本發(fā)明涉及晶體生長，具體而言，涉及一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備及使用方法。

背景技術(shù)：

1、目前，高純碳化硅原料的合成主流工藝技術(shù)是將高純碳粉和高純硅粉充分混合后放入石墨坩堝內(nèi)進行高溫?zé)Y(jié)合成?，F(xiàn)有技術(shù)中的坩堝設(shè)備存在每次只安裝一個石墨坩堝，每次只能合成一堝原料，生產(chǎn)效率低下的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備及使用方法，其能夠一次安裝多個坩堝，從而增加一次生產(chǎn)過程中合成的碳化硅原料的數(shù)量，提高生產(chǎn)效率。

2、本發(fā)明的實施例可以這樣實現(xiàn)：

3、本發(fā)明的實施例提供了一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其包括：

4、保溫筒，所述保溫筒具有沿豎直方向設(shè)置的空腔，所述空腔包括相互連通的加熱腔和存儲腔；

5、加熱件，所述加熱件設(shè)置于所述保溫筒的外部，且所述加熱件的位置和所述加熱腔的位置相對應(yīng)；

6、至少兩個坩堝，至少兩個所述坩堝均設(shè)置于所述空腔內(nèi)；

7、升降裝置，所述升降裝置和所述坩堝連接，所述升降裝置帶動至少兩個所述坩堝在所述空腔內(nèi)沿豎直方向滑動，使得至少兩個所述坩堝依次到達所述加熱腔以及所述存儲腔，從而依次進行加熱工作以及加熱后的存儲工作；

8、所述坩堝的數(shù)量為n個，n個所述坩堝沿豎直方向?qū)盈B設(shè)置，所述存儲腔的高度不小于n﹣1個所述坩堝的總高度；

9、所述加熱件的高度是所述加熱腔的高度的1.1倍-2倍；

10、所述升降裝置包括滑動框體以及驅(qū)動件，所述驅(qū)動件和所述滑動框體連接，所述滑動框體可滑動地設(shè)置于所述空腔，至少兩個所述坩堝均設(shè)置于所述滑動框體內(nèi)；

11、所述滑動框體包括下保溫板以及隔熱板，所述下保溫板的底部和所述驅(qū)動件連接，至少兩個所述坩堝均承托在所述下保溫板上，且所述隔熱板設(shè)置于相鄰兩個所述坩堝之間。

12、可選地，所述坩堝的數(shù)量為三個，所述升降裝置和位于底部的所述坩堝連接,?所述存儲腔的高度不小于兩個所述坩堝的總高度。

13、可選地，所述坩堝的側(cè)壁設(shè)有排氣孔，所述坩堝內(nèi)部的無用元素通過所述排氣孔排出。

14、可選地，所述串聯(lián)式多坩堝設(shè)備還包括石英管，所述石英管套設(shè)于所述保溫筒的外部，所述加熱件位于所述石英管的外部。

15、可選地，所述加熱件包括感應(yīng)加熱件和/或電阻加熱件。

16、本發(fā)明的實施例還提供了一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法，利用串聯(lián)式多坩堝設(shè)備進行工作，所述串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法包括：

17、驅(qū)動所述升降裝置滑動，使得所述升降裝置帶動至少兩個所述坩堝在所述空腔內(nèi)滑動；

18、驅(qū)動第一個所述坩堝到達所述加熱腔，所述加熱件對位于所述加熱腔內(nèi)的所述坩堝進行加熱，并對下一個到達所述加熱腔的所述坩堝進行預(yù)熱；

19、在位于所述加熱腔內(nèi)的所述坩堝加熱完畢后，驅(qū)動所述升降裝置繼續(xù)滑動，加熱完畢的第一個所述坩堝移動至所述存儲腔進行保溫存儲，使得下一個所述坩堝進入所述加熱腔，并通過所述加熱件進行加熱。

20、本發(fā)明實施例的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備及使用方法的有益效果包括，例如：

21、該串聯(lián)式多坩堝設(shè)備包括保溫筒、加熱件、升降裝置以及至少兩個坩堝，所述保溫筒具有沿豎直方向設(shè)置的空腔，所述空腔包括相互連通的加熱腔和存儲腔，所述加熱件設(shè)置于所述保溫筒的外部，且所述加熱件的位置和所述加熱腔的位置相對應(yīng)，至少兩個所述坩堝均設(shè)置于所述空腔內(nèi)，所述升降裝置和所述坩堝連接，所述升降裝置帶動至少兩個所述坩堝在所述空腔內(nèi)沿豎直方向滑動，使得至少兩個所述坩堝依次到達所述加熱腔以及所述存儲腔，從而依次進行加熱工作以及加熱后的存儲工作。使用時，將至少兩個坩堝放置在保溫筒的空腔中，升降裝置能帶動至少兩個坩堝相對于空腔滑動，使得至少兩個坩堝依次進入加熱腔內(nèi)，并通過加熱件進行加熱合成工作，從而形成碳化硅原料，加熱完畢后依次進入存儲腔內(nèi)進行保溫存儲，從而增加一次生產(chǎn)過程中合成的碳化硅原料的數(shù)量，提高生產(chǎn)效率。

22、該串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法利用串聯(lián)式多坩堝設(shè)備進行工作，所述串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法包括：驅(qū)動所述升降裝置滑動，使得所述升降裝置帶動至少兩個所述坩堝在所述空腔內(nèi)滑動；驅(qū)動第一個所述坩堝到達所述加熱腔，所述加熱件對位于所述加熱腔內(nèi)的所述坩堝進行加熱，并對下一個到達所述加熱腔的所述坩堝進行預(yù)熱；在位于所述加熱腔內(nèi)的所述坩堝加熱完畢后，驅(qū)動所述升降裝置繼續(xù)滑動，加熱完畢的第一個所述坩堝移動至所述存儲腔進行保溫存儲，使得下一個所述坩堝進入所述加熱腔，并通過所述加熱件進行加熱。該串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法能夠增加一次生產(chǎn)過程中合成的碳化硅原料的數(shù)量，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其特征在于，包括：

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其特征在于，所述坩堝（30）的數(shù)量為三個，所述升降裝置（40）和位于底部的所述坩堝（30）連接,?所述存儲腔（12）的高度不小于兩個所述坩堝（30）的總高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其特征在于，所述坩堝（30）的側(cè)壁設(shè)有排氣孔（31），所述坩堝（30）內(nèi)部的無用元素通過所述排氣孔（31）排出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其特征在于，所述串聯(lián)式多坩堝設(shè)備（1000）還包括石英管（50），所述石英管（50）套設(shè)于所述保溫筒（10）的外部，所述加熱件（20）位于所述石英管（50）的外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備，其特征在于，所述加熱件（20）包括感應(yīng)加熱件和/或電阻加熱件。

6.一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備的使用方法，其特征在于，利用權(quán)利要求1-5任一項所述的串聯(lián)式多坩堝設(shè)備進行工作，所述串聯(lián)式多坩堝設(shè)備（1000）的使用方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施例提供了一種串聯(lián)式多坩堝設(shè)備及使用方法，涉及晶體生長領(lǐng)域。該串聯(lián)式多坩堝設(shè)備包括保溫筒、加熱件、升降裝置以及至少兩個坩堝，保溫筒具有沿豎直方向設(shè)置的空腔，空腔包括相互連通的加熱腔和存儲腔，加熱件設(shè)置于保溫筒的外部，且加熱件的位置和加熱腔的位置相對應(yīng)，至少兩個坩堝均設(shè)置于空腔內(nèi)，升降裝置和坩堝連接，升降裝置帶動至少兩個坩堝在空腔內(nèi)沿豎直方向滑動，使得至少兩個坩堝依次到達加熱腔以及存儲腔，從而依次進行加熱工作以及加熱后的存儲工作。從而增加一次生產(chǎn)過程中合成的碳化硅原料的數(shù)量，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡金榮,陳建明,趙文超,張江濤,楊洪雨
受保護的技術(shù)使用者：蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/26