通過圖12、13,可證實(shí)利用Sn時(shí)，掩模處理時(shí)間越長(zhǎng)掩模的尺寸越大。但是，并不 是所有物質(zhì)都具有所述相關(guān)關(guān)系，而與Sn相反，根據(jù)不同的物質(zhì)處理時(shí)間越長(zhǎng)掩模的尺寸 也可以越小。在本實(shí)施例中，根據(jù)物質(zhì)特性來控制處理時(shí)間，由此形成各種尺寸的掩模。
[0066] 另外，將相同金屬在不同的溫度下進(jìn)行供給，由此也可形成小型掩?；虼笮脱谀?。
[0067] 圖14是表示根據(jù)對(duì)溫度的調(diào)節(jié)相同的金屬（Bi)的掩模尺寸不同的例子的圖表。 圖15是對(duì)各個(gè)溫度下所形成的掩模進(jìn)行拍攝的照片。
[0068] 在圖14中，變化母材（基板）的溫度，并利用Bi形成掩模，并且可以證實(shí)，在較低 溫度（150°C )下，掩模的尺寸以微?。╩icro)單位（1. 2 μ m)形成，母材的溫度越上升，掩模 的尺寸以納米單位（600nm)形成。實(shí)際形成的掩模在圖15中表示。
[0069] 但是，并非所有物質(zhì)溫度越高掩模的尺寸越小。使用其他物質(zhì)時(shí)，可發(fā)生相反的情 況。理論上，溫度越高則大的粒子越有利，從而穩(wěn)定的狀態(tài)是僅留下大粒子，但是實(shí)際界面 能量、真空度、粒子的形狀及根據(jù)艙室內(nèi)的氧氣量的氧化行動(dòng)的影響等復(fù)雜的因素會(huì)起作 用，從而有溫度越高則掩模越大的物質(zhì)，并且有溫度越高則掩模越小的物質(zhì)。由此，按照物 質(zhì)的特性來調(diào)節(jié)溫度，從而可控制掩模的尺寸。
[0070] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，將熔點(diǎn)不同的金屬用相互不同的處理時(shí)間期間或在 相互不同的溫度下進(jìn)行供給，從而可形成小型掩?；虼笮脱谀?，并且根據(jù)金屬的選擇、溫度 控制、處理時(shí)間控制等，從而可生成符合發(fā)明的目的的各種尺寸、形態(tài)的掩模，并且最終可 將具有各種大小、形態(tài)的凸起形成在母材上。
[0071] 圖6是通過根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置形成掩模的過程的示出圖。
[0072] 在本實(shí)施例中，在相同的艙室內(nèi)將熔點(diǎn)不同的金屬用物理氣相沉積方法 (Physical Vapor Deposition，PVD)，由此在母材上形成小型掩模或大型掩模。物理氣相沉 積方法包括利用離子等熱能或動(dòng)能，從源頭（source)(例如，派射祀材（sputter target) 或坩堝）放出粒子，從而在基板上沉積所述粒子的方法，并且具體地可以分為利用離子的 動(dòng)能的派射（sputtering)方法、利用離子的熱能的真空沉積方法等。
[0073] 除此之外，物理氣相沉積方法作為與氣相狀態(tài)中的電鍍相類似的方法，可包括離 子電鍍（plating)方法，所述離子電鍍（plating)方法為從陽極蒸發(fā)的原子以帶電的狀態(tài) 到達(dá)陰極，從而放電并附著的方法。
[0074] 通過所述的物理氣相沉積方法在母材的表面上熔點(diǎn)不同的金屬形成為掩模，并且 掩模根據(jù)金屬的種類而尺寸不同，并且可以具有定型/非定型的分布。根據(jù)本實(shí)施例，作為 母材上形成有掩模的一個(gè)例子在圖3中表現(xiàn)。
[0075] 另外，就本發(fā)明的掩模形成步驟而言，用彼此不同的處理時(shí)間期間進(jìn)行操作，或者 施加彼此不同的溫度的多個(gè)艙室中，可以將相同的金屬用物理氣相沉積方法，由此在母材 上形成小型掩?；虼笮脱谀?。
[0076] 表示在圖7中。各個(gè)艙室在相互不同的溫度下或用相互不同的處理時(shí)間期間進(jìn)行 操作，從而可以形成通過上文的圖12至圖15說明的掩模。
[0077] 在其他實(shí)施例中，用相互不同的處理時(shí)間期間進(jìn)行操作或施加相互不同的溫度的 多個(gè)艙室中，將熔點(diǎn)不同的金屬用物理氣相沉積方法，由此可以在母材上形成小型掩?；?大型掩模，并且此時(shí)，優(yōu)選地，凸起形成裝置形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)。但是，艙室的個(gè)數(shù)、金 屬供給方式等并非限定于附圖所示的例子。
[0078] 圖8是通過根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的裝置形成掩模的過程的示出圖。
[0079] 在本實(shí)施例中，在相同艙室內(nèi)調(diào)節(jié)母材的溫度，并將前驅(qū)體（precursor)通過化 學(xué)氣相沉積方法（Chemical Vapor Deposition，CVD)進(jìn)行沉積，從而形成小型掩?；虼笮?掩模。
[0080] 化學(xué)氣相沉積方法將前驅(qū)體（precursor)投入至艙室內(nèi)部，從而利用前驅(qū)體間的 反應(yīng)，在母材的表面形成掩模。通過化學(xué)氣相沉積方法形成掩模時(shí)，根據(jù)母材的溫度所形成 的掩模的尺寸不同，并且其結(jié)果，形成小型掩模或大型掩模。掩模形成結(jié)果與圖4所示相類 似。
[0081] 圖9是通過根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的裝置形成掩模的過程的示出圖。就本實(shí) 施例中的掩模形成步驟而言，在多個(gè)艙室內(nèi)使得前驅(qū)體的種類不同，并且通過化學(xué)氣相沉 積方法進(jìn)行沉積，從而形成小型掩模或大型掩模。針對(duì)各個(gè)不同的艙室，使得前驅(qū)體的種類 不同的情況，相同溫度下可以形成各種尺寸的掩模，并且在調(diào)節(jié)母材的溫度時(shí)，可進(jìn)行更為 多種的變形。
[0082] 以下，對(duì)通過本發(fā)明的掩模形成凸起的裝置（以下稱"凸起形成裝置"）進(jìn)行說明。
[0083] 本發(fā)明的凸起形成裝置包括：艙室；母材安裝部，其形成于所述艙室內(nèi)，并安裝有 母材；金屬供給部，其形成于艙室內(nèi)，并且用于通過濺射方式向安裝于所述母材安裝部的母 材上供給金屬；以及溫度調(diào)節(jié)部，其用于調(diào)節(jié)所述艙室內(nèi)溫度。
[0084] 本實(shí)施例是用于通過物理氣相沉積方法（Physical Vapor Deposition，PVD)將小 型掩?；虼笮脱谀Ｐ纬捎谀覆纳系难b置。母材安裝部及金屬供給部、溫度調(diào)節(jié)部并非限定 于特定的位置，只是為了使得在金屬供給部濺射的金屬得以準(zhǔn)確地命中，從而優(yōu)選地配置 金屬供給部及母材安裝部。通過本凸起形成裝置實(shí)施大型掩?；蛐⌒脱谀５睦尤缜懊嫠?觀察的一樣。
[0085] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，母材安裝部包括母材加熱器（heater)，所述母材加熱器 用于將所安裝的母材加熱至已設(shè)定的溫度，并且在母材加熱器中可設(shè)置有多個(gè)熱電偶。通 過母材加熱器，母材在最佳溫度下通過物理氣相沉積方法可以被掩模。當(dāng)然可以根據(jù)母材 溫度的調(diào)節(jié)，對(duì)沉積程度進(jìn)行控制。
[0086] 就所述熱電偶而言，其作為用于向整體母材均勻傳遞熱的結(jié)構(gòu)，形態(tài)并非受到限 制。母材的尺寸較大時(shí)，可產(chǎn)生如下問題：在掩模形成過程中，母材上的熱分布不同，在相同 條件下，掩模尺寸的偏差較大，但是如果利用所述熱電偶，則母材加熱器所產(chǎn)生的熱被均勻 地傳遞至母材，并且相同條件下可減少掩模尺寸的偏差。
[0087] 另外，本發(fā)明的凸起形成裝置內(nèi)溫度調(diào)節(jié)部可以包括傳感器及艙室加熱器，所述 傳感器測(cè)定艙室內(nèi)的溫度，所述艙室加熱器通過電力調(diào)節(jié)對(duì)艙室內(nèi)的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。雖然 在圖6、7等中未對(duì)溫度調(diào)節(jié)部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行明示，但是所述傳感器用于對(duì)艙室內(nèi)的溫度（根 據(jù)情況也監(jiān)控母材的溫度）進(jìn)行監(jiān)控，而艙室加熱器為對(duì)艙室內(nèi)進(jìn)行加熱的結(jié)構(gòu)，以便符 合掩模形成條件，并且凸起形成裝置通過電力得到控制，因此通過電力調(diào)整來調(diào)節(jié)艙室內(nèi) 溫度。
[0088] 另外，傳感器和艙室加熱器并非必須設(shè)置在相同的位置，可以相互單獨(dú)地設(shè)置，并 且溫度調(diào)節(jié)部雖然可以是一個(gè)特定裝置，但是也可以是用于調(diào)節(jié)溫度的各種構(gòu)成的組合。
[0089] 本發(fā)明的凸起形成裝置還可包括用于移動(dòng)母材的內(nèi)聯(lián)（in-line)部。內(nèi)聯(lián)部可以 由各種形態(tài)、方式構(gòu)成，因此在附圖中省略實(shí)際構(gòu)成。但是圖6、7等中示出了根據(jù)內(nèi)聯(lián)部的 驅(qū)動(dòng)依次移動(dòng)母材的例子。為了適用各種工藝條件，利用內(nèi)聯(lián)部移動(dòng)母材，從而可實(shí)現(xiàn)工藝 自動(dòng)化。
[0090] 就圖6所示出的例子而言，隨著內(nèi)聯(lián)部的驅(qū)動(dòng)，金屬供給部將熔點(diǎn)不同的金屬向 母材供給，并且溫度調(diào)節(jié)部將艙室內(nèi)的溫度維持為一定，在圖7的例子中艙室由相互區(qū)分 的多個(gè)艙室組成，并且還包括內(nèi)聯(lián)部，所述內(nèi)聯(lián)部用于在多個(gè)艙室之間移動(dòng)母材，并且金屬 供給部將相同的金屬向母材進(jìn)行供給，并且各個(gè)艙室用相互不同的處理時(shí)間期間進(jìn)行操作 或通過所述溫度調(diào)節(jié)