掩模版及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩模版及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在光刻過程中，通過曝光將掩模版上的布局圖案復(fù)制到半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層中，該布局圖案可以是芯片圖案或?qū)?zhǔn)標(biāo)記圖案等。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，參照圖1，掩t旲版中的布局圖案包括S集(dense)型圖案1和孤立(isolate)型圖案2，密集型圖案1包括平行排列的若干第一條形線11，孤立型圖案2包括平行排列的若干第二條形線21，第一條形線11的分布密度大于第二條形線21的分布密度。在曝光過程中，曝光光線在通過掩模版的窗口后照射光刻膠層，光線會在光刻膠層中散射形成散射光，對應(yīng)第一條形線11和第二條形線21的光刻膠層部分的邊緣會受到散射光的影響。但是，由于第一條形線和第二條形線分布密度的差異，相鄰兩第一條形線11之間的掩模版窗口尺寸小于相鄰兩第二條形線21之間的掩模版窗口尺寸，每個第一條形線11邊緣受到的散射光影響與每個第二條形線21邊緣受到的散射光影響不一致，最終得到的芯片圖案中，第一條形線11和第二條形線21的特征尺寸誤差不一致。
[0004]為解決上述問題，在相鄰兩第二條形線21之間設(shè)置有至少一條亞分辨率輔助圖案(Sub-resolut1n Assistant Feature, SRAF) 22,輔助圖案 22 呈條狀，使得所有第二條形線21和輔助圖案22的分布密度與第一條形線11的分布密度基本相同。這樣，密集型圖案1中的窗口和孤立型圖案2中的窗口尺寸基本相同，在曝光過程中，輔助圖案22能夠補償相鄰的第二條形線21受到的散射光影響，使得光刻膠層中第一條形線和第二條形線的特征尺寸的誤差保持一致。而且，輔助圖案22的特征尺寸小于曝光設(shè)備的分辨率，輔助圖案22不會復(fù)制到光刻膠層中。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)形成具有圖1所示布局圖案的掩模版的方法包括:
[0006]提供掩模版；在掩模版上形成光刻膠層；對光刻膠層進行圖形化，以定義布局圖案的位置；以圖形化后的光刻膠層為掩模，干法刻蝕掩模版形成布局圖案；使用清洗劑清洗干法刻蝕過程中的殘留物質(zhì)，如反應(yīng)生成物、污染物等；接著對掩模版進行甩干處理，清除殘留清洗劑。由于亞分辨率輔助圖案22的特征尺寸較小，在甩干過程中，亞分辨率輔助圖案可能會傾斜甚至脫落，造成亞分辨率輔助圖案在曝光過程中將無法起到補償散射光的作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明解決的問題是，在掩模版形成過程中，亞分辨率輔助圖案會在甩干過程中傾斜甚至脫落。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種掩模版的形成方法，該掩模版的形成方法包括:
[0009]提供基板，所述基板包括透光板、位于所述透光板上的非透光膜；
[0010]在所述非透光膜中寫入布局圖案以形成掩模版，所述布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案，所述密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線，所述孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線；
[0011]在相鄰兩第二條形線之間具有至少一個亞分辨率輔助圖案，所述亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于所述條形圖案沿長度方向的側(cè)壁的若干間隔分布的凸部，所述條形圖案與第二條形線平行；
[0012]使用清洗劑清洗所述寫入過程產(chǎn)生的雜質(zhì)；
[0013]對所述掩模版進行甩干以去除殘留的清洗劑。
[0014]可選地，在所述非透光膜中寫入布局圖案的方法包括:
[0015]在所述非透光膜上形成掩模層；
[0016]對所述掩模層進行圖形化，圖形化后的掩模層定義布局圖案的位置；
[0017]以所述圖形化后的掩模層為掩模，刻蝕非透光膜形成布局圖案；
[0018]去除圖形化后的掩模層。
[0019]可選地，所述掩模層為光刻膠層。
[0020]可選地，對所述光刻膠層進行圖形化的方法包括:
[0021]在所述光刻膠層中寫入布局圖案；
[0022]在所述光刻膠層中寫入布局圖案后，對所述光刻膠層進行顯影或刻蝕以形成圖形化的光刻膠層。
[0023]可選地，所述在光刻膠層中寫入布局圖案的方法包括:光學(xué)直寫、投影式電子束直寫或掃描電鏡直寫。
[0024]可選地，使用聚焦離子束轟擊非透光膜，以在所述非透光膜中寫入布局圖案。
[0025]可選地，當(dāng)相鄰兩第二條形線之間具有至少兩個亞分辨率輔助圖案時，在相鄰兩亞分辨率輔助圖案中，沿所述第二條形線的寬度方向，其中一亞分辨率輔助圖案的凸部與另一亞分辨率輔助圖案相鄰兩凸部之間的條形圖案部分相對。
[0026]可選地，每條所述第二條形線的中軸線到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線的距離，等于相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線之間的距離。
[0027]可選地，每條所述第二條形線的中軸線到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線的距離范圍為大于70nm。
[0028]可選地，每條所述第二條形線兩側(cè)的亞分辨率輔助圖案關(guān)于所述第二條形線對稱。
[0029]可選地，每條所述亞分辨率輔助圖案上的所有凸部沿條形圖案長度方向等距分布。
[0030]本發(fā)明還提供一種掩模版，該掩模版包括透光板和位于所述透光板上的非透光膜，在所述非透光膜中形成有布局圖案；
[0031]所述布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案；
[0032]所述密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線；
[0033]所述孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線，在相鄰兩第二條形線之間具有至少一個亞分辨率輔助圖案；
[0034]所述亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于所述條形圖案沿長度方向的側(cè)壁的若干間隔分布的凸部，所述條形圖案與第二條形線平行。
[0035]可選地，當(dāng)相鄰兩第二條形線之間具有至少兩個亞分辨率輔助圖案時，在相鄰兩亞分辨率輔助圖案中，沿所述第二條形線的寬度方向，其中一亞分辨率輔助圖案的凸部與另一亞分辨率輔助圖案相鄰兩凸部之間的條形圖案部分相對。
[0036]可選地，每條所述第二條形線的中軸線到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線的距離，等于相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線之間的距離。
[0037]可選地，每條所述第二條形線的中軸線到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線的距離范圍為大于70nm。
[0038]可選地，每條所述第二條形線兩側(cè)的亞分辨率輔助圖案關(guān)于所述第二條形線對稱。
[0039]可選地，每條所述亞分辨率輔助圖案上的所有凸部沿條形圖案長度方向等距分布。
[0040]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0041]亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、和位于條形圖案沿長度方向的側(cè)壁的若干間隔分布的凸部。凸部相對增大了凸部位置的亞分辨率輔助圖案部分的寬度，凸部用來補償條形圖案在透光板上的附著力，使得整個亞分辨率輔助圖案在透光板上具有較強的附著力。在甩干清洗劑的過程中，亞分辨率輔助圖案較強的附著力，降低了亞分辨率輔助圖案傾斜甚至從透光板上脫落的可能性。這樣，在使用該掩模版的曝光過程中，亞分辨率輔助圖案能起到較好地補償散射光的作用。
【附圖說明】
[0042]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的掩模版的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2?圖12是本發(fā)明具體實施例的掩模版在形成過程中各個階段的示意圖，其中圖10是對應(yīng)圖8的孤立型圖案的放大平面視圖。
【具體實施方式】
[0044]發(fā)明人針對現(xiàn)有技術(shù)存在