙酯、2-庚酮、環(huán)己酮、醋酸戊酯、Y-丁內(nèi)酯(GBL)、甲苯等。添加劑可選自另外的聚合物(包括均聚物、星狀聚合物及共聚物、超支化聚合物、嵌段共聚物、接枝共聚物、超支化共聚物、無規(guī)共聚物、可交聯(lián)聚合物及含無機物的聚合物)、小分子、納米粒子、金屬化合物、含無機物的分子、表面活性劑、光酸產(chǎn)生劑、熱酸產(chǎn)生劑、堿驟冷劑(base quencher)、硬化劑、交聯(lián)劑、鏈延長劑、及包含前述至少一種的組合，其中一種或更多的添加劑與嵌段共聚物一起組裝，以形成一個或更多個自組裝疇的一部分。此處所使用的基底是適于與此處所說明的方法的物理結(jié)構(gòu)，包括但非必須限于半導(dǎo)體工業(yè)所用的基底。該基底包括物理主體(例如，層或疊層、材料等)，在物理主體上可沉積或附著材料(諸如聚合物、聚合材料、金屬、氧化物、介電質(zhì)等)。此處的基底可包括半導(dǎo)體材料、絕緣材料、導(dǎo)電材料、或其任何組合(包括多層結(jié)構(gòu))。因此，舉例而言，基底可包括半導(dǎo)體材料，諸如Si、SiGe, SiGeC, SiC、GaAs, InAs, InP及其他III/V或II/VI化合物半導(dǎo)體?；卓衫绨ㄖT如在半導(dǎo)體工藝的多個步驟中所產(chǎn)生的硅晶片或加工晶片， 諸如集成的半導(dǎo)體晶片?；卓砂▽訝罨?，諸如例如Si/SiGe、Si/SiC、絕緣體上的硅 (SOI)或絕緣體上的硅鍺(SGOI)?；卓砂ㄒ换蚋嗟膶?，諸如介電質(zhì)層、銅的阻擋層 (諸如SiC)、金屬層(諸如銅)、二氧化鉿層、硅層、氧化硅層等，或它們的組合。基底可包括絕緣材料，諸如有機絕緣體、無機絕緣體、或它們的組合(包括多層)。基底可包括導(dǎo)電材料，例如多晶硅(PolySi)、元素金屬、元素金屬的合金、金屬硅化物、金屬氮化物、或它們的組合(包括多層)?；卓砂x子注入?yún)^(qū)，諸如離子注入的源極/漏極區(qū)，其具有對基底表面的P-型或N-型擴散活性。在下列實施例中，使用電子束光刻法以在基底中產(chǎn)生開口。選擇電子束光刻法來實現(xiàn)此目的是因為其允許快速地制造大量不同的測試圖案，而無需產(chǎn)生昂貴的光掩模，或使用先進技術(shù)的193nm浸沒式光刻工具。不過，分段的預(yù)圖案由圓形圖案的疊置制造，其所具有的尺寸可由先進技術(shù)的光學(xué)光刻工具印刷得到。因此，這些示例或適當(dāng)?shù)牡韧绞娇墒褂霉饪谭◤?fù)制。示例分段預(yù)圖案由使用電子束光刻法，將觀P/氧化硅/硅堆疊體(silicon stack)上的ZEP抗蝕劑曝光而制造。ZEP顯影之后，由反應(yīng)性離子蝕刻，將圖案蝕刻35nm至氧化物中。 下面的清洗該氧化物表面，并用聚苯乙烯_(無規(guī))_聚甲基丙烯酸甲酯(PS-r-PMMA)共聚物刷進行的改性，產(chǎn)生中性表面(亦即，不會由嵌段共聚物疇的任一者優(yōu)先潤濕的表面)。 將聚苯乙烯-(嵌段)-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA，6mig/摩-34kg/摩)及PSQ^g/ 摩)的丙二醇單甲醚醋酸酯(PGMEA)溶液旋轉(zhuǎn)澆注于氧化物層的分段預(yù)圖案上，并在200°C 烘烤5分鐘。PMMA疇在各個半封閉的中心組裝。隨后自組裝的孔通過使用醋酸選擇性除去 PMMA而制造。直線型(如圖4)及有角度型(如圖5)的分段預(yù)圖案的定向聚合物自組裝的掃描電子顯微鏡(SEM)顯微照片皆示于圖6中。圖6(上、下圖)顯示自組裝的聚合物疇的準(zhǔn)確定位，其中它們的間距(相鄰疇的幾何中心的距離)為從75nm變化至95nm，增加幅度為 5nm (從左至右)。圖6(上圖)顯示這些疇沿著一個軸排列，而圖6 (下圖)顯示連續(xù)的自組裝的孔可形成鋸齒狀圖案(由彼此以90度排列的假想線段限定)。任意排列的自組裝孔的構(gòu)建亦可使用定制的分段預(yù)圖案實現(xiàn)，如圖7的SEM顯微照片所示。圖8顯示兩個定向自組裝實驗的SEM圖像。上圖顯示200nmX60nm矩形溝槽中的通路孔，而下圖顯示在^Onm長的開口中的通路孔，該開口包括圓形區(qū)段，該圓形區(qū)段的最大寬度為60nm。在各種情況中，將PS-b-PMMA及PS的共混物[PS_b_PMMA (46kg/mol_21kg/ mol) PS = 8 2重量比]的PGMEA溶液涂布在基底上，并在200°C烘烤5分鐘。使
12用醋酸除去PMMA形成通路孔。在上圖中的矩形溝槽QOOnmXeOnm)顯示定向自組裝通路孔，該定向自組裝通路孔具有37nm(0 = 4. Inm)的中心對中心間距，其接近于未具有開口的平面基底上所實現(xiàn)的41nm的中心對中心間距。另一方面，下圖中的曲線輪廓開口 O60nmX60nm，最大寬度)顯示定向自組裝通路孔，其具有較大的中心對中心間距(60nm)， 而具有較小標(biāo)準(zhǔn)偏差(ο = 2nm)。此示例展示定向特征對于定向自組裝通路孔的間距具有影響適當(dāng)曲線輪廓的開口具有強定向效果。 本發(fā)明可在不偏離其精神或重要特性下，以其他特定形式具體實現(xiàn)。此處說明的具體實施方式
在任何方面均應(yīng)被視為說明而非加以限制。因此本發(fā)明的范圍以隨附的權(quán)利要求而非前述的說明來指定。所有在與權(quán)利要求等同的涵義及范圍內(nèi)的改變皆落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供表面中有開口的基底，該開口有邊界，該邊界包括凸面的、曲線輪廓的側(cè)壁，該側(cè)壁在它們鄰接處限定突出部，該側(cè)壁在該基底表面具有橫截面，該橫截面由各具小于IOOnm 的平均曲率半徑的各個區(qū)段構(gòu)成；在所述表面上施加包括嵌段共聚物的聚合物層，其中該共聚物的成分彼此不混溶；讓該聚合物在該開口內(nèi)部形成多個分離、隔開的疇，其中(i)各個分離、隔開的疇的位置由至少一個側(cè)壁及突出部預(yù)定，該突出部形成所述至少一個側(cè)壁的至少一部分，及( )所述疇具有各自的幾何中心，且對任何給定的疇而言，其中心與該給定疇的最近鄰者的中心的分開距離小于下述a)與b)的總和a)為與預(yù)定該給定疇的位置的所述至少一個側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或該多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值)，b)為與預(yù)定該給定疇的最近鄰者位置的所述至少一個側(cè)壁對應(yīng)的區(qū)段的平均曲率半徑(或該多個區(qū)段的平均曲率半徑的平均值)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中相鄰疇的分離不同于在不包括該開口的拓樸平面基底(相同材料)上所實現(xiàn)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中3個或更多個相鄰疇的相對位置不同于在不包括該開口的拓樸平面基底(相同材料)上所得到的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該各個區(qū)段包括圓弧。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該側(cè)壁基本上垂直于該表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該各個區(qū)段具有不同的平均曲率半徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該各個區(qū)段選擇為具有相同的曲率半徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括除去至少一些分離、隔開的疇，從而產(chǎn)生孔；以及將該孔轉(zhuǎn)印至該基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包括用導(dǎo)電材料回填該基底中的孔以形成互連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該孔形成在抗蝕劑、硬掩模或抗反射涂層中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該嵌段共聚物選自聚(苯乙烯-b-乙烯基吡啶)、 聚(苯乙烯-b-丁二烯)、聚(苯乙烯-b-異戊二烯)、聚(苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯)、 聚(苯乙烯-b-烯基芳香族)、聚(異戊二烯-b-環(huán)氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(乙烯-丙烯))、聚(環(huán)氧乙烷_b-己內(nèi)酯)、聚(丁二烯-b-環(huán)氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(甲基)丙烯酸叔丁酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯_b-甲基丙烯酸叔丁酯)、聚(環(huán)氧乙烷-b-環(huán)氧丙烷)、 聚(苯乙烯-b-四氫呋喃)、及上述嵌段共聚物的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括使用光刻法形成開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中由于退火工藝，該聚合物形成分離、隔開的疇。
14.一種方法，包括在基底中的開口上施加層，該開口具有邊界，該邊界至少部分由各種定向特征限定，該施加的層包括嵌段共聚物；以及使該嵌段共聚物在該開口內(nèi)形成多個分離、隔開的疇，其中各個分離、隔開的疇的位置由該特征的至少一個來確定。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中該定向特征包括在該開口的該邊界中的突出部。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成至少四個分離、隔開的疇。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中該疇在沒有該特征下將形成具有特定密度及特定周期性的陣列，但是由于存在該特征，該疇形成非以該特定密度及該特定周期性來為特征的圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中該疇具有大于所述特定密度的密度。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中(i)在該開口內(nèi)形成至少4個分離隔開的疇；以及( )通過該定向特征及該分離隔開疇所取得的任何給定橫截面，將不具有完全位于任何多邊形內(nèi)的分離隔開疇的橫截面，該多邊形由連接該給定橫截面內(nèi)的分離隔開疇的3個或更多個橫截面的幾何中心之間的線段所構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中由退火工藝，該聚合物形成分離、隔開的疇。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，包括選擇性地除去至少一些該分離、隔開的疇，從而產(chǎn)生孔，該孔繼而被轉(zhuǎn)印至該基底并用材料回填。
22.—種方法，包括提供表面中有開口的基底，該開口具有邊界，該邊界等同于由交迭基本上為圓柱形的孔所形成的，該孔的該側(cè)壁在它們鄰接處限定突出部，各個圓柱形孔具有小于IOOnm的平均曲率半徑；在該表面上施加包括嵌段共聚物的聚合物層，其中該共聚物的成分彼此不混溶； 讓該聚合物在該開口內(nèi)部形成多個分離、隔開的疇，其中(i)各個分離、隔開的疇的位置由至少一個側(cè)壁及突出部預(yù)定，該突出部形成所述至少一個側(cè)壁的至少一部分，( )該疇具有各自的幾何中心，且對任何給定疇而言，其中心與該給定疇的最近鄰者的中心的隔開距離小于與預(yù)定該給定疇與該給定疇最近鄰者的位置的側(cè)壁對應(yīng)的圓柱形孔的平均曲率半徑的總和，以及(iii)單一的分離、隔開的疇位于與該圓柱形孔之一對應(yīng)的開口的各部分內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括至少除去一些該分離、隔開的疇，從而產(chǎn)生孔，該孔繼而被轉(zhuǎn)印至該基底并用材料回填。
全文摘要
使用例如光刻法在基底上形成開口，該開口具有側(cè)壁，其橫截面由曲線輪廓的及凸面的區(qū)段構(gòu)成。例如，該開口的橫截面可由交迭的圓形區(qū)域構(gòu)成。該側(cè)壁在多個點鄰接，在該鄰接處限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的層施加于該開口及該基底上，并讓其自組裝。在開口中形成分離、隔開的疇，將所述疇除去以形成孔，該孔可被轉(zhuǎn)印至下方基底。這些疇及與它們所對應(yīng)的孔的位置由側(cè)壁及它們的相關(guān)突出部處定向于預(yù)定的位置。這些孔分開的距離可大于或小于該嵌段共聚物(及任何添加劑)在無任何側(cè)壁下自組裝時的這些孔分開的距離。
文檔編號B81C1/00GK102428022SQ201080021334
公開日2012年4月25日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者C.T.雷特納, D.P.桑德斯, J.程, 李偉健, 羅英惠, 黎家輝 申請人:國際商業(yè)機器公司